「inert」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface.例文帳に追加

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The optical member is composed of a polycrystal silicon solidified body obtained by melting polycrystal silicon as grown synthesized by a chemical vapor deposition process using monosilane or trichlorosilane as raw materials in an oxygen-free inert gas atmosphere using a vessel made of a non-metallic oxide or a vessel whose inner wall face is covered with a non-metallic oxide substance, thereafter cooling the same and performing solidification, and mainly used for infrared rays.例文帳に追加

モノシランやトリクロロシランを原料として化学蒸着法で合成されたアズグロウンの多結晶シリコンを、酸素を含まない不活性ガス雰囲気下で、且つ、非金属酸化物製の容器或いはその内壁面を非金属酸化物系物質で覆った容器を用いて溶融させた後冷却して凝固させた多結晶シリコン凝固体からなることを特徴とする、主として赤外線用に使用される光学部材。 - 特許庁

This probe manufacturing method comprises a process for heating a metal raw material under vacuum or inert gas atmosphere, a process for working the metal raw material into a needle body after the heating, a process for removing the impurity on the needle body surface by heating the needle body under reducing atmosphere, and a process for removing a reducing element adsorbed or diffused in the needle body after removing the impurity.例文帳に追加

金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する工程と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱することにより、針状体表面の不純物を除去する工程と、前記不純物の除去後、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程とからなることを特徴とする探針製造方法である。 - 特許庁

The remote plasma cleaning method for cleaning the interior of the treatment chamber in a CVD device using a remote plasma discharger comprises a step for supplying cleaning gas to the remote plasma discharger, a step for activating the cleaning gas in the remote plasma discharger, and a step for introducing the activated cleaning gas into the treatment chamber wherein a mixture gas of F_2 gas and inert gas is used as the cleaning gas.例文帳に追加

本発明に係るCVD装置処理室内部を遠隔プラズマ放電装置を用いてリモートプラズマクリーニングする方法は、クリーニングガスを遠隔プラズマ放電装置に供給する工程と、クリーニングガスを遠隔プラズマ放電装置内で活性化する工程と、活性化されたクリーニングガスを処理室内に導入する工程とから成り、クリーニングガスとしてF_2ガス及び不活性ガスの混合ガスを使用することを特徴とする。 - 特許庁

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁

The silica-titania complex oxide having dispersion of rutile titania microcrystals in an amorphous matrix is obtained by hydrolyzing a silicon alkoxide such as silicon tetramethoxide or silicon tetraethoxide and a titanium alkoxide such as titanium tetraethoxide, or titanium tetraisopropoxide, heating the co-hydrolyzed product at 900 to 1,300°C in an inert atmosphere such as nitrogen or argon to produce the complex oxide to crystallize the microcrystals of rutile titania in the complex oxide.例文帳に追加

シリコンテトラメトキシド、シリコンテトラエトキシド等のシリコンアルコキシド化合物と、チタニウムテトラエトキシド、チタニウムテトライソプロポキシド等のチタニウムアルコキシド化合物とを加水分解して得られる共加水分解物を、窒素下、アルゴン下等の非酸化性雰囲気下で、９００〜１３００℃で加熱して複合酸化物とすることにより、この複合酸化物中にルチル型チタニアの微結晶が析出し、該微結晶が非晶質マトリックス中に分散されたシリカ−チタニア複合酸化物が得られる。 - 特許庁

Inert gas taking nitrogen gas as a main component is generated by allowing hydrogen gas and oxygen gas in air to react with each other in fuel cells 10 to 12, hydrogen gas and oxygen gas are generated by electrolyzing water by using electric power generated by this reaction and external auxiliary electric power generated by a solar cell 34, and hydrogen gas generated by this electrolysis is supplied as gaseous fuel to the fuel cells 10 to 12.例文帳に追加

燃料電池１０〜１２内で水素ガスと空気中の酸素ガスを常温下で反応させて窒素ガスを主成分とする不活性ガスを発生させると共に、この反応によって発生した電力及び太陽電池３４等によって発生した外部補助電力を用いることによって水を電気分解して水素ガスと酸素ガスを発生し、この電気分解によって発生した水素ガスを燃料電池１０〜１２に気体燃料として供給する。 - 特許庁

The method for producing the thermoplastic polyester resin foamed film comprises injecting a thermoplastic polyester resin under melt extrusion with a gas inert to the polyester and gaseous at normal temperatures and pressures followed by melt kneading, subjecting the melt to sheet molding at a die and simultaneously foaming the melt by pressure release into a sheet with cells 50-500 μm in mean size, which is then subjected to continuous simultaneous biaxial orientation.例文帳に追加

熱可塑性ポリエステル樹脂の溶融押出し時に、ポリエステルに対して不活性でかつ常温常圧で気体であるガスを注入し溶融混練りさせた後、口金部においてシート状に成形すると同時に圧力開放して発泡させ、内在する気泡径の平均値が５０〜５００μｍの範囲にあるシートを連続的に同時二軸延伸することを特徴とする熱可塑性ポリエステル樹脂発泡フィルムの製造方法。 - 特許庁

The crystalline silicon film on which the unevenness is formed by irradiation of a laser beam is irradiated with a laser beam using a laser irradiation apparatus having a plurality of openings provided near on the crystalline semiconductor film to jet an inert gas on the crystalline semiconductor film having the unevenness, and a slit provided on the center of the plurality of openings through which the laser beam to be emitted to the crystalline semiconductor film having the unevenness pass.例文帳に追加

レーザー光の照射により凹凸が形成された結晶性珪素膜に対して、凹凸が形成された結晶性半導体膜に不活性ガスを吹きつけるために、結晶性半導体膜上の近傍に設けられた複数の開口部と、凹凸が形成された結晶性半導体膜に照射されるレーザー光が通過するために、複数の開口部の中心に設けられた一つのスリットと、を有することを特徴とするレーザー照射装置を用いてレーザー光を照射する。 - 特許庁

The compound of the formula is obtained by treating a phosphonate derivative with a base in an inert solvent under a cooling condition or at a room temperature, followed by reacting the treated product with a carbonyl compound under a cooling condition or at a room temperature.例文帳に追加

〔式中、R^1は水素、低級アルキル基又はアルカノイル基；R^２及びR^３は水素、ニトロ基、ハロゲン、低級アルキル基、水酸基、低級アルコキシ基、低級アルコキシ低級アルコキシ基又はアルカノイルオキシ基；R^α及びR^βは水素、シアノ基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基、又は水酸基で置換されていてもよいフェニル基；nは0、1又は2の整数；Zは水酸基、アミノ基、ヒドロキシアミノ基、ヒドラジノ基、低級アルキリデンヒドラジノ基、グアニジノ基、モルホリノ基、アラルキル基で置換されていてもよいピペラジノ基等；或いは、R^1、R^２及びR^３のいずれか２つで-O-CH_2-O-を表す。 - 特許庁

The hydrogenated modified polymer is produced by carrying out anionic polymerization of a conjugated diene and an aromatic vinyl compound in an inert organic solvent such as cyclohexane using an organic alkali metal compound as a polymerization initiator, reacting the obtained conjugated diene polymer with an alkoxysilane compound having a polar group to obtain a modified polymer having a polar group bonded to the polymer and hydrogenating the modified polymer in the presence of a hydrogenation catalyst.例文帳に追加

本水添変性重合体は、シクロヘキサン等の不活性有機溶媒中、共役ジエンと芳香族ビニル化合物とを有機アルカリ金属化合物を重合開始剤としてアニオン重合し、得られた共役ジエン系重合体に、極性基を有するアルコキシシラン化合物を反応させて、極性基が結合した変性重合体とし、次いで、得られた変性重合体を水素添加触媒存在下、水素添加するものである。 - 特許庁

The superconducting coil manufacturing method heats the coil composed of a wire material covered with a fiber material containing a binder by a heater and then gradually cools to heat treat it under an inert gas flow or in vacuum.例文帳に追加

バインダーを含む繊維材料で被覆された線材で構成されているコイルを、ヒーターで加熱してから徐冷する熱処理を施して超電導コイルを製造する方法であって、前記熱処理を不活性ガス気流下または真空で行なうと共に、前記ヒーターの昇温速度は６５℃／ｈを超えない様に制御し、且つ、該ヒーターの温度が４００℃〜５００℃の加熱区間を少なくとも５時間とし、加熱後のコイルを徐冷する際には、前記ヒーターの温度が超電導結晶生成完了温度から３００℃までの区間の平均降温速度（℃／ｈ）を３．８／Ｄ以下とする。 - 特許庁

The method is used to manufacture a hydrogen storage material containing a mixture and a reaction product of a lithium imide and magnesium nitride and has a process of mixing a raw material containing lithium and/or magnesium, a process of heating the raw material in a reactor in which an inert gas is circulated and a process of removing hydrogen and ammonia generated during the heating out of the circulation system.例文帳に追加

リチウムイミドと窒化マグネシウムとの混合物および反応物を含有する水素貯蔵材料の製造方法であって、少なくともリチウムとマグネシウムのいずれかを含む原料を混合する工程と、該原料を不活性ガスが循環する反応装置内で加熱する工程と、前記加熱により発生した水素とアンモニアを循環系外に除去する工程と、を含むことを特徴とする水素貯蔵材料の製造方法。 - 特許庁

Predetermined amount of silicone oil is mixed with the contaminated soil containing the heavy metal compounds, and the mixture is heated to not less than 600°C in an inert gas stream to decompose the silicone oil.例文帳に追加

重金属化合物を含む汚染土壌に所要量のシリコーン油を混合し、この混合物を不活ガス気流中で６００℃以上の温度に加熱して、シリコーン油を分解し、シリコーン油の分解により生じたケイ素（Ｓｉ）によって汚染土壌中の重金属化合物を還元して、重金属単体または重金属酸化物を形成させるとともに、加熱によりこれら重金属単体または重金属酸化物の蒸気を揮発させて、汚染土壌から除去する。 - 特許庁

The method for manufacturing the polymerized toner which manufactures the polymerized toner having the colored polymer particles obtained by distillation of a reaction system obtained by polymerizing a polymerizable monomer composition containing at least a polymerizable monomer and coloring agents is characterized in that the gas 10 selected from air or inert gas is injected into a distillation device for carrying out distillation operation during the distillation operation.例文帳に追加

少なくとも重合性単量体と着色剤とを含有する重合性単量体組成物を、重合開始剤により水系媒体中で重合し、得られる反応系を蒸留して得られる着色重合体粒子を有する重合トナーを製造する重合トナーの製造方法であり、蒸留操作中に蒸留操作を行なう蒸留装置内に空気又は不活性ガスから選ばれる気体１０を注入することを特徴とする。 - 特許庁

This invention relates to an improvement in a process for removing water by the process comprising bringing a hydride gas flow such as NH_3 or an inert gas flow into contact with an effective amount of a drying agent, wherein a mixture of metal oxides consisting of at least one alkali metal oxide and at least one alkaline earth metal oxide is dispersed on a porous support to be used as the drying agent.例文帳に追加

効果的な量の乾燥剤とアンモニアなどの水素化物ガス流又は不活性ガス流を接触させることを含んでなるプロセスにおいて、少なくとも１つのアルカリ金属酸化物と、少なくとも１つのアルカリ土類金属酸化物とから成る金属酸化物の混合物を多孔質担体上に分散させ乾燥剤として利用する、水を除去するプロセスの改良された方法によって上記課題を解決する。 - 特許庁

The film forming method comprises introducing the particulate material for film formation as well as the inert gas through a transfer pipe into a film forming chamber, and forming a thin film on a substrate arranged on a stage in the above film- forming chamber through a nozzle.例文帳に追加

アーク電極は、先端が複数の放電部からなり、前記ガス中蒸発法が、真空チャンバ内で原材料を蒸発させて生じる蒸発原子を該チャンバ内に導入された不活性ガスと衝突させて、蒸発原子同士を結合させ、成膜用粒子状材料とする方法であり、該成膜用粒子状材料を不活性ガスとともに搬送管を通して膜形成室に導き、ノズルを通じて前記膜形成室内のステージ上に設置された基板上に薄膜を形成する。 - 特許庁

The growth of weeds can be controlled by herbicidal compositions which contain, in addition to usual inert formulation assistants, a phospho-herbicide (glufosinate or glyphosate) and a synergistic amount of at least one further herbicide selected from the group consisting of dicamba, pyridate, dimethenamide and its S-enantiomer, metolachlor and its S-enantiomer, propaquizafop, atrazine, and terbutylazine compounds.例文帳に追加

通常の不活性配合助剤に加えて、リン除草剤（グルフォシネートあるいはグリフォセート）と、相乗効果を生ずる量の、ジカンバ、ピリデート、ジメテンアミドおよびそのＳ−鏡像異性体、メトラクロールおよびそのＳ−鏡像異性体、プロパクイザフォップ、アトラジン、テルブチラジンの化合物を含んでなる群から選ばれるさらなる除草剤の少なくとも１種とを含有する除草剤組成物で抑制することができる。 - 特許庁

The fine particle lower zirconium oxide-zirconium nitride composite having the peak of lower zirconium oxide and the peak of zirconium nitride in the X-ray diffraction profile and 10-60 m^2/g specific surface area is obtained through a step for firing a mixture of zirconium dioxide or zirconium hydroxide, magnesium oxide and metal magnesium under an inert gas flow at 650-800°C.例文帳に追加

二酸化ジルコニウムまたは水酸化ジルコニウムと、酸化マグネシウムと、金属マグネシウムとの混合物を、窒素ガスまたは窒素ガスを含む不活性ガス気流中６５０〜８００℃で焼成する工程を経て、Ｘ線回折プロファイルにおいて、低次酸化ジルコニウムのピークと窒化ジルコニウムのピークを有し、比表面積が１０〜６０ｍ^２／ｇである微粒子低次酸化ジルコニウム・窒化ジルコニウム複合体を製造する。 - 特許庁

In a concrete form, for example, the pressure vessel or the pipe is installed in a chemical plant, the nozzle is a setting nozzle of a measuring instrument or the nozzle is a setting nozzle of a manometer, the pressurized fluid is an inert gas and the sensor is a vibrometer or the manometer.例文帳に追加

（Ａ）：圧力流体注入手段：圧力流体をノズルに注入し、閉塞物を圧力容器又は配管へ押し込む手段（Ｂ）：ノズルの導通確認手段：（Ａ）によるノズルの導通確認をセンサーにて行う手段具体的には、圧力容器又は配管が化学プラントに設置されており、ノズルが計測機器の取付けノズルであり、ノズルが圧力計の取付けノズルであり、圧力流体が不活性ガスであり、センサーが振動計又は圧力計である装置を例示できる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the quartz glass comprising a process I for adding fluorine into the porous quartz glass preform 1 by heating the porous quartz glass preform 1 under a fluorine compound-containing atmosphere and a successive process II for heating at a higher temperature under a fluorine compound-containing atmosphere or an inert gas atmosphere to vitrify, the opened porosity of the porous quartz glass preform in the process I is ≥70%.例文帳に追加

多孔質石英ガラス母材１をフッ素化合物含有雰囲気下で加熱して多孔質石英ガラス母材中にフッ素を添加する工程Ｉの後、フッ素化合物含有雰囲気または不活性ガス雰囲気下でさらに高温で加熱して透明ガラス化する工程ＩＩを有する石英ガラスの製造方法において、前記工程Ｉにおける多孔質石英ガラス母材の開気孔率が７０％以上であることを特徴とする石英ガラスの製造方法。 - 特許庁

The method for producing the graphene shell comprises: a first step of performing the first heat treatment on a graphitization catalyst having the three-dimensional structure in an organic solvent so as to carburize the graphitization catalyst; and a second step of forming graphene shells on the surfaces of the carburized graphitization catalyst by performing the second heat treatment on the carburized graphitization catalyst, which is obtained at the first step, in an inert or reductive gas atmosphere.例文帳に追加

三次元構造を有するグラファイト化触媒を有機溶媒中で第１の熱処理を行うことにより、前記グラファイト化触媒を浸炭させる第１の工程と、前記第１の工程により得られる浸炭されたグラファイト化触媒を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で第２の熱処理を行い、前記浸炭されたグラファイト化触媒の表面上にグラフェンシェルを形成させる第２の工程と、を含むグラフェンシェルの製造方法である。 - 特許庁

The catalyst chemical element is moved from the crystalline semiconductor film formed by the catalyst chemical element to the semiconductor film including an inert gas chemical element via a barrier layer.例文帳に追加

第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設けられた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触媒元素を移動させる。 - 特許庁