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ion beam energyの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 115



例文

Moreover, the ion beam is sealed in the low- energy ion implantation apparatus.例文帳に追加

さらに、低エネルギーイオン注入装置内でイオンビームを封じ込める。 - 特許庁

1. Ion implanters with a beam energy exceeding 1 megaelectron volt 例文帳に追加

(一) ビームエネルギーが一メガ電子ボルトを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

SMALL HIGH ENERGY FOCUSED ION BEAM DEVICE例文帳に追加

小型高エネルギー集束イオンビーム装置 - 特許庁

CONVERGED ION BEAM COLUMN INCLUDING ENERGY FILTER例文帳に追加

エネルギーフィルタを含む集束イオンビームカラム - 特許庁

例文

POSITIONING OF NEUTRALIZING ENERGY BEAM AND FOCUSED ION BEAM APPARATUS例文帳に追加

中和用エネルギー線の位置合わせ方法および集束イオンビーム装置 - 特許庁


例文

To provide an ion beam treatment device which suppresses a change in incident energy distribution of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームの入射エネルギー分布の変化を抑制可能なイオンビーム処理装置を提供する。 - 特許庁

ION BEAM IMPLANTATION SYSTEM, ION BEAM ENERGY MEASURING DEVICE AND MEAN ION KINETIC ENERGY MEASURING DEVICE例文帳に追加

イオンビ—ム注入装置、イオンビ—ムのエネルギ—測定装置、及びイオンの平均運動エネルギ—の測定方法 - 特許庁

To enable an ion beam of a high beam current in low-energy in an ion implantation system by a ribbon form ion beam.例文帳に追加

リボン形イオンビームによるイオン注入システムにおいて、低エネルギーで高ビーム電流のイオンビームを可能にする。 - 特許庁

To accurately align irradiating positions of a neutralizing energy beam 25a and an ion beam 39, in a focused ion beam apparatus.例文帳に追加

集束イオンビーム装置の、中和用エネルギー線25aおよびイオンビーム39の照射位置同士を精度良く合わせる。 - 特許庁

例文

The irradiation is carried out with ultraviolet rays, an excimer laser beam, an electron beam, an ion beam or their combined beam as the energy beam 2.例文帳に追加

エネルギービームとしては、紫外線、エキシマレーザ、電子ビーム、イオンビームまたはこれらを組合せたビームを照射する。 - 特許庁

例文

When a part of the remaining ion beam enters the energy detector 33, electric charges are generated in the energy detector 33.例文帳に追加

残りのイオンビームの一部が入射されると、エネルギー検出器33内で電荷が発生する。 - 特許庁

The carbon nano structure is manufactured by irradiating a carbon material with a high energy beam such as an ion beam, a laser beam and an electron beam.例文帳に追加

炭素ナノ構造体は、炭素材料にイオンビーム、レーザビーム、電子ビーム等の高エネルギービームを照射することにより製造される。 - 特許庁

The device Sa for controlling the ion beam includes an ion beam generation component 2 and an ion beam controlling component 1a into which a generated ion beam IB is launched and which controls it so that the ion beam IB can be emitted with the energy spread of a prescribed size and the diameter of a prescribed size in the moving radius direction.例文帳に追加

イオンビーム制御装置Saは、イオンビーム生成部2、生成されたイオンビームIBが入射され、所定の大きさのエネルギー拡がりおよび動径方向における所定の大きさの直径でイオンビームIBが射出されるように、制御するイオンビーム制御部1aを備える。 - 特許庁

To provide an ion beam measuring method and an ion implanting method, capable of calculating accelerated energy of ion beams.例文帳に追加

イオンビームの加速エネルギを推定することが可能なイオンビーム計測方法とイオン注入装置を提供すること。 - 特許庁

The energy to be given may be one of light energy, laser light energy, electron beam energy, ion beam energy, and thermal energy if they can melt with one another the particulates made of the conductive substances.例文帳に追加

エネルギーは、導電性物質からなる微粒子同士を融着させることができるエネルギーであれば、光エネルギー、レーザー光エネルギー、電子ビームエネルギー、イオンビームエネルギー、熱エネルギーのいずれであってもよい。 - 特許庁

A first beam current meter 11 and a second beam current meter 12 are provided at a predetermined interval in a path of an accelerated ion beam 2, and ion energy is found by measuring the moving time of the ion beam 2 to control the ion energy.例文帳に追加

加速されたイオンビーム2の径路内に、所定の間隔で第1ビーム電流計測計11と第2ビーム電流計測計12とを設け、イオンビーム2の移動時間を測定することによりイオンエネルギーを求め、イオンエネルギーを管理する。 - 特許庁

An electron source is positioned on the surface of the wafer for an oxygen ion beam to be irradiated and outside a line of the ion beam, so that an electron beam is irradiated thereon by the same amount as an ion beam current value or less, with electron energy set at 50 eV or more.例文帳に追加

酸素イオンビームが照射されるウエハ面側に有ってイオンビームライン外に電子源を設置し、イオンビーム電流値と同量、それ以下の電子ビームを照射し、電子エネルギーが50eV以上である。 - 特許庁

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency.例文帳に追加

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。 - 特許庁

COMPACT HIGH ENERGY FOCUSED ION BEAM FORMING DEVICE USING FOLDING TANDEM TYPE ELECTROSTATIC ACCELERATOR例文帳に追加

折り返しタンデム型静電加速器を用いたコンパクト高エネルギー集束イオンビーム形成装置 - 特許庁

BROAD RIBBON BEAM ION IMPLANTER ARCHITECTURE WITH HIGH MASS-ENERGY CAPABILITY例文帳に追加

高い質量エネルギー性能を備えた広幅リボン形ビーム用イオン注入装置の構造 - 特許庁

To provide an ion beam device which can parallelize ion beams and separate energy, enabled to shorten a length of a beam line of the ion beam.例文帳に追加

イオンビームの平行化およびエネルギー分離を行うことができ、しかもイオンビームのビームライン長を短くすることを可能にしたイオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

To provide an energy beam machining device and an energy beam machining method capable of maintaining the condensing state of energy beams such as ion beams, the irradiation direction of energy beams on a work, and simplifying the work of converting the energy of the energy beam with which the work is irradiated according to a machining condition or the like such as the machining depth of the work.例文帳に追加

イオンビーム等のエネルギービームの収束状態や被加工物への照射方向等を維持すると共に,被加工物の加工深さなどの加工条件等に応じて被加工物へ照射するエネルギービームのエネルギーを変更する際の作業を簡略化すること。 - 特許庁

To provide method of implanting ion and an ion implanter which are capable of sweeping an ion beam of a wide energy and ion species without a modification of a sweep system equipment of the ion beam and improving a throughput of the ion implanter for short time.例文帳に追加

イオンビームのスイープ系機器を変更することなく幅広いエネルギーおよびイオン種のイオンビームをスイープすることができ、また注入時間を短くして装置のスループット向上を図ることもできるイオン注入方法および装置を提供する。 - 特許庁

Energy is given to ions 2 (B+ beams) having plus charges from the ion generation source of the ion injection device 1, and a wafer 3 is irradiated with the beam.例文帳に追加

イオン注入装置1のイオン発生源よりプラスの電荷を持ったイオン2(B^+ ビーム)にエネルギーを与え、ウエハ3に照射する。 - 特許庁

To provide a hybrid deflector for reducing energy contamination in ion implantation, and to provide a deflection method of ion beam.例文帳に追加

イオン注入におけるエネルギーコンタミネーションを低減するハイブリッド偏向器およびイオンビームの偏向方法を提供する。 - 特許庁

This invention is applied to an AEF (angle energy filter) provided in the middle of a beam path in an ion implanting device irradiating an ion beam on a wafer to treat it and selecting only ions of required energy species from the ion beam by at least a magnetic field between an electric field and the magnetic field.例文帳に追加

本発明は、イオンビームをウエハに照射して処理するイオン注入装置におけるビーム経路の途中に設けられて電場、磁場のうち少なくとも磁場によってイオンビームから必要なエネルギー種のイオンのみを選択するAEF(角度エネルギーフィルター)に適用される。 - 特許庁

The signal processor determines energy of the ion beam based on a position in the energy detector 33 at which electric charges are generated in maximum amount.例文帳に追加

エネルギー検出器33内の最大電荷を発生する位置に基づいてイオンビームのエネルギーが信号処理装置で求められる。 - 特許庁

A preferred embodiment includes within an ion beam column a filter that removes the low energy ions from the beam.例文帳に追加

一実施形態は、イオン・ビーム・カラム内に、低エネルギー・イオンをビームから除去するフィルタを含む。 - 特許庁

To provide an ion implantation method and an ion implanter capable of dynamically controlling a beam current value of an ion beam with time without changing energy.例文帳に追加

イオンビームのビーム電流値を経時的に動的に制御でき、且つ、エネルギーを変化させないイオン注入方法およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device capable of extracting in a large volume and in good parallelism even ion beam of low energy and capable of reconciling clean irradiation of ion and severe monitoring of ion beam.例文帳に追加

低エネルギーのイオンビームでも多量にかつ平行性良く取り出すと共に、クリーンなイオン照射とイオンビームの厳重なモニタとを両立させることができる装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device that suppresses the occurrence of energy contamination while enhancing ion beam transport efficiency by compensating divergence in the Y-direction of an ion beam due to space charge effects or the like.例文帳に追加

イオンビームの空間電荷効果等によるY方向の発散を補償して、イオンビームの輸送効率を高めることができ、しかもエネルギーコンタミネーションの発生を抑制することができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The divergence of the neutral beam made by converting the ion beam by the flat space potential is small and the inconsistency of the energy of the neutral beam is lessened, which makes it possible to expand the diameter and capacity of the neutral beam.例文帳に追加

イオンビームが平坦な空間電位で変換されることにより形成される中性ビームは発散が小さく、エネルギーのばらつきが小さくなり、中性ビームの大口径化および大容量化が可能になる。 - 特許庁

Control of the parameters can tune the ion beam to provide an optimum ion beam current, energy, size and shape for any particular implantation.例文帳に追加

これらのパラメータを制御することにより、どのような特定の注入に対しても最適なイオンビーム電流、エネルギー、サイズ及び形状を与えるようにイオンビームを調整することができる。 - 特許庁

MICROWAVE ION SOURCE, LINEAR ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM FOR MEDICAL USE, HIGH ENERGY BEAM APPLICATION SYSTEM, NEUTRON GENERATING DEVICE, ION BEAM PROCESSING DEVICE, MICROWAVE PLASMA SOURCE, AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

マイクロ波イオン源、線形加速器システム、加速器システム、医療用加速器システム、高エネルギービーム応用装置、中性子発生装置、イオンビームプロセス装置、マイクロ波プラズマ源及びプラズマプロセス装置 - 特許庁

An ion beam having given energy adjusted through acceleration by an accelerator 16 is emitted onto a substrate S held in a vacuum space, where the ion beam scans the substrate S in X and Y directions to inject ions.例文帳に追加

真空中で保持された基板Sに対し、加速器16により加速することで所定の注入エネルギーに制御したイオンビームを照射し、X、Y方向に走査させて所定のイオンを注入する。 - 特許庁

The characteristic control means includes accelerating energy adjusting means 20 and 21, an ion beam scanning means 8 and ion beam passing range adjusting means 27 and 28.例文帳に追加

特性制御手段は、加速エネルギー調整手段20,21、イオンビーム走査手段8、及びイオンビームの通過範囲調整手段27,28を含んでいる。 - 特許庁

The deflector 38 removes neutral particles from the ion beam, and the bias power supply 9 attracts an ion beam of low-energy emitted from the deflector 37 to a wafer W.例文帳に追加

偏向器38はイオンビームから中性粒子を除去し、バイアス電源9は偏向器37から出射した低エネルギーのイオンビームをウェーハWへ引き付ける。 - 特許庁

To provide a device and a method for controlling an ion beam which can control the size of the energy spread and that of the moving radius direction in the ion beam.例文帳に追加

イオンビームにおけるエネルギー拡がりの大きさおよび動径方向の大きさを制御し得るイオンビーム制御装置および制御方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable, as needed, that the energy of the ion beam is varied, a mask is used, the ion beam or the optical fiber is turned, ions are implanted from a plurality of directions or a plurality of kinds of ions are simultaneously implanted.例文帳に追加

必要に応じて、イオンビームのエネルギーを変化させたり、マスクを用いたり、イオンビームまたは光ファイバを回転させたり、複数の方向からイオンを注入したり、複数種のイオンを同時に用いたりしても好ましい。 - 特許庁

Accordingly, electric energy due to the ion beam can be transmitted through the phosphor layer 12 to the base plate 11 consisting of the electrically conductive material since the electrically conductive substance is included in the phosphor layer 12 to be irradiated with the ion beam.例文帳に追加

これにより、イオンビームが照射される蛍光層12に導電性物質が含まれているため、イオンビームによる電気エネルギを、蛍光層12を介して導電性材料から成るベース板11に伝達することができる。 - 特許庁

To achieve fabrication of a clean cross-section by suppressing damage such as specimen structural change suppressing a temperature rise of a specimen due to ion beam energy while maintaining a specimen temperature at an arbitrary temperature during ion beam processing.例文帳に追加

イオンビーム加工中の試料温度を任意の温度に保ちながらイオンビームエネルギーによる試料の温度上昇を抑制して、試料構造変化などのダメージを抑制して清浄な断面作製を実現する。 - 特許庁

To provide an ion beam cut-off device which can cut off a high-energy ion beam for a long time without suffering damage and where local overheat in a cutting-off part is little and scarce radioactivity remains.例文帳に追加

高エネルギーイオンビームを損傷を受けることなく長時間遮断することができ、遮断部の局部過熱が少なく、かつ残留放射能の少ないイオンビーム遮断装置を提供する。 - 特許庁

To irradiate an ion beam having sufficiently uniform current density distribution against a semiconductor substrate even when energy reduction of the ion beam is advanced.例文帳に追加

イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。 - 特許庁

To prevent an ion beam, containing multiple types of ions generated in an ion source by discharge of an extraction electrode, from arriving at a target and ions having mass and energy, other than those of a desired ion, from being implanted in the target.例文帳に追加

引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。 - 特許庁

The ionizer 53 is equipped with a main body, an ion chamber in which decarborane is ionized by an energy-emitting element that produce a plasma, an exit aperture through which an ion beam is extracted, and a cooling mechanism to lower temperature on the wall face of the ion chamber.例文帳に追加

イオナイザー53は、本体、デカボランがプラズマを作り出すエネルギー放出要素によってイオン化されるイオン室、イオンビームを引き出す出口開口、及びイオン室の壁面の温度を低下させる冷却機構を有する。 - 特許庁

In the energy beam machining device X to machine a work 7 by allowing the work 7 to be irradiated with proton beams L1 (energy beams), an energy converting means 10 to convert the energy of the proton beams L1 is provided on the optical path of the proton beams 1 between an energy beam generation source consisting of an ion generation source 1 and an ion acceleration apparatus 2 and the work 7.例文帳に追加

被加工物7にプロトンビームL1(エネルギービーム)を照射させて該被加工物7を加工するエネルギービーム加工装置Xにおいて,イオン発生源1及びイオン加速装置2からなるエネルギービームの発生源と上記被加工物7との間の上記プロトンビーム1の光路上に,上記プロトンビームL1の持つエネルギーを変更させるエネルギー変更手段10を設ける。 - 特許庁

In this ion beam/charged-particle beam irradiator provided with a post-stage energy analyzer, a post-stage energy analyzer comprises a deflecting electrode 24 and a deflection magnet 22 which are used by switching.例文帳に追加

後段エネルギー分析装置を備えるイオンビーム/荷電粒子ビーム照射装置において、後段エネルギー分析装置を、偏向電極24及び偏向磁石22により構成し、これらを切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

The method for inducing the mutation in the microorganism includes irradiating a microorganism biomass with a heavy ion beam (e.g. an iron ion beam, a xenon ion beam and a krypton ion beam) having 500-1,200 keV/μm linear energy transfer (LET) to introduce the mutation such as insertion mutation, deletion mutation and point mutation to the gene of the microorganism.例文帳に追加

微生物菌体に、500〜1200keV/μmの線エネルギー付与(LET)を有する重イオンビーム(鉄イオンビーム、キセノンイオンビーム、またはクリプトンイオンビームなど)を照射し、該微生物の遺伝子に、挿入変異、欠失変異、点変異などの変異を導入することを特徴とする、微生物に対する突然変異誘発方法。 - 特許庁

To stably provide an ion beam with high directivity and high energy using a laser drive type acceleration mechanism.例文帳に追加

レーザー駆動型の加速機構を用いて、指向性が高い高エネルギーのイオンビームを安定して得る。 - 特許庁

例文

In a second operation mode (for example, 1 keV ion beam energy), a deflection electric field is generated for only the deflection electrode pair 51a and 52a.例文帳に追加

第2動作モード(例えば、1keVのイオンビームエネルギー)においては、偏向電極対51a、52aのみに偏向電場を発生させる。 - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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