「ipa」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Prior to the drying step, an azeotropic composition or azeotropy-like composition of DIW and IPA is supplied as mixture liquid to the substrate surface Wf, in order to substitute the mixture liquid for the rinse liquid (DIW) adhering to the substrate surface Wf.例文帳に追加

乾燥工程前にＤＩＷとＩＰＡとの共沸組成物または共沸様組成物を混合液として基板表面Ｗｆに供給して基板表面Ｗｆに付着しているリンス液（ＤＩＷ）を混合液に置換する（置換工程）。 - 特許庁

To satisfactorily dry a substrate without generating any watermark on a substrate surface in a substrate processor and a substrate processing method for drying a substrate surface which has gotten wet with treatment liquid by using low surface tension solvent such as IPA liquid.例文帳に追加

処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマーク等を発生させることなく、基板を良好に乾燥させる。 - 特許庁

Gas flow of IPA vapor having flowed from a gas inlet tube 56 through a gas inlet opening 33 is decelerated rapidly by wide buffer spaces 37 so as not to maintain the form of gas flow, and changes into gas that makes just ordinary motion by diffusion.例文帳に追加

ガス導入管５６からガス導入口３３に流入したＩＰＡ蒸気のガス流は、広い緩衝空間３７によって急激に減速され、ガス流という形態を維持できず、通常の拡散運動のみを行う気体に変化する。 - 特許庁

This substrate processing apparatus comprises a processing chamber 10 which assures air-tight sealing and dries up the substrate W which are accommodated therein sheet by sheet, a vapor supplying means for supplying IPA vapor into the processing chamber, and an evacuation means for evacuate the inside of the processing chamber.例文帳に追加

気密に密閉可能で基板Ｗが１枚ずつ収容されて乾燥させられる処理チャンバ１０と、処理チャンバ内へＩＰＡ蒸気を供給する蒸気供給手段と、処理チャンバの内部を減圧する減圧手段とを備えた。 - 特許庁

To provide a substrate processing device and a substrate processing method that use a low-surface-tension solvent such as IPA to dry a substrate surface getting wet with a processing liquid while disposing a blocking member opposite the substrate surface, the substrate processing device and the substrate processing method excellently drying the substrate surface.例文帳に追加

遮断部材を基板表面に対向して配置しながら処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面を良好に乾燥させる。 - 特許庁

In one embodiment, inlets 302 can be utilized to supply isopropyl alcohol (IPA) vapor toward the top surface 108a of the wafer 108, and an inlet 306 can be utilized to supply a processing fluid toward the top surface 108a of the wafer 108.例文帳に追加

一実施形態において、入口３０２は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気をウェーハ１０８の上面１０８ａに向けて供給するために利用され、入口３０６は、処理流体をウェーハ１０８の上面１０８ａに向けて供給するために利用され得る。 - 特許庁

In a state wherein the spin base 22 is stopped and the chamber 31 is set in contact with the spin base 22, the chamber 31 is evacuated by the vacuum pump 33 and steam of IPA is supplied into the chamber 31 from the steam supply pipe 34.例文帳に追加

スピンベース２２が停止されかつチャンバ３１がスピンベース２２に密着した位置に設定されている状態で、真空ポンプ３３によりチャンバ３１内が排気されるとともに蒸気供給管３４からチャンバ３１内にＩＰＡの蒸気が供給される。 - 特許庁

To well dry a substrate surface while preventing a watermark from occurring on the substrate surface in an apparatus and a method of processing the substrate for drying the substrate surface wetted with a process liquid by means of a solvent with low surface tension such as IPA.例文帳に追加

処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生するのを防止しながら基板表面を良好に乾燥させる。 - 特許庁

Then a concentration (CO) of the IPA gas included in the sample gas before dilution is calculated on the basis of CO=C1×(1/P), by multiplying the measured concentration value (CO) by an inverse number (1/P) of a dilution ratio obtained on the basis of flow rates of the sample gas and the dilution gas.例文帳に追加

そして、計測された濃度値（Ｃ０）とサンプルガスおよび希釈ガスの流量に基づいて得られる希釈率の逆数（１／Ｐ）とを乗算することにより、希釈前のサンプルガスに含まれるＩＰＡガスの濃度（Ｃ０）をＣ０＝Ｃ１×（１／Ｐ）として算出する。 - 特許庁

Then the IPA is made to adhere to a predetermined position P1 away at a predetermined interval from the rotation axis other than the center part, on the upper surface of the substrate W while spraying nitrogen gas being an example of an inert gas to the center part of the upper surface of the substrate W.例文帳に追加

このとき、基板Ｗの上面中央部に不活性ガスの一例である窒素ガスを吹き付けながら、基板Ｗの上面における中央部以外の前記回転軸線から一定距離離れた所定位置Ｐ１にＩＰＡを着液させる。 - 特許庁

Then, by multiplying a measured concentration value (C1) by a reciprocative (1/P) of a dilution rate obtained based on flow rates of the sample gas and the diluting gas, the concentration (C0) of the IPA gas contained in the sample gas before the dilution is calculated as C0=C1×(1/P).例文帳に追加

そして、計測された濃度値（Ｃ１）とサンプルガスおよび希釈ガスの流量に基づいて得られる希釈率の逆数（１／Ｐ）とを乗算することにより、希釈前のサンプルガスに含まれるＩＰＡガスの濃度（Ｃ０）をＣ０＝Ｃ１×（１／Ｐ）として算出する。 - 特許庁

To dry the surface of a substrate inexpensively while preventing a pattern formed thereon from collapsing in substrate processing equipment and method for drying the surface of a substrate wetted with liquid by using vapor of organic solvent such as IPA.例文帳に追加

ＩＰＡなどの有機溶剤の蒸気を用いて液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面に形成されたパターンの倒壊が発生するのを防止しながら、低コストで基板表面を良好に乾燥させる。 - 特許庁

Since an IPA water vapor can be supplied in the chamber 5 or the chamber 5 can be decompressed, ozone treatment, surface treatment with a process liquid, and a dry process are carried out in a single chamber 5, resulting in a smaller footprint of the substrate processing equipment 1.例文帳に追加

さらに、チャンバ５内へのＩＰＡ蒸気供給やチャンバ５内の減圧を行うこともできるため、オゾン処理、処理液による表面処理、乾燥処理を一つのチャンバ５内にて行うことができ、基板処理装置１のフットプリントを小さくすることができる。 - 特許庁

After reducing surface tension by spraying the center part of the upper surface of the wafer 3 with IPA vapor and/or nitrogen gas from the supply nozzle 7, the liquid 2 is drained away from the drainage opening 17 to perform evaporative drying of the surface of the wafer 3 with lowering the water surface.例文帳に追加

ウェーハ３上面中央部に供給ノズル７からＩＰＡ蒸気及び／又は窒素ガスを吹き付けて表面張力を低下させた後、排水口１７から液体２を排出させることにより、水面を低下させながらウェーハ３表面を蒸発乾燥させる。 - 特許庁

To provide satisfactorily dry a substrate surface while preventing the generation of fall of a pattern formed on the substrate surface in a substrate processing apparatus and a substrate processing method for drying the substrate surface wetted with a liquid using steam of an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol).例文帳に追加

ＩＰＡなどの有機溶剤の蒸気を用いて液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面に形成されたパターンの倒壊が発生するのを防止しながら、基板表面を良好に乾燥させる。 - 特許庁

To provide a substrate processing device and a substrate processing method that use a low-surface-tension solvent such as IPA to dry a substrate surface getting wet with a processing liquid, the substrate processing device and the substrate processing method preventing trouble such as the occurrence of a watermark on the substrate and destruction of a pattern on the substrate surface.例文帳に追加

処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生したり、基板表面上のパターンが倒壊するなどの不具合を防止する。 - 特許庁

At an upper portion of the pressure regulation chamber 21f, a gas introduction opening 29 for introducing N_2 gas or IPA vapor into the chamber 21 is formed and at an intermediate position of the pressure regulation chamber 21f, a gas/liquid discharge opening 28 for discharging various kinds of cleaning liquid or gas is provided.例文帳に追加

圧力調整室２１ｆの上部には、Ｎ_２ガスやＩＰＡ蒸気をチャンバ２１内に導入するためのガス導入口２９が形成され、圧力調整室２１ｆの中段位置には、各種洗浄液やガスを排出するための気液排出口２８が設けられている。 - 特許庁

Thus, the rinse liquid on the substrate surface Wf is replaced with IPA liquid, and a guide section positioned at the side of the substrate W is switched from a second guide section 72a to a third guide section 73a in such a timing that all rinse liquid is completely eliminated from the substrate surface Wf during replacement processing.例文帳に追加

これによって、基板表面Ｗｆ上のリンス液がＩＰＡ液に置換されるが、置換処理中に基板表面Ｗｆから全てのリンス液が完全に排除されるタイミングで基板Ｗの側方に位置する案内部を第２案内部７２ａから第３案内部７３ａに切り替える。 - 特許庁

The ultrapure water production system 1 includes: a primary pure water system 20; a subsystem 30; and a recovery system 40 in which an organic matter whose molecular weight is larger than the other organic matter, such as isopropyl alcohol (IPA) or the like is removed and after that an ultraviolet light having a wavelength range around 185 nm is irradiated.例文帳に追加

一次純水システム２０と、サブシステム３０と、回収処理システム４０と、を備えた超純水製造システム１において、回収処理システム４０では、分子量がＩＰＡレベルの有機物より大きい有機物を除去した後、１８５ｎｍ付近の波長を有する紫外線を照射する構成とする。 - 特許庁

For example, a washing method wherein the surface of the substrate is scrubbing washed, ultrasonically washed by a 20-50 kHz low frequency ultrasonic wave in an alkaline detergent solution, successively washed with warm pure water, a pure water and an ultra pure water in this order and finally dryed by using IPA vapor is applied.例文帳に追加

例えば、基板表面をスクラブ洗浄した後、アルカリ洗剤溶液中で２０ｋＨｚ〜５０ｋＨｚの低周波超音波で超音波洗浄を行い、続いて、通常行われる温純水洗浄，純水洗浄，超純水シャワーを順次行った後、ＩＰＡベーパーを用いて乾燥する洗浄方法を適用する。 - 特許庁

This method comprises an evaporation process for supplying a fluid containing liquid, for example, a fluid obtained by mixing atomized IPA to N2 gas to an evaporation unit 11 of a vapor generator 10 to evaporate the fluid; and a heating-up process for supplying the evaporated fluid to a heating-up unit 12 to heat the evaporated fluid to a predetermined temperature.例文帳に追加

液を含む流体例えばＮ2ガスに霧状のＩＰＡを混合した流体を蒸気発生装置１０の気化ユニット１１に送って流体を蒸発させる気化工程と、蒸発された流体を昇温ユニット１２に送って蒸発した流体を所定の温度まで昇温する昇温工程とを有する。 - 特許庁

The target transmission gear ratio iPM is computed based on the attained transmission gear ratio iPT and the time constant TT expressing a prescribed dynamic characteristics, the transmission gear ratio command value iPA is corrected based on the deviation between the target transmission gear ratio iPM and the actual transmission gear ratio iPR, and the continuously transmission is controlled based on the transmission gear ratio command value iPC after the correction.例文帳に追加

そして、到達変速比ｉ_PTと、所定の動特性を表す時定数Ｔ_Tに基づき目標変速比ｉ_PMを演算し、目標変速比ｉ_PMと実変速比ｉ_PRとの偏差に基づき変速比指令値ｉ______PAを補正し、補正後の変速比指令値ｉ_PCに基づき無段変速機４を制御する。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus, which performs prescribed treatment on a wafer W, is provided with a treating section 10 which performs etching on the wafer W, another treating section 27 which supplies a fluorine- based inert liquid, isopropyl alcohol(IPA) which is an organic solvent, and a processing solution containing hydrofluoric acid to the wafer W set up in the treating section 10.例文帳に追加

ウエハＷに所定の処理を行う基板処理装置において、ウエハＷにエッチング処理を行うための処理部１０と、処理部１０にあるウエハＷにフッ素系不活性液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部２７と、を備える。 - 特許庁

The obtained carbon fiber bundle has a surface oxygen concentration O/C of 0.05 to 0.15 measured by X-ray photoelectron spectroscopy, an irregularity of carbon fiber surface characteristic ipa of ≤8% measured by Cyclic Voltammetry method, and a contact angle irregularity of ≤10%.例文帳に追加

得られた炭素繊維把は、Ｘ線光電子分光法により測定される表面酸素濃度Ｏ／Ｃが０．０５〜０．１５であり、サイクリックボルタンメトリー（Cyclic Voltammetry）法により測定される炭素繊維の表面特性ｉｐａのバラツキが８％以下で、ウィルヘルミー（Wilhelmy）法によって測定される接触角のバラツキが１０％以下である。 - 特許庁

This substrate processing device includes: a substrate holding and rotating mechanism 2 for holding a substrate W and rotating the same; a light irradiating part 7 for applying flashlight to the substrate W; a processing liquid supply mechanism 3 for supplying pure water, IPA and HFE in order to the substrate W; and a chemical supply mechanism 4 for supplying a chemical to the substrate W.例文帳に追加

この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２と、基板Ｗに閃光を照射する光照射部７と、基板Ｗに純水、ＩＰＡおよびＨＦＥを順に供給する処理液供給機構３と、基板Ｗに薬液を供給する薬液供給機構４とを備えている。 - 特許庁

This invention relates to use of an indole-3-propionic acid (IPA) or a salt or ester thereof for: preventing the cytotoxic effects of amyloid beta protein on cells; treating the fibrillogenic disease; decreasing the oxidation in a biological sample; and treating the diseases or other conditions where free radicals and/or oxidative stress play a role.例文帳に追加

本発明は、インドール−３−プロピオン酸（ＩＰＡ）またはそれらの塩もしくはエステルを用いて、アミロイドベータタンパク質の細胞毒性の影響を防止すること、線維素生成疾患を処置すること、生物学的試料の酸化を減少させること、およびフリーラジカルおよび／または酸化ストレスが役割を果たしている疾患または他の病気を処置することに関する。 - 特許庁

This drying method is an IPA(isopropyl alcohol) drying method for exposing only the object to be processed or the object to be processed and a dummy member in the saturated vapor of an organic solvent, and the exposure time in the saturated vapor is constituted of the recovery time of the saturated steam and the additional time and is fixed, regardless of the fluctuations in the capacity of the object to be processed.例文帳に追加

(1)被処理物のみ、または被処理物およびダミー部材を有機溶剤の飽和蒸気中に曝すＩＰＡ乾燥法であって、飽和蒸気中の暴露時間が飽和蒸気のリカバリータイムとその付加時間とで構成され、かつ被処理物の容量の変動に拘わらず一定であることを特徴とする半導体基板の乾燥方法。 - 特許庁

The method for modifying the surface of the carbon sintered body includes forming a surface coating layer by: adhering powder of a thermoplastic fluororesin on a half-dried substrate coating film to which drying treatment is applied after coating an IPA (isopropyl alcohol)-added undercoat to an inner surface of the molded article formed by an aggregate mainly containing carbon powder and particle; and heating and melting the article.例文帳に追加

この発明に係るカーボン焼結体の表面改質方法は、カーボン粉粒が主体の凝結体で成る成形品内面に、下塗り塗料にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を添加したものを塗布後に乾燥処理を施した半乾燥状態の下地塗膜上に、熱可塑性フッ素樹脂の粉末を付着させ、これを加熱溶融して表面塗膜層が形成されるものである。 - 特許庁

In the drying treatment method for drying the semiconductor wafer by irradiating with an electromagnetic wave the semiconductor wafer which has been subjected for cleaning treatment, after mixing water contents adhered to a surface of the semiconductor wafer with IPA in an atmosphere filled with inert gas, the semiconductor is irradiated with the electromagnetic wave of the wafer while blowing the inert gas onto the surface of the semiconductor wafer, and turning the semiconductor wafer.例文帳に追加

洗浄処理を行った半導体ウェーハに電磁波を照射することによって半導体ウェーハを乾燥させる乾燥処理方法において、不活性ガスで満たされた雰囲気中で、半導体ウェーハの表面に付着した水分をＩＰＡと混和した後に、半導体ウェーハの表面に不活性ガスを吹きつけながら、半導体ウェーハを回転させつつ半導体ウェーハの電磁波を照射する。 - 特許庁