「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electronic parts built-in intermediate connector which is separately provided as an intermediate connector as a further intermediary of the substrate connector and the cable connector as a junction connector and, by mounting chip type electronic parts such as a chip capacitor on the inner conductor terminal of the intermediate connector, addition, deletion and change of these electronic parts in the transmission line are easy.例文帳に追加

中継接続としての基板コネクタとケーブルコネクタのさらなる仲介役として仲介用コネクタを別途設け、その仲介用コネクタの内導体端子にチップコンデンサ等のチップ型電子部品を実装することで、伝送路にこれら電子部品の追加・削除・変更が容易な電子部品内蔵仲介コネクタを提供する。 - 特許庁

A crimping preventing agent is applied in a specific pattern to the opposing surfaces of a plurality of metal plates, lamination junction is formed after activation treatment under an extremely low pressure to form the plate laminate having a crimping prevention section, the crimping preventing section is inflated as a hollow laminate having a hollow section, and water is sealed into the hollow section as a working body as the plate-type heat pipe.例文帳に追加

複数の金属板の対向面に所定のパターンに圧着防止剤を塗布し、極低圧下で活性化処理を施した後積層接合して圧着防止部を有するプレート積層体とし、この圧着防止部を膨らませて中空部を有する中空積層体とし、この中空部内に作動体として水を封入してプレート型ヒートパイプとする。 - 特許庁

The thermoelectric module has: a plurality of semiconductor elements 4 having the same conductivity type and thermoelectric effect; high resistance layers 6 each integrally formed on a junction portion between adjacent semiconductor elements 4; and conductor layers 8 formed integrally in the inside of the high resistance layers 6 and electrically connecting a first end and a second end of the adjacent semiconductor layers 4.例文帳に追加

同じ導電型で熱電効果を持つ複数の半導体素子４と、隣接する半導体素子４の接合部に一体的に形成してある高抵抗層６と、高抵抗層６の内部に一体的に形成され、隣接する半導体素子４の第１端部と第２端部とをそれぞれ電気的に接続する導体層８と、を有する熱電モジュールである。 - 特許庁

An oxide superconductor thin film pattern 20 is formed through a CeO2 buffer layer on a sapphire substrate 10 having a step 11 formed such that the step 11 traverses specified regions of a square thin film pattern 22 having an opening 23 at the center, and step type Josephson junction 26, 27 are formed at the regions where the step 11 traverses.例文帳に追加

段差部１１を有するサファイア基板１０上にＣｅＯ_2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターン２０を形成し、中心部分に開口部２３を有する正方形状の薄膜パターン２２の所定の部位を段差部１１が横断するように段差部１１及び薄膜パターン２０を構成する。 - 特許庁

When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加

ｐ型の不純物が導入される場合、このｐ＋不純物領域１３とｎ−不純物領域６とによってｐｎ接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極５に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのｐｎ接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れない。 - 特許庁

This power converter is capable of expanding the known voltage link-type circuit pulse control conversion circuit, consisting of three separate half-bridge like branches (13, 14, 15) by adding or previously installing three other bridge branches (16, 17, 18), which are particularly constituted to AC voltage input rails (11, 12) and eliminates all junction circuit capacitors.例文帳に追加

本発明は、三つのハーフブリッジ分岐（１３，１４，１５）からなる公知の電圧中継回路型パルス制御変換器回路を、特別に構成された三つの別のブリッジ分岐（１６，１７，１８）をハーフブリッジ分岐（１３，１４，１５）の交流電圧入力レール（１１，１２）に追加ないし前置することによって拡張し、あらゆる中継回路コンデンサを省略する。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The frame type laser diode is used as a laser light source of an optical pickup device for reading out a signal recorded on an optical disk and has a laser diode chip mounted to a plane where a metallic lead frame is provided, and the laser diode chip 19 is disposed so that a PN junction surface of the laser diode chip 19 is perpendicular to the plane of the lead frame 17.例文帳に追加

光ディスクに記録されている信号を読み出す光ピックアップ装置のレーザー光源として使用されるとともに金属製のリードフレームに設けられている平面上にレーザーダイオードチップが搭載されるフレーム型レーザーダイオードであり、レーザーダイオードチップ１９のＰＮ接合面１９Ａをリードフレーム１７の平面に対して垂直になるように配置したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film that meets respective requirements such as excellent optical transparency, high electric conductivity, and a low refractive index for use for a multi-junction solar cell by manufacturing it by a wet coating method using a coating type material, and is also reducible in running cost by manufacturing it without using a vacuum film forming method.例文帳に追加

塗布型材料を使用した湿式塗工法によって作製することにより、多接合型太陽電池に使用する際に求められる、良好な光透過性、高い電気伝導性、低屈折率などの各要件を満たすことができるとともに、真空成膜法を用いずに作製することによりランニングコストの低減を図ることができる、透明導電膜を提供する。 - 特許庁

In the membrane electrode junction element of direct methanol type fuel cell, having an anode catalyst layer and a cathode catalyst layer containing a carbon material, anion exchange resin, and a catalyst, the quantity of the catalyst contained in the anode catalyst layer is in the range of 2.0-5.0 mg/cm^2 and the porosity of the anode catalyst layer is in the range of 65-85%.例文帳に追加

炭素材料と陽イオン交換樹脂と触媒とを含むアノード触媒層およびカソード触媒層を備えた直接メタノール形燃料電池用膜／電極接合体において、前記アノード触媒層に含まれる触媒量が２．０〜５．０ｍｇ／ｃｍ^２の範囲にあり、かつ、アノード触媒層の多孔度が６５〜８５％の範囲にあることを特徴とする。 - 特許庁

The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.例文帳に追加

半導体基板９０に形成され、異なる導電型の拡散層２１、２２、４１、４２からなるドレイン領域２０とバックゲート領域４０とを有するＭＯＳトランジスタ１００，１００ａ、１００ｂであって、 前記ドレイン領域２０と前記バックゲート領域４０とが隣接して配置され、隣接面にＰＮ接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

The thermoelectric module has: a plurality of semiconductor elements 4 having the same conductivity type and thermoelectric effect; high resistance layers 6 each integrally formed on a junction portion between adjacent semiconductor elements 4; and conductor layers 8 formed integrally in the inside of the high resistance layers 6 and electrically connecting a first 4a end to a second end 4b of the adjacent semiconductor layers 4.例文帳に追加

熱電モジュールが、同じ導電型で熱電効果を持つ複数の半導体素子４と、隣接する半導体素子４の接合部に一体的に形成してある高抵抗層６と、高抵抗層６の内部に一体的に形成され、隣接する半導体素子４の第１端部４ａと第２端部４ｂとをそれぞれ電気的に接続する導体層８と、を有する。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where a phosphorus junction layer 2 provided with an N++ part heavily doped with phosphorus on its surface is formed on a P-type silicon substrate 1, a surface electrode 6 is formed on the N++ part 3, and a back face electrode 7 is formed on the rear of the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

少なくともＰ型シリコン基板１に、リンが高濃度にドープされたｎ^^++部を表面に有するリン接合層２を形成した後、該ｎ^++部３上に表面電極６を形成し、Ｐ型シリコン基板裏面に裏面電極７を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト１５を表面電極が形成されるパターンに対応してＰ型シリコン基板１に印刷し、該Ｐ型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、ｎ^++部３を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。 - 特許庁

One type or two types of the sheath heater 7 using the metal sheath and metal cooling pipe 8 or a sheath thermocouple 9 using the metal sheath added on those are put between a metal lower base material 3 and a metal upper base material 4 having a groove for storing those provided and in the groove, and are assembled as one body and are performed diffused junction.例文帳に追加

金属製シースを用いたシースヒータ７及び金属製冷却パイプ８のうちの１種若しくは２種又はこれらに加えた金属製シースを用いたシース熱電対９を、これらを入れるための溝を少なくとも一方に設けた金属製下ベース材３及び金属製上ベース材４との間で、かつ上記溝に入れ、一体に組み立ててこれらを拡散接合する加熱及び／又は冷却用金属構造体の製造方法。 - 特許庁

Photocurrent generated in the second pin junction having the i-type microcrystal semiconductor 108 is less by 0.8 mA/cm^2 or more than photocurrent generated in adjacent first and third pin junctions.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体１１１を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体１０８，１０５を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、ｉ型微結晶半導体１０８を有する第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ^２以上少ないことを特徴とする。 - 特許庁