「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a cassette type wire connection part housing cover capable of housing a wire connection part of a bundle of wires while effectively using an empty space in an electric junction box and thereby capable of improving stability of wires arranged in the electric junction box; and to provide an electric junction box equipped with the wire connection part housing cover.例文帳に追加

電気接続箱内の空きスペースの有効利用を図りつつ電線の束の電線接続部を収容でき、それにより電気接続箱内に配索された電線の安定性を向上させることができるカセット式の電線接続部収容カバー、および該電線接続部収容カバーを備えた電気接続箱を提供すること。 - 特許庁

This varactor diode does not have a junction formed of the p^+ diffusion layer which is hard to vary in capacity and has high resistance and the n type epitaxial layer 20, so the capacity variation rate of the p-n junction is improved and the diode is driven with the low voltage, so that the capacity variation of the p-n junction can follow up a high-frequency voltage.例文帳に追加

本発明の可変容量ダイオードでは、容量が変化しにくく高抵抗であるｐ^+拡散層４０とｎ型エピタキシャル層２０との接合が形成されないので、ｐｎ接合の容量変化率が向上して低電圧で駆動されるようになり、ｐｎ接合の容量変化が高周波の電圧に追従できるようになる。 - 特許庁

To provide a vertical type transistor having a buried junction in which a dopant concentration can be highly maintained while a depth of a junction where dopant is diffused can be controlled, which achieve improved contact resistance, and improve threshold voltage (Vt) of a channel by reducing the distance of separation between the channel region and the buried junction, and method for forming the same.例文帳に追加

ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

At the substrate 51, the cap-type heat sink 55, and a junction, a first magnetic material 52 formed on the substrate and a second magnetic material 54 formed on the cap-type heat sink are disposed in opposition to each other.例文帳に追加

基板５１とキャップ型放熱板５５と接合部において、基板に形成された第１磁性体５２と、キャップ型放熱板上に形成された第２磁性体５４とが対向するように配置されている。 - 特許庁

An N-type polycrystalline silicon region 103A and a P-type polycrystalline silicon region 103B are formed in a polycrystalline silicon film 103 as the gate electrode to be adjacent to each other with the PN junction boundary 105 interposed.例文帳に追加

ゲート電極となる多結晶シリコン膜１０３中に、ＰＮ接合境界１０５を挟んで隣接するようにＮ型多結晶シリコン領域１０３ＡとＰ型多結晶シリコン領域１０３Ｂとが形成されている。 - 特許庁

Each p-n junction between an n-type sub-region and a p-type sub-region is reverse biased, thereby reducing or eliminating noise/crosstalk coupling between the transmitter region 101 and the receiver region 102.例文帳に追加

ｎ型サブ領域とｐ型サブ領域との間のｐｎ接合は逆バイアスされ、それにより、トランスミッタ領域１０１とレシーバ領域１０２との間の雑音およびクロストークの結合が低減または除去される。 - 特許庁

A pn junction is formed by forming an n-type diffusion layer 3 on the light receiving surface side of a p-type polysilicon substrate 2, and an antireflection film 4 and a light receiving surface silver electrode 10 are formed, respectively, on the light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型多結晶シリコン基板２の受光面側にｎ型拡散層３を形成することによりｐｎ接合を形成し、受光面には反射防止膜４および受光面銀電極１０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 comprises an n-type GaN substrate 2, a semiconductor laminate structure 3 that is formed on the n-type GaN substrate 2 and includes a p-n junction, and an electrode 8 formed on the semiconductor laminate structure 3.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＮ基板２と、ｎ型ＧａＮ基板２上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造３と、半導体積層構造３上に形成された電極８とを有する。 - 特許庁

To provide an organic-inorganic hybrid junction type photoelectric transducer of high sensitivity, which has signal gain G and has a visible-ultraviolet optical wave band having superior response and low dark current property such as a p-i-n or Schottky type.例文帳に追加

信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17b having a relatively deep junction while both the sides are held by p-type source/drain regions 16b is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15b.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ｂ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ｂに挟まれ、相対的に接合深さの深いＮ型しきい値制御拡散層１７ｂが形成されている。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

Then, the electrical insulating properties of the semiconductor laser element 16 and the heat sink are ensured by a depletion layer generated in the P-N junction section of the P-type Si substrate 12a and N-type impurity region 12b of the sub-mount 12.例文帳に追加

ここで、サブマウント１２のＰ型Ｓｉ基板１２ａとＮ型不純物領域１２ｂとのＰＮ接合部に生じる空乏層により、半導体レーザ素子１６とヒートシンクとの電気的な絶縁性が確保されている。 - 特許庁

The semiconductor device thus formed has a horizontal hole structure on the border of the p-type semiconductor region and n-type semiconductor region of the sidewall, thereby breakdown voltage is improved at the pn junction.例文帳に追加

この結果、形成される半導体素子は、側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴構造を有することになり、ｐｎ接合部における耐圧性が向上する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion element capable of reducing contact resistance following junction between a p-type thermoelectric conversion material and an n-type thermoelectric conversion material, and to provide a thermoelectric conversion module and a method of manufacturing the thermoelectric conversion element.例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料とｎ型熱電変換材料との接合に伴う接触抵抗を低減できる熱電変換素子、熱電変換モジュール、および熱電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

A control electrode 12d is an electrode for applying to the p^--epitaxial layer 3 such a voltage that the p^--epitaxial layer 3 and the n-type epitaxial layer 4 are brought into a mutually inverse bias in the case of the OFF-operation of the lateral junction type field effect transistor.例文帳に追加

制御電極１２ｄは、オフ動作時においてｐ^-エピタキシャル層３とｎ型エピタキシャル層４とが逆バイアス状態となるような電圧をｐ^-エピタキシャル層３に印加するためのものである。 - 特許庁

Interval of the P+ type silicon regions 15 is set such that a substantially integrated depletion layer is formed by a PN junction which is formed between the N type silicon region 12 and the P+ type silicon region 15 upon application of a reverse voltage.例文帳に追加

ここで、Ｐ^＋形シリコン領域１５同士の間隔は、逆方向電圧の印加時にＮ形シリコン領域１２とＰ^＋形シリコン領域１５との間に形成されるＰＮ接合により、実質的に一体化した空乏層が形成されるように構成されている。 - 特許庁

After that, a mesa groove 8 is formed by etching the P-type semiconductor layer 3, a PN junction JC, the N-type semiconductor layer 2 and a partial thickness of the semiconductor substrate 1 so that a width of the mesa groove grows from a surface of the P-type semiconductor layer 3 toward the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。 - 特許庁

In a junction structure, P+type base regions 3 located on the both sides of a trench 5 are positioned at the lower part than the lowest position of an oxide film 8, and an N-type channel layer 6 is pinched between the two P+type base regions 3 from the both sides on the bottom of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の両側に位置するＰ＋型ベース領域３を酸化膜８の最下方位置よりも下方に位置させ、トレンチ５の底面においてＮ−型チャネル層６を２つのＰ＋型ベース領域３で両側から挟みこんだジャンクション構造とする。 - 特許庁

An n^- type doped GaN diode of >1 μm thickness is arranged on the n^+ type doped GaN diode, patterned into a plurality of thin and long fingers, a metal layer is arranged on n^- type doped GaN layer, and a Schottky junction is formed in between them.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

The effective VBM 141 of the active layer 14 is formed at an energy level higher than the VBM 131 of a Be_0.3Zn_0.7Se_0.2Te_0.8 mixed crystal configuring the p-type clad layer 13, and a junction between the active layer 14 and the p-type clad layer 13 is formed in a type I structure.例文帳に追加

活性層１４の実効的なＶＢＭ１４１が、ｐ型クラッド層１３を構成するＢｅ_0.3 Ｚｎ_0.7 Ｓｅ_0.2 Ｔｅ_0.8 混晶のＶＢＭ１３１よりも高いエネルギー準位に形成され、活性層１４とｐ型クラッド層１３との接合がタイプＩ構造になっている。 - 特許庁

According to this structure, a depletion layer at the PN junction between the p-type deep layer 10 and an n^--type drift layer 2 is significantly extended to the side of the n^--type drift layer 2 and thereby a high voltage caused by a drain voltage is hardly input into a gate oxide film 8.例文帳に追加

このような構造によれば、ｐ型ディープ層１０とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜８に入り込み難くなる。 - 特許庁

Then a junction type FET is constituted by providing a source electrode/drain electrode 7 in ohmic contact with the pair of first conductivity type contact layers 6 respectively and a gate electrode 8 in ohmic contact with the second conductivity type contact layer 2.例文帳に追加

そして、一対の第一導電型コンタクト層６のそれぞれにオーミックコンタクトしてソース電極／ドレイン電極７が、また、第二導電型コンタクト層２にオーミックコンタクトしてゲート電極８がそれぞれ設けられることにより、接合型ＦＥＴが構成されている。 - 特許庁

The CCD solid-state imaging module includes: a CCD area sensor including an n-type substrate and a p-well formed to the n-type substrate; and an overcurrent prevention means for preventing a forward bias from being applied to a junction between the n-type substrate and the p-well.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像モジュールは、ｎ型基板と前記ｎ型基板に形成されるｐウェルとを有するＣＣＤエリアセンサと、前記ｎ型基板と前記ｐウェルとの間の接合に順バイアスが印加されることを防止する過電流防止手段とを有する。 - 特許庁

The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.例文帳に追加

この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁

A photodiode small in junction capacity is made of an N-type epitaxial layer 6 and a P-type epitaxial layer 3, and the photodiode is surrounded by a P+-type buried isolated diffused layer 4 and a P-type isolated diffused layer 7 and electrically isolated from a signal processing circuit including a MOS structure of transistor.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層６とＰ型エピタキシャル層３とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され、そのフォトダイオードが、Ｐ^+型埋め込み分離拡散層４およびＰ型分離拡散層７によって取り囲まれて、ＭＯＳ構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離される。 - 特許庁

A thermoelectric element 1 is equipped with P-type elements 3 formed of P-type thermoelectric semiconductor material, N-type elements 4 formed of N-type thermoelectric semiconductor material, and boards 2B and 2A provided with metal electrodes 5 which are capable of forming PN junction pairs by joining pairs of the dissimilar elements 3 and 4 together.例文帳に追加

Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント４と、これらＰ型及びＮ型の異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する基板２Ｂ、２Ａを備えた熱電素子１である。 - 特許庁

A plurality of photodiodes 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1 by using pn junction, and a microlens 7 is arranged on each photodiode 3 for condensing incident light to a depletion layer region 4 formed at the pn junction of the photodiode 3.例文帳に追加

ＰＮ接合を用いてＰ型半導体基板１上に複数のフォトダイオード３を形成し、入射光をフォトダイオード３のＰＮ接合部に形成されている空乏層領域４に集光するマイクロレンズ７をフォトダイオード３の上にそれぞれ配置する。 - 特許庁

To make it possible to produce a junction type coated optical fiber ribbon in which two pieces of coated optical fiber ribbons surely line up on the same plane and which has high dimensional accuracy without making the thickness of the resin of a junction larger than the thickness of the coated optical fiber ribbons.例文帳に追加

接合部の樹脂の厚さがテープ状光ファイバ心線の厚さより厚くなることがなく、２本のテープ状光ファイバ心線が確実に同一平面に並ぶ、寸法精度の高い接合型テープ状光ファイバ心線を製造できるようにする。 - 特許庁

In a junction part 5 of concrete members in various secondary products of concrete and in prefabrication construction method, a strip type elastic cushion material 6 is held between mating junction end surfaces of the concrete members, where one end of the cushion material 6 in a width direction cross section is formed thin, with the other end formed thick.例文帳に追加

各種コンクリート２次製品やプレハブ工法におけるコンクリート部材の接合部において、コンクリート部材どうしの接合端面に帯状の弾性クッション材を挟み込み、該クッション材の幅方向の断面において一端を薄く、他端を厚く形成する。 - 特許庁

Thus, the adjacent interval of the practical p-type semiconductor regions 13 is made to become wide on a main surface and narrow at a certain depth, the Schottky junction part is widened, and the Schottky junction part is easily pinched off at reverse bias.例文帳に追加

それによって、実質的なｐ半導体領域１３の隣り合う間隔が、主面において広くなり、かつある深さにおいて狭くなるようにし、ショットキー接合部を広くするとともに、逆バイアス時にショットキー接合部が容易にピンチオフされるようにする。 - 特許庁

The static-induction transistor is a kind of junction-type field-effect transistor which is developed to reduce impurities in a channel, and ensures current-voltage characteristics free from saturated condition.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタの一種で、チャンネル部の不純物を減らし、電流−電圧特性が飽和状態を示さないよう工夫した静電誘導トランジスタ。 - 特許庁

To provide a power supply, where a depletion type junction FET (JFET) is used and an idling current is zero, and to provide a standby electric power circuit using the power supply and a charging circuit for storage batteries.例文帳に追加

ＪＦＥＴを用いたアイドリング電流がゼロの電源の開発、および、その電源を用いた待機電力回路の開発、ならびに、蓄電池充電回路の開発。 - 特許庁

To suppress short channel effect in a field effect type transistor by preventing the reduction of driving capacity due to depletion of gate electrode and realizing a shallow junction between source and drain.例文帳に追加

電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電極の空乏化による駆動能力の低下を防止しつつソース−ドレインの浅い接合を実現して短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type memory cell, suitable for high integration which reduces magnetic influence from ambient, and can write stable magnetic information.例文帳に追加

周囲からの磁気的な影響を低減し、安定した磁気情報の書込をおこなうことのできる、高集積化に適した磁気トンネル接合型メモリセルを提供する。 - 特許庁

To provide a winding wire type coil component capable of preventing short circuit in the vicinity of winding wire junction without complicating a structure and decreasing winding density of the winding wire.例文帳に追加

構造を複雑にしたり巻線の巻回密度を低くしたりすることなく、巻線の接合部近傍でのショートを防止できる巻線型コイル部品を提供する。 - 特許庁

To enhance the quality and the reliability of a magnetic tunnel effect type magnetic head by suppressing the re-deposition of a matter generated by etching onto the side surface part of a magnetic tunnel junction element.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子の側面部分に被エッチング物が再付着するのを抑制することにより、品質及び信頼性の大幅な向上を可能とする。 - 特許庁

The turn-down type junction part 4 connects the extendable insulation rod 3 and the support rod 5, and fixes and makes regulatable an angle formed by the extendable insulation rod 3 and the support rod 5.例文帳に追加

可倒式接合部４は、伸縮式絶縁棒３及び支持棒５を繋ぎ、伸縮式絶縁棒３及び支持棒５のなす角度を固定及び調節可能とする。 - 特許庁

Thereby, the OFF-state drain potential is interrupted by the junction structure, and the high potential based on the potential of the drain gets hard to enter the upper part of the N-type channel layer 6.例文帳に追加

これにより、オフ時のドレイン電位がジャンクション構造によって遮られ、ドレインの電位に基づく高電位がＮ−型チャネル層６の上方に入り込み難くなる。 - 特許庁

To provide a laminated thin film element of p-n junction type having a high stability, less defects, and sufficient tight attachment, and a method of manufacturing the element.例文帳に追加

安定性が高く、欠陥の少ない、十分な密着性を有するｐ−ｎ接合型の積層薄膜素子および該素子の製造方法を提供することをその目的とする。 - 特許庁

To bring down the contact resistance value of the junction part between the electrode terminal of a semiconductor element and a bump, and to improve the electric characteristic of a flip chip mounting type semiconductor device.例文帳に追加

フリップチップ実装型半導体装置において、半導体素子の電極端子とバンプとの接合部のコンタクト抵抗値を低くし、電気特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method whose process is simple more than a lithography process as a method removing the back passivation film of a back junction type solar batter partially.例文帳に追加

裏面接合型太陽電池の裏面パッシベーション膜を部分的に除去する方法として、フォトリソグラフィー工程よりもプロセスが簡易な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive capacity type dynamic quantity sensor of high reliability, capable of avoiding defective junction in a periphery of a contact part, between a semiconductor substrate and an electrode on an insulator.例文帳に追加

半導体基板と硝子上の電極とのコンタクト部周囲において、接合不良を回避でき、低コストで、信頼性に優れた容量型力学量センサを得ること。 - 特許庁

To provide an inexpensive and downsized thermopile type infrared sensor which can accurately perform measurement with good sensitivity by reducing an influence of infrared rays on a cold junction of a thermopile.例文帳に追加

サーモパイルにおける冷接点の赤外線の影響を低減し、より感度よく、正確に計測ができ、低コストで小型化なサーモパイル型赤外線センサを提供する。 - 特許庁

To provide an optical element of type irradiating light to a Schottky junction part to generate or to detect the terahertz wave and improving the generation efficiency and detection efficiency of the terahertz wave.例文帳に追加

ショットキー接合部に光照射してテラヘルツ波を発生または検出するタイプの、テラヘルツ波発生効率及び検出効率を向上させた光素子を提供する。 - 特許庁