「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing a semiconductor thin film comprises a step of coating a substrate with organic molecules containing both anion atoms an cation atoms of a semiconductor as constituent components by various methods such as spraying, dipping, spin coating and evaporating, and heating to react them, resulting in p-type and n-type semiconductors with a p-n junction formed therebetween.例文帳に追加

本願発明は、半導体のアニオン原子とカチオン原子の双方をその分子構成元素に持つ有機分子をスプレー法、ディップ法、スピンコート法、蒸着法など様々な方法で基板に塗布し、加熱反応させて半導体薄膜を作製する製造方法である。 - 特許庁

To provide an epitaxial crystal excellent in crystallinity of a p-type conduction layer and steepness of pn junction and useful as a substrate for electronic device such as HBT in which the p-type conduction layer is composed of a compound semiconductor layer principally comprising C added InGaAs.例文帳に追加

ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

The photonic crystal has a PIN junction structure formed by joining a P clad 130 made of a P-type semiconductor, an I part 170 including an active part, and an N clad 140 made of an N-type semiconductor together in a first direction, and has the plurality of resonators including the active part 160.例文帳に追加

フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。 - 特許庁

Although, a parasitic diode is formed in the IGBT by PN junction of a p^+ collector region 1 and the n^+ type buffer layer 2, the n^+ type buffer layers 2 floating in an actual device are connected through the resistor 13.例文帳に追加

すなわち、ＩＧＢＴにはｐ^+型コレクタ領域１とｎ^+型バッファ層２とによるＰＮ接合によって寄生ダイオードが形成されることになるが、この寄生ダイオードのうち実際のデバイスではフローティング状態となる各ｎ^+型バッファ層２が抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is almost spherical, a pn junction is constituted by coating a p-type amorphous SiC (abbreviated name a-SiC) plies or layers 8 with large optical band gap rather than a-Si on the periphery of an n-type amorphous silicon (abbreviated name a-Si) plies or layers 7 by the side of centrum.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a super junction structure wherein a dislocation defect does not easily occur in a filled epitaxial layer of a second conductivity type for the purpose of further improving the quality of the region of the second conductivity type formed inside a trench.例文帳に追加

トレンチ内に形成する第２導電型の領域の更なる高品質化を目的に、前記第２導電型の充填エピタキシャル層に転位欠陥が発生しにくいスーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

One-dimensional simulation is performed to a junction structure including an npn structure or pnp structure having an impurity concentration equal to that of an n-type region and a p-type region in a semiconductor device to obtain one-dimensional simulation value for a depleted layer in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に含まれるｎ型領域およびｐ型領域と同一の不純物濃度を有するｎｐｎ構造若しくはｐｎｐ構造を含む接合構造に対して一次元シミュレーションを行って、半導体装置における空乏層についての一次元シミュレーション値を取得する。 - 特許庁

Then, a source-drain electrode 5 is provided to the pair of p^+-type contact layers 4 in ohmic contact, and a gate electrode 6 is provided on the exposure surface of an n^+-type contact layer 2, provided on the lower side of the channel layer 3 in ohmic contact, thus forming the junction FET.例文帳に追加

そして、一対のｐ^+型コンタクト層４上にオーミックコンタクトするようにソース・ドレイン電極５が設けられ、チャネル層３の下側に設けられるｎ^+型コンタクト層２の露出面上にオーミックコンタクトするようにゲート電極６が設けられることにより、接合型ＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

The photodiode includes a first conductive layer 8 disposed above a surface of a semiconductor substrate and having a second type impurity and a second conductive layer 9 formed on the first conductive layer 8 and forming a p-n junction between it and the first conductive layer 8 by having the first type impurity.例文帳に追加

フォトダイオードは、半導体基板の表面上方の、第２型不純物を有する第１導電層８と、第１導電層８上に形成され、第１型不純物を有することによって第１導電層８との間にｐｎ接合を形成する第２導電層９と、を備える。 - 特許庁

The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.例文帳に追加

スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁

To provide a mesa type semiconductor device of high withstand voltage and high reliability by solving problems with a mesa type semiconductor device, which are deterioration in a withstand voltage and occurrence of a leakage current caused by reduced thickness of a second insulation film 10 on an inner wall 11 of a mesa groove corresponding to a PN junction PNJC, and to provide its method for manufacturing.例文帳に追加

ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという問題を解決し高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。 - 特許庁

This junction gate field effect transistor(JFET) 30 has an n-type channel region 14 on a GaAs substrate 12, a p-type gate region 16 on the surface of the channel region, and a gate electrode 20 connected to the gate region through an insulating region 32 on the substrate.例文帳に追加

ＪＦＥＴ３０は、ＧａＡｓ基板１２に設けられたｎ型チャネル領域１４と、チャネル領域の表層部に設けられたｐ型ゲート領域１６と、基板上に設けられた絶縁膜３２を貫通してゲート領域と接続するゲート電極２０とを備える。 - 特許庁

The solar battery is manufactured by shallowly boring a substrate for maintaining mechanical strength beforehand, injecting melt pulverized silicon having P-type and N-type conductivity through a mask on the substrate, after forming a PN-junction, and combining an activating process and an electrode forming process.例文帳に追加

機械的強度を維持する為の基盤に予め浅く穿孔し、当該基板上に、溶融微粉化シリコンにＰ型及びＮ型伝導性を付与してマスクを介して噴射し、ＰＮ接合を形成した後、活性工程、電極形成工程を組み合わせて作成された、太陽電池。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has an approximately spherical shape, where a p-type amorphous SiC (abbreviated as a-SiC) layer 8 having a wider optical bandgap than that of an amorphous Si (abbreviated as a-Si) is coated on the outer surface of an n-type a-Si layer 7 at a center side, and thereby a PN-junction is formed.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

The nano particles NP of silicon are used as the nano particles NP, a p-type polysilicon film and an n-type polysilicon film are deposited to form a solar battery having a polysilicon pn-junction serving as a photoelectric conversion part, whereby not only quality can be improved but also a manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

ナノ粒子ＮＰとしてシリコンのナノ粒子ＮＰを用い、ｐ型ポリシリコン膜とｎ型ポリシリコン膜とを堆積して、ポリシリコンｐｎ接合部を光電変換部とする太陽電池を製造することにより、品質の向上だけでなく、製造コストの低減を図ることができる。 - 特許庁

Here, a depletion layer is made at the interface (that is, the P-N junction face) between the n-type silicon substrate 101 and a p-type epitaxial film 102, so the parasitic capacity C8 and C9 in the vicinity of this interface becomes very small, therefore, the composite capacity of the noise propagation passage at large becomes small.例文帳に追加

ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ_8 ，Ｃ_9 は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。 - 特許庁

The photocatalyst is constituted of an oxide composite material having hetero junction comprising a p-type oxide semiconductor and a n-type oxide semiconductor, wherein both semiconductors have photocatalytic properties to each other and at least one of the semiconductors exhibits photocatalytic property even in a visible light region.例文帳に追加

この光触媒は、互いに光触媒特性を持ちかつ少なくとも一方が可視光域でも光触媒特性を持つｐ型酸化物半導体とｎ型酸化物半導体から成るヘテロ接合を有する酸化物複合体で構成されることを特徴とする。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

A semiconductor device 15 is provided with a vertical MOSFET (semiconductor element) including a semiconductor substrate 2 having a principal plane with a plane orientation of {110}, an n-type drift region 3 formed on the principal plane of the semiconductor substrate 2, and a p-type column region 16 formed in the n-type drift region 3 to form a super junction structure.例文帳に追加

半導体装置１５は、面方位が｛１１０｝である主面を有する半導体基板２と、半導体基板２の上記主面上に設けられたｎ型ドリフト領域３と、ｎ型ドリフト領域３中に設けられ、スーパージャンクション構造を構成するｐ型コラム領域１６と、を含む縦型ＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）を備えている。 - 特許庁

This hydrogen sensor for detecting a hydrogen amount, based on the transmission level of light, is provided with a substrate having an n-type semiconductor layer on its surface, and a metal layer provided on the n-type semiconductor layer to form a Schottky junction with the n-type semiconductor, and for absorbing hydrogen to vary the light transmittance.例文帳に追加

本発明の水素センサは、光の透過量により水素量を検出する水素センサであり、表面にｎ型半導体層を有する基板と、該ｎ型半導体層の上に設けられ、前記ｎ型半導体層とショットキ接合を形成し、水素を吸収することにより光の透過率が変化する金属からなる金属層と備えている。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

The dissimilar material junction-type diode includes: a semiconductor substrate 1; a first conductivity type drift region 2 formed on the semiconductor substrate 1; the anode electrode 6 joined to a main surface of the drift region 2 and comprising a material of type different from that of a material of the drift region 2; and a cathode electrode 7 connected to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。 - 特許庁

A junction substrate 10 is inserted across a printed board T comprising a fitting pad Tp, at a position corresponding to an LGA type substrate S, comprising a fitting pad Tp for connection between the substrate S and the board T.例文帳に追加

中継基板１０は、接続パッドＳｐを有するＬＧＡ型基板Ｓと対応する位置に取付パッドＴｐを有するプリント基板Ｔとの間に介在させ、基板Ｓと基板Ｔとを接続させるものである。 - 特許庁

To provide chip-type electronic components, the junction reliability of which can be improved without having to use the solder nor conductive adhesive which is used in the conventional method at mounting of components on a circuit board.例文帳に追加

電子部品を回路基板に実装するのに際して、従来の半田及び導電性接着剤を使用することなく、電子部品の接合信頼性を向上させたチップ型電子部品を提供することにある。 - 特許庁

Although the depleted layers 26 are formed in an n-type silicon layer 11 and off-set regions 13 by forming p-n junction with body regions 15, the body regions 15 are provided to surround the off-set regions 13.例文帳に追加

ボディ領域１５とのｐｎ接合により、ｎ^−型シリコン層１１及びオフセット領域１３中には空乏層２６が形成されるが、ボディ領域１５はオフセット領域１３を取り囲むようにして設けられている。 - 特許庁

An ohmic contact is secured by forming the electrode 20 on the n-type nitride semiconductor layer 26, and a pn junction is short-circuited by interposing the low resistance region 24 to suppress the rise of operation voltage.例文帳に追加

ｎ型窒化物系半導体層２６上に電極２０を形成することでオーミックコンタクトを確保し、低抵抗領域２４を介在させることでｐｎ接合をショートさせ、動作電圧の上昇を抑制する。 - 特許庁

The junction field effect transistor has a vertical structure and normally-off type on/off characteristics wherein a semiconductor substrate 1, a channel layer 3 and a source diffusion layer 9 are mainly composed of SiC.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、半導体基板１、チャネル層３およびソース拡散層９がＳｉｃを主成分として形成されている。 - 特許庁

Since the heliostats 5 are multi-mirror type having multiple mirrors, the aggregate of solar cells is exposed uniformly to sunlight and thereby a multi-junction solar cell can exhibit power generation capability to the maximum.例文帳に追加

ヘリオスタット５が複数のミラーを有するマルチミラー型であるため、太陽電池セル集合体に対して太陽光Ｌを均等に当てることができ、多接合型太陽電池の発電能力を最大限に発揮させる。 - 特許庁

A boundary region 10C between both of them is set to a two-stage structure of a first level difference section 31 in a p-type cladding layer 13 and a second level difference section 33 straddling over a pn junction section 14 with a flat section 32 in between.例文帳に追加

両者の間の境界領域１０Ｃを、平坦部３２を間にして、ｐ型クラッド層１３内の第１段差部３１と、ｐｎ接合部１４をまたぐ第２段差部３３との２段構造とする。 - 特許庁

Subsequently, Be ions are implanted in an annular region along the outer circumference of a light receiving region and activated by heat treatment to form a graded junction as a p-type peripheral region 9 for preventing edge breakdown.例文帳に追加

次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。 - 特許庁

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

Moreover, an n-type GaAs layer 9 as an electrode junction layer and an ITO electrode layer 10 as an oxide transparent electrode layer are made in this order on the side of the second main surface 18 of the luminous layer part 24.例文帳に追加

また、発光層部２４の第二主表面１８側に、電極接合層としてのｎ型ＧａＡｓ層９と酸化物透明電極層としてのＩＴＯ電極層１０とがこの順序にて形成されている。 - 特許庁

With the structure, the resistor 1 is protected by the breakdown of the pn junction regions 22, 23 when negative ESD surge is impressed on a pad for an electrode to apply the voltage to a p-type diffusion layer 9.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の拡散層９に電圧を印加する電極用のパッドに負のＥＳＤサージが印加された際、ＰＮ接合領域２２、２３がブレークダウンし、抵抗１を保護することができる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor hetero junction structure that has excellent crystalizability, at the same time, a small content of a hydrogen atom, and a carbon doped p-type GaAs-based crystal layer than can inhibit variation in device characteristics.例文帳に追加

結晶性に優れ、且つ水素原子の含有量が少なく、デバイス特性の変動を抑制できる炭素添加ｐ形ＧａＡｓ系結晶層を有する化合物半導体ヘテロ接合構造体を提供する。 - 特許庁

In a micro machining type pressure sensor, a diaphragm etching cavity 10 is formed on a sensor chip by first trench etching, and anode junction is made so that the pressure introduction opening 11 provided at a glass plate forms the extension section of the cavity.例文帳に追加

第１のトレンチエッチングによりセンサチップにダイアフラムエッチング空洞１０を形成し，ガラスプレートに設けた圧力導入開口１１が、空洞の延長部を成しているように陽極接合が行われるようにした。 - 特許庁

To fabricate a high quality J-FET element by a simple manufacturing process by forming an N-channel type J-FET(junction field effect transistor) element in a P-well region, having each region of an NPN transistor for common use.例文帳に追加

Ｐウェル領域内にＮチャネル型のＪ−ＦＥＴ素子を形成し、且つＮＰＮトランジスタの各領域を共用して形成することにより、高性能のＪ−ＦＥＴ素子を簡素な製造工程で形成すること。 - 特許庁

To prevent the formation of a gap on hole end faces of second passage holes joined with each other at their peripheral edge parts and to improve the working efficiency by reducing the frequency of works in cleaning and sterilizing processing, in a junction-type plate heat exchanger.例文帳に追加

接合型プレート式熱交換器において、周縁部が接合された第２通路孔の孔端面に隙間が生じるのを防止し、洗浄や殺菌処理の作業頻度を抑え、作業効率を上げること - 特許庁

Further, the sensor body 2 is provided with an n-type low resistance part 15 in contact with the wiring part 13 to form zener diodes D1 to D4 at these pn junction portions while forming a zener diode D5 also at a mass part 5.例文帳に追加

また、センサ本体２には、配線部１３に接触してｎ型低抵抗部１５を設け、これらのｐｎ接合部分にツェナーダイオードＤ1〜Ｄ4を形成すると共に、質量部５にもツェナーダイオードＤ5を形成する。 - 特許庁

A junction field effect transistor 20 comprises an n-type semiconductor layer 1 including a channel region, a buffer layer 3 formed on the channel region, and p^+ regions 4a and 4b formed on the buffer layer 3.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ２０は、チャネル領域を有するｎ型の半導体層１と、チャネル領域の上に形成された緩衝層３と、緩衝層３の上に形成されたｐ^+領域４ａ，４ｂとを備えている。 - 特許庁

In this photodiode, plural barrier layers 3 accompanied by a P-N junction are formed, and carriers generated in the barrier layers are quickly transmitted to an N-type region, so that responsiveness is improved, and an operation becomes high speed.例文帳に追加

このフォトダイオードでは、ＰＮ接合に伴う空乏層３が多く形成されるとともに空乏層３に発生するキャリアが早くＮ型領域へ到達するので、応答性がよくなり、動作が高速となる。 - 特許庁

Specifically, the substrate of the MOS transistor M2 for control is biased with the voltage of a junction between the MOS transistor M2 for control and a capacitor 1, in case that the MOS transistor M2 for control is of p-channel type.例文帳に追加

具体的には、制御用ＭＯＳトランジスタＭ２がＰチャネル型である場合には、制御用ＭＯＳトランジスタＭ２の基板を、該制御用ＭＯＳトランジスタＭ２とコンデンサ１との接続点の電圧でバイアスする。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

In the lamp-edge type superconducting junction using an oxide superconductor, an upper superconducting electrode 24 is extended along a slope composed of a lower superconducting electrode 22 and an interlayer insulating film 23 and, at the same time, is terminated at an appropriate location between the junction 25 with the lower superconducting electrode 22 and the top of the slope of the insulating film 23.例文帳に追加

酸化物超伝導体を用いたランプエッジ型超伝導接合に於いて、上部超伝導電極２４が下部超伝導電極２２と層間絶縁膜２３とからなる斜面に沿って延在すると共に下部超伝導電極２２との接合部分２５を越え層間絶縁膜２３の斜面を越えるまでの適所で終端された構造になっている。 - 特許庁