「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The solar battery manufacturing method includes a process for forming pn-junction by heating after applying a phosphoric acid aqueous solution to the main surface of a p-type crystal silicon substrate, and is characterized by forming a silicon nitride thin film on the main surface of the p-type crystal silicon substrate before being applied with the phosphoric acid aqueous solution.例文帳に追加

ｐ型結晶シリコン基板の主面上にリン酸水溶液を塗布した後に加熱することによりｐｎ接合を形成する工程を備え、前記リン酸水溶液を塗布する前に、前記ｐ型結晶シリコン基板の主面上に薄い窒化シリコン膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the semiconductor device having the on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit, the on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductivity region contacting a second conductivity region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductivity region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

オンチップ形態の静電放電（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保護回路を持つ半導体素子であって、半導体基板内で第２導電型領域と接触する第１導電型領域を持つ第１接合ダイオードと、前記第１導電型領域上に接触する位置に配置された金属系材料層を備える第１ショットキーダイオードとを有する。 - 特許庁

Because an N+-type diffusion area 103 is absent on the incident surface side in the detector 100, the electron beam (or the reflected electron) accelerated by the high acceleration voltage (about 100 keV) is incident from the rear face side (the incident surface side) of the N--type semiconductor substrate 101 and reaches the vicinity of the PN junction on the front face side to generate electrons.例文帳に追加

ＰＮ型電子線検出器１００では、Ｎ^+型拡散領域１０３が入射面側にないので、高い加速電圧（１００ＫｅＶ程度）で加速された電子線（又は反射電子）は、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面側（入射面側）から入射し、表面側のＰＮ接合近傍に達して電子を生じさせる。 - 特許庁

The solid-state image-sensing device comprises a pn-junction sensor part 111, a device isolation layer for trench isolation for isolating the sensor part into pixels, and a semiconductor region formed protruding from the device isolation layer toward the sensor part and having a conductivity type opposite to that of a charge accumulation region of the sensor part.例文帳に追加

固体撮像装置は、ｐｎ接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離するトレンチ分離による素子分離層と、素子分離層からセンサ部側に張出して形成されたセンサ部の電荷蓄積領域とは逆導電型の半導体領域とを有する。 - 特許庁

To provide a p-n junction diode-type gas sensor whose sensor constitution is simple, in which the aged deterioration of a diode characteristic in a long-term use is small and which can detect the gas concentration of molecules comprising hydrogen atoms such as H2, NH3, H2S, hydrocarbon or the like contained in a gas to be detected.例文帳に追加

センサ構成が簡単で、長期使用におけるダイオード特性の経時変化が少なく、被検ガスに含まれるＨ_2、ＮＨ_3、Ｈ_2Ｓ、炭化水素等の水素原子を有する分子のガス濃度を検出可能なｐｎ接合ダイオード型ガスセンサを提供すること - 特許庁

In the electrically conductive element, such as a double-pole type plate, for the fuel cell having an improved adhesive junction section, the conductive element generally has a first conductive sheet 58 and a second one 60, and each sheet has mutually opposing surfaces.例文帳に追加

改善された接着結合部を有する燃料電池のための、二極式プレート等の電気伝導性要素であって、伝導性要素は、概して、第１の伝導性シート５８及び第２の伝導性シート６０を備え、各シートは互いに対面する表面を有する。 - 特許庁

The silicon substrate and source/drain diffused layers of the same conductivity-type as with the silicon substrate 1 are isolated electrically from each other by a P-N junction, so that the silicon substrate 1 and the source/drain diffused layers can be prevented from being short-circuited through the intermediary of metal wiring layers 14-1 and 14-2.例文帳に追加

シリコン基板と、この基板と同じ導電型のソース・ドレイン拡散層とをＰＮ接合によって電気的に分離できるので、金属配線層１４−１，１４−２を介してシリコン基板とソース・ドレイン拡散層とが短絡するのを防止できる。 - 特許庁

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

To provide a high heat dissipation-type package for housing electronic components, which has high joining strength between a metallized film and a ceramic frame, prevents the ceramic frame from curving, and has high interface strength between the metallized film and an Ni plating film, and high joining reliability of a junction.例文帳に追加

メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とＮｉめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。 - 特許庁

The field effect transistor has a hetero-junction structure of a channel layer and a barrier layer made of nitride semiconductor, wherein a p-type InGaN layer is stacked on the barrier layer in a gate area.例文帳に追加

窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、ｐ型ＩｎＧａＮ層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a light receiving element for optical communication that can improve light receiving efficiency and reduce the junction capacitance of a light receiving part by forming a light receiving surface shape by a plurality of projecting surfaces or inclined surfaces with an obtuse angle to each other in a side incident type light receiving element.例文帳に追加

側面入射型受光素子において、受光面形状を凸状あるいは互いに鈍角をなす複数の斜面で構成することにより、受光効率を高め、受光部の接合容量を低減できる光通信用受光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA.例文帳に追加

アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したＣＯ_２の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜／電極接合体（ＤＭＦＣ用ＭＥＡ）およびそのＭＥＡを用いたＤＭＦＣを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a surface emitting semiconductor laser element having a tunnel junction layer with a C-added p-type semiconductor layer on a GaInNAs containing active layer and attaining favorable optical characteristic and element characteristics and high element reliability.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層上にＣ添加のｐ型半導体層を有するトンネル接合層を備えており、良好な光学特性及び素子特性を実現でき素子信頼性の高い面発光半導体レーザ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for driving a junction type field effect transistor (JFET) for suppressing heat generation of the JFET by temporary overcurrent and detecting the overheat state of the JFET in a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成によって、一時的な過電流による接合型電界効果トランジスタの発熱を抑制するとともに、接合型電界効果トランジスタの過熱状態を検知することができる接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element having a charge transfer type hetero-junction structure which can obtain a solar cell, a light emitting diode or the like, excellent in durability, electronic physical properties, economic efficiency or the like by using a fullerene polymer film for a part of a component.例文帳に追加

構成材料の一部にフラーレン重合体膜を用いることによって、耐久性、電子物性、経済性等にすぐれた太陽電池や発光ダイオード等が得られる、電荷移動型ヘテロ接合構造体を有する光電変換素子を提供すること。 - 特許庁

Semiconductor layers of different kinds (In_0.53Al_0.17Ga_0.30As layer 104a-1 and Al_0.53Ga_0.65As_0.51Sb_0.49 layer 104a-2) forming a hetero junction belonging to a type II for every predetermined interval in a waveguide direction of an active layer 104 are alternately arranged.例文帳に追加

活性層１０４の導波方向において所定間隔毎にタイプIIに属するヘテロ接合を形成する異種の半導体層（Ｉｎ_０．５３Ａｌ_０．１７Ｇａ_０．３０Ａｓ層１０４ａ−１とＡｌ_０．５３Ｇａ_０．６５Ａｓ_０．５１Ｓｂ_０．４９層１０４ａ−２と）を交互に配列する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of preventing a junction leakage without requiring precise film thickness control, and of forming a metal silicide layer having a thickness required for making a more effective MIS type field effect transistor low resistance.例文帳に追加

緻密な膜厚制御を必要とすることなくジャンクション・リークを防ぐことができ、より実効的なＭＩＳ型電界効果トランジスタの低抵抗化に必要な厚さの金属シリサイド層が形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type InGaAlP layer is inserted between an InGaAs ohmic contact layer and an InAlAs Schottky contact layer to reduce an amount of band discontinuation of a conduction band of a hetero junction, thereby lower the source and drain resistances.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層とＩｎＡｌＡｓショットキーコンタクト層の間にｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層を挿入することによって、ヘテロ接合の伝導帯のバンド不連続量を小さくし、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した半導体素子を提供する。 - 特許庁

An ohmic contact layer 107 and an adhering layer 106 are separately formed on a p-type semiconductor layer 105, and a substrate 110 is formed by plating, and thus, excellent ohmic junction can be formed and the substrate can be prevented from being peeled when it is formed by plating.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５上にオーミック接触層１０７と密着層１０６を分けて形成し、メッキによって基板１１０を形成することにより、オーミック接合に優れるとともに、メッキによって基板を作製した際に剥離することがない。 - 特許庁

An npn-type bipolar transistor Bip1 consisting of an epitaxial layer 2, a base diffusion layer 5, a base connection layer 4 and an emitter diffusion layer 6, and a pn-junction diode D1 consisting of the epitaxial layer 2 and an anode layer 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エピタキシャル層２、ベース拡散層５、ベース接続層４、エミッタ拡散層６からなるｎｐｎ型バイポーラトランジスタＢｉｐ１と、前記半導体基板１上に、前記エピタキシャル層２、アノード層３からなるｐｎ接合ダイオードＤ１とを形成する。 - 特許庁

To prevent increase of off-current by formation of a defect in junction between a channel formation region and an impurity region in a p-channel type TFT when making structures of TFTs arranged in a display region and a drive circuit of a semiconductor device appropriate in accordance with a function.例文帳に追加

半導体装置の表示領域と駆動回路に設けられたＴＦＴの構造を機能に応じて適切なものとするとき、ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、チャネル形成領域と、不純物領域との接合に欠陥が形成され、オフ電流が増加することを防止する。 - 特許庁

In the block fitting type electrical junction box 1, 31 for inserting blocks 3, 33 into frames 2, 32 and locking the blocks by locking parts 8, 9, respectively, locking members 21, 34 are provided on the frames and locked members 7, 36 to engage with the locking members without space in a gap S direction of the locking parts are provided on the blocks.例文帳に追加

フレーム２，３２内にブロック３，３３を挿入して相互のロック部８，９で係止させるブロック嵌合式電気接続箱１，３１で、フレームにロック部材２１，３４を設け、ブロックに、ロック部相互間の隙間Ｓ方向の隙間なくロック部材に係合する被ロック部材７，３６を設けた。 - 特許庁

To provide an electrical junction box with a new structure having a hinge-type opening-closing lid, capable of openably and closably covering part of a peripheral wall of a harness taking-out hole, and preventing entry of rainwater in a closed state, even when the harness taking-out hole is provided on the center of a lower cover bottom wall.例文帳に追加

ハーネス取出孔がロアカバー底壁の中央部分に設けられた場合にも、ハーネス取出孔の周壁の一部を開閉可能に覆い、閉状態では雨水等の侵入を防止し得るヒンジ式の開閉蓋を備えた、新規な構造の電気接続箱を提供する。 - 特許庁

Firstly, strain energy in the P-type region as the base is fixed in a minimum state and secondly, a linear defect region is provided nearby an element which may cause a problem to adsorb interstitial silicon produced in an important junction part of the element by the defect IG capability.例文帳に追加

１つ目は下地となるＰ型領域内の歪エネルギーを最小の状態で固定化することで、２つ目は問題となる素子の近傍に線状欠陥領域を設け、素子の重要な接合部中に発生している格子間シリコンを欠陥のＩＧ能力で吸着せしめる。 - 特許庁

For the low temperature type fuel cell, an obstructive action against an oxidation-reduction reaction of an air electrode by impurity ions is prevented by containing one or more organic weak acids or salts thereof in a polymer membrane of a membrane-electrode junction in the fuel cell in advance.例文帳に追加

低温型燃料電池において、１種または複数種の、有機系弱酸またはその塩を該燃料電池の膜電極接合体の高分子膜内に予め含ませることにより、空気極触媒界面での不純物イオンの酸素還元反応の妨害作用を防止する。 - 特許庁

The reflection type photosensor 10 is arranged near a junction of caring passages for two kinds of paper sheet 20 and 30, and an angle between a light receiver surface and the paper sheet carrying passage is formed at 30-60 degree, and the carrying passage near the photosensor 10 is arranged nearly at a right angle to discriminate the paper sheet.例文帳に追加

２つの用紙２０、３０の搬送路の合流点近傍に反射型フォトセンサ１０を配置し、その受光面と用紙搬送路とのなす角を３０度から６０度の間とし、フォトセンサ１０に近い搬送路の方が垂直に近くなるように配置して用紙の判別を行う。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

A white diode driving voltage set at high voltage near the voltage of a commercial power supply is used to reduce driving current and make a junction FET type constant current element usable, and temperature characteristics of the element and tolerance thereof are improved to achieve miniaturization.例文帳に追加

本発明は白色ダイオード駆動電圧を商用電源と近い高電圧に設定したものを用いて、駆動電流を減らして、ジャンクションＦＥＴ型定電流素子を使用可能とし、その素子の温度特性と交差を改善しかつ小型化を実現するものである。 - 特許庁

In this chip type thermistor 10, the electric junction of terminal electrodes 6 on the both edge faces of a chip-shaped thermistor element 1 having internal electrodes 2 with the internal electrodes 2 is secured, high resistance layers 6A are formed between the terminal electrodes 6 and the chip-shaped thermistor element 1.例文帳に追加

内部電極２を有するチップ状サーミスタ素体１の両端面の端子電極６が、内部電極２とは電気的接合を確保するものの、チップ状サーミスタ素体１との間には高抵抗層６Ａを形成する材料で形成されているチップ型サーミスタ１０。 - 特許庁

The gas sensors are each formed by forming FET using a semiconductor substrate, a gate-control-type p-n junction diode, or the gate area of a Schottky diode or a conductive oxyacid salt and collector or a solid electrolyte, conductive oxyacid salt, and collector on a rectification barrier electrode.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型ｐｎ接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。 - 特許庁

This method has advantages that extremely high optical transmittance can be accomplished in the design of a top-emitter OLED covering a large surface area, and an operation below 10V is enabled by keeping the sheet resistance of the junction type electrode located separately from the substrate very low.例文帳に追加

この方法は、大きな表面積をカバーするトップエミッタＯＬＥＤの設計において非常に高い光透過率を達成すると同時に、基板から離れて位置する接合型電極のシート抵抗を非常に低く維持することによって１０Ｖ未満での動作を可能にするという利点を有する。 - 特許庁

A second p-type drift layer 64 is formed, that is diffused into an epitaxial semiconductor layer 51 deeper than a first drift layer 65, is extended from the lower portion of the first drift layer 65 to that of the gate electrode 54, and forms a pn junction with the body layer 63 at the lower portion of the gate electrode 54.例文帳に追加

第１のドリフト層６５より深くエピタキシャル半導体層５１の中に拡散され、第１のドリフト層６５の下方からゲート電極５４の下方へ延びて、このゲート電極５４の下方でボディ層６３とＰＮ接合を形成するＰ型の第２のドリフト層６４が形成されている。 - 特許庁

By using a double-probe-type flaw detector with transmission and reception probes, ultrasonic waves are directly applied to a junction surface to be diffused at 45 degrees, and a reflection wave being reflected once on the surface of a material whose flaw is to be detected is captured while changing the distance between the two probes.例文帳に追加

発信探触子と受信探触子を備えた２触子式探傷器を使用して、超音波を被拡散接合面に対して４５度の角度で直接照射し、二つの探触子間の距離を変えながら被探傷材の表面で１回反射させた反射波を捕捉する。 - 特許庁

To form a lightly-doped source/drain region by self-matching and to prevent implanted ions from being passed through a channel region in the production of an MOS-type semiconductor device for forming the lightly-doped source/drain region of deep junction, in order to acquire high-withstand voltage characteristics.例文帳に追加

高耐圧特性を得るために、深ジャンクションの低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するＭＯＳ型半導体装置の製造において、低不純物濃度ソース・ドレイン領域を自己整合法にて形成すると共に注入イオンがチャネル領域へ突き抜けることのないようにする。 - 特許庁

A plug part 7b connectable to a coaxial connector is provided on one end of a main body part 7a in this junction-type equalizer 7, a connector part 7c connectable to a coaxial plug is provided on the other end and a printed board 30 incorporating an equalizer circuit is housed in a space part inside the main body part 7a.例文帳に追加

接栓タイプイコライザ７における本体部７ａの一端に同軸コネクタに接続可能なプラグ部７ｂを、他端に同軸プラグが接続可能なコネクタ部７ｃを設け、本体部７ａの内部の空間部にイコライザ回路が組み込まれたプリント基板３０を収納する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high quality in which an IGBT type formation region and a formation region for a control circuit thereof etc., are separated by a PN junction separating method, a leakage current from an IGBT is not generated, and a CMOS transistor such as the control circuit never latches up and so on.例文帳に追加

ＩＧＢＴ形成領域とその制御回路等形成領域とをＰＮ接合分離法で分離し、且つＩＧＢＴからの漏れ電流が発生せず、制御回路等のＣＭＯＳトランジスタがラッチアップ等することのない高品質の半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a junction-type plate heat exchanger inhibiting the short path of the fluid in a spatial flow channel formed in a fluid flow channel between cassette plates, by heat transfer face joint parts formed on the heat transfer faces of the cassette plates as recessed grooves continuous from flat end parts, and to improve the heat transferring performance.例文帳に追加

カセットプレートの伝熱面に平端部に続いて凹溝状に形成される伝熱面接合部でカセットプレート間の流体流路に形成される空間流路での流体のショートパスを抑制し、伝熱性能を上げる接合型のプレート式熱交換器を提供する。 - 特許庁

A DC supply circuit 30 is considered, for example, as a "low side switch type step-down chopper system", and a bipolar transistor 31 as a pn-junction device is connected to a wiring circuit 34 on the positive side in series in the forward direction (arrangement for allowing current to flow in the current direction of the operating current Id).例文帳に追加

直流供給回路３０は、例えば「ローサイドスイッチ型降圧チョッパー方式」としてあり、プラス側の配線経路３４には、ｐｎ接合素子としてのバイポーラトランジスタ３１が直列で順方向（動作電流Ｉｄの電流方向に電流を流す配置）に接続してある。 - 特許庁

In this high pressure-resistant analog switch circuit, the voltage of the gate of the high pressure-resistance junction type FET 71 is held in the same level as that of the voltage of the source regardless of whether the voltage (the voltage of a signal inputted to a node Si) of the source is positive or negative so that any negative power supply voltage (-V) is dispensed with.例文帳に追加

この高耐圧アナログスイッチ回路では、ソースの電圧（ノードＳｉに入力された信号の電圧）の正負にかかわらず高耐圧接合型ＦＥＴ７１のゲートの電圧がソースの電圧とほぼ同じレベルに保持されるため、負の電源電圧（−Ｖ）を必要としない。 - 特許庁

When a junction of the road shape Rs passes the center O of the display region, the display 32 scrolls the map so that the road shape Rs1 having the same road type as the road shape Rs passes the center O of the display region in the direction opposite to the tracing direction.例文帳に追加

道路形状Ｒｓの分岐点が表示領域の中心Ｏを通過するとき、ディスプレイ３２は、道路形状Ｒｓと同一の道路種別を有する道路形状Ｒｓ１が表示領域の中心Ｏをなぞり方向とは逆方向に通過するように地図をスクロールする。 - 特許庁

A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加

トレンチ分離１５で囲まれた１つのＳＯＩ層１３ｂには、ＤＭＯＳトランジスタ２３と温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａとが、電気的に浮いた状態で形成されるＰ型拡散層２０によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁

To provide a solid polymer type fuel cell having an excellent power generation characteristic and excellent durability by providing a mass-producible membrane-electrode junction having a thin electrolyte membrane and/or a catalyst layer having a uniform thickness, and is low resistance and high tear strength and easy to handle.例文帳に追加

厚さが均一で薄く抵抗が低く、引裂き強度が高くてハンドリング性に優れる電解質膜及び／又は触媒層を融資、量産が可能な膜・電極接合体を備えることにより、発電特性及び耐久性に優れる固体高分子型燃料電池の提供。 - 特許庁

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the signal line 19 for propagating digital signals, intervened is a three-terminal capacitance comprising a depletion type MOS transistor (Dep-Tr11) which is formed in a substrate 12 and is so mounted that a gate capacitance and a junction capacitance may work on the signal line 19.例文帳に追加

デジタル信号を伝搬する信号線１９には、基板１２内に形成され、信号線１９に対してゲート容量及びジャンクション容量が作用するように設けられたディプレション型のＭＯＳトランジスタ（Ｄｅｐ−Ｔｒ１１）で構成される３端子型容量が介在される。 - 特許庁