「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode that is a pn-junction-type light-emitting diode, has improved takeout efficiency of emitted light to the outside, can prevent the short-circuiting circulation of an element drive current between electrodes, and has an improved electrostatic withstand voltage.例文帳に追加

ｐｎ接合型発光ダイオードにあって、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

Further, since an adequate ohmic junction can be formed between a silicide film 10 electrically connected to a source electrode film 12 and the second highly concentrated p-type source region 8, the resistance of a source contact can be decreased.例文帳に追加

また、ソース電極膜１２と電気的に接続されるシリサイド膜１０と、第２の高濃度Ｐ型ソース領域８との間に良好なオーミック接合を形成することができるため、ソースコンタクトを低抵抗化することができる。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal, with which an n-type ZnTh-family substance doped at up to a high concentration is grown and a pn junction in a ZnTh substance is easily formed, and an optical semiconductor device thereby.例文帳に追加

高濃度までのｎ型ＺｎＴｅ系物質を成長することができ、ＺｎＴｅ系物質のｐｎ接合を容易に形成することができる化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置を提供する。 - 特許庁

The invention is characterized in that the polymer is of the irregular block-copolymer or irregular comb-like polymer type and has on the average at least three junction points between polymeric segments of different chemical or topological nature.例文帳に追加

本発明は、該ポリマーが不規則なブロックコポリマーもしくは不規則な櫛様ポリマー型であり、異なる化学的もしくは位相的性質を有するポリマーセグメント間で平均して少なくとも３つの接合点を有することに特徴づけられる。 - 特許庁

The barrier potential (33) at metal-to-semiconductor junction varies depending on the type of metal to be used (16), and using particular metals lowers the diode's Schottky barrier potential (33), results in a V_f in the range of 0.1-0.3 V.例文帳に追加

金属−半導体接合での障壁ポテンシャル（３３）は、使用する金属（１６）のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル（３３）が下がり、Ｖ_fが０．１〜０．３Ｖの範囲となる。 - 特許庁

With this constitution, and elongation of a depletion layer in a glass junction plane of the n-type substrate 1 can be reduced, when a reverse-bias voltage is applied and dangling bonds can be reduced, so that dielectric strength can be improved, and further, a leakage current can be reduced.例文帳に追加

これによって、逆バイアス印加時にｎ型基板１のガラス接合面の空乏層の伸びを減少させることで、ダングリングボンドの低減が可能となり、高耐圧でかつリーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁

A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part.例文帳に追加

Ｚｎが拡散されたｐ型領域１０５を、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４を貫通する様に形成する事で、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３中あるいは近傍にｐｎ接合が形成され、受光部となる。 - 特許庁

A linking structure 11 is stored in an electrical junction box 21, so as to have the bottom end edges of the belt-type plate materials 12 brought into contact with the surface of an insulating partition IP1, positioned on the uppermost layer of a layer-built bus-bar unit 22.例文帳に追加

連結構造体１１は、帯状板材１２の下端縁が、バスバー積層体２２において最上層に位置する絶縁仕切板ＩＰ１の表面に接触した状態で電気接続箱２１内に収容されている。 - 特許庁

An opening 5 is formed on a mold part 2 of a resin-sealed type semiconductor device 1 to reach a solder junction part 10, formed between a semiconductor chip 8 inside the device 1 and a semiconductor chip placing part 6 on a lead frame 7.例文帳に追加

樹脂封止型半導体装置１のモールド部２に、該装置１の内部の半導体チップ８とリードフレーム７の半導体チップ載置部６との間に形成された半田接合部１０に達する開口部５を形成する。 - 特許庁

To provide an electronic control module that prevents the occurrence of solder cracking due to thermal stress at a solder junction portion between a ceramic substrate and a package type semiconductor even in a severe environment during an in-vehicle use, and is compact, lightweight and inexpensive.例文帳に追加

車載用途の厳しい環境下でも、セラミック基板とパッケージ型半導体のはんだ接合部に、熱応力によるはんだクラックが発生するのを防ぎ、かつ小型・軽量で低コストな電子制御モジュールを提供する。 - 特許庁

Gate voltage can be increased because a pn junction produced by two-dimensional electron gas generated at an interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer, and the p-type GaN layer 105 is formed in a gate region.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

Since ohmic junction is formed by means of a drain electrode 31 containing aluminum with the p^--type drain layer 11 after the rear surface of the wafer is ground, ion implantation and heat treatment performed for separately forming a high-concentration layer for drain contact become unnecessary.例文帳に追加

裏面研削後、アルミニウムを含むドレイン電極３１によって、ｐ^-低濃度ドレイン層１１とオーミック接合が形成されるので、ドレインコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

Between the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit and a conductive transparent intermediate layer, a semiconductor of the conductivity type opposite to that of the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit is provided to form a pn reverse junction portion.例文帳に追加

半導体光電変換ユニットの半導体層と、導電性の透明中間層との間に、この半導体光電変換ユニットの半導体層と逆の導電性を示す半導体を介在させ、ｐｎ逆接合部を形成する。 - 特許庁

The flat top surface Σ of a p-type contact layer 105b is a surface exposed when the unnecessary part (the upper part on the common crowning of the resonator) of the insulating wall 110 which once laminated uniformly to a junction side is removed by an etching treatment.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの平頂面Σは、ジャンクション側に一旦略一様に積層した絶縁壁１１０の不要部分（共振器の平頂部の上の部位）をエッチング処理によって除去した際に露出した面である。 - 特許庁

To provide an organic solar cell of bulk hetero-junction type by which a low-cost and high-efficiency organic solar cell can be manufactured and whose conversion efficiency can be further increased in comparison to a conventional one, and to provide a method for easily manufacturing such an organic solar cell.例文帳に追加

低コストで高効率の有機太陽電池が製造できるバルクへテロジャンクション型太陽電池において、従来のものよりもさらに変換効率を高めることができる有機太陽電池を提供することを課題とする。 - 特許庁

The vertical junction type bipolar transistors TR1, TR2 are electrically separated into two portions with a trench 3 embedded with an insulator 2 and are formed to provide a mirror-symmetrical cross-sectional structure for the trench 3 when these are separated.例文帳に追加

縦型接合バイポーラトランジスタＴＲ１、ＴＲ２とは、絶縁物２で埋められたトレンチ３によって電気的に２つに分離され、分離時のその断面構造が、トレンチ３に対して鏡面対称になるように形成されている。 - 特許庁

A body contact diode region 13 constituting a diode structure where the body contact region 12 and the n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, and an MOSFET region 14 where MOSFET structure is formed are also provided.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３と、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４とを有する。 - 特許庁

For the light emitting element 100, a p-type GaAs layer 7 as an electrode junction layer and an ITO electrode layer 8 as an oxide transparent electrode layer are made in this order on the side of the first main surface 17 of a luminous layer part 24.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４の第一主表面１７側に、電極接合層としてのｐ型ＧａＡｓ層７と酸化物透明電極層としてのＩＴＯ電極層８とがこの順序にて形成されている。 - 特許庁

To obtain a diode-type ultraviolet sensor which has a laminate structure for forming hetero junction, has no directivity, does not need an extraction electrode and further has flat spectral wavelength sensitivity characteristics over a wide wavelength range.例文帳に追加

ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサであって、方向性がなく、かつ引き出し電極が必要ではなく、さらに、広い波長範囲にわたって、分光波長感度特性がフラットなものを得る。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

An N-type diamond semiconductor crystal layer 4, doped with sulfur which serves as donor atoms, is formed through a CVD method on a P-type diamond semiconductor crystal 2 which is formed of high-pressure synthetic diamond doped with boron or natural IIb diamond to form a P-N junction 6.例文帳に追加

ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のＩＩｂ型ダイヤモンドから形成されたｐ型ダイヤモンド半導体結晶２上に、例えばプラズマＣＶＤ法によってドナー原子となるイオウをドープしたｎ型ダイヤモンド半導体結晶層４を成長させてｐｎ接合６を形成したものである。 - 特許庁

The p-type shallow junctions 20 at the ends of the Schottky junction are connected to the p-body region 6 of the MOSFET by a MOS gate so that the p-body region 6 of the MOSFET and the p-type junctions 20 are conductively connected when a negative bias is applied to the gate.例文帳に追加

さらに、ショットキー接合の端部にある浅いｐ型接合２０と、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６との間がＭＯＳゲートによって接続され、ゲートに負のバイアスが印加されると、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６とショットキー接合の端部のｐ型領域２０とが導電接続されるようにする。 - 特許庁

An area Anw2 into which n type impurities are introduced and an area Apw2 into which p type impurities are introduced are formed across a border area Ad having a specified interval, so the impurity density of the junction part of a diode is less than when those areas are formed adjacently.例文帳に追加

ｎ型の不純物が導入された領域Ａｎｗ２とｐ型の不純物が導入された領域Ａｐｗ２とが所定の間隔の境界領域Ａｄを空けて形成されるので、これらの領域が隣接して形成される場合に比べてダイオードの接合部における不純物濃度が低下する。 - 特許庁

An altered region 20 is formed by irradiation with laser light La focused on a condensing point F on a predetermined position between the reverse surface 3b and the p-type semiconductor regions 7 to be inside a depletion layer 19 spreading from the pn junction 11 between the semiconductor substrate 3 and p-type semiconductor region 7.例文帳に追加

改質領域２０は、裏面３ｂとｐ型半導体領域７との間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって形成されており、半導体基板３とｐ型半導体領域７とのｐｎ接合１１から広がる空乏層１９の内部に形成されている。 - 特許庁

After a film containing a Diels-Alder addition product produced by Diels-Alder reaction between an organic compound to be a p-type semiconductor and fullerene is formed, the film is heated to separate the Diels-Alder addition product into the organic compound to be the p-type semiconductor and the fullerene to form the semiconductor hetero-junction film.例文帳に追加

ｐ型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記ｐ型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜とする。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

A thermoelectric transducer 1 is provided with a first substrate 11 having an electrode 12, a second substrate 25 which has the other electrode 26 and is arranged in face to face with the first electrode, and a p-type and an n-type thermoelectric conductors 17, 18 which are clamped between both substrates 11, 25 and subjected to pn junction via both electrodes.例文帳に追加

電極１２を有する第１基板１１と、他の電極２６を有して第１基板と対向して設けられた第２基板２５と、両基板１１，２５間に挟設され両電極を介してＰＮ接合されたＰ型及びＮ型の熱電導体１７，１８とを備える熱電変換素子１を前提とする。 - 特許庁

The state change part comprises a first semiconductor layer composed of one semiconductor between a P type semiconductor and an N type semiconductor and second semiconductor layers composed of the other semiconductor and provided on the top and reverse of the first semiconductor layer across PN junction parts.例文帳に追加

この状態変化部は、Ｐ型半導体またはＮ型半導体のいずれか一方の半導体からなる第１半導体層と、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の他方の半導体からなり前記第１半導体層の上下それぞれでＰＮ接合部を介して設けられた第２半導体層を備えて構成される。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion module for generating power by providing a temperature difference for a pn junction pair obtained by joining a p-type oxide thermoelectric conversion material and an n-type oxide thermoelectric conversion material, at least one of a pair of surfaces 20a and 20b to be provided with a temperature difference is covered with insulating films 21a and 21b.例文帳に追加

ｐ型酸化物熱電変換材料とｎ型酸化物熱電変換材料とを接合させたｐｎ接合対に温度差を与えて電力を発生させる熱電変換モジュールにおいて、温度差を与えるべき一対の面２０ａ，２０ｂのうち、少なくとも一方の面を絶縁膜２１ａ，２１ｂで被覆する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises the steps of forming an oxide film 14 having a trench forming pattern on the surface of an n-type silicon semiconductor substrate 11, forming a trench 16 for a super junction on the semiconductor substrate 11 with a mask of the oxide film 14, and conducting an epitaxial growing to bury the trench 16 with a p-type semiconductor 17.例文帳に追加

ｎ型シリコン半導体基板１１の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜１４を形成し、この酸化膜１４をマスクとして半導体基板１１に超接合用トレンチ１６を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ１６をｐ型半導体１７で埋める。 - 特許庁

At least a part of the envelope 2 is covered with a shading material 300 to prevent the light having passed through the envelope 2 from entering into a junction part between a negative electrode base of the field emission type negative electrode 10 formed of a P-type semiconductor, and a negative electrode jointed to the negative electrode base.例文帳に追加

外囲器２を通過した光が電界放出型陰極１０のＰ型半導体からなる陰極ベースとＮ型半導体からなり、陰極ベースに接合された陰極電極との接合部に入射しないように、外囲器２の少なくとも一部が遮光性の材料３００で覆われている。 - 特許庁

A modulated RF signal 2 and a 2nd RF signal 3 with a frequency substantially equal to a carrier frequency of the modulated RF signal 2 are supplied to an input terminal of an n-port junction circuit 17, and a signal processing circuit 6 processes an output signal of the n-port junction circuit 17 to generate a flag 10 denoting a modulation type of the identified modulation RF signal 2.例文帳に追加

ｎポートジャンクション回路１７の入力端子に変調ＲＦ信号２と、変調ＲＦ信号２の搬送波周波数に実質的に等しい周波数を有する第２のＲＦ信号３とを供給し、ｎポートジャンクション回路１７の出力信号を処理して、識別された変調ＲＦ信号２の変調種類を示すフラグ１０を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its method of manufacturing, wherein, even if a junction failure takes place due to dislocation between a lead and a pad at bonding, it is corrected for avoiding a manufacture yield from lowering, in a TCP type semiconductor device.例文帳に追加

ＴＣＰ型半導体装置において、ボンディング時にリードとパッドとの間で位置ずれによる接合不良が発生しても、それを修正して製造歩留まりの低下を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a lead from precipitating and adhering to the surface, when a p-n junction surface of a semiconductor element chip is alkali etched in a mesa-type semiconductor device, in which a silicon semiconductor element chip is connected to leads by a connecting material containing the lead as the main component.例文帳に追加

シリコン半導体素子チップとリードとが鉛を主成分とする接合材で接合されたメサ型半導体装置において、半導体素子チップのｐｎ接合面をアルカリエッチングした際の表面への鉛の析出、付着を防止する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type magnetic random access memory cell array that achieves both the thermal stabilization of the magnetization of a free layer and reduction in electric current required for changing the direction of magnetization, to improve operational performance.例文帳に追加

フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

The break down voltage of a body contact diode region 13, in which a body contact region 12 and n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, is smaller than that of a MOSFET region 14 forming a MOSFET structure.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３の耐圧を、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４の耐圧よりも小さくしてある。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode having an improved electrostatic withstand voltage that is a pn-junction-type compound semiconductor light-emitting diode, has improved extraction efficiency of emission to the outside, and can prevent the short-circuiting circulation of the element drive current between electrodes.例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To solve the problem of conventional vertical resonator type light emitting element with a high-resistance semiconductor for current constriction, which has large additional capacity resulting from a pn junction at the peripheral part of a light emission area and the problem of its difficulty to drive the element at a high speed.例文帳に追加

従来の高抵抗半導体を電流狭窄に用いた垂直共振器型半導体発光素子は、発光領域周辺部におけるｐｎ接合などによる付加的な容量が大きく、素子の高速動作が困難である。 - 特許庁

To provide a junction type beam splitter using an Ag layer, capable of preventing moisture permeation from a base material and an adhesive to an Ag film, and appearance deterioration while maintaining the characteristics of desired transmittance and reflectance under an environment of high temperature and high humidity.例文帳に追加

Ａｇ層を用いた接合タイプのビームスプリッタにおいて、基材、接着剤からのＡｇ膜への透湿を防ぎ、高温高湿環境下においても所望の透過率、反射率の特性を維持したまま、外観劣化を生じないビームスプリッタを得る。 - 特許庁

The pn-junction generated by the two-dimensional electron gas generated at the interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer and by the p-type GaN layer 105 is formed at a gate region to be capable of enlarging the gate voltage.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁

A third portion 21c of a second region 15b of the n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15 is surrounded by the insulator 17 positioned on a first portion 21a, and a Schottky junction 23 is formed at a first conductive portion 19a of the first electrode 19.例文帳に追加

ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５の第２の領域１５ｂの第３の部分２１ｃは、第１の部分２１ａ上の絶縁体１７に囲まれていると共に、第１の電極１９の第１の導電部１９ａにショットキ接合２３を成す。 - 特許庁

The mask pattern include a resist pattern formed on a semiconductor device and a gel layer on a surface of the resist pattern having a zipper type junction area including hydrogen bonds between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターンの表面上で陽子供与ポリマー及び陽子受容ポリマーが水素結合によって相互連結されたジッパー型の接合領域を持つゲル層と、を備える半導体素子製造用のマスクパターン。 - 特許庁