「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the surface area of a part to which solder is applied is increased when a substrate is mounted on the resin sealing-type semiconductor device, junction strength with the substrate can be improved.例文帳に追加

樹脂封止型半導体装置の基板への搭載時に半田の塗られる部分の表面積が増大するので、基板との接合強度をアップすることができる。 - 特許庁

By inserting the junction-type equalizer 7 in the transmission line of a community reception system, the level deviation of the low band and the high band generated by the coaxial cable is equalized.例文帳に追加

この接栓タイプイコライザ７を共同受信システムの伝送路中に挿入することにより、同軸ケーブルにより生じる低域と高域とのレベル偏差を等化する。 - 特許庁

To provide an anode common Zener diode in which a pn-junction area is enlarged, the degree of proof is increased and which can easily be manufactured even by an n-type manufacture line.例文帳に追加

ｐｎ接合面積を大きくして耐量を大きくすると共に、ｎ形の製造ラインでも容易に製造することができる構造のアノードコモンツェナーダイオードを提供する。 - 特許庁

The impurity region IM1 is arranged beneath the back gate region BG with the epitaxial layer EP sandwiched, forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is the second conductivity type one.例文帳に追加

不純物領域ＩＭ１はエピタキシャル層ＥＰを挟んでバックゲート領域ＢＧの下に位置し、かつエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

To provide an electric junction box of the structure adapted to a thin type and a small size to be easily installed even in a limited narrow space of an automobile.例文帳に追加

自動車の限られた狭いスペースにも容易に設置することができる薄型および小型化に適した構造の電気接続箱を提供することを課題とする。 - 特許庁

Junction members 8a, 8b, and 8c are provided between a ground plate 1, radiation element 2, 3, and 4, and a radome 5 for greatly affecting the antenna characteristics of the inverse-F-type planar antenna device, respectively.例文帳に追加

逆Ｆ型の平面アンテナ装置のアンテナ特性を左右するグランド板１、放射素子２，３，４、レドーム５の間に、それぞれ接合部材８ａ，８ｂ，８ｃを設けた。 - 特許庁

To enable speed read out of a memory cell by realizing lowering the resistance of buried digit lines in a NOR-type mask ROM and reducing the junction capacitance at the same time.例文帳に追加

ＮＯＲ型マスクＲＯＭにおける埋め込みデジット線の低抵抗化と、接合容量の低減を同時に実現し、メモリセルの読み出しスピードの高速化を可能にする。 - 特許庁

Regarding the insulated converter transformer to be installed in a switching regulator circuit as a complex resonance type, a gap is formed in two magnetic leg junction surfaces of U-shaped cores.例文帳に追加

複合共振形としてのスイッチング電源回路に備えられる絶縁コンバータトランスについて、コ−コの字形コアの２つの磁脚接合面にギャップを形成する。 - 特許庁

The junction strength for the upper surface of the columnar type electrode 29 of this surface processing layer 35 can be enhanced, in comparison to that when the surface processing layer 35 is formed only with the non-electrolytic plating.例文帳に追加

この表面処理層３５の柱状電極２９の上面に対する接合強度は、単なる無電解メッキによって形成する場合と比較して、強くなる。 - 特許庁

In this junction-type plate heat exchanger, edges 23 of the second passage holes 11, 12 joined with each other at their peripheral edge parts, of a cassette plate 5 are joined over the whole periphery by welding.例文帳に追加

接合型プレート式熱交換器１において、カセットプレート５の、周縁部が接合された第２通路孔１１，１２の縁２３を、全周にわたり溶接で接合した。 - 特許庁

Therefore, the junction capacitance of the MOS transistor can be reduced, because a source region and a drain region having required concentrations and depths can be formed in the N-type MOS transistor region of the substrate 1.例文帳に追加

したがって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ領域には必要な濃度及び深さのソース及びドレイン領域を形成でき、接合容量の低減を図ることができる。 - 特許庁

A Schottky electrode 53 is formed in an exposure range on a top surface side including side surfaces 6 of the grooves 2 to form a Schottky junction J2 with the n-type semiconductor region 30.例文帳に追加

ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。 - 特許庁

To provide a brief type disposable diaper having favorable junction strength at both side edge parts in forming pants, and having favorable touch and feel to wear.例文帳に追加

パンツを形成する場合に良好な両側縁部の接合強度を有し、着用した場合に良好な風合いと着用感を有するパンツ型使いすておむつを提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting diode element 10 includes a nitride semiconductor layer 12 having a bottom face and an upper surface and including a pn-junction-type light-emitting element structure.例文帳に追加

窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、底面および上面を有し、ｐｎ接合型の発光素子構造を備えた、窒化物半導体層１２を含む。 - 特許庁

To provide a light-receiving element which has light-receiving sensitivity superior to that of a conventional Schottky diode type light-receiving element and also has sufficiently-strengthened junction of a Schottky electrode.例文帳に追加

従来のショットキーダイオード式の受光素子よりも受光感度が優れており、かつショットキー電極の接合が十分に強化された受光素子を提供する。 - 特許庁

A lamination type electrical junction box 1 is adopted, where upper- and lower-layer blocks 4, 5 having the electronic components 2, 3, respectively, are connected via a link arm 6 openably and closably.例文帳に追加

電気部品２，３をそれぞれ有する上層のブロック４と下層のブロック５とをリンクアーム６で開閉自在に連結した積層式電気接続箱１を採用する。 - 特許庁

To improve integration density of cells per unit area by enabling to reduce the region of p-n junction and isolation parts and the regions formed of p-type semiconductor of cells.例文帳に追加

ｐｎ接合分離部の領域や、セルのｐ型半導体で構成される領域を小さくできるようにし、単位面積当たりのセルの集積密度を向上させる。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comes into the working condition by the voltage variation of the gate area and outputs a signal according to the quantity of the signal electric charge from a source.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタは、ゲート領域の電圧変化で動作状態になると共に、信号電荷の量に応じた信号をソースから出力する。 - 特許庁

In other words, the strain gauge 24 is constituted of only a single electrically-conductive impurity that is the P-type impurity to provide the strain gauge 24 with a structure having no P-N junction.例文帳に追加

つまり、Ｐ型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ２４を構成し、歪ゲージ２４がＰＮ接合が無い構造とする。 - 特許庁

A current is supplied to the nanotube 1 between the second electrode 4 and the electrode 6 to heat the nanotube, so that adsorbed oxygens are desorpted from the nanotube to convert that heated region of the nanotube to an n type and to form a pn junction between the n type region and the not-conducted p type region 1 (Figure (c)).例文帳に追加

第２の電極４と通電加熱用電極６との間のｐ型カーボンナノチューブ１に通電して加熱し、吸着されていた酸素を脱着させ、この領域のカーボンナノチューブをｎ型化し、通電されずｐ型のままの領域１との間にｐｎ接合を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。 - 特許庁

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a bipolar junction transistor (BJT) comprising a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer.例文帳に追加

第１の導電型の炭化ケイ素（ＳｉＣ）コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第２の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。 - 特許庁

Between a punch-through stopper layer 7 and an n-type semiconductor region 2D forming a drain of a memory cell MC, an n- type semiconductor region 8 whose impurity concentration is substantially lower than the n-type semiconductor region 2D is provided, to relax the electric field at a junction of the punch-through stopper layer 7.例文帳に追加

メモリセルＭＣのドレインを形成するｎ型半導体領域２Ｄとパンチスルーストッパ層７との間に、ｎ型半導体領域２Ｄより実質的に不純物濃度の低いｎ^-型半導体領域８を設けることにより、パンチスルーストッパ層７の接合部の電界を緩和させる。 - 特許庁

That is, since the pn junction interface of a p-type semiconductor crystal layer 103 and the first non p-type layer 104 is raised higher than the other part under a gate electrode G, the thickness of the first non p-type layer 104 is thinner than the other part under the gate electrode G.例文帳に追加

即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。 - 特許庁

The outermost circumferential p+ type well region 21a in a plurality of p+ type well regions 21 has a region of deeper junction than those located closer to the cell region side than the outermost circumferential p+ type well region 21a.例文帳に追加

複数のｐ^+型ウェル領域２１のうち最外周に位置する最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａが、複数のｐ^+型ウェル領域２１のうち該最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａよりもセル領域側に位置するものよりも接合深さが深く形成されている領域を有しているようにする。 - 特許庁

Furthermore, an ohmic electrode 4 (an ohmic electrode 41 and an ohmic electrode 42) is provided at the n-type MgZnO layer 3 by ohmic junction in order to take out an electric signal generated by photo-detection in the n-type MgZnO layer 3.例文帳に追加

そして、このｎ型ＭｇＺｎＯ層３には、ｎ型ＭｇＺｎＯ層３における受光により発生する電気信号を取り出すためのオーミック電極４（オーミック電極４１およびオーミック電極４２）がオーミック接合されている。 - 特許庁

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。 - 特許庁

This causes an equipotential-line distribution to be nearly horizontal to a substrate plane at a junction between the p-type deep layer 10 and the p-type resurf layer 15, thus enabling an electric field to match a direction substantially vertical to the substrate plane, or the azimuth direction of a [0001] plane.例文帳に追加

これにより、ｐ型ディープ層１０とｐ型リサーフ層１５の接合部分において、等電位線分布は基板平面にほぼ水平となり、電界がほぼ基板垂直方向、つまり［０００１］面の方位に掛かるようにできる。 - 特許庁

To monitor an operation temperature at a junction between a p-type semiconductor and a n-type semiconductor in an LED to determine whether the LED is sufficiently radiating the heat so as to prevent an optical output reduction rate from increasing.例文帳に追加

光出力低下率の上昇を防ぐため、ＬＥＤから十分な放熱が行われている否かを決定するためにＬＥＤ内のｐ型半導体とｎ形半導体とのジャンクションにおいて、動作温度をモニタリングする。 - 特許庁

Thus, in a junction FET where a p-type polycrystalline Si with which the trench is filled is made a gate region, at least the side wall of the channel region makes contact with the p-type polycrystalline Si gate region without intervening an oxide film therebetween.例文帳に追加

こうして、前記トレンチ溝を充填するｐ型多結晶Ｓｉをゲート領域とする接合ＦＥＴにおいて、少なくとも前記チャネル領域の側壁部分がｐ型多結晶Ｓｉゲート領域と酸化膜を介さずに接する。 - 特許庁

This element has a structure, where a stacked matter S which contains a p-n junction structure and is constituted of a GaN crystal layer is formed on a crystal substrate 1 and a p-type side electrode Q1 and an n-type side electrode Q2 are formed on the stacked matter.例文帳に追加

結晶基板１上に、ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系結晶層からなる積層体Ｓを形成し、これにｐ型側電極Ｑ１、ｎ型側電極Ｑ２を形成した構造を有する受光素子。 - 特許庁

Consequently, portions where voltage dependency of the width of a depletion layer are high and low, respectively, can be provided at the pn junction of the constant voltage diode formed of the p^++-type semiconductor region 3 and the n-type semiconductor region 2.例文帳に追加

これにより、ｐ^＋＋型半導体領域３とｎ型半導体領域２とで形成される定電圧ダイオードのｐｎ接合部に空乏層幅の電圧依存性が大きい箇所と少ない箇所とを設けることができる。 - 特許庁

To provide a junction structure for vibration resistance, in which the stable joined states of each constructing member can be maintained by preventing the cracking, etc., of peripheral concrete with the elongation of a female type fitting section and an anchor member for the female type fitting section even when stress is applied by vibrations.例文帳に追加

振動で応力が加わっても、雌型嵌合部およびそのアンカー部材の伸びに伴う周囲コンクリートのひび割れ等を防いで、各構築部材の安定した接合状態を維持できる耐振用接合構造の提供。 - 特許庁

A light emitting semiconductor layer 3 having a light emitting junction 33 formed in a boundary between a first conductivity type clad 31 and a second conductivity type clad 32 arranged at lower and upper sites is formed on the layer 2.例文帳に追加

第１コンタクト層２上には、第１導電型クラッド３１と第２導電型クラッド３２が夫々下位と上位に配されてそれらの境界に発光接合部３３が形成された発光半導体層３が積層されている。 - 特許庁

The thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right above the tunnel junction layer 105 is thinner than the thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right below the first electrode 110.例文帳に追加

トンネル接合層１０５の直上領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さが、第１の電極１１０の直下領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さよりも薄い。 - 特許庁

Thereby, the junction surface area in the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b can be increased as compared with a flat structure like a conventional one, and carriers are made easy to pass therethrough by that amount.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとの接合界面での接合面積を従来のような平坦構造と比較して増大させることが可能となり、その分キャリアを通過させ易くなる。 - 特許庁

The p-electrode 6 is formed of such a material that cannot form ohmic junction between the p-type layer 4 and itself, so that a current does not flow from the p-electrode 6 to a part with which the p-electrode 6 of the p-type layer 4 is in direct contact.例文帳に追加

ｐ電極６は、ｐ型層４との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、ｐ型層４のｐ電極６が直接に接触している部分には、ｐ電極６から電流が流れない。 - 特許庁

To enhance the degree of freedom of an apparatus arrangement layout of a fuel cell vehicle by saving a space of a solid polymer electrolyte type fuel cell, and to avoid the occurrence of a liquid junction and an earth fault in the solid polymer electrolyte type fuel cell.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池の省スペース化を図って燃料電池車の機器配置レイアウトの自由度を高めるとともに、該固体高分子電解質型燃料電池において液絡や地絡が起こることを回避する。 - 特許庁

To enhance the efficiency of an amorphous thin film solar cell having at least one pin junction formed of a p-type semiconductor layer or an n-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase, a substantially intrinsic i-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film, or an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層またはｎ型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なｉ型半導体層、非晶質薄膜からなるｎ型半導体層またはｐ型半導体層で構成されるｐｉｎ接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents characteristics, such as impurity concentration of a channel layer and impurity concentration, from varying, when forming a semiconductor layer of a conductive type which is opposite to that of the channel layer as a junction FET, and has a junction field effect transistor that can be manufactured easily.例文帳に追加

チャネル層と反対導電型の半導体層を形成して接合型ＦＥＴとする場合に、チャネル層の不純物濃度などの特性変動を生じさせることなく、かつ、簡単に製造することができる構造の接合型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device having a configuration capable of improving performance by reducing variation of initial displacement of a vibration film that occurs at parts where a boundary condition of a junction area or the like is different, in a capacitance type electromechanical conversion device manufactured by fusion junction.例文帳に追加

溶融接合により作製される静電容量型電気機械変換装置において、接合面積などの境界条件が異なる箇所で生じる振動膜の初期変位のバラツキを低減して性能を高めることができる構成を有する装置を提供する。 - 特許庁

To enable to efficiently manufacture a junction body suitable as a membrane-electrode junction in a electrochemical device such as a direct methanol type fuel cell with excellent dimensional stability, heat resistance, and methanol non-permeability, and with an excellent jointing property between an electrode layer and an ion exchange membrane hardly generating exfoliation.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池等の電気化学的デバイスにおける隔膜−電極接合体として好適な、寸法安定性、耐熱性、メタノール非透過性に優れ、かつ電極層とイオン交換膜との接合性がよく、剥離等の生じ難い接合体を効率よく製造する。 - 特許庁

As shown in figure 1 (c), anode electrodes 4a and 4b are pressed and hit with the tips of a pair of probes PI and P2 so that a pulse current is applied between the anode electrodes 4a and 4b, forming an ohmic junction at the junction interface between a P-type semiconductor layer 3 and the anode electrodes 4a and 4b.例文帳に追加

図１(c)に示すように、アノード電極４ａ，４ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、アノード電極４ａ，４ｂ間にパルス電流が印加されることにより、Ｐ型半導体層３およびアノード電極４ａ，４ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁