「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an inexpensive reference junction compensator for a thermocouple, allowing precise measurements based on an accurate temperature of a reference junction, applicable for a thermos bottle used in a general ice-point type reference junction compensator, and capable of making the temperature of the reference junction in the thermocouple set to the temperature of a constant-temperature medium, such as ice water, or into a measuring value.例文帳に追加

基準接点の正確な温度に基づいて高精度な測定をすることができ、しかも安価で、かつ一般的な氷点式の基準接点補償器に用いられる魔法瓶に適用可能で、熱電対の基準接点の温度を氷水などの恒温媒体の温度とすることも、あるいは測定値とすることもできる熱電対の基準接点補償器を提供する。 - 特許庁

The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface.例文帳に追加

前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。 - 特許庁

To provide a GaN-based LED chip excellent in light extracting efficiency which can be configured by subsequently laminating an n-type layer and a p-type layer on a substrate to form a laminate structure including a light emitting portion of pn-junction type.例文帳に追加

基板上にｎ型層とｐ型層を順次積層してｐｎ接合型の発光部を含む積層構造体を形成することにより構成される、光取出し効率に優れたＧａＮ系ＬＥＤチップを提供すること。 - 特許庁

The light-emitting device is provided in which, for example, an n-type region and a p-type region formed by an ion implantation method constitute a pn junction on an insulating layer buried type semiconductor silicon carbide substrate.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板上に、例えば、イオン注入法で形成されたｎ型領域とｐ型領域が、該炭化珪素基板上でｐｎ接合を構成していることを特徴とする発光デバイス。 - 特許庁

A current passing through the P-type region 7b in the periphery of the channel is controlled by a PN junction formed by the first and second N-type regions and the P-type source region 14 so as to stabilize the characteristics of the PMOSTFT.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

Further, the P^---type impurity layer 12 is so formed as to be joined with an N^--type impurity layer 2 and has a concentration profile such that the density of P-type impurities (the amount of included impurities) becomes larger with the distance from the junction part.例文帳に追加

また、Ｐ^−−型不純物層１２は、Ｎ^−型不純物層２と接合するように、かつ接合部から離れるほどＰ型不純物の濃度（含まれる不純物の量）が大きくなる濃度プロファイルとなるように、形成する。 - 特許庁

Further, each of the n-type semiconductor region 21 and the p-type semiconductor region 22 is jointed with the i-type semiconductor region 23, and the junction surface extends in the direction intersecting with the optical receiving side 11 and rear side 12.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２１及びｐ型半導体領域２２のそれぞれとｉ型半導体領域２３とが互いに接合しており、該接合面が受光面１１及び裏面１２と交差する方向に延びている。 - 特許庁

The current flowing through the P-type region 7b around the channel region is suppressed by a PN junction formed in the first and second N-type regions and the source region 14, which is P-type to make the characteristics of the PMOSTFT stable.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

The pn junction diode 22a for temperature detection is formed with an n-type diffusion layer 21 formed in the p-type diffusion layer 20 as a cathode region, and a P^+ diffusion layer 19b formed in the n-type diffusion layer 21 as an anode region.例文帳に追加

温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａは、Ｐ型拡散層２０内に形成されるＮ型拡散層２１をカソード領域とし、Ｎ型拡散層２１内に形成されるＰ＋拡散層１９ｂをアノード領域とする。 - 特許庁

The operation bias of the junction type FET is performed by a bias circuit 9 connected to the gate and the constant current source 11 connected to the source.例文帳に追加

さらに、接合型ＦＥＴの動作バイアスをゲートに接続したバイアス回路９とソースに接続した定電流源１１によって行う。 - 特許庁

The junction type heat sink 1 is configured by joining together these two heat sinks 2, 3 acting as a pair of mirror bodies which are in mirror symmetrical relation.例文帳に追加

また、鏡面対称関係にある一対の鏡面体となる２つのヒートシンク２、３を接合してなる接合型ヒートシンク１である。 - 特許庁

Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33, set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 46.例文帳に追加

そのことで、Ｐ−型の拡散領域４６下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁

Consequently, the n-channel type horizontal MOSFET 100 having the large breakdown voltage at the drain-source junction and reduced in drain-source coupling capacitance can be materialized.例文帳に追加

したがって、ドレイン−ソース間耐圧が大きく、ドレイン−ソース間容量が低減されたNチャネル型横型ＭＯＳＦＥＴ１００を実現できる。 - 特許庁

To provide a lead frame which is used for a non-lead-type semiconductor device and can securely realize junction when a substrate is mounted.例文帳に追加

ノンリードタイプの半導体装置に用いられるリードフレームであって、基板搭載時に接合を確実に行えるようにしたものを提供する。 - 特許庁

Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33 set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 44.例文帳に追加

そのことで、Ｐ−型の拡散領域４４下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁

If the n-type impurity is subsequently doped, the stress-caused enhanced diffusion does not take place, and a projection is not formed at a junction interface.例文帳に追加

その後にＮ型不純物を添加すれば応力起因の増速拡散は発生することはなく、接合界面の突起は発生しない。 - 特許庁

To provide a junction length of crossover type double opened rubber ring socket with an existing drain pipe so as to match a specification value for a sewerage vinyl chloride pipe.例文帳に追加

ヤリトリ型両口ゴム輪受口における、既設の排水管との接合長さを、下水道用塩化ビニル管の規格値に合せるようにする。 - 特許庁

To provide a splice junction part capable of preventing a remarkable loss between an optical fiber having microstructure and a conventional type optical fiber.例文帳に追加

ミクロ構造を有する光ファイバと従来型の光ファイバとの間に著しい損失を伴うことのないスプライス接合部を提供する。 - 特許庁

ONE-PACK MOISTURE-CURING TYPE URETHANE-BASED SEALING MATERIAL COMPOSITION, METHOD FOR FILLING VEHICLE JUNCTION PORTION BY USING THE SAME, AND COATED JOINT STRUCTURE OF VEHICLE例文帳に追加

１液湿気硬化型ウレタン系シーリング材組成物並びにそれを用いた車輌接合部位の目止め方法及び車輌の塗装目地構造 - 特許庁

A square type lithium secondary battery 20 is provided with a positive electrode external terminal 5 having a junction part 5a of a positive electrode current collector protruding toward the lower part side.例文帳に追加

角型リチウム二次電池２０は、下部側に突出した正極集電体接合部５ａを有する正極外部端子５を備えている。 - 特許庁

The gate of the power switching element 11 of a voltage driven type is connected to a junction point between sources of a n-channel FET13 and a p-channel FET14.例文帳に追加

電圧駆動型パワースイッチング素子１１のゲートは、ｎチャネルＦＥＴ１３とｐチャネルＦＥＴ１４のソースの接続点に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improving junction strength of a solder ball, in a BGA-type semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ＢＧＡ型半導体装置において、半田ボールの接合強度を向上させた半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate electrode of the Schottky junction gate type field-effect transistor and an ohmic electrode in the source-drain region are formed simultaneously using the same metal.例文帳に追加

ショットキー接合ゲート型の電界効果トランジスタのゲート電極とソース・ドレイン領域のオーミック電極とが同一金属で同時に形成される。 - 特許庁

PROTON CONDUCTIVE POLYMER ELECTROLYTE, PROTON CONDUCTIVE POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE, MEMBRANE-ELECTRODE JUNCTION, AND SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL例文帳に追加

プロトン伝導性高分子電解質、プロトン伝導性高分子電解質膜及び膜−電極接合体、並びに固体高分子形燃料電池 - 特許庁

To provide a compound semiconductor element having high breakdown voltage characteristics and a manufacturing method of the same, and a pn junction-type diode element which uses the same.例文帳に追加

高い耐電圧特性を有する化合物半導体素子とその製造方法、それを用いたｐｎ接合型ダイオード素子を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for manufacturing a back junction type solar cell having high pn electrode resolution, thin substrate correspondence, and low temperature manufacturing processes.例文帳に追加

高いｐｎ電極解像度、薄い基板対応、低い製造プロセスの裏面接合型太陽電池の低コストな製造方法が求められている。 - 特許庁

Before the n--type drain layer 2A under a gate electrode 8 is thermally broken down, the surge current is released to a silicon substrate 1 through this p-n junction.例文帳に追加

ゲート電極８の下のＮ−型ドレイン層２Ａが熱破壊する前に、サージ電流は、このＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

(1) The thin-film magnetic sensor includes a diode substrate including a Zener diode type p-n junction, and a TMR element formed on its surface.例文帳に追加

（１）薄膜磁気センサは、ツェナーダイオード型のｐｎ接合を備えたダイオード基板と、その表面に形成されたＴＭＲ素子とを備えている。 - 特許庁

The projected guard ring area 17 forms a p-n junction 23 on the second area 13c of the barium nitride semiconductor layer 13 of a first conductivity type.例文帳に追加

凸状のガードリング領域１７は第１導電型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃにｐｎ接合２３を成す。 - 特許庁

This mesa-type semiconductor device has a thermal oxide film 16, that protects a pn junction surface, an n-type silicon layer 13, a p-type Si film 12 that is laminated and formed on the n-type silicon layer, and a p-type SiGe film 11 that is laminated and formed on the p-type Si film.例文帳に追加

ｐｎ接合面を保護するための熱酸化膜16を有するメサ型の半導体素子であって、ｎ型シリコン層13と、このｎ型シリコン層上に積層形成されたｐ型Ｓｉ膜12と、このｐ型Ｓｉ膜の上に積層形成されたｐ型ＳｉＧｅ膜11とを具備し、ｐ型ＳｉＧｅ膜11はｐ型Ｓｉ膜12によってｎ型シリコン層13から隔てられている。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

To stably maintain operating threshold, secure a large junction breakdown voltage, restrict a junction capacity, and restrict hot carriers in a semiconductor having a suitable structure in making fine a MIS type transistor.例文帳に追加

本発明はＭＩＳ型トランジスタの微細化に好適な構造を有する半導体装置に関し、動作しきい値を安定に維持し、大きな接合耐圧を確保し、接合容量を抑制し、かつ、ホットキャリアを抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array type semiconductor laser device that improves a process for joining metal in a laser array and a base efficiently, and can solve a short-circuiting problem by a metal junction substance fused in the junction.例文帳に追加

レーザーアレイとベースの金属接合工程を効率的に改善し、さらには接合の際の溶融された金属接合物質によるショート問題を解決することができるアレイ型半導体レーザー装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A plurality of connecting holes 24 which connect the n+-type semiconductor areas 20 of Zener diodes D1 and D2 to wiring 21 and 22 is not arranged in the central part of an n+-type semiconductor area 20, namely, an area forming a junction with a p+-type semiconductor area 6, but in the peripheral section of the area 20 having a deeper junction depth than the central part has.例文帳に追加

ツェナー・ダイオード（Ｄ_1、Ｄ_2）のｎ^+型半導体領域２０と配線２１、２２とを接続する複数の接続孔２４は、ｎ^+型半導体領域２０の中央部、すなわちｐ^+型半導体領域６と接合を形成している領域には配置されず、接合深さが中央部に比べて深い周辺部に配置される。 - 特許庁

When a voltage is applied between the P-type impurity regions 15b and 15b via metal wiring 9 and 9, two P-N junctions formed on the junction surface between the N-type impurity region 15a and the P-type impurity regions 15b and 15b are formed opposed in the backward and forward directions, and a resistor is composed by either P-N junction.例文帳に追加

メタル配線９，９を介してＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂ間に電圧を印加すると、Ｎ型不純物領域１５ａとＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂの接合面に形成される２つのＰＮ接合が逆方向と順方向で対向して形成され、いずれかのＰＮ接合によって抵抗が構成される。 - 特許庁

A support base plate 10 has a first conductivity type region 10a and a second conductivity type region 10b, and a PNP junction or an NPN junction composed of the first and second conductivity type regions 10a, 10b are provided in the propagation path of noise which is applied to a first element formation area 20 and propagated.例文帳に追加

支持基板１０を、第１導電型領域１０ａと第２導電型領域１０ｂとを有し、第１素子形成領域２０にノイズが印加されてノイズが伝播されたときの当該ノイズの伝播経路中に、第１、第２導電型領域１０ａ、１０ｂで構成されるＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合を有するものとする。 - 特許庁

The radiation source, which comprises pn junction arranged on a substrate, used for lithography can discharge UV or DUV radiation in such a way that avalanche breakdown is generated by reversely biasing the pn junction, and electrons accelerated in n-type region of the pn junction is decelerated.例文帳に追加

基板上に配置されたｐｎ接合を備えた放射源であって、前記ｐｎ接合を逆バイアスしてなだれ降伏を生じさせ、前記ｐｎ接合のｎ型領域中に加速された電子の減速によってＵＶ放射若しくはＤＵＶ放射を放出させることができる、リソグラフィに使用するための放射源である。 - 特許庁

PN junction reverse leak current of a photodiode and pn junction reverse leak current of an MOS transistor are offset by deciding the conductivity type of the MOS transistor connected to the photodiode with a pn junction, and noise component is reduced as added to a signal charge due to photoelectric conversion.例文帳に追加

ＰＮ接合を有するフォトダイオードに接続されるＭＯＳトランジスタの導電型を決定することで、フォトダイオードのＰＮ接合逆方向リーク電流と、ＭＯＳトランジスタのＰＮ接合逆方向リーク電流を相殺し、光電変換による信号電荷に加算されるノイズ成分を低減する構成とする。 - 特許庁

A p-type gate region 3 is provided on the surface of an n-type semiconductor layer 2, n-type drain region 4 and source region 5 are respectively provided on the surface of the n-type semiconductor layer holding the gate region 3 there between, and thus the junction field effect transistor is formed.例文帳に追加

ｎ形半導体層２の表面にｐ形のゲート領域３が設けられ、そのゲート領域３を挟んでｎ形半導体層２の表面にｎ形のドレイン領域４およびソース領域５がそれぞれ設けられることにより接合型電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁

A plurality of field effect transistors 223 are formed on a P type shallow well region 212, and a shallow element isolation region 214 on the P type shallow well region 223 has the depth which is more shallow than that of the junction between an N type deep well region 227 and the P type shallow well region 212.例文帳に追加

複数の電界効果トランジスタ２２３がＰ型の浅いウェル領域２１２上に形成され、かつ、Ｐ型の浅いウェル領域２２３上の浅い素子分離領域２１４が、Ｎ型の深いウェル領域２２７とＰ型の浅いウェル領域２１２との接合の深さよりも浅い深さを有する。 - 特許庁

To solve the following problem; it is difficult to manufacture a semiconductor light emitting element which emits light between a conduction band and a valence band when a p-type or n-type semiconductor is difficult to manufacture in a conventional semiconductor light emitting element which is constituted of junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

従来の半導体発光素子は、主に、ｐ型半導体とｎ型半導体の接合から構成されるが、ｐ型又はｎ型の半導体が作製困難な場合には伝導帯と価電子帯の間で発光する半導体発光素子を作製することが難しい。 - 特許庁

A thermoelectric element is constituted of P-type elements 3 composed of a P-type thermoelectric material, N-type elements 4 composed of an N-type thermoelectric material, two substrates 2 having metallic electrodes 5 which can form P-N junction pairs by joining the elements 3 and 4 to each pair by pair, and so on.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント４と、これら異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する２枚の基板２等、から構成されている。 - 特許庁

The barrier conductor 8 on the bottom of a plug 11b is in contact with the n^--type semiconductor region 2 and the p^+-type semiconductor region 5 for connection with the p^+-type semiconductor region 5 in ohmic manner, and then Schottky junction is formed between the barrier conductor film and the n^--type semiconductor region 2.例文帳に追加

プラグ部１１ｂの底部のバリア導体膜８は、ｎ^−型半導体領域２とｐ^＋型半導体領域５の両者に接し、ｐ^＋型半導体領域５とオーミック接続するが、ｎ^−型半導体領域２との間にショットキ接合が形成されている。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 30 added a prescribed impurity is provided in a prescribed region of the surface 20a side opposite to the Si substrate 10 of the N^--type Si substrate 20, and a photodiode 1 having a PN junction by the N^--type Si substrate 20 and the P-type semiconductor layer 30 is constituted.例文帳に追加

また、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０のＳｉ基板１０とは反対側の面２０ａ側の所定領域に、所定の不純物が添加されたＰ型半導体層３０を設けて、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０とＰ型半導体層３０とによるＰＮ接合を有するフォトダイオード１を構成する。 - 特許庁