「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The depletion layer extended from the junction part 23 is also spread in a p- type silicon single crystalline region 17.例文帳に追加

また、ｐ^-型シリコン単結晶領域１７中には、接合部２３から延びてきた空乏層が広がる。 - 特許庁

To prevent infiltration to the backing material side of rainwater from the joining section of an insertion-junction type enveloping plate.例文帳に追加

差し込み接合型の外囲板の接合部から雨水が下地材側に侵入するのを防止する。 - 特許庁

By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow.例文帳に追加

この酸化により、Ｐウェル５とＮ型領域６で形成されるｐｎ接合深さが浅くなる。 - 特許庁

CASSETTE TYPE WIRE CONNECTION PART HOUSING COVER, AND ELECTRIC JUNCTION BOX EQUIPPED WITH SAME例文帳に追加

カセット式の電線接続部収容カバー、および該電線接続部収容カバーを備えた電気接続箱 - 特許庁

To realize a high breakdown voltage in a Schottky junction type field effect transistor.例文帳に追加

ショットキー接合型電界効果型トランジスタにおいて、高耐圧特性を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide in a simplified way a pn junction type compound semiconductor light emitting device presenting multi-wavelength luminescence.例文帳に追加

多波長の発光を呈するｐｎ接合型化合物半導体発光素子を簡易に提供する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC TUNNEL EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子及びその製造方法、並びに磁気トンネル効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

A magnetic tunneling junction type magnetic random access memory cell is comprised of bit lines 20 so as to constitute a composite structure comprising a soft adjacent magnetic layer 24.例文帳に追加

隣接軟磁性層２４を含む複合構造を有するようにビット線２０を構成する。 - 特許庁

To provide a Schottky junction type charge coupled device which has an inter-gate gap, and its manufacture.例文帳に追加

ゲート間ギャップの小さいショットキー接合型の電荷結合素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加

ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁

A pn junction type solar cell is configured in a prescribed region on a substrate 102 made of glass.例文帳に追加

ガラスからなる基板１０２上の所定領域にｐｎ接合型の太陽電池が構成される。 - 特許庁

To provide a high-sensitive magnetoresistance tunnel junction element which uses a laminar perovskite type manganese oxide.例文帳に追加

層状ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いた高感度の磁気抵抗トンネル接合素子の提供する。 - 特許庁

The present invention discloses also the method of preparing the this type of rivet junction, and the space formation rivet 2 therefor.例文帳に追加

また、このタイプのリベット接合を作成する方法及び間隔形成リベット２も記載されている。 - 特許庁

The surface of the source electrode 70 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 form shot key junction.例文帳に追加

ソース電極７０とＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面とは、ショットキー接合を形成する。 - 特許庁

The direct methanol type fuel cell uses this membrane electrode junction element.例文帳に追加

また、直接メタノール形燃料電池において、この膜／電極接合体を用いることを特徴とする。 - 特許庁

Also, the semiconductor junction element or the photoelectric conversion device is created by using this n-type semiconductor.例文帳に追加

また、このｎ型半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作成する。 - 特許庁

There is formed an extended electrode 43, which is continuous to a gate electrode of the junction-type field effect transistor.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタのゲート電極に連続して、拡張電極４３を形成する。 - 特許庁

The vertical junction FET 1a comprises an n^+-type drain semiconductor 2, an n-type drift semiconductor 3, a p^+-type gate semiconductor 4, an n-type channel semiconductor 5, an n^+-type source semiconductor 7 and a p^+-type gate semiconductor 8.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７と、ｐ^＋型ゲート半導体部８とを備える。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

A p^+-type semiconductor region 7 is provided in the n^--type semiconductor region 3, and a pn junction is formed between the n^--type semiconductor region 3 and p^+-type semiconductor region 7.例文帳に追加

ｎ^−型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ^−型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The tunnel junction includes a first electrically conductive type layer and a second electrically conductive type layer, both of which are thinner than a first conductive type layer and a second conductive type layer that surround the first active region.例文帳に追加

該トンネル接合は、第１の導電型の層及び第２の導電型の層を含み、両方とも第１の活性領域を取り囲む第１の導電型の層及び第２の導電型の層よりも薄い。 - 特許庁

The MOSFET has a super-junction structure wherein a first n-type pillar layer 13, a p-type pillar layer 14, and an n-type pillar layer 15 are periodically and alternately placed on an n^+-type drain layer 12.例文帳に追加

このＭＯＳＦＥＴは、ｎ＋型ドレイン層１２上に、第１ｎ型ピラー層１３と、ｐ型ピラー層１４と、ｎ型ピラー層１５とを周期的に交互に配置してなるスーパージャンクション構造を有している。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

The P-type semiconductor region and the N-type semiconductor regions of the PN junction (106) of the gate electrode are electrically insulated from each other.例文帳に追加

この際、ゲート電極のＰＮ接合部（１０６）のＰ型半導体領域とＮ型半導体領域とが電気的に絶縁されている。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor hetero-junction film wherein a p-type and an n-type organic semiconductor materials are uniformly mixed and having a high energy conversion efficiency.例文帳に追加

ｐ型およびｎ型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。 - 特許庁

The first circuit includes a first type first MOS transistor, a second type first MOS transistor, and a first bipolar junction transistor.例文帳に追加

第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。 - 特許庁

In a device active region 2, the super-junction structure is formed of an n-type drift layer 7 and a p-type pillar-shaped resurf 14.例文帳に追加

素子活性領域２において、ｎ型ドリフト層７とｐ型柱状リサーフ部１４とによってスーパージャンクション構造が形成されている。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

The tunnel junction region 19 includes a second conductivity type semiconductor layer 23 and a first conductivity type semiconductor layer 25, both of which form a tunnel junction TJ.例文帳に追加

トンネル接合領域１９は、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５を含み、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５はトンネル接合ＴＪを成す。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加

Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁

To improve mechanical strength of an anode electrode 6 against separation while maintaining current-voltage characteristics, in a dissimilar material junction-type diode.例文帳に追加

電流電圧特性を維持しつつ、アノード電極６の剥離に対する機械的強度を向上させる。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction type magnetic head which makes it possible to obtain a high MR(magneto-resistive) change rate with good reproducibility.例文帳に追加

高いＭＲ変化率を、再現性よく得ることができる強磁性トンネル接合型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a multi-junction type photovoltaic device using a nanostructure and a solar panel using it.例文帳に追加

ナノ構造体を用いた多重接合型光起電力デバイスおよびそれを用いたソーラーパネルを提供する。 - 特許庁

To provide a multi-junction-type solar cell with high power conversion efficiency with relatively low manufacturing costs.例文帳に追加

比較的安価な製造コストで、高い電力変換効率を有する多接合型太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a pn-junction type field effect transistor having source/ drain electrodes with small electric resistance.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極の電気抵抗が低い構成を備えてｐｎ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A terminal end layer 21 larger in junction depth than the p-type base layer 14 is formed in the terminal end region.例文帳に追加

終端領域には、このｐ型ベース層１４より接合深さが大きい終端層２１が形成される。 - 特許庁

To provide an electromagnetic induction type connector which realizes sure junction and breakage prevention by absorbing displacement.例文帳に追加

位置ズレを吸収して確実な接合と破損防止とを図るようにした電磁誘導型コネクタを提供する。 - 特許庁

This pressure-resistant analog switch circuit is provided with a high pressure-resistant junction type FET 71, resistances 72 and 73, a diode 74, and an NPN transistor 75.例文帳に追加

高耐圧接合型ＦＥＴ７１と、抵抗７２，７３と、ダイオード７４と、ＮＰＮトランジスタ７５とを備える。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY STRUCTURE AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド - 特許庁

To provide a junction-type voltage-dependent resistor which is small in size, possesses desired characteristics, and is very reliable.例文帳に追加

小型で、所望の特性を備えた信頼性の高い接合型の電圧依存性抵抗器を提供する。 - 特許庁