「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor integrated circuit is a reference voltage generating circuit including diodes D1 and D2 wherein the diodes D1 and D2 include a junction of a first conductivity type first semiconductor layer 32 and a second conductivity type second semiconductor layer 34, and at least one of the first semiconductor layer 32 and the second semiconductor layer 34 has a band gap smaller than that of silicon.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路は、ダイオードＤ１、Ｄ２を含む基準電圧発生回路であって、 前記ダイオードＤ１、Ｄ２は、第１の導電型の第１半導体層３２と第２の導電型の第２半導体層３４との接合を含んでなり、 前記第１半導体層３２および前記第２半導体層３４の少なくとも一方は、そのバンドギャップがシリコンと比して小さい。 - 特許庁

Since a channel is formed in the n-type channel layer located beneath the p-type channel layer touching a gate oxide film 7 and a current can be fed thereto when a PN junction is formed in the surface channel layer 5, a channel can be formed regardless of the roughness or residual defect of the interface (MOS interface) between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５にＰＮ接合を形成することにより、ゲート酸化膜７と接するｐ型チャネル層の下部に位置するｎ型チャネル層にチャネルを形成して電流を流すことができるため、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面（ＭＯＳ界面）のラフネス又は残留欠陥とは関係なく、チャネルを形成することができる。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

The ring resonator type phase shifter is equipped with a ring shaped optical waveguide 3 mounted so as to mode couple with the corresponding branching optical waveguide 7A, and is constructed in such a way that an amplitude branching ratio K between the corresponding branching optical waveguide 7A and a ring type optical waveguide 3 can be varied for example via refractive index variation and so on accompanying voltage application in a p-n junction.例文帳に追加

リング共振型位相シフタは、対応する分岐光導波路７Ａにモード結合するように配置されたリング型光導波路３を備え、対応する分岐光導波路７Ａとリング型光導波路３との間の振幅分岐比Ｋを、例えばｐｎ接合における電圧印加に伴う屈折率変化などを通じて、変化させることができるように構成される。 - 特許庁

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁

In the photoelectric converting device 1, there are laminated on a conductive substrate to be an one-side electrode 31, a porous semiconductor layer 24 comprising a sintered body formed out of one-conductivity type granular semiconductors 10 via grain-boundary junction layers 32 each of which has a higher impurity concentration than the granular semiconductor 10, and an opposite-conductivity type semiconductor layer 11 wherewith an other-side electrode 16 is connected.例文帳に追加

光電変換装置１は、一方の電極３１となる導電性基板上に、一導電型の粒状半導体１０が粒状半導体１０よりも不純物濃度が高い粒界接合層３２を介した焼結体からなる多孔質半導体層２４及び逆導電型の半導体層１１が積層されており、半導体層１１に他方の電極１６が接続されている。 - 特許庁

The semiconductor film, which is formed through the manufacturing method of the semiconductor film, is utilized, thus forming the p-type thin-film transistor having excellent characteristics on metal foil, such as glass, Si, and SUS, and a plastic substrate, and embodying a photoelectric element, such as an LED utilizing a pn junction.例文帳に追加

半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 - 特許庁

The storage battery BAt1 is in charged state, an n-type MOS transistor TN11 is turned on, and the voltage appearing at the junction between the resistor R11 and the resistor R12 is compared with a specified voltage (voltage showing the abnormal voltage) with a comparator CM11, whereby the abnormal voltage of the input terminal is detected.例文帳に追加

蓄電池ＢＡｔ１が充電状態にある場合、ｎ型ＭＯＳトランジスタＴＮ１１がオン状態に制御され、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との接続点に現れる電圧がコンパレータＣＭ１１で所定電圧（異常電圧を表す電圧）と比較されることにより、入力端子の異常電圧が検知される。 - 特許庁

To provide a forming method of a flip-chip type light-emitting diode where in the junction between an electrode of an LED chip and a lead electrode of a package is stabilized while thickness as a light-emitting diode is reduced for significantly improved mass-production efficiency as well as lower production cost.例文帳に追加

ＬＥＤチップの電極とパッケージのリード電極部分との接合部分をより安定させると共に発光ダイオードとしてのさらなる薄型化を実現し、また量産効率を大幅に向上させ、生産コストダウンも実現することが出来るフリップチップ型発光ダイオードの形成方法を提供することである。 - 特許庁

Thus, the thickness of the gate insulating film 8 in the memory cell part is set to be larger than the thickness of the gate insulating film 9 in the peripheral circuit part, so that concentration of a p-type impurity region 4a in the memory cell part is lowered to reduce the junction leakage current.例文帳に追加

このようにメモリセル部内におけるゲート絶縁膜８の厚みを周辺回路部内におけるゲート絶縁膜９の厚みよりも大きく設定することにより、メモリセル部内におけるｐ型不純物領域４ａの濃度を低くすることが可能となり、接合リーク電流を低減することが可能となる。 - 特許庁

The transport paths from sheet feed trays 8-11 and a hand feed part 33 are all converged upstream of the junction roller couple 16n, and it is possible to sense a jam etc. with a sheet fed by any of the sheet feed trays only by the use of one reflection type sensor which is expensive, and also cost-down can be accomplished.例文帳に追加

また各給紙トレイ８〜１１、手差し給紙部３３からの搬送経路を中継ローラ対１６ｎの上流ですべて合流させ、高価な反射型センサを１個用いるだけですべて給紙トレイから給紙される用紙のジャム等の検出を可能として、さらに低コスト化を図れるようにする。 - 特許庁

To provide light-weight and miniaturizable plate fin type heat exchanger which adopts titanium material as a measure against stress corrosion crack, having sufficient junction strength, high stress corrosion crack resistance, no problem for peeling, fluid leakage and so on, and easy for manufacturing.例文帳に追加

軽量、小型化が可能なプレートフィン型熱交換器において、応力腐食割れが問題となる用途で材料にチタンを採用する場合、十分な接合強度が得られ、耐応力腐食割れに優れ、剥離、流体の漏洩などの問題がなく、又、製造が容易にできる構成のプレートフィン型熱交換器とその製造方法の提供。 - 特許庁

The number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor laser structure 200 is decreased by the p-n tunnel junction 220 to reduce dispersion loss, threshold current density thereby decreases to lower total series resistance, and higher growth temperature is obtained to improve structural quality of a laser.例文帳に追加

このｐ−ｎトンネル接合２２０により、窒化物系半導体レーザ構造２００におけるｐ型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。 - 特許庁

The semiconductor driver circuit which is optimum for the normally-off junction type FET is proposed by the application of an accurate gate-voltage generation scheme by a Zener diode, the reduction in turn-on loss by a speed-up capacitor, the connection of a capacitor between a gate and a source, and the application of a malfunction-preventing circuit by a source-terminal optimum mounting scheme.例文帳に追加

ツェナーダイオードによる高精度なゲート電圧生成方式やスピードアップコンデンサによるターンオン損失の低減，ゲート・ソース間のコンデンサの接続やソース端子の最適実装方式による誤動作の防止回路を適用することで、ノーマリオフの接合型ＦＥＴに最良な半導体駆動回路を提案する。 - 特許庁

To provide a metal coating Si substrate which prevents Au of an Au layer formed on an Si substrate from being diffused into the Si substrate even when a high-temperature heat treatment is carried out in an element manufacturing process, and to provide a junction type light-emitting element using the metal coating Si substrate and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By bending the surface of the lead frame 18 mounting a laser diode chip 19, the main part of a frame type laser diode is built with the PN junction surface 19A of the laser diode chip 19 and is tilted to the main surface which is parallel with the surface configuring the base 17 of the optical pickup system.例文帳に追加

レーザーダイオードチップ１９が搭載されるリードフレーム１８の平面部を折曲させることによってレーザーダイオードチップ１９のＰＮ接合面１９Ａをフレーム型レーザーダイオードの本体を構成するとともに光ピックアップ装置の基台１７を構成する平面に対して平行に配置される主平面に対して傾斜させる。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode junction having an electrolyte membrane excellent in proton conductivity and mechanical strength, well adhering to a catalyst electrode layer, in which, oxygen at an air electrode side and fuel at a fuel electrode side move easily, and also to provide a manufacturing method of the same, and a direct type fuel cell using the same.例文帳に追加

プロトン伝導性に優れ機械強度を併せ持ち、触媒電極層との密着性がよく、かつ空気極側での酸素移動および燃料極側での燃料移動を容易にした電解質膜を有する膜電極接合体およびその製造方法ならびにそれを用いたダイレクト型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To solve a conventional problem that the reduced thickness of a second insulation film on an inner wall of a mesa groove abutting against a PNJC at a PN junction may cause a deteriorated withstand voltage and a leakage current by using an inexpensive material, to provide a mesa type semiconductor device with a high withstand voltage and high reliability, and to establish a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。 - 特許庁

A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.例文帳に追加

ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁

The cap member 14 is attached to the junction 24 of the tube body 11, and then the crest part 35 and the trough part 36 are engaged to the trough part 29 and the crest part 28 of the tube body 11 in the upper and lower direction of attachment, and so the cap member 14 does not turn together with the female type medical appliance.例文帳に追加

キャップ部材１４を混注管本体１１の分岐部２４に装着すると、その装着方向たる上下方向において、キャップ部材１４の山部３５と谷部３６が、混注管本体１１の谷部２９と山部２８に嵌まるので、キャップ部材１４が雄型の医療器具と一緒になって共廻りすることがない。 - 特許庁

To provide a program, a method, and a system for autonomous action control, which can perform a very precise control in a short time by detecting information concerning a T type junction point even though an input signal is a low resolution image from a photoelectric element with a small number of pixels and also by single eye.例文帳に追加

少ない画素数の受光素子からの低解像度の入力信号であって、しかも単眼による入力信号であっても、Ｔ型接合点に関する情報を検知して短時間にしかも精度の高い制御を行うことができる自律行動制御装置とその方法及びそのプログラムを提供することである。 - 特許庁

When it is assumed that the charge amounts are made to coincide with each other, design of each part can be easily carried out, and a JBS (junction barrier Schottky diode) capable of balancing provision of a high breakdown voltage with reduction of resistance of the p-type layers 8a-8e for forming a PN diode can be easily designed.例文帳に追加

このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためのｐ型層８ａ〜８ｅを低抵抗にすることの両立を図ることができるＪＢＳを容易に設計することが可能となる。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a stable and shallow high concentration junction capable of preventing a high concentration area forming a drain/source area from being put through a contract hole due to the variations in manufacturing, which used to be impossible in an MOS type transistor having a conventional LDD structure.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であった、ドレイン・ソース領域を形成する高濃度領域が製造バラツキなどによりコンタクトホールを突き抜けることのなく、安定して浅い高濃度接合を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a planar type semiconductor device in which a horizontal direction of a depletion layer near a guard ring region is easily broadened, an electric field near a corner of a main junction region is sufficiently alleviated, and a concentration of an avalanche current to the corner is prevented to improve a withstand voltage.例文帳に追加

ガードリング領域近傍における空乏層の水平方向の広がりやすくして、主接合領域の隅部近傍の電界を十分に緩和させ、アバランシェ電流の当該隅部への集中を防止することにより、耐圧を向上させたプレーナ型半導体装置を提供することを目的すること。 - 特許庁

To provide a one-pack moisture-curing type urethane-based sealing material composition which suppresses occurrence of popping in a coating film, has excellent adhesion between the coating film and a sealing material surface, and is applicable to vehicle use, to provide a method for filling a vehicle junction portion by using the sealing material composition, and to provide a coated joint structure of a vehicle.例文帳に追加

塗膜のワキ発生を抑制するとともに塗膜とシーリング材表面との密着性に優れた、車輌用途に適用される１液湿気硬化型ウレタン系シーリング材組成物、該シーリング材組成物を用いた車輌接合部位の目止め方法及び車輌の塗装目地構造を提供する。 - 特許庁

It is designed that the write time is about 10 μs and the leakage current of the junction in writing is approximate 100 ns, therefore, the energy necessary for writing is reduced up to 5 pJ, that is, reduced to 1/100 or less, compared with a writing energy used in implantation of channel hot electron of the customary stacked gate type memory.例文帳に追加

書込み時間はおおよそ１０μｓ、書込み動作時の前記接合の漏洩電流は１００ｎＡ程度に設計できるため、書込みに要するエネルギーは５ｐＪまで低減され、従来のスタックド・ゲート型メモリセルのチャンネルホットエレクトロン注入を用いた書込みのエネルギーに比較して１／１００以下に低減できる。 - 特許庁

A crimping prevention section in a specific section is applied to the opposing surfaces of a plurality of metal plates, lamination junction is made after activation treatment under an extremely low pressure to form the plate laminate, the crimping preventing section is inflated as a hollow laminate having a hollow section, and water is sealed into the hollow section as a working body, as the plate-type heat pipe.例文帳に追加

複数の金属板の対向面に所定形状の圧着阻止部を形成し、極低圧下で活性化処理を施した後積層接合してプレート積層体とし、この圧着阻止部を膨らませて中空部を有する中空積層体とし、中空部内に作動体として水を封入してプレート型ヒートパイプとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.例文帳に追加

上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation).例文帳に追加

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical detecting device 1 includes: a p-type semiconductor region 18 that is formed at the side of a surface 3a of a semiconductor substrate 3 and composes a photodiode 28 by a pn junction 26 with the semiconductor substrate 3; and a signal processing circuit section 9 formed at the side of the surface 3a of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体光検出装置１は、半導体基板３の表面３ａ側に形成されており、半導体基板３とのｐｎ接合２６によりフォトダイオード２８を構成するｐ型半導体領域１８と、半導体基板３の表面３ａ側に形成されている信号処理回路部９と、を備えている。 - 特許庁

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域１０１と、ドレイン領域１０２と、ソース領域１０１とドレイン領域１０２との間に形成されたチャネル領域１０３と、少なくともチャネル領域１０３の下に形成されたゲート領域１０７とを含で構成される。 - 特許庁

To effectively carry out coherent junction of a lot of laminated tabular fins and flat heat transfer tubes of a fin and tube type heat exchanger composed of the lot of tabular fins laminated in parallel with each other at a certain pitch, and the flat heat transfer tubes inserted at a substantially right angle into the fins at a predetermined pitch.例文帳に追加

一定のピッチで平行に多数積層される平板状のフィンと、所定のピッチでフィンに略直角に挿入される偏平状の伝熱管から構成されるフィンアンドチューブ式の熱交換器の多数積層される平板状のフィンと偏平状の伝熱管を有効に密着接合すること。 - 特許庁

A non-contact recognition type IC chip 11 electrically connects a fine antenna 12 and is sealed into a flexible plastic film 13 in a state including the antenna 12, the film 13 is cut off to a plane shape of suitable size and the opposite side film surface 15 of the antenna 12 is used for a junction surface.例文帳に追加

非接触認識型ＩＣチップ１１が、微小アンテナ１２を電気的に接続し、そのアンテナ１２も含めてフレキシブル・プラスチック・フィルム１３の中に封じ込められ、そして、そのフレキシブル・プラスチック・フィルム１３が、適当な大きさの平面形状に裁断されてそのアンテナ１２の反対側フィルム面１５を接合面に用いる。 - 特許庁

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第１導電型半導体領域１と、第２導電型半導体領域３とを備え、第１導電型半導体領域１と第２導電型半導体領域３との間に形成されるＰＮ接合２の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が０．５μｍ以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte solution for forming an electrode having high durability and useful for forming an electrode of a solid polymer electrode type fuel cell, to provide a polymer electrolyte film and an electrolyte for a fuel cell manufactured by using the polymer electrolyte solution, and to provide an electrode junction body and a fuel cell manufactured by using the electrode.例文帳に追加

耐久性が高い電極を作製し得る、固体高分子電解質型燃料電池の電極作製に有用な高分子電解質溶液、該高分子電解質溶液を用いて作製した高分子電解質膜、燃料電池用電極、該電極を用いて作製した電極接合体、及び燃料電池を提供すること。 - 特許庁

In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers.例文帳に追加

絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層３と該第一固体材料層３とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層５とのｐ−ｎ接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池１。 - 特許庁

In this overvoltage protection circuit, a DC-DC converter of such configuration that a plurality of switching elements are connected in series is connected to the DC output voltage terminal of a power factor improving circuit, and the output overvoltage detecting resistor of a latch type output overvoltage detecting circuit is connected to a junction where switching elements are connected in series, thereby reducing the standby power.例文帳に追加

本過電圧保護回路は、力率改善回路の直流出力電圧端子に複数のスイッチング素子が直列に接続された構成のＤＣ−ＤＣコンバータが接続され、スイッチング素子が直列に接続された接続点に、ラッチ型出力過電圧検出回路の出力過電圧検出抵抗を接続することで待機時電力を低減する。 - 特許庁

In a coaxial collector electrode structure of power generation diodes of a coaxial solar cell, an exposure type light receiving layer with a circular thickness directly receives hole-electron pairs based on the excitation action of incident light, a radius formed by a PN junction surface drives a built-in electric field and holes are drifted to coaxial inner and outer diodes by an equal-distance route.例文帳に追加

本発明に係る同軸太陽電池発電ダイオードの同軸集電極構造は環状などの厚さの暴露式受光層が直接に入射光の励起作用によるホール・エレクトロンペアを受け、PN接合面によって形成した半径が内蔵電場を駆動し等距離経路により同軸の内外ダイオードにドリフトするようになる。 - 特許庁

The manufacturing method of the capacitance type electromechanical conversion device includes: a step of forming an insulation layer 2 on a first silicon substrate 1 and forming at least one recessed part 3; a step of joining a second silicon substrate 5 on the insulation layer 2 by the fusion junction; and a step of thinning the second silicon substrate 5 and forming a silicon film 7.例文帳に追加

静電容量型電気機械変換装置の作製方法は、第一のシリコン基板１上に絶縁層２を形成し、少なくとも一つ以上の凹部３を形成する工程と、第二のシリコン基板５を絶縁層２上に溶融接合により接合する工程と、第二のシリコン基板５を薄化し、シリコン膜７を形成する工程を有する。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

The pinned printed wiring board in this invention is in a simple structure adopting a PGA type wherein a plurality of metallic pins for outer connecting terminals are junctioned on the underside 1a also reinforcing plate 5 with a plurality of stepped through holes 4 corresponding to the metallic pins 3 formed thereon is junctioned with the junction face 1a of the metallic pins 3 by bonding process.例文帳に追加

本発明のピン付きプリント配線板は、プリント配線板１の下面１ａに外部接続端子用の金属ピン３が複数接合され、金属ピンの接合面１ａにはさらに、金属ピン３に対応する複数の段付き貫通孔４が形成された補強板５が接着により接合され、ＰＧＡタイプを採用した簡単な構造となっている。 - 特許庁

To provide a crimp terminal and a flat cable with the crimp terminal capable of preventing a flat conductor from bending at a junction of the flat conductor provided in the flat cable and a conductor crimp part of closed barrel type provided in the crimp terminal, and easily inserting the flat conductor into the conductor crimp part.例文帳に追加

平形ケーブルが備える平形導体と、圧着端子が備えるクローズドバレルタイプの導体圧着部との接合部において、平形導体が屈曲するのを防止することができると共に、導体圧着部の内側への平形導体の挿入を容易にすることができる圧着端子および圧着端子付き平形ケーブルを提供すること。 - 特許庁