「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance junction strength for an upper surface of a columnar type electrode of the surface processing layer, for preventing oxidation to be formed on the surface of the column type electrode in a semiconductor device called a CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状電極の上面に対する接合強度を強くする。 - 特許庁

An N type buried diffusion layer 5 is formed to be superposed on the P type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 19 for overvoltage protection is formed below an element forming region.例文帳に追加

Ｎ型の埋込拡散層５が、Ｐ型の埋込拡散層４と重畳するように形成され、素子形成領域の下方に過電圧保護用のＰＮ接合領域１９が形成されている。 - 特許庁

When making a p-n junction body by making the manganese oxide turned into this n-type and a p-type oxide semiconductor joint, the function of the battery action can be imparted for a visible beam, ultraviolet rays, and infrared rays.例文帳に追加

このｎ型化したマンガン酸化物とｐ型酸化物半導体と接合させて、ｐ−ｎ接合体をつくると、可視光線、紫外線および赤外線に対して、電池作用の機能を持つことができる。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

The p-n junction is formed by laminating, for example, an n-type layer (clad layer) 3 of a GaN compound semiconductor and a p-type layer (clad layer) 5 of the GaN compound semiconductor.例文帳に追加

たとえばＧａＮ化合物半導体からなるｎ形層（クラッド層）３と、ＧａＮ化合物半導体からなるｐ形層（クラッド層）５とが積層されることによりｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

For example, the p-n junction body, manufactured by applying and baking LaSrCoO_3 which is p-type oxide on a pellet of n-type manganese oxide by spin coating has the function of the battery action using light.例文帳に追加

例えば、ｐ型酸化物であるＬａＳｒＣｏＯ_３を、ｎ型マンガン酸化物のペレット上にスピンコーテングで塗布し、焼き付けて作製したｐ−ｎ接合体は、光によって電池作用の機能をもつ。 - 特許庁

A p-n tunnel junction 220 between a p-type semiconductor layer 216 and an n-type semiconductor layer 218 provides current injection for an edge-emitting nitride based semiconductor laser structure 200.例文帳に追加

ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a novel p-n junction type nitride semiconductor light emitting element wherein a metal except metals forming good ohmic contact with a p-type nitride semiconductor is used as a p-side electrode.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体と良好なオーミック接触を形成する金属以外の金属をｐ側電極として用いる、新規なｐｎ接合型の窒化物半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁

A semi-insulative region 6c is formed at a region directly below or almost immediately below a contact 7c in a pn junction surface 20 between a first conductivity type region 5 and a second conductivity type region 8.例文帳に追加

第一導電型領域５と第二導電型領域８とのｐｎ接合面２０内の、コンタクト部７ｃの直下領域又は概ね直下領域に半絶縁性領域６ｃを備える。 - 特許庁

To provide an electronic unit of a plug-in type capable of protecting a junction part from repulsive force in assembling without molding a circuit substrate.例文帳に追加

回路基板をモールドすることなく、組み付け時の反発力から接合部を保護することが可能なプラグイン式の電子ユニットを提供することを目的とする。 - 特許庁

The light-receiving element is a lateral junction type photodiode, and an n-layer or a p-layer included in the light-receiving element is formed while overlapping with the first transistor.例文帳に追加

また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するｎ層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されている。 - 特許庁

This electroscope 1 includes a grip 2, an extendable insulation rod 3, a turn-down type junction part 4, a support rod 5, a light-emitting body 10A, and a contact terminal 19.例文帳に追加

検電器１は、グリップ２、伸縮式絶縁棒３、可倒式接合部４、支持棒５、発光体１０Ａ及び接触端子１９を含んで構成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a vertical resonance type surface emission semiconductor laser for providing satisfactory emission characteristics without deteriorating characteristics of tunnel junction.例文帳に追加

トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the hetero-junction type field effect transistor that has no signal deterioration even in a higher frequency area than theretofore.例文帳に追加

上記構成により、従来になく高い周波数領域においても信号劣化の無い高出力のヘテロ接合型電界効果トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a junction type solar cell for greatly improving the efficiency of photoelectric conversion by setting an absorption layer of sunlight to be in gradient composition structure.例文帳に追加

太陽光の吸収層を傾斜組成構造とすることにより光電変換効率を大幅に改善できる接合型太陽電池を提供すること。 - 特許庁

In particular, the micro pixel may have a p-type conductive epitaxy layer and a PN junction layer formed vertically inside the epitaxy layer.例文帳に追加

特に、前記マイクロピクセルは、ｐ型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるＰＮ接合層と、を備えていてもよい。 - 特許庁

To provide a thermopile type infrared sensor which can accurately perform measurement with good sensitivity by reducing an influence of infrared rays on a cold junction of a thermopile.例文帳に追加

サーモパイルにおける冷接点の赤外線の影響を低減し、より感度よく、正確に計測ができるサーモパイル型赤外線センサを提供する。 - 特許庁

To provide an n-type semiconductor, a semiconductor junction element, and a photoelectric conversion device wherein their conductivity types can be so controlled accurately that they are sufficient for practical uses.例文帳に追加

導電型制御を正確に行うことができて、実用に足る、ｎ型半導体、半導体接合素子および光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極６の下のＮ−型ドレイン層２が熱破壊する前に、サージ電流はこのＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

After gate patterns are formed in the slit type openings, the trench mask patterns are removed and junction region openings for exposing the active regions are formed.例文帳に追加

スリット型開口部内にゲートパターンを形成した後に、トレンチマスクパターンを除去して活性領域を露出させる接合領域開口部を形成する。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a p-n junction-type solar cell with high optoelectric conversion efficiency, using a crystal system semiconductor by reducing the number of the manufacturing processes.例文帳に追加

結晶系半導体を用いた光電変換効率の高いｐｎ接合型の太陽電池を、製造工程を少なくして安価に製造し得るようにする。 - 特許庁

To provide a floor heating system comprising a carpet-type wooden floor heating panel and a wooden auxiliary panel, which form a good joint pattern giving no incongruous feeling at the junction thereof.例文帳に追加

上敷式木質床暖房パネルと木質補助パネルとの接合部分を違和感のない良好な継ぎ目模様となせる床暖房装置を提供する。 - 特許庁

It is characteristic that a part of the junction type field effect transistor and a part of the resetting transistor are made to face each other.例文帳に追加

本発明は、接合型電界効果トランジスタのゲート領域の一部と、リセット用トランジスタのゲートの一部とを互いに対向させたことを特徴とする。 - 特許庁

Since the GaAs layer 106 is semi-insulating, even if the p-type diffused region 107 is made, pn junction is not made in the vicinity of the surface of the substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１０６が半絶縁性なので、ｐ型拡散領域１０７を形成しても、基板表面付近にはｐｎ接合が形成されない。 - 特許庁

On an N^+ conductivity type silicon substrate 2 forming a drain region, a semiconductor layer 13 having a so-called super junction structure formed thereon is provided.例文帳に追加

導電型がＮ^+型でドレイン領域をなすシリコン基板２の上には、いわゆる、スーパージャンクション構造が形成された半導体層１３が設けられている。 - 特許庁

To make it possible to form an n-type region of a thyristor RAM formed by a PNPN junction by means of an epitaxial growth film in which phosphorus (P) is doped.例文帳に追加

ＰＮＰＮ接合で形成されるサイリスタＲＡＭのｎ型領域をリン（Ｐ）がドープされたエピタキシャル成長膜で形成することを可能にする。 - 特許庁

An insulating region 35 is positioned outside a silicon single crystal region (P-type silicon single crystal region 15) located at an end of the super junction structure 13.例文帳に追加

絶縁領域３５は、スーパージャンクション構造１３の終端にあるシリコン単結晶領域（Ｐ^-型シリコン単結晶領域１５）の外側に位置している。 - 特許庁

The conductivity nearby mesa flank is changed in type and intensity so that a pn junction and a carrier multiplication layer applied with a high electric field are not exposed to the mesa flank.例文帳に追加

メサ側面に高電界のかかるpn接合やキャリア増倍層が露出しないように、側面近傍の導電性のタイプや大きさを変える。 - 特許庁

The aspect ratio of the trench 2 is greater than 1 and a pn junction of the n^+-silicon substrate 1 and the p-type silicon layer 3 is present inside the trench 2.例文帳に追加

トレンチ２はアスペクト比が「１」より大きく、トレンチ２の内面においてＮ^＋シリコン基板１とＰ型シリコン層３とのＰＮ接合を有している。 - 特許庁

The regions of the first principal surface 1a and the second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1 which are opposed to the pn junction are optically exposed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 - 特許庁

By forming the conductive carbon nanotube array 33 in the p-type semiconductor layer 34, the surface area of p-n junction can be maximized.例文帳に追加

ｐ型半導体層３４の内部に伝導性炭素ナノチューブ配列体３３を設けることによって、ｐ−ｎ接合の表面積を最大化することができる。 - 特許庁

This terahertz band electromagnetic wave oscillation apparatus is formed of a single crystal of a stratified superconductor BSCCO having a multilayer-type Josephson junction, and excites an electromagnetic cavity resonance.例文帳に追加

多重積層型ジョセフソン接合を有する層状超伝導体ＢＳＣＣＯの単結晶により形成され、電磁空洞共振を励起する。 - 特許庁

At least either one the p- and n-type clad layers 8 and 7 is constituted in a junction structure of first crystal layers 5 and 3 and second crystal layers 6 and 2.例文帳に追加

また、ｐ型クラッド層８とｎ型クラッド層７との少なくとも一方が、第一結晶層５，３と第二結晶層６，２との接合構造とされる。 - 特許庁

The III-nitride LED is formed with n-type top structure 64, 66 and p-type bottom structure 54 by the degenerate junction part 72 and conductive electrodes 68, 70 formed on the III-nitride LED are both n-type.例文帳に追加

縮退接合部７２によって、III族窒化物発光ダイオードは、ｎ型頂部構造６４、６６およびｐ型底部構造５４を備えて形成され、III族窒化物発光ダイオードに形成される伝導性電極６８、７０は両方ともｎ型である。 - 特許庁

To provide a solar cell having superior photoelectric conversion efficiency equipped with a bulk-heterojunction type organic thin film, having a pn junction interface of nanometer order which can be easily formed, regardless of the combination of a p-type material and an n-type material.例文帳に追加

ｐ型材料とｎ型材料の組み合わせにかかわらず容易に形成することができる、ナノメートルオーダーのｐｎ接合界面を有するバルクヘテロ接合型の有機薄膜を備える光電変換効率に優れた太陽電池を提供すること。 - 特許庁

This causes a depletion layer at a PN junction between p^+-type deep layer 9 and an n^-type drift layer 2 to greatly extend toward the n^-type drift layer 2, which makes it difficult for a high voltage generated as a result of the effect of a drain voltage to enter a gate oxide film 6.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型ディープ層９とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜６に入り込み難くなる。 - 特許庁

To achieve a laminated type IEJ junction, without having to creating a mesa structure, since the deterioration of the film quality of an interlayer insulation film cannot be avoided due to the regulation of deposition temperature, in a process for utilizing the mesa structure when creating the lamination type IEJ junction regarding a high-temperature superconducting device.例文帳に追加

高温超電導体装置に関し、積層型ＩＥＪ接合を作成するに際し、メサ構造を利用するプロセスでは、堆積温度が規制されることに起因し、層間絶縁膜の膜質劣化を回避できないので、メサ構造を作成せずに積層型ＩＥＪ接合を実現することが基本になっている。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device having a junction interface where first conductivity type SiGe and second conductivity type Si or SiGe touch each other, the junction interface is cleaned, at the part thereof exposed to the surface, with a solution containing hydrofluoric acid and then cleaned with a solution containing sulfuric acid.例文帳に追加

第１導電型のＳｉＧｅと第２導電型のＳｉ又はＳｉＧｅとが相互接触する接合界面を有する半導体装置の作製方法において、前記接合界面が表面に露出する部分を、弗化水素酸を含む溶液で洗浄し、その後、硫酸を含む溶液で洗浄する。 - 特許庁

The rectifying region 13 of a first conductivity type is surrounded with an inverse rejection groove 26, the inverse rejection region 33b of a second conductivity type is arranged within the inverse rejection groove 26, an ohmic junction is formed with a source diffusing region 19, and a common electrode film 42 to form a Schottky junction with the rectifying region 13 is then formed.例文帳に追加

第一導電型の整流領域１３を逆阻止溝２６で取り囲み、逆阻止溝２６の内部に第二導電型の逆阻止領域３３ｂを配置し、ソース拡散領域１９とオーミック接合を形成し、整流領域１３とショットキー接合を形成する共通電極膜４２を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

The method is used to manufacture a semiconductor device that includes a PIN junction part with an I-type semiconductor layer formed on the main surface of a semiconductor substrate and is provided with a PIN junction side wall having a flat face where a part corresponding to the I-type semiconductor layer is vertical to the main surface thereof.例文帳に追加

半導体基板主面に形成されたＩ型半導体層を有するＰＩＮ接合部とを含んで、上記Ｉ型半導体層に対応した部分が上記主面に対して垂直方向に向かう平面的な面を持つＰＩＮ接合部側壁を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To obtain a superconducting junction line which damps oscillations after passing over flux quantum pulses, even using an oxide type junction, etc., for generating abrupt flux quantum pulses, and allows a desired delay time to be set up, thus providing characteristics for a delay line.例文帳に追加

急峻な磁束量子パルスを発生する酸化物系接合等でも、磁束量子パルスが通り過ぎた後の振動が納まり、かつ遅延時間を任意に設定できる、遅延線としての特性を有する超電導接合線路を得ること。 - 特許庁

To obtain a multi-junction solar cell capable of having high power generation efficiency by forming a solar cell less having a crystal defect by relieving stress due to a difference in lattice constant with respect to a lattice mismatch type multi-junction solar cell.例文帳に追加

格子不整合系の多接合型太陽電池において、格子定数の差に起因した応力を緩和して結晶欠陥の少ない太陽電池セルを形成し、高い発電効率を得ることが可能な多接合型の太陽電池を得ること。 - 特許庁

The bellows type brush nozzle is composed of a junction pipe 3, which can be connected to an arbitrary pipe connector as a joint, bellows 5 arranged to cover the outside of the junction pipe 3 and a brush 2 provided at the tip end opening of the bellows 5.例文帳に追加

掃除機の、任意の管中継部に継ぎ手として中継可能な中継パイプ（３）と、中継パイプ（３）の外側を覆うように設けられた蛇腹（５）と、蛇腹（５）の先端開口部に設けられたブラシ（２）より構成される、掃除機の蛇腹式ブラシノズル。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁