「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

According an embodiment, an image sensor includes a circuitry, having transistors and formed on a substrate, an electrical junction region formed on one side of the transistor, a heavily-doped first conductivity-type region formed on the electrical junction region, and a photodiode formed above the circuit.例文帳に追加

実施の形態によるイメージセンサは、基板にトランジスタを含んで形成された回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）と、前記トランジスタの一側に形成された電気接合領域と、前記電気接合領域上に形成された高濃度第１導電型領域と、前記回路上側に形成されたフォトダイオードと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the mounting structure of the chip-type thermal fuse, a leading section 13 of a lead member 11 in chip components is connected and joined to a wiring land 32 by pressure welding junction such as ultrasonic junction, when mounting the chip components 10 of an airtight package 20 for accommodating the fuse element 16 to a specific position on the packaging board 30 having the wiring land 32.例文帳に追加

ヒューズエレメント１６を収納する気密パッケージ２０のチップ部品１０を配線ランド３２有する実装基板３０の所定位置に搭載する際、チップ部品のリ−ド部材１１の導出部１３を超音波接合等の圧接接合で配線ランド３２に接続結合するチップタイプ温度ヒュ−ズの実装構造である。 - 特許庁

When a magnetic tunnel effect type magnetic head 20 having a magnetic tunnel junction element 33 disposed between a pair of magnetic shield layers 25 and 27 via a gap layer is manufactured, a surface to be the medium-facing surface of the magnetic tunnel junction element is subjected to etching machining after polishing machining.例文帳に追加

一対の磁気シールド層２５，２７の間にギャップ層を介して磁気トンネル接合素子３３が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド２０を製造する際に、磁気トンネル接合素子の媒体対向面となる面に対して研磨加工を施した後に、当該媒体対向面となる面に対してエッチング加工を施す。 - 特許庁

This circuit is provided with a reference voltage generation stage 1 composed by serially connecting a depletion type MOS transistor Q1 and an enhancement type MOS transistor Q2 and makes the electric potential at the junction of the transistors Q1 and Q2 to Vin and outputting the electric potential.例文帳に追加

デプレッション型ＭＯＳトランジスタＱ１とエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタＱ２が直列に接続されてなる基準電圧発生段１が設けられており、ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の接続点の電位をＶinとして出力段３に出力している。 - 特許庁

By the negative bias, positive holes are distributed unevenly in an n^+-type embedded region 3 and an n-type semiconductor layer 4 close to the trench insulation film 5, so that the center of the flow of electrons is shifted not only to the center of a pn junction but also to the side of the trench insulation film 5.例文帳に追加

この負バイアスにより、トレンチ絶縁膜５に近いｎ＋型埋め込み領域３及びｎ型半導体層４内に正孔が偏在し、これにより電子の流れの中心はｐｎ接合の中心だけではなく、トレンチ絶縁膜５側にシフトする。 - 特許庁

In the super-junction structure wherein an n-type column and a p-type column are repeated, the width of a column where a carrier passes through is 4.5 μm or less, and the concentration of impurity of the column where the carrier passes through is adjusted to be lower than a concentration satisfying the reduced surface field.例文帳に追加

ｎ型コラムとｐ型コラムが繰返されているスーパージャンクション構造において、キャリアが通過するコラムの幅は４．５μｍ以下であり、かつキャリアが通過するコラムの不純物濃度がリサーフ条件を満たす濃度よりも低濃度に調整する。 - 特許庁

A pn junction layer 101 composed of a group III-V compound semiconductor includes strip-shaped n-type regions 105 whose surface is composed of a (100) plane and strip-shaped p-type regions 106 whose surface is composed of a facet other than the (100) plane that are alternately arranged.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐｎ接合層１０１は、表面が（１００）面からなる短冊状のｎ型領域１０５と、表面が（１００）面以外のファセットからなる短冊状のｐ型領域１０６とを、交互に配列して備えている。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask registration which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench on a first conductivity type semiconductor layer and epitaxially growing a second conductivity type semiconductor layer in it to form a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

There is provided, under a side wall spacer 9 provided in a side wall of a gate electrode 3, an n+ type semiconductor region 8a which is the same as an n+ type semiconductor region 8b constituting a resistance layer, and has relatively high impurity concentration and a relatively deep junction depth.例文帳に追加

ゲート電極３の側壁に設けられたサイドウォールスペーサ９の下に、抵抗層を構成するｎ^+型半導体領域８ｂと同一の相対的に高い不純物濃度と相対的に深い接合深さとを有するｎ^+型半導体領域８ａを設ける。 - 特許庁

The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.例文帳に追加

さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁

The photodiode also comprises a region (4) which extends transversely relative to the planes of the layers, where the region (4) is in contact with the collection layer (2) and the confinement layer (3) and has a conductivity type opposite to the first conductivity type so as to form a p-n junction with the stack.例文帳に追加

そのフォトダイオードは、前記層の面に対して横断して延在する領域(4)も含み、前記領域はコレクション層(2)と閉じ込め層(3)に接触し、前記スタックとp-n接合を形成するために前記第1導電型と反対の導電型を有する。 - 特許庁

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor radiation detector that uses a barrier type, or a InSb single crystal of a p-n junction type that is reduced in leakage current, suppressed in trapping for electrons or holes, and having a large amount of charge generation even at a temperature of 10K or higher.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

Thus, even when light is applied to the bidirectional Zener diode IZD, the light can be prevented from entering the p-n junction formed at the boundary between the n-type semiconductor region NR and the p-type semiconductor region PR from the inner wall of the trench TR.例文帳に追加

したがって、双方向ツェナーダイオードＩＺＤに光が照射されても、トレンチＴＲの内壁から、ｎ型半導体領域ＮＲとｐ型半導体領域ＰＲの境界に形成されているｐｎ接合へ光が入射することを防止できる。 - 特許庁

Also, of a p-n junction formed of the p-type base layer 24 and an n-type emitter layer 25 in a contact region equipped with a base electrode is removed so that ineffective currents, without contribution to a bipolar transistor operation can be prevented from running between the emitter and base.例文帳に追加

また、ｐ型ベース層２４とｎ型エミッタ層２５とで形成されたｐｎ接合のうち、ベース電極が設けられるコンタクト領域のものを除去することによって、バイポーラトランジスタ動作に寄与しない無効な電流がエミッタ・ベース間に流れることを防止する。 - 特許庁

A plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3 are formed by providing a plurality of (first to third) p-type regions 31 to 33 at different depths from the surface of an n-type semiconductor layer 2 at different positions of the n-type semiconductor layer 2 which is provided on a p-type semiconductor substrate 1 with substantially uniform thickness.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１上にほぼ均一な厚さのｎ型半導体層２が設けられ、そのｎ型半導体層２の異なる場所に、ｎ型半導体層２の表面から複数個（第１〜第３）のｐ型領域３１〜３３が異なる深さで設けられることにより、複数個（第１〜第３）の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３が形成されている。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

This photoelectric conversion function element is provided with electrodes on the front and rear surfaces of a II-VI group compound semiconductor crystal having at least pn junction, and it is also provided with a contact layer between an n-type semiconductor layer and an n-type electrode, and furthermore at least a part of the contact layer is made of n-type semiconductor containing an In element as an n-type impurity.例文帳に追加

ｐｎ接合を少なくとも有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、ｎ型半導体層とｎ型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、Ｉｎ元素をｎ型不純物として含むｎ型半導体で構成されるようにした。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a pn-junction constituted of a p-type semiconductor layer 13 and an n-type semiconductor layer 14 which are sequentially placed in the direction along the principal plane, and includes a p-electrode 11 provided in contact with the p-type semiconductor layer 13 and an n-electrode 12 in contact with the n-type semiconductor layer 14 in the direction extending along the principal plane.例文帳に追加

光電変換素子は、その主面に沿った方向に順次配置されたｐ型半導体層１３およびｎ型半導体層１４により構成されるｐｎ接合からなり、その主面に沿った方向にｐ型半導体層１３と接して配置されたｐ電極１１およびｎ型半導体層１４と接して配置されたｎ電極１２を有する。 - 特許庁

To provide an optimal combination of an electronic donor and an electronic accepter in a bulk hetero junction-type organic solar cell, and to be able to form a hole nano transportation path (hole path) and an electronic nano transportation path (electronic path).例文帳に追加

バルクへテロ接合型有機太陽電池における、電子ドナーと電子アクセプターとの最適な組合せを提供するとともに、ホールナノ輸送経路（ホールパス）及び電子ナノ輸送経路（電子パス）を形成する。 - 特許庁

Therefore, the n-type Si layer that is thinner than a lateral pnp, a pn junction varactor, a high breakdown voltage HBT transistor or the like can be obtained, and the performance of each element with different uses can be together established.例文帳に追加

このためラテラルＰＮＰ、ＰＮ接合型バラクタ、高耐圧用ＨＢＴトランジスタ等の素子よりも薄いＮ型Ｓｉ層が得られるため用途の異なる各素子の性能を両立させることができる。 - 特許庁

To provide an organic thin-film solar cell which further improves the energy conversion efficiency, by improving an exiton deactivation preventing layer to make a p-n junction type organic thin-film solar cell practical.例文帳に追加

ｐｎ接合型の有機薄膜太陽電池の実用化を図るべく、励起子失活防止層の改良により、エネルギー変換効率をより一層向上させた有機薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type head capable of obtaining high signal output by improving a resistance change ratio and flux guide efficiency and to provide its manufacturing method and a magnetic field detecting device.例文帳に追加

抵抗変化率およびフラックスガイド効率を向上することにより、大きな信号出力を得ることができる磁気トンネル接合型ヘッド、その製造方法および磁場検出装置を提供する。 - 特許庁

Direct contact with a source region is not provided in the p-body region 6 of the MOSFET, and electrical connection with the p-type junctions at the ends of the Schottky junction is provided via the MOSFET.例文帳に追加

また、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６内でソース領域と直接のコンタクトせず、前記ショットキー接合の端部のｐ型領域にＭＯＳＦＥＴを介して電気的に接続される構造を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type Ga_2O_3 film and a manufacturing method of a pn junction Ga_2O_3 film capable of forming a thin film comprising high quality Ga_2O_3-based compound semiconductor.例文帳に追加

高品質のＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a JFET (Junction Field Effect Transistor) in which breakdown strength performance is enhanced by forming a p-conductivity type semiconductor layer of good crystallinity and high frequency performance is enhanced by lowering resistance.例文帳に追加

良好な結晶性のｐ導電型半導体層を形成することにより、耐圧性能の向上を確保し、かつ低抵抗化を図り高周波性能を向上させたＪＦＥＴ(JunctionField Effect Transistor)を得る。 - 特許庁

To provide a sheath-type thermocouple, for a molten metal, in which the contact part of a temperature measuring junction at a metal strand with the inner face at the tip of a protective tube is improved, which restrains the disconnection of the metal strand as far as possible and whose responsivity is increased.例文帳に追加

シース型金属溶湯用熱電対の金属素線の測温接点と、保護管の先端部の内面との接触部を改善し、金属素線の断線を極力抑え、応答性を高める。 - 特許庁

The super-junction semiconductor substrate 1 is configured in such a manner that n-type semiconductor layers 21, 2 of a parallel pn structure are formed at a boundary region between an active area 24 and a peripheral breakdown-resistant structure area 25.例文帳に追加

超接合型半導体基板１の、活性領域部２４と周辺耐圧構造部２５の境界の領域が、並列ｐｎ構造部のｎ型半導体層２１，２となるようにする。 - 特許庁

To provide an ultraviolet curing type resin composition for electrode protection, capable of preventing migration caused in the junction of the connecting terminal of a display and a wiring board in high humidity and when a high voltage is impressed.例文帳に追加

高湿高電圧印可においてディスプレイの接続端子と配線基板との接合部分で発生するマイグレーションを防止できる電極保護用紫外線硬化型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The implant 10 includes a first component such as a proximal body 20 including a hole opening part 32 and an inside surface 34 forming the female side of the male-female type junction part.例文帳に追加

インプラント１０は、孔開口部３２と雄雌式接合部の雌側を形成する内側表面３４とを有する内孔３０を含んだ近位本体２０のような第１のコンポーネントを含んでいる。 - 特許庁

This modular joint implant 10 has a male-female type junction part having the compression side mainly becoming a compressed state in use and the pulling side mainly becoming a pulled state in use.例文帳に追加

モジュール式関節インプラント１０は、使用の際に主に圧縮された状態になる圧縮側と使用の際に主に引っ張られた状態になる引っ張り側とを有する雄雌式接合部を含む。 - 特許庁

A magnetoresistance tunnel junction element is formed, which represented by a chemical equation L2(A1-wRw)2An-1MnnO2n+4+x, comprises a laminar perovskite type manganese oxide 14 comprising (L-O)2 layer in a crystal structure.例文帳に追加

化学式Ｌ_2(Ａ_1-wＲ_w)_2Ａ_n-1Ｍｎ_nＯ_2n+4+xにより表され、結晶構造内に(Ｌ−Ｏ)_2層を有する層状ペロブスカイト型マンガン酸化物１４を含む磁気抵抗トンネル接合素子を形成した。 - 特許庁

A junction is formed of a transparent conductive layer (first layer 1) having translucent and conductive properties and a p-type semiconductor layer 2 arranged adjacently to the rear surface side of the transparent conductive layer 1.例文帳に追加

透光性および導電性を有する透明導電層（第１の層１）と、透明導電層１の裏面側に隣接して配置されたｐ形半導体層２とによって接合が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor region 200 made into an n-type is formed on a post top of the Zener diode 20, and a p-n junction surface is formed between the semiconductor region 200 and an upper DBR layer 108.例文帳に追加

ツェナーダイオード２０のポスト頂部には、ｎ型化された半導体領域２００が形成されて、半導体領域２００と上部ＤＢＲ層１０８との間にＰＮ接合面が形成される。 - 特許庁

To provide an amorphous-crystalline junction type thin-film solar cell in which the defective density in the crystalline semiconductor layer is reduced while the light confinement effect is sufficiently provided by a rough texture structure.例文帳に追加

結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス−結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

There is used an active filter containing a buffer amplifier that branches the common-mode current from the earthing conductor by linear- driving two junction-type transistors or a MOSFET transistor through the transistor.例文帳に追加

２つの接合型トランジスタ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタを線形に駆動して接地線からのコモンモード電流をトランジスタを介して分流する緩衝増幅器を含む能動フィルタを用いる。 - 特許庁

To provide an electric junction box having a small wasteful space to be easily installed even in a limited narrow space of an automobile and a functional circuit of the structure adapted to a thin type and a small size.例文帳に追加

自動車の限られた狭いスペースにも容易に設置すべく、無駄な空間が少なく、薄型および小型化に適した構造の機能回路を備えた電気接続箱を提供することを課題とする。 - 特許庁

To prevent the occurrence of junction leakage in a drain contact hole and hence to prevent element malfunction, and to reduce the size of a unit cell in an SONOS-type non-volatile memory element and hence to improve an integration degree.例文帳に追加

ドレインコンタクトホールでのジャンクションリーケージの発生を予防して、素子誤動作を防止することができ、ＳＯＮＯＳ型不揮発性メモリ素子の単位セルのサイズを減らして集積度を向上させる。 - 特許庁

When an electric field is vertically applied to a junction interface between the modulation layer 124 composed of the p-type semiconductor and the insulating layer 125, distortion due to the electric field is generated on the band of the modulation layer 124 in the vicinity of the interface.例文帳に追加

ｐ型半導体からなる変調層１２４と絶縁層１２５との接合界面に垂直に電場を印加すると、界面近傍で変調層１２４のバンドが電場による歪みを生じる。 - 特許庁

In a heat treatment process after the storage node 151 is formed, diffusion of N-type impurities in the storage node 151 is restrained by oxygen in the layer 151a containing oxygen, and junction leakage is prevented.例文帳に追加

ストレージノード１５１の形成後の熱処理工程で、ストレージノード１５１中のＮ型不純物の拡散が酸素含有層１５１ａ中の酸素により抑制され、ジャンクションリークが防止される。 - 特許庁

The photoelectric conversion device including a semiconductor junction has a semiconductor layer, where a needle-like crystal is grown on a one-conductivity-type impurity semiconductor layer formed by a microcrystalline semiconductor.例文帳に追加

半導体接合を有する光電変換装置であって、微結晶半導体で形成した一導電型の不純物半導体層上に、針状結晶が成長した半導体層を有する。 - 特許庁

To provide a pn junction diode type gas sensor capable of detecting concentration of a detection object gas containing a hydrogen atom such as H_2, NH_3, H_2S and hydrocarbon.例文帳に追加

出力が安定しており、且つ感度が高く、Ｈ_2、ＮＨ_3、Ｈ_2Ｓ及び炭化水素等の水素原子を有する被検ガスの濃度を検出することができるｐｎ接合ダイオード型のガスセンサを提供する。 - 特許庁

In this bipolar junction transistor, an epitaxial silicon carbide passivation layer 350 of the first conductivity type is provided on at least a portion of the epitaxial silicon carbide base layer 320 outside the silicon carbide emitter mesa.例文帳に追加

本発明に係るバイポーラ接合トランジスタでは、第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層が、炭化ケイ素エミッタメサの外側にあるエピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部に設けられる。 - 特許庁

To provide an SJ (super junction) device and its manufacturing method in which the SJ device having a column region in the lower region of the base region of a vertical type MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) can be manufactured easily.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのベース領域の下部領域にコラム領域を備えるＳＪデバイスを容易に製造することを可能にしたＳＪデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a region of deep junction is provided in the outermost circumferential p+ type well region 21a, concentration of field is relaxed and a high breakdown strength can be attained even if the number of guard rings is small.例文帳に追加

このように、最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａに接合深さが深く形成された領域を設けることにより、電界集中が緩和され、リング数が少なくても高耐圧が得られる。 - 特許庁