「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The variable capacitance diode 111 includes a p type region 111p and an n type region 111n and the variable capacitance diode 111 adjusts the resonance frequency of the thin film bulk wave element 10 by the application of a voltage to the p type region 111p, the voltage being lower than the voltage applied to the n type region 111n so as to vary the capacitance of a thus formed pn junction.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐとｎ型領域１１１ｎを備え、可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐをｎ型領域１１１ｎより低電圧とすることで形成されるｐｎ接合での容量を変化させて、薄膜バルク波素子１０の共振周波数を調整する。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

First, a GaAs solar cell layer (bottom cell) 12 is formed, then a P-type AlGaAs layer 132 is doped with carbon for the formation of a tunnel-junction layer 13, and an InGaP solar cell layer (top cell) 15 is formed thereon.例文帳に追加

先ずGaAs太陽電池層（ボトムセル）１２を形成し、次にp型AlGaAs層１３２に炭素を添加したトンネル接合層１３を形成し、その上にInGaP太陽電池層（トップセル）１５を形成する。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

To provide a unit cell structure for a fuel cell having a high-reliability junction part, and capable of reducing the size and weight of the fuel cell; and a solid oxide type fuel cell using it.例文帳に追加

接合部の信頼性が高く、燃料電池の小型化・軽量化が可能な燃料電池用単セルの構造及びこれを用いた固体酸化物形燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To reduce a junction leak current in a bit line contact of a nonvolatile semiconductor memory, especially a NAND type flash memory, when "1" is set, to reduce power consumption of the chip.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、特にＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、“１”書き込みの際のビット線コンタクト部における接合リークを低減して、チップの低消費電力化を実現する。 - 特許庁

To provide a three-junction type thin-film photoelectric conversion device with high efficiency which has a high haze rate and in which short-circuit current values obtained by respective photoelectric conversion layers are equalized.例文帳に追加

ヘイズ率が高く、各光電変換層で得られる短絡電流値が均等化された、高効率の３接合型薄膜光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a hetero-junction type solar cell capable of increasing short circuit current density of the solar cell and having improved conversion efficiency, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、太陽電池の短絡電流密度を増加させることができ、変換効率を改善したヘテロ接合型太陽電池及びその作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

An electron current suppression layer 125, which has conductivity of p-type, and flows hole current and suppresses electron current, is formed between the hetero-junction layer and the gate electrode.例文帳に追加

ヘテロ接合層とゲート電極との間には、ｐ型の導電性を有し、正孔電流を流し且つ電子電流を抑制する電子電流抑制層１２５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a junction type FET with a structure that has superior off characteristics, a wide range of a gate forward voltage, and a higher reverse breakdown voltage.例文帳に追加

オフ特性が優れ、ゲート順方向電圧の範囲が広く、かつ、逆方向ブレークダウン電圧を高くすることができる構造の接合型ＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the resistance decreases in the N type region of PN junction, the forward voltage (VBEF) decreases and the forward current (If) capacity can be enhanced significantly.例文帳に追加

そのことで、ＰＮ接合のＮ型領域の抵抗値が下がることにより順方向電圧（ＶBEF）が低減し、順方向における電流（Ｉｆ）能力を大幅に向上させることができる。 - 特許庁

The dispersion of the threshold voltage in the depression-type lateral MOSFET decreases by that the depth of the pn junction becomes shallow and besides the concentration of the impurities at the surface of the P well becomes low.例文帳に追加

ｐｎ接合深さが浅くなり、かつＰウェル５の表面の不純物濃度が低くなることで、デプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴにおけるしきい値電圧のばらつきが減少する。 - 特許庁

To suppress a junction leakage and a contact leakage due to a misalignment while restraining the short channel effect, by reducing the dopant concentration of a substrate in a surface channel type PMOSFET.例文帳に追加

表面チャネル型のＰＭＯＳＦＥＴにおいて、基板不純物濃度を低減して、短チャネル効果を抑制しながら、接合リークや合わせずれに対するコンタクトリークを抑制すること。 - 特許庁

A space charge zone 10 is expanded vertically to the region 3 of the second conductivity type, and laterally to an epitaxial layer 2 in a p/n junction 11 as well as to the region 3.例文帳に追加

空間電荷ゾーン１０の拡大は、垂直方向では第２の伝導型の領域３へ行い、横方向では領域３だけでなくエピタクシー層２へもｐｎ接合１１で行う。 - 特許庁

The grooves 35 are formed, so as to correspond to a pitch of compression connection parts of various type of a connection object, i.e., a pitch D of compression connection parts 42 of an electronic unit 25, etc., arranged selectively in an electrical junction box 24.例文帳に追加

また、溝３５を、電気接続箱２１に選択的に配設される各種接続相手の圧接部のピッチ、即ち電子ユニット２５の圧接部４２のピッチＤ等に応じて形成する。 - 特許庁

To reduce a leak current at an emitter/base junction and base resistance in a bipolar transistor which is suited for constructing an integrated circuit along with a CMOS type transistor of an LDD (Lightly Doped Drain) structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＣＭＯＳ型トランジスタと共に集積回路を構成するに好適なバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ−ベース間接合リーク電流及びベース抵抗を低減する。 - 特許庁

A rectifying device having a structure in which a terminal of one side is connected with a gate is attained by determining a channel width to be about zero (so-called 'pinch-off') in a transistor composing a junction-type gate (JFET, SIT, BSIT and, etc.).例文帳に追加

接合型のゲートをもつトランジスタ（ＪＦＥＴ，ＳＩＴ，ＢＳＩＴなど）で、チャネル巾の寸法をゼロ（ピンチオフとよばれる）付近にとることにより、片側−端子とゲートを結合した構造の、整流素子ができる。 - 特許庁

To prevent bonding reliability from decreasing caused by insufficient temperature of a solder junction on a reverse surface when a semiconductor device with a leadless structure is soldered using a noncontact type heating source.例文帳に追加

非接触型の加熱源を用いてリードレス構造の半導体装置をはんだ付けする際に、下面のはんだ接合部の温度不足に起因する接合信頼性の低下を防ぐ。 - 特許庁

In a laser/photodetector structure 50, a VCSEL type light emitting element 520 and a hetero-junction phototransistor 510 as a photodetector joined optically with the light emitting element 520 are provided.例文帳に追加

レーザ・光検出器構造５００は、ＶＣＳＥＬタイプの発光素子５２０及び発光素子に光学的に結合される光検出器となるヘテロ接合フォトトランジスタ５１０とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element of a waveguide type with a high mesa ridge structure, the semiconductor optical element in which an excellent ohmic junction can be obtained and light intensity is prevented from decreasing.例文帳に追加

ハイメサリッジ構造を有する導波路型の半導体光素子において、良好なオーミック接合が得られ、かつ光強度の低下を防止した半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an SQUID element having a step type Josephson junction which allows the cost down of elements and the use of a large-area substrate.例文帳に追加

段差型ジョセフソン接合を有するＳＱＵＩＤ素子について、素子の低価格化が可能であるとともに、大面積の基板を用いることができるＳＱＵＩＤ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a pn-junction compound semiconductor light emitting diode including a p-type boron-phosphide-based semiconductor layer by which an LED with a lower forward voltage is stably provided.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層を備えてなるｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、順方向電圧の低いＬＥＤを安定して提供できる様にする。 - 特許庁

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes.例文帳に追加

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。 - 特許庁

The organic semiconductor layer 14 is composed of bulk hetero junction type layer, in which electron donor and electron acceptor are mixed, and is a layer having bipolar moment and photoelectric conversion function.例文帳に追加

有機半導体層１４は、電子供与体と電子受容体とを混合したバルクへテロ接合型の層からなり、双極子モーメントを有し、光電変換機能を有する層である。 - 特許庁

To contrive to set optimal conditions considering a barrier height of a Schottky metal and practice a device in a vertical-type MOS field-effect transistor comprising a Schottky junction on its reverse face.例文帳に追加

裏面にショットキー接合を備えた縦型ＭＯＳ電界効果トランジスターにおいて、ショットキー金属のバリア高さを考慮した最適条件の設定と、デバイスの実用化を図る。 - 特許庁

To provide the device structure of a p-n junction guard-type Schottky diode, in which the interval between the guard ring and a Schottky barrier can be controlled accurately, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ガード・リングとショットキー・バリヤとの間隔を正確に制御することができるｐ‐ｎ接合ガード型ショットキー・ダイオードのデバイス構造およびそれを製造するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a small-sized overcurrent protective device which can protect electronic equipment in quick response to the overcurrent of positive polarity and negative polarity, using a bidirectional normally ON type of junction field effect transistor.例文帳に追加

双方向ノーマリオン型の接合型電界効果トランジスタを用い正極性及び負極性の過電流に即応して電子機器を保護し得る小型の過電流保護装置を提供する。 - 特許庁

An n+ type contact layer 7 made of GaSb is formed on the electron emission layer 6, and pn junction is formed with the contact layer 7 and the electron emission layer 6.例文帳に追加

電子放出層６の上には、ＧａＳｂからなるｎ^＋型のコンタクト層７が形成されており、このコンタクト層７と電子放出層６とでｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

To provide a separate-type refrigerator having no fear of leakage of cold air at the junction of chillrooms, which are separable from each other and easily connectable to each other.例文帳に追加

セパレート形の冷蔵庫において、互いに分離可能な貯蔵室本体の接続部分からの冷気漏れの恐れがなく、かつ分離部分の接続が容易な冷蔵庫を得ることにある。 - 特許庁

To provide an a-Si solar cell of high conversion efficiency, together with its manufacturing method, which is easily manufactured, related to a multi- junction thin-film solar cell where a plurality of pin-type cells are laminated.例文帳に追加

複数のｐｉｎ型セルを積層した多接合型薄膜太陽電池において、変換効率が高く、しかも製造の容易なa-Si太陽電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A ramp edge type superconducting junction 30 is provided with an upper YBCO 32 and a lower YBCO 33 being high temperature superconductors laminated on an MgO snigle-crystal substrate 31.例文帳に追加

ランプエッジ型の超電導接合３０は、ＭｇＯ単結晶基板３１上に積層された高温超電導体である上部ＹＢＣＯ３２及び下部ＹＢＣＯ３３を有する。 - 特許庁

An MIS junction laminated film is formed of a diode, a spin injection magnetization inversion inducing layer, and a tunneling type magneto-resistive element, and a bit line and a word line are connected to the laminated film.例文帳に追加

ダイオードとスピン注入磁化反転誘起層とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるＭＩＳ接合積層膜を形成し、ビット線とワード線をこの積層膜に接続させる。 - 特許庁

The other kinds of wells 12 and 20 are mutually identical in the conductivity type and different in impurity concentration or junction depth, thereby being different in the type, being separated mutually electrically by one kind of well 5, as well as, being formed at the same surface level.例文帳に追加

他のウエル１２，２０は、互いに導電型が同じで、不純物濃度又は接合深さが異なることによって種類が異なり、１種類のウエル５によって互いに電気的に分離され、かつ同一表面高さに形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor, a p-type semiconductor, a semiconductor bonding element, a pn-junction element, and a photoelectric converter capable of correctly controlling at least one of a forbidden band width and a conductivity type according to the application purpose and capable of being put into practical use.例文帳に追加

禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the magnitude of ON current is assured, while assuring a high breakdown voltage at the junction of a first conductivity-type well region and a second conductivity type softening electric field region without increasing the chip size, and to provide its fabrication method.例文帳に追加

チップサイズを大きくすることなく、第１導電型ウェル領域と第２導電型電界緩和領域との接合での高耐圧を確保しつつ、ＯＮ電流の大きさを確保した半導体装置およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide an AlGaInP light-emitting element of a constitution, wherein the discontinuity of bands due to a hetero junction between an p-type clad layer and a p-type window layer is dissolved, an energy barrier is made low and an operating voltage can be reduced, and an epitaxial wafer for the light- emitting element.例文帳に追加

ｐ型クラッド層とｐ型ウインドウ層との間のヘテロ接合に起因するバンド不連続を解消し、エネルギー障壁を低くして動作電圧を低下できるＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

Since a pn interface is formed not by hetero-junction with different kind semiconductor material like the conventional case but by homojunction with ZnO based semiconductor of the i-type ZnO light emitting layer 2 and the n-type ZnO layer 3, hole injection efficiency is high.例文帳に追加

また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、ｉ型ＺｎＯ発光層２とｎ型ＺｎＯ層３とのＺｎＯ系半導体によるホモ接合でｐｎ界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。 - 特許庁

The p^--type semiconductor layer 33 composes a pn junction on an interface to the n-type semiconductor layer 32, and includes a plurality of multiplication regions AM for performing avalanche multiplication of a carrier generated by incidence of light to be detected corresponding to the light detection channels.例文帳に追加

ｐ^−型半導体層３３は、ｎ型半導体層３２との界面でｐｎ接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域ＡＭを光検出チャンネルに対応して複数有する。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

Then, by the structure, the upper end face α of a depletion layer including a pn junction interface does not reach the interface of the first non p-type layer 104 and a second non p-type layer 105 near respective electrodes S and D for conduction.例文帳に追加

そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。 - 特許庁

To provide an organic thin film solar cell that is capable of forming a photoelectric conversion layer that can operate in the same manner as a bulk hetero junction type and has high performance using a high-mobility P-type organic semiconductor material with an excellent carrier transport property.例文帳に追加

キャリア輸送性に優れる高移動度なＰ型有機半導体材料を用いて、バルクヘテロジャンクション型と同様な動作が可能な光電変換層を形成することができ、高い性能を有する有機薄膜太陽電池を提供する - 特許庁

Before formation of the tunnel junction layer, the active layer 47 is heat-treated at a temperature higher than 600°C and lower than 750°C to form the p-type semiconductor layer 51 and then the p-type semiconductor layer is heat-treated at a temperature higher than 500°C and lower than 600°C.例文帳に追加

この際、トンネル接合層を形成する前に活性層４７を、６００℃より高く７５０℃未満の温度で熱処理し、ｐ型半導体層５１を形成した後にｐ型半導体層を５００℃より高く６００℃未満の温度で熱処理する。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

A memory cell comprises a phase-change thin film 4 which is provided with two stable phases, 'high temperature phase' and 'low temperature phase', at a room temperature, and an np junction comprising a p+ type region 9 and n+ type region 8.例文帳に追加

室温下において「高温相」および「低温相」の２つの安定した相を有する相変化薄膜４と、この相変化薄膜４に直列に接続された、ｐ^+ 型領域９およびｎ^+ 型領域８からなるｎｐ接合とからメモリセルを構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁