「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An extension electrode and a test pad 54 are formed being continuously connected with the gate electrode of the junction type field effect transistor.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタのゲート電極に連続して、拡張電極４３とテストパッド５４を形成する。 - 特許庁

SOLAR BATTERY CELL WITH BYPASS FUNCTION, MULTI-JUNCTION LAMINATING TYPE SOLAR BATTERY CELL WITH BYPASS FUNCTION, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

バイパス機能付太陽電池セルおよびバイパス機能付き多接合積層型太陽電池セルおよびそれらの製造方法 - 特許庁

To prevent peeling and breakage of a gate electrode in a manufacturing process of a Schottky junction gate type field-effect transistor.例文帳に追加

ショットキー接合ゲート型の電界効果トランジスタの製造工程でゲート電極の剥がれや折れを完全に防止する。 - 特許庁

To equally improve resolution by controlling microwave applied to an SNS-type superconducting junction array.例文帳に追加

ＳＮＳ型超伝導接合アレーに照射するマイクロ波を制御して等価的に分解能を向上させるようにすること。 - 特許庁

P-type diffusion regions 44 are formed on the surface of the substrate 21 below the respective circuit elements and serve as junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

To avoid the occurrence of an earth fault and a liquid junction and to save space, in a solid polymer electrolyte type fuel cell.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池において、地絡や液絡が起こることを回避するとともに、省スペース化を図る。 - 特許庁

An inductor is provided in a specified region and a high concentration n+ type diffused layer is formed beneath an isolating oxide film of that specified region, thereby forming a p-n junction with the n+ type diffused layer and a p- type semiconductor substrate.例文帳に追加

インダクターを設けた所定領域の分離酸化膜下に高濃度Ｎ^+形拡散層を形成して、そのＮ^+形拡散層とＰ^-形半導体基板からなるＰＮ接合を設けている。 - 特許庁

In a peripheral high voltage breakdown section, a pn junction section by a p^+-type contact region 22 electrically connected to an emitter electrode 11 and an n^--type layer 1B is formed in a surface section of an n^--type layer 1B.例文帳に追加

外周耐圧部において、ｎ^-型層１Ｂの表層部に、エミッタ電極１１に電気的に接続されたｐ^+型コンタクト領域２２とｎ^-型層１Ｂとによるｐｎ接合部を有する構造とする。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 111a is formed on a surface part of the n-type epitaxial layer 104 being isolated from the p-type silicon substrate 101 and made a top gate of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｐ型シリコン基板１０１から離れて前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＰ型拡散層１１１ａを形成し、接合型電界効果トランジスタ１５１のトップゲートとする。 - 特許庁

The p-n junction diode 20 is constituted of a p-type silicon substrate 21 and a heavily doped region 23, formed by heavily doping n-type impurities on the surface of the p-type silicon substrate 21.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオード２０は、ｐ型シリコン基板２１と、ｐ型シリコン基板２１の表面にｎ型不純物が高濃度にドープされて形成される高濃度不純物領域２３とから構成されている。 - 特許庁

A control electrode 40 of the MOS type field effect transistor includes first conductive type electrode portions 42, 45 and 48, a second conductive type electrode portion 46, and a pn junction 49 between the first conductive type electrode portions and the second conductive type electrode portion.例文帳に追加

ＭＯＳ型電界効果トランジスタの制御電極４０は、第１導電型の電極部４２、４５及び４８と、第２導電型の電極部４６と、第１導電型の電極部及び第２導電型の電極部の間にｐｎ接合４９とを有している。 - 特許庁

A p-type second well 23 and an n-type layer 24 in a stray diffusion layer type output circuit are formed in self-alignment ways to completely deplete the p-type second well 23 around the n-type layer 24 and eliminate the parasitic capacity around the peripheral part of the junction.例文帳に追加

浮遊拡散層型出力回路におけるｐ型第二ウエル２３とｎ型層２４を自己整合で形成することによって、ｐ型第二ウエル２３をｎ型層２４の周辺で完全に空乏化し接合周辺部分の寄生容量をなくした。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the pin structure by electrostatic discharge, the maximum electric field at the pin junction J1 becomes smaller that the maximum electric field at a pn junction consisting of the p-type clad region 15 and the n-type buried layer 33.例文帳に追加

静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 - 特許庁

To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁

A pn junction formation of the n-type layer is diffused from the depth d1 to a depth d2 deeper than the depth d1, and forms a pn junction of a photodiode together with the p-type well in the depth d2.例文帳に追加

Ｎ型層のＰＮ接合形成部分は深さｄ１から当該深さｄ１よりも深いｄ２まで拡散されており、当該ＰＮ接合形成部分は深さｄ２においてＰ型ウェルとともにフォトダイオードのＰＮ接合を形成している。 - 特許庁

A user inputs a character or pattern number, a separation form type, and a junction shape type after designating a node as an object while seeing display on the tree structure display part 11.例文帳に追加

利用者は、この木構造表示部１１の表示を見ながら対象のノードを指定したうえで文字図形番号、分離形式種別、接合形状種別を入力する。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage at the pn junction of a semiconductor device consisting of a semiconductor substrate having a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region.例文帳に追加

ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から成る半導体素子のｐｎ接合部における耐圧性の向上を可能にする。 - 特許庁

To provide an n type buffer layer for hetero junction satisfactory in joint property and stable in characteristics on a light absorbing layer configured of a p type compound semiconductor.例文帳に追加

ｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上に、接合性の良い特性の安定したヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けるようにする。 - 特許庁

After the heat treatment 25 is carried out, the raw material gas and the n-type dopant is supplied to the growth furnace 10, and the n-type concentration semiconductor layer 27 for tunnel junction is grown.例文帳に追加

熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。 - 特許庁

An edge input photodiode 10 is provided with a laminate in which an intrinsic semiconductor 16 is formed between p-n junction layers 14, 15 comprising n-type and p-type semiconductors containing InGaAsP.例文帳に追加

ｎ型およびｐ型のInGaAsPから成る半導体ｐｎ接合層１４、１５間に真性半導体層１６を有する積層体を備える端面受光型フォトダイオード１０。 - 特許庁

In the first layer, p-type semiconductor region, containing p-type impurities, is formed at a position opposed to at least one part of the gate electrode through the hetero-junction surface.例文帳に追加

第１層には、ｐ型の不純物を含むｐ型半導体領域が、へテロ接合面を介してゲート電極の少なくとも一部に対向する位置に形成されている。 - 特許庁

Accordingly, a capacitance value of the pn junction area may become lower than that of the convention method in which the n-type impurity diffusing layer is provided in direct on the surface of the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、Ｎ型不純物拡散層をＰ型半導体基板の表面に直接設けていた従来に比べ、ＰＮ接合部の容量値が小さくなる。 - 特許庁

Oxides 3, 4 forming the oxide pn junction consist of a perovskite-type oxide thin film, and more preferably, the electrode 2 consists of the perovskite-type oxide thin film.例文帳に追加

酸化物ｐｎ接合を形成する酸化物３，４がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極２がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。 - 特許庁

This junction field effect transistor has a vertical type structure and on/off characteristics of a normally off type and uses silicon carbide as a semiconductor material as the main component.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、主成分の半導体材料として炭化珪素を用いている。 - 特許庁

Both control parts for respectively controlling electron currents and hole currents are formed in two main electrodes to control currents in an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer composing super junction.例文帳に追加

二つの主電極の両方に電子とホールの制御部を設け、スーパージャンクションを構成するｎ形半導体層とｐ形半導体層における電流を制御する。 - 特許庁

To a pn junction element which has such a layer that selectively covers a p type region and an n type region and is made of cylindrical carbon molecules, and also to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

ｐ型領域とｎ型領域とを選択的に覆う被覆層を持たない筒状炭素分子からなるｐｎ接合素子、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a multi-stage type parking device which can support a charging junction cable and make it follow the movement of a palette when the palette for mounting an electric vehicle having a charging junction part is moved up and down.例文帳に追加

充電中継部を有する電気自動車搭載用パレットの昇降時に、充電中継ケーブルを支持してパレットの移動に追従させることができる多段式駐車装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multi-chip type semiconductor device which can improve reliability of a junction portion by reducing thermal interaction in a junction process between adjacent semiconductor chips.例文帳に追加

隣接する半導体チップ間での接合工程における熱的な相互作用を低減して接合部の信頼性を高めることができるマルチチップ型の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitance type pressure sensor having sufficient junction strength between substrates, and capable of exhibiting a sufficient sensor characteristic, even when an extraction electrode exists in a junction area between the substrates.例文帳に追加

基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる静電容量型圧力センサを提供すること。 - 特許庁

A P-type diffusion region 44 is formed on a surface of the substrate 21, which is under each circuit element so that the region 44 will play the role of junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

The first probe 26 is a tandem type probe for executing flaw detection of a first composition plane of a junction 18 on the test material 24.例文帳に追加

第１探触子２６は、被検査材２４における接合部１８の第１接合面を探傷するタンデム型の探触子である。 - 特許庁

To provide a block fitting type electrical junction box for preventing block wobbling due to a gap in locking parts between a frame and a block and detecting incomplete fitting of the block.例文帳に追加

フレームとブロックとのロック部相互の隙間に起因するブロックのガタを防ぎ、しかもブロックの不完全嵌合を検知する。 - 特許庁

To provide a heat sink and a junction type heat sink exhibiting an excellent heat radiating property and promoting weight reduction.例文帳に追加

優れた放熱性を示すことができ、かつ軽量化を図ることができるヒートシンク及び接合型ヒートシンクを提供すること。 - 特許庁

The resetting transistor resets the gate area of the junction type field effect transistor to fixed voltage according to voltage received at a gate.例文帳に追加

リセット用トランジスタは、ゲートに受ける電圧に応じて、接合型電界効果トランジスタのゲート領域を一定電圧にリセットする。 - 特許庁

To provide a tunnel junction type magnetoresistive effect element with little degradation of an MR ratio in a region where area resistance RA is ≤1.0 Ωμm^2.例文帳に追加

面積抵抗ＲＡが１．０Ωμｍ^2以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないトンネル型磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

A step voltage of the SNS-type superconducting junction group 43 is generated between a ground 49 and the left side terminal of output terminals 60.例文帳に追加

接地４９と出力端子６０の左側端子間にＳＮＳ型超伝導接合群４３のステップ電圧が発生する。 - 特許庁

The carrier concentration near the pn junction of the low carrier concentration p type InP layer 26 is equal to or less than 5×10^17 cm^-3.例文帳に追加

低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６のｐｎ接合近辺のキャリア濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To provide a laminated type piezoelectric element capable of improving junction strength of an outer electrode to a columnar laminate, and an injection device.例文帳に追加

外部電極の柱状積層体への接合強度を向上できる積層型圧電素子及び噴射装置を提供する。 - 特許庁

Similarly, a microwave-fixing frequency output is applied to the SNS-type superconducting junction group 50 from a microwave input part 42.例文帳に追加

同様に、マイクロ波入力部４２からマイクロ波固定周波数出力をＳＮＳ型超伝導接合群５０に照射する。 - 特許庁

Each of the plurality of regions 15a includes a p-type semiconductor layer 16 formed on the active layer 12 and an n-type semiconductor layer 17 formed on the p-type semiconductor layer 16, and the p-type semiconductor layer 16 and the n-type semiconductor layer 17 mutually constitute a tunnel junction.例文帳に追加

複数の領域１５ａのそれぞれは、活性層１２上に設けられたｐ型半導体層１６と、ｐ型半導体層１６上に設けられたｎ型半導体層１７とを含み、ｐ型半導体層１６及びｎ型半導体層１７が互いにトンネル接合を構成する。 - 特許庁

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加

具体的には、ｎ型導電性ＳｉＣ基板４０２の表面上にｎ^＋型ＡｌＧａＮバッファ層４０４と、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層４０６と、ｎ型ＡｌＧａＮ層４０８と、ｐ型ＩｎＧａＮ層４１０とを順次成長してｐｎ接合ダイオードを作製する。 - 特許庁

A plurality of p-type impurity regions are disposed with equal spacing on the surface of an n-type semiconductor layer, and a first metal layer is provided to form an ohmic contact with the p-type impurity regions on the entire surface and to form a Schottky junction with the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層表面に複数のｐ型不純物領域と等距離で離間して配置し、全面にｐ型不純物領域とオーミック接合を形成し、ｎ型半導体層とショットキー接合を形成する第１金属層を設ける。 - 特許庁

In the protection film 20, a p-type semiconductor layer 21 and an n-type semiconductor layer 22 are laminated in this order from a side of the magnet element assembly 10, and a pn junction is formed between the p-type semiconductor layer 21 and the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

保護膜２０はｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２２とを磁石素体１０の側からこの順に積層しており、ｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２２との間にはｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, when a structure compounding a P-N junction and a Schottky junction is employed by further providing an anode electrode making Schottky connection with the n-type layer 1, such an effect as the voltage can be reduced when the current rises can be attained through Schottky junction.例文帳に追加

さらには、ｎ型層１とショットキー接続されるアノード電極をさらに設けることによって、Ｐ−Ｎ接合とショットキー接合とが複合してなる構造とすることで、ショットキー接合に由来する、電流立ち上がり時の電圧を小さくできるという効果も併せて得ることができる。 - 特許庁