「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 117a becomes a drain of the junction field effect transistor 151, and the n-type diffusion layer 117b becomes the source of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｎ型拡散層１１７ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のドレインとなり、前記Ｎ型拡散層１１７ｂは前記接合型電界効果トランジスタ１５１のソースとなる。 - 特許庁

A tunnel semiconductor region 23 includes a tunnel junction (pn junction) 29 made up of a first conductive type highly doped semiconductor layer 25 and a second conductivity type highly doped semiconductor layer 27.例文帳に追加

トンネル半導体領域２３が、第１導電型高ドープ半導体層２５および第２導電型高ドープ半導体層２７からなるトンネル接合（ｐｎ接合）２９を含む。 - 特許庁

The n-type punch layer 25 and the p^--type semiconductor layer 23 and a p-type well 28 are electrically separated by forming a pn junction.例文帳に追加

ｎ型打抜き層２５とｐ^-型半導体層２３およびｐ型ウエル２８とは、ＰＮ接合が形成されることによって電気的に分離されている。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

To provide a junction type group III nitride transistor configured to be fabricated without regrowing a p-type semiconductor and a low-concentration n-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体および低濃度ｎ型半導体の再成長を行うことなく作製可能な構造を有する接合型III族窒化物トランジスタを提供する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on a substrate 1 composed of n-type silicon (a), and an nip junction is obtained (b).例文帳に追加

ｎ型シリコンからなる基板１上に（ａ）、ｉ型非晶質シリコン層２及びｐ型非晶質シリコン層３を形成してｎｉｐ接合を得る（ｂ）。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁

The n-type regions 105 and the p-type regions 106 extend in the [01-1] direction of the pn junction layer 101.例文帳に追加

ｎ型領域１０５およびｐ型領域１０６は、ｐｎ接合層１０１の[０１−１]の方向に延在している。 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is constituted by alternatively joining a p-type lamellar layer 3 and an n-type lamellar layer 4.例文帳に追加

交互ヘテロ接合５は、ｐ型のラメラ層３とｎ型のラメラ層４とが交互に接合されることにより、構成されている。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laser of a PN junction consists of the p-type base layer 13, the active layer 14 and the n-type base layer 15.例文帳に追加

ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からＰＮ接合型の半導体レーザ部分を構成する。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

To provide a waveguide type semiconductor optical device with which excellent extinction ratio characteristics are obtained and which contains a pin type junction structure.例文帳に追加

良好な消光比特性が得られるｐｉｎ型接合構造を含む導波路型半導体光デバイスを提供する。 - 特許庁

FILM-ELECTRODE JUNCTION, ITS MANUFACTURING METHOD, AND POLYMER ELECTROLYTE TYPE OR DIRECT METHANOL TYPE FUEL CELL USING THE SAME例文帳に追加

膜−電極接合体、その製造方法及びそれを用いた固体高分子電解質型または直接メタノール型燃料電池 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a gate area for receiving this signal electric charge.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタは、この信号電荷を受けるためのゲート領域を有している。 - 特許庁

In a certain embodiment, the n-type layer of a photonic crystal is formed on a tunnel junction.例文帳に追加

或る種の実施形態では、フォトニック結晶のｎ型層は、トンネル接合上に形成されている。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域ＢＧはエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

MEMBRANE-ELECTRODE JUNCTION, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND DIRECT TYPE FUEL CELL USING THE SAME例文帳に追加

膜電極接合体およびその製造方法ならびにそれを用いたダイレクト型燃料電池 - 特許庁

Further, the narrowest section of a channel 14 is made deeper than the half depth of the junction of the p-type gate region 13.例文帳に追加

また、チャネル１４の最狭部をｐ型ゲート領域１３の接合の１／２よりも深くする。 - 特許庁

A Schottky electrode 19 forms a Schottky junction in the first n-type gallium nitride system semiconductor layer 17.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７にショットキ接合を成す。 - 特許庁

CATALYST STRUCTURE AND FILM-ELECTRODE JUNCTION FOR SOLID, POLYMER TYPE FUEL CELL USING THE SAME例文帳に追加

触媒構造体及びそれを用いた固体高分子型燃料電池用膜電極接合体 - 特許庁

The protection diode includes: a p-type semiconductor region; an n-type semiconductor region; and the pn-junction interface on which the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region abut each other, wherein recesses and protrusions of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region are alternatively arranged along the extending direction of the pn-junction interface.例文帳に追加

保護ダイオードは、ｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域が当接するｐｎ接合面とを有し、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域はそれぞれ、ｐｎ接合面の延在方向に沿って凹部と凸部が交互に配置される。 - 特許庁

The tunnel junction includes the second layer of the first conductivity type and the second layer of the second conductivity type, and separates the first layer of the first conductivity type from the third layer of the first conductivity type.例文帳に追加

トンネル接合は、第１伝導型の第２層と、第２伝導型の第２層を含んでおり、第１伝導型の第１層を第１伝導型の第３層から分離している。 - 特許庁

ELECTROLYTE MEMBRANE FOR ALCOHOL TYPE FUEL CELL, MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION FOR ALCOHOL TYPE FUEL CELL, ALCOHOL TYPE FUEL CELL, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTROLYTE MEMBRANE FOR ALCOHOL TYPE FUEL CELL例文帳に追加

アルコール型燃料電池用電解質膜、アルコール型燃料電池用膜電極接合体、アルコール型燃料電池及びアルコール型燃料電池用電解質膜の製造方法 - 特許庁

In a III-nitride light emitting diode (LED), a degenerate junction part 72 is added between an active layer 62 and a substrate 10, the degenerate junction part 72 is composed of an n^+-type layer 56 and a p^+-type layer 58 formed on the n^+-type layer 56.例文帳に追加

III族窒化物発光ダイオード（ＬＥＤ）で、活性層６２と基板１０との間に縮退接合部７２が追加され、その際、縮退接合部７２はｎ^+型層と、ｎ^+型層上に形成されたｐ^+型層５８とから構成される。 - 特許庁

The gate region 3 of a junction type field effect semiconductor element is provided on the inner region 15 of the N type epitaxial layer 10 serving as the source-drain region of the junction type field effect semiconductor element while being surrounded by the internal isolation region 1.例文帳に追加

内部分離領域１で囲まれて接合型電界効果半導体素子のソース／ドレイン領域となるＮ型エピタキシャル層１０の内側領域１５上に接合型電界効果半導体素子のゲート領域３を設ける。 - 特許庁

In addition, the semiconductor laser device is provided with the same double hetero-junction structure, a second p-type clad layer, a p-type contact layer, and a p-side electrode, and the cleavage end face of the double hetero-junction structure has a disordered layer structure.例文帳に追加

または、同様のダブルヘテロ接合構造、第２のｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層と、ｐ側電極を具備し、ダブルへテロ接合構造のへき開端面が、無秩序化された層構造である。 - 特許庁

A hetero-junction element 100 in one embodiment of the present invention is made of an inorganic semiconductor material and consists of a p-type layer 1, an n-type layer 2, and an alternate hetero-junction layer 5.例文帳に追加

本発明の一実施例に係るヘテロ接合素子１００は、無機半導体材料により構成されており、ｐ型層１、ｎ型層２、および交互ヘテロ接合層５により構成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a p-type buried layer 26, and a hetero-junction layer 32 of a nitride semiconductor provided on the p-type buried layer 26 and having a hetero-junction surface 3.例文帳に追加

半導体装置１００は、ｐ型の埋込み層２６と、ｐ型埋込み層２６上に設けられており、ヘテロ接合面３が構成されている窒化物半導体のヘテロ接合層３２を備えている。 - 特許庁

The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁

As a result, since a junction area of a PN junction between the N-type drain regions 4A and 4B and source regions 5A and 5B and P-type base regions 7A and 7B is reduced compared with the conventional art, an output capacitance Coss generated at the PN junction can be reduced.例文帳に追加

その結果、Ｎ型のドレイン領域４Ａ，４Ｂ及びソース領域５Ａ，５ＢとＰ型のベース領域７Ａ，７ＢとのＰＮ接合の接合面積が従来よりも減少するので、当該ＰＮ接合に生じる出力容量Cossの低下を図ることができる。 - 特許庁

To provide a superconducting element, having a junction structure, with which the junction area is reduced by effectively utilizing the advantage of lamp edge type, further, excessive inductance close to a junction is reduced and the crossover of wiring is enabled as well.例文帳に追加

ランプエッジ型の利点を生かして接合面積を小さくし、しかも接合近傍の余分なインダクタンスを小さくするとともに、配線のクロスオーバーも可能な接合構造を有する超電導素子を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film is inserted between the tunnel junction layer and the word line diffusion layer adjacent thereto, and a tunnel junction type transistor is constituted by a part of the trench capacitors, the vertical tunnel junction layers and a part of the word line diffusion layers.例文帳に追加

トンネル接合層とこれに隣接するワード線拡散の間には、ゲート絶縁膜が挿入され、トレンチキャパシタの一部と、縦型トンネル接合層と、ワード線拡散層の一部とで、トンネル接合型トランジスタを構成する。 - 特許庁

To provide a strength evaluation method of a junction type valve seat capable of measuring strength distribution along the whole circumference of the valve seat by measuring local junction strength along the circumference of the junction of a ring-shaped valve seat.例文帳に追加

リング状バルブシートの接合部の円周に沿った局部的な接合強度を測定してバルブシート全周に沿って強度分布を計測可能な接合型バルブシートの強度評価方法を提供する。 - 特許庁

A bypass capacitor C1 is formed by a P-N junction between an N-type well region 2e and a P-type substrate 2, on the side of an analog circuit block 20.例文帳に追加

アナログ回路ブロック２０側では、Ｎウェル領域２ｅとＰ基板２との間のＰＮ接合によりバイパスコンデンサＣ１を形成する。 - 特許庁

Moreover, the n-type regions 105 and the p-type regions 106 are alternately arranged in the [0-1-1] direction of the pn junction layer 101.例文帳に追加

また、ｎ型領域１０５およびｐ型領域１０６は、ｐｎ接合層１０１の[０−１−１］方向に交互に配列している。 - 特許庁

A part of the p-type polycrystalline SiGe is hydrogenated and rendered n-type using this method thus attaining a pn junction conveniently.例文帳に追加

このような手法を用い、ｐ型の多結晶ＳｉＧｅの一部に水素処理を施してｎ型化し、ｐｎ接合を簡便に得る。 - 特許庁

An N-type semiconductor 2 and a P-type semiconductor 3 are laminated on a substrate 1 made of a compound semiconductor to form a P-N junction 4.例文帳に追加

化合物半導体から成る基板１にＮ形半導体２、Ｐ形半導体３を積層してＰＮ接合部４を形成する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 30i of the ip junction 30 covers one end in a second direction of an n-type amorphous silicon layer 20n.例文帳に追加

ｉｐ接合３０のｉ型アモルファスシリコン層３０ｉは、ｎ型アモルファスシリコン層２０ｎの第２方向における一端部を覆う。 - 特許庁

The junction A is constituted by bonding the gate region 16 of a second conductivity type, and the control region 14 of a first conductivity type.例文帳に追加

接合部Ａは、第２導電型のゲート領域１６と第１導電型の制御領域１４との接合により構成される。 - 特許庁

To suppress damages to a flat type soft substrate while preventing a junction part of the flat type soft substrate with an actuator from being peeled off.例文帳に追加

平型柔軟基板とアクチュエータとの接合部が剥離するのを抑制しつつ平型柔軟基板が損傷するのを抑制する。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

A transparent layer 20, an N type layer 14, a P type layer 16, and a P type ohmic layer 22 are formed sequentially on a sapphire substrate 10 thus forming a PN junction light emitting element.例文帳に追加

サファイア基板１０上に順次透明層２０、Ｎ型層１４、Ｐ型層１６、Ｐ型オーミック層２２を形成し、ＰＮ接合型発光素子を形成する。 - 特許庁