「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A microwave synthesizer output is applied to an SNS-type superconducting junction group 43 from a microwave input part 41.例文帳に追加

マイクロ波入力部４１からマイクロ波シンセサイザ出力をＳＮＳ型超伝導接合群４３に照射する。 - 特許庁

INTERCONNECTOR FOR BOTH SIDES JUNCTION TYPE SOLAR CELL, SOLAR CELL USING IT AND ITS CONNECTING METHOD例文帳に追加

両面接合型太陽電池セル用インターコネクタと同インターコネクタを用いた太陽電池セルおよびその接続方法 - 特許庁

The junction field-effect transistor 1 has an n^--type epitaxial layer 3 laminated on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタ１では、半導体基板２上に、ｎ^−型エピタキシャル層３が積層されている。 - 特許庁

a type of nevus (mole) found at the junction (border) between the epidermis (outer) and the dermis (inner) layers of the skin. 例文帳に追加

皮膚の上皮層（外層）と真皮層（内層）の間の接合部（境界）にみられる母斑（ほくろ）の一種。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The section stretching north of the Oguraike tollbooth has four lanes (Type 2 Class 2; design speed 60 km/h), the section from the Oguraike tollbooth to Kumiyama Junction has four lines (Type 1 Class 3; design speed 80 km/h), and the section stretching south of Kumiyama Junction has six lines (Type 1 Class 3; design speed 80 km/h). 例文帳に追加

巨椋池本線料金所以北は4車線（第2種第2級・設計速度60km/h）、巨椋池本線料金所から久御山ジャンクションまでは4車線（第1種第3級・設計速度80km/h）、久御山JCT以南は6車線（第1種第3級・設計速度80km/h）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This anatase/brookite junction type titanium dioxide has an anatase/brookite ratio of 35/65-45/55, and the particle diameter of each of anatase type and brookite type crystals is less than 20 nm.例文帳に追加

アナタース／ブルッカイト比が３５／６５ないし４５／５５であり、アナタース形およびブルッカイト形結晶それぞれの粒子径が２０ｎｍ未満であるアナタース／ブルッカイト接合型二酸化チタン。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, where both of an n-type cladding layer and a p-type one are mainly made of the same kind of mixed crystal, resistance can be reduced, and type I junction with an active layer can be achieved.例文帳に追加

ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。 - 特許庁

In a first region 10A, a pn junction section 14 is composed of an n-type layer 12 and a p-type layer 13, and a p-side electrode 21 is formed on the p-type layer 13.例文帳に追加

第１領域１０Ａは、ｎ型層１２およびｐ型層１３によりｐｎ接合部１４が構成され、ｐ型層１３の上にｐ側電極２１が形成されている。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加

たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

A p-type second semiconductor region 13 forming a p-n junction and an n-type first semiconductor region 14 are formed within an n-type silicon substrate 11.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１１の内部にｐｎ接合を構成するｐ型の第２半導体領域１３と、高不純物密度でｎ型の第１半導体領域１４とが形成される。 - 特許庁

Groove parts 17 surrounding the p^++ type semiconductor regions 12 and deeper than the zener junction by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor region 12 are formed.例文帳に追加

また、平面でｐ^＋＋型半導体領域１２を取り囲み、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２とによるツェナー接合よりも深い溝部１７を形成する。 - 特許庁

To improve the linearity of the oscillation frequency of a crystal type oscillation circuit when adopting the crystal type oscillation circuit about a PN junction type variable-capacitance diode.例文帳に追加

本発明は、ＰＮ接合型可変容量ダイオードに関し、水晶型発振回路に採用したときにその水晶型発振回路の発振周波数の直線性を改善する。 - 特許庁

A photodiode PD1 includes an n^--type semiconductor substrate 1 having a pn junction formed of a semiconductor region of a first conductivity type and a semiconductor region of a second conductivity type.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤ１は、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とで形成されたｐｎ接合を有するｎ^−型半導体基板１を備えている。 - 特許庁

Since a p-type film or an n-type film is formed in the gaps at the time of fitting, a more rigid and electrically stable repetitive pn junction is formed.例文帳に追加

これにより、嵌合時の間隙にｐ形膜或いはｎ形膜が成膜され、より強固な又電気的に安定した繰り返しｐｎ接合が形成される。 - 特許庁

A power transistor device includes a substrate of a first conductivity type, the substrate forming a PN junction with an overlying buffer layer of a second conductivity type.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスは、第１の導電型の基板を含み、当該基板は、上に重なっている第２の導電型のバッファ層とのＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.例文帳に追加

このため、保護ダイオード１におけるｐｎ接合は、上記ｐ＋型拡散領域１６の側面と、上記ｎ＋型拡散領域４ａとで構成される。 - 特許庁

Upper surface layouts of an n-type region 2 and a p-type region 3 constituting a super junction structure are varied in a cell region and an outer peripheral region.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を構成するｎ型領域２およびｐ型領域３の上面レイアウトをセル領域と外周領域とで異ならせる。 - 特許庁

As a result, a pn junction is formed at the interface between the p-type epitaxial layer PEpi2 and the n-type silicon substrate NSub so as to form a capacitor C1.例文帳に追加

これにより、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２とＮ型シリコン基板ＮＳｕｂとの界面にｐｎ接合が形成され、キャパシタＣ１が形成される。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7 constitute a pn junction mutually in a periphery of the active layer 5.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において互いにｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

Then, the former is made into a p-type conversion material, and the latter is made into an n-type conversion material, and they are subjected to p-n junction, so as to compose a thermoelectric element.例文帳に追加

そして前者はｐ型の変換材料、後者はｎ型の変換材料となり、これらをｐ−ｎ接合し、熱電変換素子が構成される。 - 特許庁

This manufacturing method of polycrystalline or microstalline TFTs is achieved by doping a certain part of a channel n-type and a certain part of a channel p-type, whereby a p-n junction is formed within a channel.例文帳に追加

これは、ｎ型のある部分およびｐ型のある部分をドーピングすることにより達成され、それによりｐ-ｎ接合をチャネル内に形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 11 is formed on one side of pn junction, and an n-type semiconductor region 12 is formed on the other side.例文帳に追加

ｐｎ接合の一方の側にはｐ型半導体領域１１が形成されており、他方の側にはｎ型半導体領域１２が形成されている。 - 特許庁

To provide an ion exchange membrane and a membrane/electrode junction body suitable for a direct methanol type fuel cell, and to provide the direct methanol type fuel cell having excellent performance.例文帳に追加

ダイレクトメタノール形燃料電池に適したイオン交換膜及び膜／電極接合体、及び性能の優れるダイレクトメタノール形燃料電池の提供。 - 特許庁

The p-type dopant diffused region becomes a p-type semiconductor layer 3, and this forms a p-n junction 17 between the two layers 4 and 3.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントが拡散された領域がｐ型半導体層３とされ、ｎ型半導体層４との間でｐ−ｎ接合部１７が形成される。 - 特許庁

The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor.例文帳に追加

第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a super-junction region having n type pillar regions 2 and ptype pillar regions 3 alternately provided on an n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１上にｎ型ピラー領域２とｐ型ピラー領域３とを交互に設けてなるスーパージャンクション領域を備える。 - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

The anode electrode 5 and the p-type anode region 3 are in ohmic contact with each other, while the anode electrode 5 and the n-type drift layer 2 form a Schottky junction 6.例文帳に追加

このアノード電極５とｐアノード領域３とはオーミック接触しており、アノード電極５とｎドリフト層２とはショットキー接合６が形成される。 - 特許庁

A voltage is applied to a p-n junction of a surface light emission type semiconductor element by a modulation circuit installed in a surface light emission type semiconductor element and modulated.例文帳に追加

面発光型半導体素子に設置した変調回路により面発光型半導体素子のｐｎ接合に電圧を印加し変調する。 - 特許庁

The main reflector, like a traditional optical dual reflector system, is adapted for control, using a multiplex reflector/feed pair having a junction-type structure and multiplex reflector/feed pair having a non-junction-type structure.例文帳に追加

主要反射器は、接合型構造を有する多重化複反射器／フィード対、及び、非接合型構造を有する多重化複反射器／フィード対を使った制御のために適合されている（例えば、伝統的な光学デュアル反射器システム）。 - 特許庁

As a result, the tip section 5a of the male type member 5 is accommodated in the cavity section 4 of the female type member 3, a joint 6 of a segment 1 is formed, and at the same time on junction surface 1a is joined to the other junction surface 1b.例文帳に追加

これにより、オス型部材５の先端部５ａがメス型部材３の空洞部４に格納されて、セグメント１の継手６が形成されるとともに、一方の接合面１ａと他方の接合面１ｂは、面どうしで接合される。 - 特許庁

An electronic circuit apparatus is obtained by connecting an element having a capacitance equal to or a little smaller than the gate capacitance of a junction FET, with a gate of a normally-off type silicon carbide junction FET 1.例文帳に追加

本願発明は、ノーマリオフ型の炭化珪素接合ＦＥＴのゲートに、接合ＦＥＴのゲート容量と同等か少し小さな容量を持つ素子を接続したものである。 - 特許庁

To provide a vertically attached type electrical junction box having a new structure capable of efficiently preventing an electrical junction box body from being wet with water coming from a vehicle panel.例文帳に追加

車両パネルを伝ってくる水による電気接続箱本体の被水が効果的に防止され得る、新規な構造の縦装着タイプの電気接続箱を提供することを、目的とする。 - 特許庁

A separate implantation step is done in a zone surrounding the high voltage p++/n- well junction, in order to acquire a p- type implant region adjacent to the junction.例文帳に追加

接合部周辺のｐ^−タイプのインプラント領域を得るために、別の注入ステップが、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を取り囲んでいるゾーンにおいて行われることを特徴とする。 - 特許庁

A P-N junction, between a deep N well 114 and a P type silicon substrate 126, is responsive to red light and the P-N junction between the deep N well and a P well 116 is responsive to the red light.例文帳に追加

深いＮウェル１１４とＰ型シリコン基板１２６の間のＰＮ接合が赤色光に反応し、深いＮウェルとＰウェル１１６の間のＰＮ接合が赤色光に反応する。 - 特許庁

In a transistor part 10a, a junction capacity of a p-n junction between a p-type base layer 4 and the emitter layer 51 is limited to a low level, to prevent a decrease in high-frequency characteristics.例文帳に追加

トランジスタ部１０ａでは、ｐ型ベース層４とエミッタ層５１との間に形成されるｐｎ接合の接合容量は低く抑られ、高周波特性の劣化が防止される。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

When incorporating a Schottky junction into a MOSFET, the Schottky junction is positioned at a place distant from a p-body region 6 and a gate electrode 10 of the MOSFET so that the ends of the Schottky junction are surrounded by p-type shallow junctions.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６とゲート電極１０と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をｐ型の浅い接合によって囲まれるようにする。 - 特許庁

A capacity element 15 is formed with an independent n-type area 16 in the silicon substrate 11, pn junction is formed of the n-type area 16 and the p-type silicon substrate 11, and a depletion layer capacity C12 of an independent depletion layer 17 formed at the joint of the pn junction is used.例文帳に追加

その容量素子１５は、シリコン基板１１内に独立のｎ型領域１６を設け、このｎ型領域１６とｐ型のシリコン基板１１とでｐｎ接合を形成し、そのｐｎ接合の接合部に形成される独立の空乏層１７の空乏層容量Ｃ１２を利用するようにした。 - 特許庁

To provide a calibration method of a current detection type thermocouple or the like permitting easy and accurate temperature calibration and correction, even if a hot-junction or a cold-junction is formed on a cantilever or a diaphragm, and to provide a relevant current detection type thermocouple, a thermal-type infrared sensor, and an infrared detector.例文帳に追加

カンチレバやダイアフラム上に温接点や冷接点が形成されても、容易に精密な温度校正や補正ができるような電流検出型熱電対等の校正方法、関連する電流検出型熱電対と熱型赤外線センサ及び赤外線検出装置を提供する。 - 特許庁

By introducing P-type impurities into an N-type impurity concentration distribution for forming a super staircase PN junction, to balance out, a semiconductor layer in which the impurity concentration distribution in the PN junction part is made gentle compared with the impurity concentration distribution in which the super staircase PN junction is formed.例文帳に追加

超階段型ＰＮ接合を形成するためのＮ型不純物濃度分布に、Ｐ型不純物を導入して相殺させることにより、超階段型ＰＮ接合を形成する不純物濃度分布に比べて、ＰＮ接合部における不純物濃度分布をなだらかにした半導体層を設ける。 - 特許庁

LOW TEMPERATURE TYPE FUEL CELL, MEMBRANE-ELECTRODE JUNCTION USED THEREIN, MATERIAL FOR SOLID POLYMER MEMBRANE AND POLYMERELECTROLYTE SOLUTION例文帳に追加

低温型燃料電池とそれに用いる膜・電極接合体、固体高分子膜材料及び高分子電解質溶液 - 特許庁

This material can be used, for instance, for cooling a membrane electrode junction of a direct methanol type fuel cell.例文帳に追加

この多孔質放熱部材は、例えば直接メタノール型燃料電池の、膜電極接合体の冷却に使用できる。 - 特許庁

A p-side electrode 41 and a first conductive junction layer 42 are formed in sequence over the entire surface of the p-type layer 22 (Fig.1(e)).例文帳に追加

ｐ型層２２の全面に、ｐ側電極４１、第１の導電性接合層４２を順次形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁