「junction- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type diffusion layer forms n-type diffusion layers 19, 40, and the pn junction region.例文帳に追加

一方、Ｐ型の拡散層は、Ｎ型の拡散層１９、４０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁

A PN junction is implemented at the contact portion between the P-type semiconductor film and the interconnector (N-type semiconductor).例文帳に追加

Ｐ型半導体膜とインターコネクタ（Ｎ型半導体）との接合部において、「ＰＮ接合」が実現される。 - 特許庁

Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁

The n-type region 11 and the p-type region 12 form a vertical type junction J1 adjacent in a depth direction.例文帳に追加

これらＮ型領域１１及びＰ型領域１２は、深さ方向で隣接する縦型接合部Ｊ１を形成している。 - 特許庁

On this p-type spacer layer, a first tunnel junction structure 18 and a second tunnel junction structure 19 isolated from the first tunnel junction structure are provided.例文帳に追加

このｐ型スペーサ層上には、第１のトンネル接合構造１８と、第１のトンネル接合構造から離間した第２のトンネル接合構造１９が設けられている。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE READ-IN HEAD, ITS MANUFACTURING METHOD AND MAGNETIC FIELD DETECTING DEVICE例文帳に追加

磁気トンネル接合型読み取りヘッド、その製造方法および磁場検出装置 - 特許庁

SEGMENT CONDUCTOR JUNCTION TYPE ARMATURE COIL OF ROTATING ELECTRIC MACHINE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

回転電機のセグメント導体接合型電機子コイル及びその製造方法 - 特許庁

JUNCTION-TYPE BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法、半導体集積回路装置 - 特許庁

FABRICATION OF DRIFT TYPE SILICON RADIATION DETECTOR HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ＰＮ接合部分を有するドリフト型シリコン放射線検出器の製造方法 - 特許庁

pn JUNCTION TYPE BORON PHOSPHIDE GROUP SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

To improve a performance index Q of a super abrupt junction-type varactor.例文帳に追加

超階段接合型可変容量ダイオードの性能指数Ｑを向上させる。 - 特許庁

To provide a junction type semiconductor device of a device structure capable of realizing a high-performance junction type device having a normally-off characteristic required for automobile motor control, and a method of manufacturing the junction type semiconductor device.例文帳に追加

自動車のモータ制御用などで求められるノーマリオフ特性を有する高性能の接合型デバイスを容易な製造工程で実現できるデバイス構造の接合型半導体装置および接合型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration of an electrical insulation property of a PN junction part caused by impingement of light on the PN junction part, in a photoconductive type imaging device using a field emission type negative electrode having a PN junction part.例文帳に追加

ＰＮ接合部を有する電界放出型陰極を用いた光導電型撮像装置において、ＰＮ接合部に光が当たることによってＰＮ接合部の電気的絶縁性が劣化するのを防止する。 - 特許庁

The p-type embedded diffusion layer forms n-type embedded diffusion layers 7, 30, and a pn junction region.例文帳に追加

そして、Ｐ型の埋込拡散層は、Ｎ型の埋込拡散層７、３０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁

In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル層３上に、ｎ型エピタキシャル層４とゲート領域５とが順に形成されている。 - 特許庁

A P-N junction element concerning the present invention is provided with a P-type organic composite layer and an N-type organic composite layer.例文帳に追加

本発明に係るＰ−Ｎ結合素子は、Ｐ型有機複合層と、Ｎ型有機複合層と、を備える。 - 特許庁

Between the n^--type semiconductor layer 4 and the p-type semiconductor layer 5, a pn junction plane 7 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体層４とｐ型半導体層５との間にはｐｎ接合面７が形成されている。 - 特許庁

JUNCTION TYPE ELECTRONIC COMPONENT AND INTEGRATED ELECTRIC POWER EQUIPMENT COMPRISING ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

接合型電子部品および前記電子部品を含む集積された電力装置 - 特許庁

An NPN-transistor and a junction type field effect transistor are formed on the island region 25.例文帳に追加

島領域２５にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

JFET (JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR) AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING SAME例文帳に追加

ＪＦＥＴ（接合型電界効果トランジスタ）、及びこれを用いた固体撮像装置 - 特許庁

MEMBRANE-ELECTRODE JUNCTION FOR SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用膜・電極接合体及びその製造方法 - 特許庁

JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS例文帳に追加

接合形電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに固体撮像装置 - 特許庁

There are formed, in the island region 25, a NPN transistor, and a junction- type field effect transistor.例文帳に追加

島領域２５にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

A p-type heat-conducting element 1 and an n-type heat-conducting element 2 are bonded by PN junction to the substrates 4-7 to be subjected to PN junction through the electrodes 8-11.例文帳に追加

これらの基板の内でＰＮ接合をすべき基板４〜７に、電極８〜１１を介してＰ型及びＮ型の熱電導体１及び２をＰＮ接合する。 - 特許庁

An annular gate electrode 6 is provided above pn-junction portions 22 between the side surfaces of the p-type body region 4 and the n-type drift region 3 along the pn-junction portions 22.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域４の側面とｎ型ドリフト領域３とのｐｎ接合部２２の上方に、そのｐｎ接合部２２に沿って、環状のゲート電極６が設けられる。 - 特許庁

The silicide layer 7 and the low-concentration n-type SOI layer 12 form a Schottky junction.例文帳に追加

シリサイド層７と低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２はショットキー接合を形成する。 - 特許庁

PN JUNCTION-TYPE HETEROSTRUCTURE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子及びその形成方法 - 特許庁

The n-type well region 19 has a lower impurity concentration and a deeper junction depth than the n-type drain region 15, and the n-type low concentration impurity region 17 has a lower impurity concentration and a deeper junction depth than the n-type drain region 7, and has a higher impurity concentration and a shallower junction depth than the n-type well region 19.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域１９はＮ型ドレイン領域１５に比べて不純物濃度が低く接合深さが深く、Ｎ型低濃度不純物領域１７はＮ型ドレイン領域７に比べて不純物濃度が低く接合深さが深く、かつＮ型ウェル領域１９に比べて不純物濃度が高く接合深さが浅い。 - 特許庁

To provide a junction type actuator having a displacement characteristic comparable with a stacked actuator by making use of manufacturing advantage of the junction.例文帳に追加

接合型の製造上の利点を生かしながら、積層型に比肩できる変位特性を有する接合型アクチュエータを提供する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction type head is provided with a detection surface for detecting data, a magnetic tunnel junction film 14 and a flux guide 10 extended to the detection surface from the magnetic tunnel junction film 14.例文帳に追加

磁気トンネル接合型ヘッドは、データを検出する検出面と、磁気トンネル接合膜１４と、磁気トンネル接合膜１４から検出面まで延出するフラックスガイド１０とを備えている。 - 特許庁

The width in the second direction perpendicular to the first direction of the P-type junction portion is narrower than the width in the second direction of the P-type contact portion, and the width in the second direction of the N-type junction portion is narrower than that of the N-type contact portion.例文帳に追加

Ｐ型接合部の第１方向に直交する第２方向の幅は、Ｐ型コンタクト部の第２方向の幅よりも狭く、Ｎ型接合部の第２方向の幅は、Ｎ型コンタクト部の第２方向の幅よりも狭い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a rear-side junction type solar cell, including simplified steps.例文帳に追加

簡略化した工程からなる裏面接合型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the durability of a membrane-electrode junction in a solid polymer type fuel cell.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池の膜電極接合体の耐久性を向上させる。 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND WHITE LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、その製造方法、白色発光ダイオード - 特許庁

To provide a back-junction type solar cell capable of enhancing solar cell characteristics.例文帳に追加

太陽電池特性の向上を可能とする裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide an electrical junction box which can prevent erroneous insertion of a multi-pole type fuse.例文帳に追加

多極型ヒューズの誤挿入を防止することができる電気接続箱を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHODS OF P TYPE Ga2O3 FILM AND PN JUNCTION Ga2O3 FILM例文帳に追加

ｐ型Ｇａ２Ｏ３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ２Ｏ３膜の製造方法 - 特許庁

A plurality of right hexagonal P+ type semiconductor regions are provided in a Schottky junction region.例文帳に追加

ショットキー接合領域に、正六角形状のＰ＋型半導体領域を複数設ける。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR, p-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR BONDING ELEMENT, pn-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERTER例文帳に追加

半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

The junction of the P-type drain 7a to the adjacent N-type source 5b thereto is kept reverse biased at all times, to separate the P-type drain 7a and the N-type source 5b from each other.例文帳に追加

隣り合うＰ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂの接合を常に逆バイアスを保つことにより、Ｐ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂを分離する。 - 特許庁

Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁

The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.例文帳に追加

埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device incorporating a p-channel junction type FET and a protective element that can be formed by the same process and includes a pn junction, while forming a junction type FET by a simple manufacture process.例文帳に追加

接合型ＦＥＴを簡単な製造工程で形成しながら、そのｐチャネル接合型ＦＥＴと同じ工程で形成することができｐｎ接合を含む保護素子とを内蔵する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁