「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic detecting element capable of firmly fixing magnetization in a fixed magnetic layer with a structure that a CIP type magnetic detecting element cannot achieve especially by the uniaxial anisotropy of the fixed magnetic layer itself for a CPP type magnetic detecting element.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気検出素子において、特に固定磁性層自体の一軸異方性によって固定磁性層の磁化をＣＩＰ型磁気検出素子では成し得なかった構造で強固に固定できる磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

An oxide thermoelectric conversion material is manufactured which comprises an A2B2O5 compound (A is alkali earth metal element, B is transition metal element and/or rare earth element, and O is oxygen) having a structure where an A2BO3 insulating layer and a BO2 conductive layer are alternately laminated.例文帳に追加

Ａ_2ＢＯ_3絶縁層およびＢＯ_2導電層が交互に積層された構造を有するＡ_2Ｂ_2Ｏ_5化合物（Ａはアルカリ土類金属元素、Ｂは遷移金属元素および／または希土類元素、Ｏは酸素）から構成された酸化物熱電変換材料を製造する。 - 特許庁

In the EL device 100, a light-emitting element forming base board 18 is formed, in such a way that a first electrode 12 is formed on a base board 10, a light-emitting element layer 16 is formed on the first electrode 12, and a second electrode 14 is formed on the light-emitting element layer 16.例文帳に追加

ＥＬデバイス１００において、発光素子形成基板１８は、基板１０に第１電極１２が形成され、第１電極１２の上に発光素子層１６が形成され、更に発光素子層１６の上に第２電極１４が形成されて成る。 - 特許庁

In this semiconductor element, a compound semiconductor layer containing nitride based compound semiconductor composed of at least one element selected out of at least Al, Ga and In, and nitrogen element is formed as a window layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、少なくともＡｌ，Ｇａ及びＩｎから選択される１以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子である。 - 特許庁

The method comprises a lens element forming process of forming an oxidization layer 104 on a supporting layer 102 and forming the lens element 120 on the top face of a silicone oxide, a coating process of coating the side face of the lens element with soldering metal, and a process of removing the silicon oxide and isolating the lens element.例文帳に追加

支持層１０２上に酸化層１０４を形成し，シリコン酸化膜の上面にレンズ素子１２０を形成するレンズ素子形成工程と，レンズ素子の側面にはんだ接続用金属のコーティングを施すコーティング工程と，シリコン酸化膜を除去してレンズ素子を単離する単離工程とを含む。 - 特許庁

An organic EL display device 10 includes an organic EL element 20 having a substrate 21 for organic EL element and an organic EL layer 22 provided in a plane 21a of one side of the substrate 21 for organic EL element, and a substrate 31 for color filter located in an observation side while being provided in the organic EL layer 22 side of the organic EL element 20.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子用基板２１と、有機ＥＬ素子用基板２１の一側の面２１ａに設けられた有機ＥＬ層２２とを有する有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０の有機ＥＬ層２２側に設けられ、観察側に位置するカラーフィルタ用基板３１とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element and an integrated type semiconductor optical element which suppress a reactive current flowing in a buried layer and obtains a high-speed response characteristic in the semiconductor optical element and the integrated type semiconductor optical element each of which has a buried layer at the side of a mesa stripe shape laminated body.例文帳に追加

メサストライプ形状の積層体の側部に埋込層を有する半導体光素子および集積型半導体光素子において、埋込層を流れる無効電流を抑制するとともに、高速応答特性を実現することができる半導体光素子および集積型半導体光素子を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell includes: a sputtering process for sputtering a target including a group Ib element and a target including a group IIIb element in an atmosphere including Se, and forming a layer including the group Ib element, group IIIb element, and Se on a substrate; and a heat-treatment process for heating the layer.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 - 特許庁

The resistance value of each of the high resistance element and the low resistance element can be set to a desired value by adjusting the resistivity of the thin film resistance layer, and the length and the width of the thin film resistance layer in the case of a high resistance element, and an effective plane area in the case of a low resistance element.例文帳に追加

高抵抗素子と低抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、薄膜抵抗層の比抵抗と、高抵抗素子の場合は薄膜抵抗層の長さと幅とを調整することにより、低抵抗素子の場合は実効的な平面積を調整することにより、所望の値に設定することができる。 - 特許庁

The display device comprises: an organic EL element; a protective layer which contacts with the organic EL element and protects the organic EL element; and a condenser lens which contacts with the protective layer and is disposed on the light emission side of the organic EL element, wherein the condenser lens is so constituted that a front face inclination angle θ_S satisfies a specific formula.例文帳に追加

有機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子に接して、有機ＥＬ素子を保護する保護層と、前記保護層に接して、有機ＥＬ素子の光出射側に配置される集光レンズを備える表示装置で、表面の傾斜角度θ_Ｓがある特定の式を満たすように前記集光レンズが構成されている。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 - 特許庁

The piezoelectric element of the present invention includes a substrate having a pair of opposed main surfaces, a lower electrode layer disposed on one main surface of the substrate, a piezoelectric layer disposed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer disposed on the piezoelectric layer, the lower electrode layer being made of nickel acid lanthanum-based ceramics.例文帳に追加

本発明の圧電体素子は、一対の対向する主面を有する基板と、その基板の一方の主面上に配置した下部電極層と、その下部電極層上に配置した圧電体層と、その圧電体層上に配置した上部電極層とを有しており、下部電極層はニッケル酸ランタン系セラミックスからなる。 - 特許庁

A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for compound semiconductor element including the InGaAs non-alloy layer as a contact layer with an electrode on the uppermost layer, an n-type InGaAs non-alloy layer 12 or 28 is provided as the contact layer of the uppermost layer in which C is added as the dopant and In composition is larger than 50%.例文帳に追加

最上層に電極とのコンタクト層としてＩｎＧａＡｓノンアロイ層を有する化合物半導体素子用のエピタキシャルウェハにおいて、上記最上層のコンタクト層として、ドーパントとしてＣが添加され、且つＩｎ組成が５０％より大きいｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層１２又は２８を具備する構成とする。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element using the nitride system group III-V compound semiconductor having a structure in which an active layer having one or a plurality of well layers are sandwiched between a p-type clad layer and an n-type clad layer, the composition of at least one of the well layer of the active layer is modulated in a direction perpendicular to this well layer.例文帳に追加

ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との間に一つまたは複数の井戸層を有する活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層の少なくとも一つの井戸層の組成をこの井戸層に垂直な方向に変調する。 - 特許庁

The light enhancement element is composed of a substrate, a high reflection layer formed on the substrate, a dielectric layer formed on the high reflection layer, and an enhanced electromagnetic field formation layer including multiple metallic fine particles formed on the dielectric layer, in which the thickness of the dielectric layer is 50 nm and more.例文帳に追加

この光増強素子は、基板と、この基板上に形成された高反射層と、この高反射層上に形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成された、多数の金属微粒子による増強電磁場形成層とよりなり、誘電体層の厚みが５０ｎｍ以上とされている。 - 特許庁

The light guide structure of the solar cell includes a light receiving layer 210 for receiving an incident sunlight, an irregular reflecting layer 230 for irregularly reflecting the sunlight incident from the light receiving layer 210 as an irregularly reflected light; and a light guide layer 220 interposed between the light receiving layer 210 and the irregular reflecting layer 230 and guiding the irregularly reflected light to a solar cell element.例文帳に追加

太陽光が入射される受光層210と、受光層210から入射された太陽光を乱反射光として乱反射させる乱反射層230と、受光層210と乱反射層230との間に介在されて、乱反射光を太陽電池素子に導光する導光層220とを備える太陽電池の導光構造である。 - 特許庁

The manufacturing method provides for a magnetoresistance effect element which includes a first magnetic layer containing a ferromagnetic material, a second magnetic layer containing a ferromagnetic material, and an intermediate layer 16 provided between the first and second magnetic layers and including an insulating layer 161 and a conductive layer 162 penetrating through the insulating layer.例文帳に追加

強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes a second layer laminated on the first layer, and having two substrates and a liquid crystal layer formed between the two substrates, wherein a part of a substrate facing to the first layer between the two substrates is stuck to a substrate of the first layer, to be thereby laminated on the first layer.例文帳に追加

また、液晶表示素子は、第一の層に積層された層であって、二つの基板と、二つの基板間に形成された液晶層とを有し、二つの基板のうち第一の層に対向する基板の一部が第一の層の基板と接着されることで、第一の層に積層された第二の層を有する。 - 特許庁

As for the display, a pixel 1 containing an organic light-emitting element 10 in which a first electrode layer, an organic layer including a luminous layer, and a second electrode layer are laminated in order is formed in a pixel region 17R demarcated by an auxiliary wiring layer 17 connected to the second electrode layer.例文帳に追加

この表示装置は、基体上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が順に積層されてなる有機発光素子１０を含む画素１が、第２電極層と接続された補助配線層１７によって区画された画素領域１７Ｒに形成されたものである。 - 特許庁

In a nitride semiconductor laser element, including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, a superlattice layer is formed at an almost touching point to at least one side of the n-type active layer and the p-type semiconductor layer sides.例文帳に追加

上記目的を達成するため、本発明のレーザ素子は、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、超格子層が前記活性層のｎ型またはｐ型半導体層側の少なくとも一方にほぼ接して形成されることを特徴とする。 - 特許庁

The light emitting element array has a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer formed in order on a semi-insulating substrate, and also has an anode electrode formed on the first semiconductor layer and a cathode electrode 30 formed on the fourth semiconductor layer 28.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the shielding type MR element provided with a magnetoresistive film comprising a free layer/a non-magnetic layer (barrier layer)/a fixed layer, after a vertical layer is formed on a lower electrode to be patterned and the magnetoresistive film is layered thereon to be patterned, an insulating layer is formed in the periphery of the magnetoresistive film pattern.例文帳に追加

フリー層／非磁性層（バリア層）／固定層を含む磁気抵抗効果膜を備えたシールド型ＭＲ素子の製造方法において、下電極上に縦バイアス層を形成してパターン化すると共に、磁気抵抗効果膜を積層してパターン化した後、磁気抵抗効果膜パターンの周囲に絶縁層を形成する。 - 特許庁

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a nitride semiconductor layer (a buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 6) formed on the front surface of a ZrB_2 substrate 1, and a protective film 9 made of a tungsten formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、ＺｒＢ_2基板１の表面上に形成された窒化物系半導体層（バッファ層２、ｎ型クラッド層３、発光層４、ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６）と、ＺｒＢ_2基板１の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜９とを備えている。 - 特許庁

Part of a conductive layer 7 constituting the electrodes to be connected to the MR element 9 is arranged into a groove 5, formed between the lower shielding layer 3, and the first portion 4a of the upper shielding layer is arranged in a state in which this part is insulated from the lower shielding layer 3 and the first portion 4a of the upper shielding layer by the insulating layer.例文帳に追加

下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａの間に形成された溝５内に、ＭＲ素子９に接続される電極を構成する導電層７の一部が、絶縁膜によって、下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

This method of manufacturing an organic LED element having an anode, a hole carrier layer, the luminous layer and a cathode laminated in sequence on a substrate comprises a step of transferring a layer to be transferred, previously having the luminous layer, onto the hole carrier layer, the hole carrier layer having such a melting point that it is softened by heat during transfer.例文帳に追加

基板上に陽極、ホール輸送層、発光層、陰極を順次積層してなる有機ＬＥＤ素子の製造方法において、発光層を予め備えてなる被転写層を、ホール輸送層上に転写する工程を備え、前記ホール輸送層は転写時の熱によって軟化するような融点を有する。 - 特許庁

In an element manufactured in a third crystal growing stage, a dopant is diffused from the p-type cap layer 109 to the p-side clad layer 105, resulting in a clad layer 114 forming a part of the p-side clad layer 105 directly under a mesa clad layer 107 is a p-type one and the clad layer 105 locating around it forms an undoped structure.例文帳に追加

３回の結晶成長により作製された素子は、ｐ型キャップ層１０９からのドーパントの拡散により、ｐ側のクラッド層１０５において、メサ部クラッド層１０７の直下に位置するクラッド層１０５の一部であるクラッド層１１４がｐ型で、その周辺に位置するクラッド層１０５がアンドープの構造となる。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

A nitride light-emitting element comprises: an active layer constituted of a group III nitride semiconductor, a functional layer provided higher than the active layer and including a current constriction or light distribution control function, and an absorption layer provided higher than the functional layer for absorbing light generated in the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物系発光素子は、III族窒化物半導体からなる活性層と、上記活性層よりも上層に設けられ、電流狭窄もしくは光分布制御の機能を有する機能層と、上記機能層よりも上層に設けられ、上記活性層で発生する光を吸収する吸収層と、を備えている。 - 特許庁

The storage element having magnetization perpendicular to a film surface comprises a storage layer 17 with a magnetization direction varying corresponding to information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film face, which serves as reference of information stored in the storage layer 17 and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

The second light-emitting region A2 includes: a second semiconductor base layer 142, which is disposed above the first semiconductor base layer 141 and is formed from a semiconductor having the same constituent elements as the first semiconductor base layer 141 and having the different element composition ratio from the first semiconductor base layer 141; and a second semiconductor light-emitting layer 152 stacked on the second semiconductor base layer 142.例文帳に追加

第２発光領域Ａ２では、第１半導体下地層１４１の上に配置された第１半導体下地層１４１と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第２半導体下地層１４２と、その上に積層された第２半導体発光層１５２とが設けられている。 - 特許庁

Part of a conductive layer 57 constituting an electrode connected to an MR element is arranged into the groove formed between the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer in the state of insulating the layer from the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer with an insulated film 56.例文帳に追加

下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

The storage element comprises a storage layer 17 having magnetization perpendicular to a film surface with a magnetization direction varying corresponding to information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film face, which serves as reference of information stored in the storage layer 17, and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

The organic EL element has a transparent conductive film lamination layer that includes a substrate, an underlying layer installed on the substrate and consisting of metal other than silver, and a silver thin film layer consisting of silver or a silver alloy installed on the underlying layer, in which a film thickness of the underlying layer is thinner than that of the silver thin film layer.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、基板、該基板上に設けられた銀以外の金属からなる下地層と、該下地層上に設けられた銀または銀合金からなる銀薄膜層を含み、下地層の膜厚が銀薄膜層の膜厚よりも薄い透明導電膜積層体を有することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises an SQW emission layer (active layer) 1 having a quantum well structure including a well layer 1a and a barrier layer 1b wherein the band gap energy of the well layer 1a is varied asymmetrically to the center of the well layer 1a in the thickness direction so that inclination of band due to a piezoelectric field is suppressed.例文帳に追加

この半導体発光素子は、井戸層１ａと障壁層１ｂとを含む量子井戸構造を有するＳＱＷ発光層（活性層）１を備え、井戸層１ａのバンドギャップエネルギは、ピエゾ電界によるバンドの傾きを抑制するように、井戸層１ａの厚み方向の中心に対して非対称に変化されている。 - 特許庁

The storage element includes a memory layer 17 having magnetization which is perpendicular to the film surface and the orientation of which changes in response to the information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film surface which becomes the reference of information stored in the memory layer, and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。 - 特許庁

This composite element is composed of the outer layer (i) which consists of a material selected from a group composed of a thermoplastic substance and a metal, the support layer (ii) which adheres to the outer layer and which consists of the fiber-reinforced polyurethane material, and the decorative layer which partially adheres to the support layer and which serves as the inner layer (iii), depending on the situation.例文帳に追加

熱可塑性物質および金属から成る群から選択される材料を含んで成る外層（ｉ）、外層に付着し、繊維強化ポリウレタン材料を含んで成る支持層（ｉｉ）、及び場合により、支持層に部分的に付着し、内装（ｉｉｉ）として役立つ装飾層から構成される複素要素を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic electroluminescent light emitting device includes a process in which an organic EL element, a color conversion layer by a vapor depositing method and a barrier layer are formed on a supporting body, and a patterned high refractive index layer is formed on the barrier layer by a dry etching with the barrier layer as an etching-stop layer and is stuck to a color filter.例文帳に追加

支持体上に、有機ＥＬ素子、蒸着法による色変換層、およびバリア層を形成し、バリア層をエッチストップ層とするドライエッチングにより、バリア層上にパターン化高屈折率層を形成し、カラーフィルタと貼り合わせることを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 特許庁

The distance OSL between the vertical center line TCL of a heating element 69 and the vertical center line PCL of a platen roller 63 is set such that, OSL=+100 μm for a yellow thermal coloring layer (Y layer), OSL=±0 μm for a magenta thermal coloring layer (M layer), and OSL=-100 μm for a cyan thermal coloring layer (C layer).例文帳に追加

発熱素子６９の鉛直中心線ＴＣＬとプラテンローラ６３の鉛直中心線ＰＣＬとの距離ＯＳＬを、イエロー感熱発色層（Ｙ層）はＯＳＬ＝＋１００μｍ、マゼンタ感熱発色層（Ｍ層）はＯＳＬ＝±０μｍ、シアン感熱発色層（Ｃ層）はＯＳＬ＝−１００μｍとする。 - 特許庁

A light-emitting device 20 comprises a light-emitting element U including a reflective layer 22 formed on a substrate 21, a luminous layer 27 formed above the reflective layer 22, and a semi-reflection layer 25 formed above the luminous layer 27 to transmit a part of light from the luminous layer 27 and to reflect other part thereof.例文帳に追加

本発明に係る発光装置２０は、基板２１上に形成された反射層２２と、反射層２２上に形成された発光層２７と、発光層２７上に形成され、発光層２７からの光の一部を透過させる一方、他を反射可能な半反射層２５と、を含む発光素子Ｕを備える。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element where a reflection layer composed of a plurality of layers having different refractive indeces is formed on a substrate and a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are formed thereon in sequence, an area including a semiconductor impurity of high concentration is provided in the periphery of the reflection layer and first clad layer.例文帳に追加

基板上に、屈折率の異なる複数の層から成る反射層を設け、この反射層上に、第一のクラッド層、活性層、および第二のクラッド層を設けた半導体発光素子において、前記反射層と第一のクラッド層の周辺部に半導体不純物を高濃度に含有する領域を設けた。 - 特許庁

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer and a conductive layer are alternately laminated for mutual bonding, the clearance between the piezoelectric substrate layer and the conductive layer is formed, and the region of the clearance should be 10% or smaller of the entire area of the conductive layer, when the surface of the conductive layer is seen in a plan view.例文帳に追加

圧電体層と導体層とを交互に積層し、相互に接着された積層型圧電素子であって、前記圧電体層と導体層との間に隙間が形成されてなり、前記導体層面を平面視したときに、その隙間の領域は、前記導体層の全面積の１０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁