「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

The ZnSe-based light-emitting element formed on a compound semiconductor substrate 1 has an active layer 4, positioned between an n-type ZnMgSSe clad layer 3 and a p-type ZnMgSSe clad layer 6 and has a barrier layer 5, having a band gap larger than the band gap of the p-type ZnMgSSe clad layer between the active layer 4 and the p-type ZnMgSSe clad layer 6.例文帳に追加

化合物半導体基板１に形成され、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間に位置する活性層４を備え、活性層４とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間にｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層５を有する。 - 特許庁

In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.例文帳に追加

単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁

This is an electroluminescence element which comprises an electrically insulating substrate 4 made of mainly zirconia, an electrode layer 6 formed on the substrate 4, a dielectric layer 8 composed of ceramic sintered compact formed on the electrode layer 6, a luminous layer 12 formed on the dielectric layer 8, and a transparent electrode layer 16 formed on the luminous layer 12.例文帳に追加

ジルコニアを主成分とする電気絶縁性の基板４と、基板４上に形成された電極層６と、電極層６の上に形成されたセラミック焼結体で構成される誘電体層８と、誘電体層８の上に形成された発光体層１２と、発光体層１２の上に形成された透明電極層１６とを有するエレクトロルミネセンス素子。 - 特許庁

With the manufacturing method of an electronic device or a plastic board for an organic EL element with a vapor barrier layer and a gas barrier layer, the vapor barrier layer and the gas barrier layer are made of inorganic/organic laminated films consisting of at least a pair of an inorganic layer and an organic layer, and that, the organic layer is formed by a thermochemical deposition method or a plasma polymerization method.例文帳に追加

水蒸気バリア層、及びガスバリア層を有する電子デバイス、又は有機ＥＬ素子用プラスチック基板の製造方法であって、水蒸気バリア層、及びガスバリア層を少なくとも一対の無機層と有機層とからなる無機／有機積層膜で形成し、且つ有機層を熱化学蒸着法、或いはプラズマ重合法を用いて形成することである。 - 特許庁

In this organic EL element provided, between the transparent layer and a counter electrode, with the organic luminescent medium layer including at least an organic luminescent layer and one or more other layers, the problem is solved by arranging a polymer membrane functional layer adjacently to the first low-molecular membrane functional layer formed at a position closest to the surface of the transparent electrode layer in the organic luminescent medium layer.例文帳に追加

透明電極と対向電極の間に少なくとも有機発光層と他の一層以上を含む有機発光媒体層を備えた有機ＥＬ素子において、該有機発光媒体層が、前記透明電極層上に最も近い位置に設けた最初の低分子膜機能層に隣接して高分子膜機能層を配置することにより解決した。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises an n-type buffer layer 102, an undoped InAlAs carrier travel layer 103, an n-type InAlAs field relaxation layer 104, an undoped InAlAs multiplication layer 105, a p-type InAlAs field relaxation layer 106, a p-type concentration gradient InGaAs absorption layer 107, and a p-type InP cap layer 108 formed on an n-type InP substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、アンドープＩｎＡｌＡｓキャリア走行層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０６、ｐ型濃度勾配ＩｎＧａＡｓ吸収層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８で構成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element having at least one organic compound layer containing a light emission layer interposed between a pair of electrodes includes a layer containing a compound represented by general formula (1) inside the light emission layer and in at least one area of the light emission layer facing the adjacent layer of the light emission layer.例文帳に追加

一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を挟持する有機電界発光素子であって、前記発光層の内部及び前記発光層の隣接層に面する前記発光層の領域の少なくとも一方に下記一般式（１）で表される化合物を含有する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The light-emitting element comprises a main light-emitting layer 5 which emits infrared light beams, a p-AlGaAs layer 7 which covers the main light-emitting layer 5, a heavily-doped p-GaAs layer 8 jointed directly on the p-AlGaAs layer 7, and an InTiO_x layer 9 jointed directly on the p-GaAs layer 8.例文帳に追加

本発明による発光素子は、近赤外線を発生する主発光層５と、主発光層５を被覆するｐ−ＡｌＧａＡｓ層７と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層７の上に直接に接合された、高濃度にドープされたｐ−ＧａＡｓ層８と、ｐ−ＧａＡｓ層８の上に直接に接合されたＩｎＴｉＯ_ｘ層９とを具備する。 - 特許庁

The configuration from the positive hole injection layer 151 to the luminescence layer 150 of the one organic EL element is different from the configuration from the positive hole injection layer 151 to the luminescence layer 150 of the function layer 111 of other organic EL elements, in the components other than at least the positive hole injection layer 151 and the luminescence layer 150.例文帳に追加

一の有機ＥＬ素子における正孔注入層１５１から発光層１５０までの構成が、他の有機ＥＬ素子の機能層１１１における正孔注入層１５１から発光層１５０までの構成に対し、少なくとも正孔注入層１５１および発光層１５０以外の構成要素について異なっている。 - 特許庁

A manufacturing method of an organic electroluminescent element which includes a first electrode, luminescent layer and second electrode in this order comprises the step of, after luminescent layer formation, forming a layer corresponding to the upper layer of the luminescent layer after heat treatment of the luminescent layer after elapse of six hours or more after forming the luminescent layer.例文帳に追加

第一の電極、発光層、及び第二の電極をこの順に設けてなる有機電界発光素子の製造方法であり、該発光層形成後、６時間以上経過後に該発光層に対して加熱処理を施した後、該発光層の上層にあたる層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

An optical semiconductor element includes: a semiconductor film including a first semiconductor layer having a first conductive type, a second semiconductor layer having a second conductive type, and an active layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electrode connecting with the first semiconductor layer; and a second electrode connecting with the second semiconductor layer and facing the first electrode.例文帳に追加

第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層に接続された第一電極と、第二半導体層に接続され且つ第一電極に対向する第二電極と、を含む。 - 特許庁

By arranging the optical film between a display element and a lighting device, the phosphor layer converts a light component which is otherwise absorbed by the display element, so that the component can pass through the display element.例文帳に追加

この光学フィルムを表示素子と照明装置の間に配置することにより、表示素子で吸収される光成分を蛍光体層で変換して表示素子を透過させることができる。 - 特許庁

A threshold voltage adjustment layer 9 for the second MOS element (high Vth MOS element) is formed after a first region 30 as a first MOS element forming region is masked with a resist film 8.例文帳に追加

第１のＭＯＳ型素子形成領域である第１領域３０をレジスト膜８でマスクした後、第２のＭＯＳ型素子（高ＶｔｈＭＯＳ型素子）用のしきい値電圧調整層９を形成する。 - 特許庁

The optical circuit part includes: a core whose optical axis is matched with the optical element; and a dummy core arranged on the same layer to the core and exposed on a side being not opposed to the optical element when the optical element is arranged on the substrate.例文帳に追加

光回路部は、光素子と光軸が合わせられたコアと、コアと同じ層に配置され、光素子が基板上に配置されたときに、光素子に対向しない面に露出するダミーコアとを備える。 - 特許庁

The element main body is held by a holding member 38 wherein a holding hole 36 for holding detachably the element main body 10 is formed so that the underlying layer formed at the end of the element main body 10 may be exposed.例文帳に追加

素子本体１０の端部に形成された下地層が露出するように、当該素子本体１０を着脱自在に保持する保持孔３６が形成された保持部材３８で素子本体を保持する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element for improved in stability in magnetic characteristics by suppressing thermal damage to a free ferromagnetic layer, to provide a manufacturing method of the magnetoresistive element, and to provide a manufacturing apparatus of the magnetoresistive element.例文帳に追加

自由強磁性層の熱的損傷を抑制して磁気特性の安定性を向上させた磁気抵抗素子、磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas sensor element with which the occurrence of crack which can be generated in a protection layer due to water crack is allowed while the progress of the crack into the element main body can be inhibited and to provide a gas sensor including the gas sensor element.例文帳に追加

被水割れによる保護層内に生じ得るクラックの発生を許容しながら、このクラックの素子本体への進展を抑止することのできるガスセンサ素子とこれを備えたガスセンサを提供する。 - 特許庁

After forming a release layer on an element formation substrate and forming a semiconductor device and a light emitting element furthermore on it, a fixed substrate 130 is stuck together with a first adhesive 129 on the light emitting element.例文帳に追加

素子形成基板上に剥離層を形成し、さらにその上に半導体素子及び発光素子を形成した後、発光素子の上に第１接着剤１２９により固定基板１３０を貼り合わせる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic electroluminescent element in which an organic layer between electrodes is deposited by a wet type deposition method and a short circuit of the element is limited and a stable luminance of the element is materialized.例文帳に追加

電極間の有機層を湿式成膜法で成膜する有機電界発光素子の製造方法において、素子の短絡が少なく、安定した輝度を有する有機電界発光素子を製造する。 - 特許庁

Then, when exhaust gas and moisture come in from the adhesive surface between the detection element 11 and the heater element 12, the second filling layer 312 prevents them from reaching the electrode section 122 in the heater element 12.例文帳に追加

よって、検出素子１１とヒータ素子１２との接着面より、排ガスおよび水分が侵入してきた場合、第二充填層３１２によって、ヒータ素子１２の電極部１２２まで到達することがない。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a crack caused by an internal stress does not occur in a compound semiconductor layer when a chemical lift is off, and to provide a manufacturing method of the light-emitting element and a semiconductor element.例文帳に追加

ケミカルリフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the incident light L1 is converged at the photoelectric conversion layer 2b of the sensor element 2, the effective efficiency of the sensor element 2 is improved, and further, stray light to an adjacent sensor element is cut off by the light-shielding portion.例文帳に追加

これにより、入射光Ｌ１をセンサ素子２の光電変換層２ｂに集光し、センサ素子２の実効効率を向上し、かつ遮光部により、隣接センサ素子への迷光をカットする。 - 特許庁

The element surface of a display panel 3, which is constructed by having an element layer 2 formed by laminating an organic electroluminescent(EL) element, is pasted on the sealing glass 4 on which an adhesive 5 is beforehand applied.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を積層して形成した素子層２を有して構成される表示基板３の素子面を、あらかじめ接着剤５を塗布しておいた封止用ガラス４に貼り合わせる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an infrared radiation element for reducing the resistance of an electrical heating element in a flat infrared radiation element utilizing a porous layer and for improving manufacturing yields.例文帳に追加

多孔質層を利用した平面型の赤外線放射素子における発熱体の低抵抗化を図れ且つ製造歩留まりを向上可能な赤外線放射素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the final product form that the passive element 3 and trimmable element 4 are coated with the light-transmissive resin layer 15, the trimmable element 4 is irradiated with the laser light Hv to adjust characteristics.例文帳に追加

この光透過性樹脂層１５で受動素子３及びトリマブル素子４を被覆した最終製品形態で、トリマブル素子４にレーザ光Ｈｖを照射しトリミングして特性調整を行う。 - 特許庁

In a lighting device having a light emitting element including an electroluminescent (EL) layer, a housing including the light emitting element therein has a terminal electrode electrically connecting with the light emitting element at a peripheral end part.例文帳に追加

エレクトロルミネセンス（ＥＬ）層を含む発光素子を有する照明装置において、発光素子を内包する筐体は、周縁端部に発光素子と電気的に接続する端子電極を有する。 - 特許庁

To provide an organic EL element in which a void generated in a manufacturing process of the organic EL element is suppressed and leakage of moisture and oxygen into an organic compound layer of the organic EL element can be prevented.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の製造工程で発生するボイドを抑え、有機ＥＬ素子の有機化合物層への水分や酸素の浸入を防止することができる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

Then, by the element substrate 11 and the sealing substrate 17, an organic EL element, laminating a first electrode 12, an organic EL layer 14, and a second electrode 15 on the element substrate 11, is sealed.例文帳に追加

そして、この素子基板１１と封止基板１７とにより、素子基板１１上に第１の電極１２、有機ＥＬ層１４および第２の電極１５の積層した有機ＥＬ素子が封止されている。 - 特許庁

To provide a ferrite magnet element capable of suppressing deterioration of insertion loss by thinning a thickness of a damaged layer as much as possible, and to provide an irreversible circuit element and a manufacturing method of the ferrite magnet element.例文帳に追加

加工変質層の層厚を極力薄くして挿入損失の劣化を抑制することのできるフェライト・磁石素子、非可逆回路素子及びフェライト・磁石素子の製造方法を得る。 - 特許庁

Then, the multilayer film intermediate structure 10 is subjected to heat treatment, and the silicide film 23 is formed to contain the silicon element of the silicon base material 11 and the compound element of the compound element containing layer 13.例文帳に追加

次いで、多層膜中間構造体１０に対して熱処理を施し、シリコン基材１１のシリコン元素と、被化合物元素含有層１３の被化合物元素とを含むシリサイド膜２３を形成する。 - 特許庁

To avoid deterioration in an element function, element breakdown and the like due to thermal fatigue, by reducing thermal stress caused by a soldering layer or the like in a thermoelectric element using a thermoelectric semiconductor.例文帳に追加

熱電半導体を用いた熱電素子において、半田層に起因する熱応力などを低減することによって、熱疲労による素子機能の低下や素子破壊の発生などを抑制する。 - 特許庁

A transparent organic element is formed on the inner side surface of an upper substrate in the reflection region, the gap of a liquid crystal layer between the upper and lower substrates are filled with the transparent organic element and one end of the transparent organic element supports the lower substrate.例文帳に追加

透明有機素子は、反射領域の上基板の内側表面に形成され、上下基板間の液晶層のギャップを埋め、透明有機素子の一端は、下基板を支承する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element and an integrated semiconductor optical element which are capable of suppressing oxidation of an AlGaInAs active layer and have high reliability and a long life by preventing degradation of an element characteristic.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層の酸化を抑制でき、素子特性の劣化を防止することにより高信頼性で長寿命の半導体光素子および集積型半導体光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

ＢＭＲ効果を用いた磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A pixel 34 is formed on a light-emitting element forming surface of an element substrate 30 (a step S11), and an adhesion layer La is formed on the pixel 34 to adhere a support substrate 38 to the element substrate 30 (a step S12).例文帳に追加

素子基板３０の発光素子形成面に画素３４を形成し（ステップＳ１１）、その画素３４上に接着層Ｌａを形成して支持基板３８を素子基板３０に貼着した（ステップＳ１２）。 - 特許庁

To achieve a semiconductor element wherein inner quantum efficiency of a light emitting layer is high and light acquiring efficiency of the semiconductor element is high by reducing density of a through transition inside the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子内の貫通転移の密度を低減して、発光層の内部量子効率が高く且つ半導体素子の光取り出し効率が高い半導体素子を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor element structure wherein crystal defects are reluctant to occur along the boundary between a buffer zone and a semiconductor element layer and wherein high-quality element layers are realized with stability, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

バッファ層と素子層との境界において結晶欠陥が発生しにくく、ひいては高品質の素子層を安定的に実現できる半導体素子構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

A pixel 34 is formed on a light-emitting element forming surface of an element substrate 30 (a step S11), and an adhesion layer La1 is formed on the pixel 34 to adhere a support substrate 38 to the element substrate 30 (a step S12).例文帳に追加

素子基板３０の発光素子形成面に画素３４を形成し（ステップＳ１１）、その画素３４上に接着層Ｌａ１を形成して支持基板３８を素子基板３０に貼着した（ステップＳ１２）。 - 特許庁

The fixed resistance elements 4, 5 have the same element part 12 as the magnetoresistance effect elements 2, 3, and a fixed magnetization direction of a fixed magnetic layer of the element part 12 is faced to an element length direction (Y-direction).例文帳に追加

固定抵抗素子４、５は、磁気抵抗効果素子２，３と同じ素子部１２を備え、前記素子部１２の固定磁性層の固定磁化方向は、素子長さ方向（Ｙ方向）に向けられている。 - 特許庁

To provide an element structure of a display device with which an element having excellent junction characteristics and a small contact resistance value can be realized as an element having a wiring circuit which is connected directly to a transparent electrode layer and a semiconductor layer and formed of an Al-based alloy film.例文帳に追加

透明電極層や半導体層と直接接合する、Ａｌ系合金膜により形成された配線回路を備えた素子において、その接合特性が良好で、コンタクト抵抗値の低い素子を実現できる表示デバイスの素子構造を提案する。 - 特許庁

Further, a method for the protection of the optical element includes providing a cap layer to the optical element by a deposition process, and during or after use of the apparatus, removing at least part of the cap layer from the optical element in a removal process as described above.例文帳に追加

さらに、該光学素子を保護する方法は、蒸着工程により該光学素子にキャップ層を提供し、装置使用の間もしくは使用後に、上記の除去工程において、該光学素子からキャップ層の少なくとも１部分を除去することを含む。 - 特許庁

To provide an optical element in which refractive index difference can be ensured between a member at the lower portion of a photonic crystal layer and the crystal layer without using a conventional sticking technology, and to provide a fabrication process of the optical element, and a semiconductor laser device employing the optical element.例文帳に追加

従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、該結晶層との屈折率差を確保することが可能となる光学素子、光学素子の製造方法及び該光学素子を用いた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element made compatible in both a long life and a high emission efficiency of a multiple active layer type light-emitting element while maintaining an advantage of a low resistance of a conventional bulk type active layer in a light-emitting element accompanied by a growth of a GaP thick film.例文帳に追加

ＧａＰ厚膜の成長を伴う発光素子において、従来のバルク型活性層の低抵抗という利点を維持しつつ、多重活性層型発光素子の持つ長寿命と高い発光効率を両立させた発光素子を提供する。 - 特許庁

The concentration of the metal element changes in the thickness direction of the negative electrode active material layer 21B, and a metal element increase/decrease region in which the concentration of the metal element increases and then decreases in thickness direction exists inside the negative electrode active material layer 21B.例文帳に追加

金属元素の濃度は負極活物質層２１Ｂの厚み方向において変化しており、負極活物質層２１Ｂの内部には、金属元素の濃度が厚み方向において増加したのち減少する金属元素増減領域が存在している。 - 特許庁

A semiconductor layer 8 composed of GaN containing arsenic is formed on a substrate 7, and a semiconductor element which is an active element such as a field effect transistor and a bipolar transistor, or a passive element such as a capacitor and a resistor is formed on the semiconductor layer 8.例文帳に追加

基板７の上に砒素を含むＧａＮよりなる半導体層８が形成され、この半導体層８の上に電解効果トランジスタやバイポーラトランジスタの能動素子またはコンデンサや抵抗等の受動素子の半導体素子が形成されたものである。 - 特許庁