「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

The second electrode terminal and the second nonconduction terminal have portions penetrating the second thin film element layer, respective portions exposed to the upper and lower surfaces of the second thin film element layer, respectively.例文帳に追加

第２の電極端子と第２の非導通端子は、それぞれ、第２の薄膜素子層を貫通する貫通部と、第２の薄膜素子層の上面、下面にそれぞれ露出する上側露出部及び下側露出部と、を備える。 - 特許庁

To provide a mold for molding an optical element which has low reactivity with an optical element material, allows to reduce a friction coefficient between the optical element material and the surface layer thereof, has excellent adhesion between the base material and the surface layer thereof, and also has excellent mold releasability and durability, a method for producing an optical element using the mold for molding an optical element, and an optical element obtained by the production method.例文帳に追加

光学素子材料との反応性が低く、光学素子材料と光学素子成形用型の表面層との摩擦係数を下げることができ、光学素子成形用型の基材と表面層との密着性に優れ、かつ、離型性と耐久性に優れる光学素子成形用型、並びに該光学素子成形用型を用いた光学素子の製造方法、及び該製造方法により得られる光学素子の提供。 - 特許庁

The ultrasonic wave probe is provided with a sound matching layer 11, a first electrode 12 formed on a layer above the sound matching layer, a piezoelectric element layer 13 formed on the first electrode by injecting and depositing powder of a material having piezoelectricity from a nozzle toward the sound matching layer where the first electrode is formed, a second electrode formed on the piezoelectric element layer and a backing layer 14 formed on the second electrode.例文帳に追加

超音波用探触子は、音響整合層１１と、音響整合層の上層に形成された第１の電極１２と、第１の電極が形成された音響整合層に向けて、圧電性を有する材料の粉体をノズルから噴射して堆積させることによって第１の電極の上に形成された圧電素子層１３と、圧電素子層の上に形成された第２の電極と、第２の電極の上層に形成されたバッキング層１４とを含む。 - 特許庁

In the organic EL panel in which on a substrate, the organic EL element having a pair of electrodes and at least one layer of organic compound layer including a light-emitting layer between them is covered by the sealing member, between the organic EL element and the sealing member, this has the layer in which two or more kinds of structures different in composition in a face direction of the organic EL element are arranged.例文帳に追加

基板上に一対の電極と、その間に発光層を含む少なくとも１層の有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を、封止部材により覆ってなる有機ＥＬパネルにおいて、該有機ＥＬ素子と該封止部材の間に、該有機ＥＬ素子の面方向に組成の異なる２種以上の構成物を配置した層を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 特許庁

Provided is a light emitting element module-substrate which has: a laminate 10 that includes a base metal board 11 and insulating layer 12 provided on the base metal board; and a metal layer 20 which is a metal layer provided on the insulating layer, and has a packaging section 25 where a light emitting element 50 is packaged, and a bonding section 26 where the wiring is bonded that is electrically connected to the light emitting element.例文帳に追加

ベース金属板１１と、ベース金属板の上に設けられた絶縁層１２と、を含む積層板１０と、絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子５０が実装される実装部２５と、発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部２６と、を有する金属層２０と、を備えた発光素子モジュール基板が提供される。 - 特許庁

The snow-melting sheet is formed by arranging a sheet heating element and a conductive layer between insulating sheets arranged on upper and lower surfaces of the sheet, providing electrodes at both side edges of the sheet heating element, connecting lead wires to the electrodes, laminating the sheet heating element and the conductive layer with an insulating layer interposed therebetween, and establishing a ground for the conductive layer.例文帳に追加

この発明の融雪シートは、上面及び下面に設けた絶縁シートの間に面状発熱体及び導電層を配設し、前記面状発熱体の両側端縁には電極を設け、前記電極にリード線を締結するとともに、面状発熱体と導電層との間には絶縁層を設けて積層し、前記導電層にはアースを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL panel 10, containing a substrate 12, an organic EL element 20 structured by laminating an anode 14, an organic EL layer 16, and a cathode 18, and a sealing member 26 sealing the organic EL element on the substrate, is further provided with a desiccant layer 22 in contact with the organic EL element and a heating layer 24 in contact with the desiccant layer.例文帳に追加

基板１２と、該基板上に、陽極１４、有機ＥＬ層１６、及び陰極１８を積層して構成される有機ＥＬ素子２０と、該基板上で該有機ＥＬ素子を封止する封止部材２６を含む有機ＥＬパネルであって、前記有機ＥＬ素子と接する乾燥剤層２２と、該乾燥剤層と接する発熱層２４とをさらに有することを特徴とする有機ＥＬパネル１０。 - 特許庁

A light-emitting element is configured, by successively laminating an n-type GaN layer 12, an InGaN light-emitting layer 16, a p-type GaN layer 20, a p-type electrode 22, and an n-type electrode 24 on a substrate 10.例文帳に追加

発光素子は、基板１０上に順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ発光層１６，ｐ型ＧａＮ層２０、ｐ型電極２２及びｎ型電極２４を積層して構成させる。 - 特許庁

A side 16b in the element formation layer is connected to an upper surface 14c of the stress relaxation layer in an electrically non-conductive state via an insulating stress transfer layer 18 formed on the upper surface.例文帳に追加

素子形成層の側面１６ｂは、応力緩和層の上面１４ｃと、この上面に形成された絶縁性応力伝達層１８を介して電気的に非導通の状態で接続されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element which can prevent loss of the hole transporting material in the hole transporting layer in the case of forming an electron transporting luminous layer on the hole transporting layer.例文帳に追加

正孔輸送層上に電子輸送性発光層を形成する場合に正孔輸送層中の正孔輸送性材料の損失を防止することができる有機ＥＬ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The second light transparent layer 15 is stuck on the light emitting element 13 and a top surface of the first light transparent layer 14, and has a refractive index larger than that of the first light transparent layer 14.例文帳に追加

第２の透光性層１５は、発光素子１３および第１の透光性層１４の上面に付着されており、第１の透光性層１４より大きい屈折率を有している。 - 特許庁

In this light emitting element 1, a luminous layer 5 and a positive-hole transport layer 4 contacting the luminous layer 5 and mainly made of organic polymer are interposed between a positive electrode 3 and a negative electrode 6.例文帳に追加

発光素子１は、陽極３と陰極６との間に、発光層５と、この発光層５に接触し、有機ポリマーを主材料として構成された正孔輸送層４とを介挿してなるものである。 - 特許庁

The humidity detecting element has a cover layer and a conductive layer and the rate of response to ambient conditions of the cover layer matches the rate of response to ambient conditions of the photosensitive medium to be developed.例文帳に追加

湿度検出素子は、被覆層と導電層とを有し、環境条件に対する被覆層の応答速度は、現像する感光性媒体の環境条件に対する応答速度に適合する。 - 特許庁

In the organic electric field light emission element, a luminescence layer 5 which is sandwiched between a positive electrode 2 and a negative electrode 7 is formed, and a hole injection layer 3 is formed between the luminescence layer 5 and the positive electrode 2 on the substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、陽極２及び陰極７により挟持された発光層５が形成され、発光層５と陽極２との間に正孔注入層３が形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

At the cathode part of a solid electrolytic capacitor element 400 after formation of a silver paste layer, a silver paste layer 6 which is the outermost layer is formed thick near the side surface as compared with the central part on the front and rear surfaces.例文帳に追加

銀ペースト層形成後の固体電解コンデンサ素子４００の陰極部にて、最外層である銀ペースト層６が表裏面の中央部に比較して側面付近で厚く形成される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element 3 comprises a support substrate 11, a melting layer (joining member) 12, an embedded layer 13, a semiconductor laminated structure 14, an insulating layer 15, a p side electrode 16, and an n side electrode 17.例文帳に追加

半導体発光素子３は、支持基板１１、融着層（接合部材）１２、埋め込み層１３、半導体積層構造１４、絶縁層１５、ｐ側電極１６、ｎ側電極１７を備えている。 - 特許庁

A flip-chip-type group III nitride semiconductor light-emitting element comprises: a sapphire substrate 10; and an n-type layer 11, a light-emitting layer 12, and a p-type layer 13 that are sequentially formed on the sapphire substrate 10.例文帳に追加

図１に示すフリップチップ型のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に順に形成されたｎ型層１１、発光層１２、ｐ型層１３を有している。 - 特許庁

The organic EL element 127 is formed, by laminating a lower electrode 504 formed of a light-shielding material, an organic layer 506 having at least a light-emitting layer, and an upper electrode 508, in this order, starting from the lower layer side.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１２７は、遮光性材料からなる下部電極５０４、少なくとも発光層を備えた有機層５０６、および上部電極５０８が、下層側からこの順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor element has the polarization junction formed of an In_aGa_1-aN channel layer 9, an Al_xIn_yGa_1-x-yN barrier layer 10, and an In_bGa_1-bN cap layer 11 (0≤a, b, c<0.02).例文帳に追加

Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮチャネル層９、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_１−ｘ−ｙＮバリア層１０、およびＩｎ_ｂＧａ_１−ｂＮキャップ層１１により分極接合を形成する（０≦ａ、ｂ、ｃ＜０．０２）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element in which failures due to a surface of a second n-type semiconductor layer being difficult to be produced, in a light-emitting layer, and to provide a p-type semiconductor layer with high output.例文帳に追加

第二ｎ型半導体層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, light incident on a light-receiving element 10 is not transmitted through the N+ layer 16, but reaches a PN junction surface between a P-Sub layer 12 and the N-WELL layer 14 to excite electrons.例文帳に追加

これにより、受光素子１０に入射された光は、Ｎ＋層１６を透過せずに、Ｐ−Ｓｕｂ層１２とＮ−ＷＥＬＬ層１４とのＰＮ接合面に到達し、電荷を励起させる - 特許庁

The multilayer circuit has: at least three conductor layers each including at least one of a signal line layer 26, a circuit element layer 24 and a ground conductor layer 22; and insulator layers 32 and 34 between the conductor layers.例文帳に追加

信号線層２６、回路素子層２４及び接地導体層２２を少なくとも１層ずつ含む３層以上の導電体層と、導電体層間に絶縁体層３２及び３４とを備える。 - 特許庁

Relating to the magnetization fixed layer 63 of the first MR element, the total magnetic moment of the pinned layer 361 is equal to or larger than the total magnetic moment of the pinned layer 633.例文帳に追加

第１のＭＲ素子における磁化固着層６３は、ピンド層３６１の総磁気モーメントがピンド層６３３の総磁気モーメントと一致もしくはピンド層６３３の総磁気モーメントよりも大きなものである。 - 特許庁

A sensor element 10 comprises both a diffused resistance layer and a solid electrolytic layer and generates sensor output according to the concentration of a specific gas, on the basis of a gas component introduced via the diffusion resistance layer.例文帳に追加

センサ素子１０は、拡散抵抗層と固体電解質層とを有してなり拡散抵抗層を介して導入されたガス成分を基に特定ガス濃度に応じたセンサ出力を発生する。 - 特許庁

The light receiving element is made by forming an n-InP buffer layer 102, an n-InGaAs optical absorption layer 103, and an n-InP window layer 104 in sequence on an InP substrate 101.例文帳に追加

本発明に係る受光素子は、ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４が順次形成されている。 - 特許庁

The electro-optical device 1 is composed of a first electrode 23, an element layer containing at least one-layered function layer (light-emitting layer) 60 and a second electrode 50, formed on a base body 200 in that order.例文帳に追加

基体２００上に第１の電極２３、少なくとも一層の機能層（発光層）６０を含む素子層、第２の電極５０がこの順に形成されてなる電気光学装置１である。 - 特許庁

In the organic EL element 100, a hole injecting electrode 2 is formed on a glass substrate 1, and a hole carrier layer 3, a luminous layer 4 and a hole blocking layer 5 are formed in order on top of it.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００においては、ガラス基板１上にホール注入電極２が形成され、その上にホール輸送層３、発光層４およびホール阻止層５が順に形成されている。 - 特許庁

After the mounting part of the semiconductor element S is sealed with a resin layer 4, the board is removed, and a resin sealant in which each rear face of the metal layer 2a and the electrode layer 2b is exposed is obtained.例文帳に追加

半導体素子Ｓ搭載部分を樹脂層４で封止した後、基板を除去して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が露出した樹脂封止体を得る半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The narrow segment 17 has a width direction cross section smaller than a width direction cross section of a non-opposite region of the element isolation layer 12 in the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1.例文帳に追加

狭窄部１７は、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１のうち素子分離層１２との非対向領域の幅方向断面積よりも小さな幅方向断面積を有する。 - 特許庁

To provide a reflective layer forming method of manufacturing a reflective layer with an excellent white characteristic at low cost and a reflective electrochromic display element using the reflective layer for an electrochromic display device.例文帳に追加

ＥＣ表示装置において、良好な白色特性をもつ反射層を低コストで作製する反射層形成方法、および、この反射層を用いた反射型エレクトロクロミック表示素子を提供する。 - 特許庁

A movable electrode layer 13 and a fixed electrode layer 21 are formed on the opposite faces of the valve element part 11 and the valve seat 2, and an insulation layer 3 is formed on the surface of at least one these layers.例文帳に追加

弁体部１１と弁座２の対向面には、可動電極層１３と固定電極層２１が形成され、それらの少なくとも一方の表面には、絶縁層３が形成されている。 - 特許庁

The switching element 102 includes a body structure disposing a gate electrode 205, a first insulating layer 301a, a second insulating layer 302a, and a semiconductor layer 303a in this order from the side of the substrate 100.例文帳に追加

スイッチング素子１０２は、基板１００側から、ゲート電極２０５、第１の絶縁層３０１ａ、第２の絶縁層３０２ａ、半導体層３０３ａの順に配置された構造体を有する。 - 特許庁

In an organic EL element 100, a hole injection electrode 2 is formed on a glass base 1, and a hole injection layer 3, a hole transport layer 4 and a luminous layer 5 are formed thereon in order.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００においては、ガラス基板１上にホール注入電極２が形成され、その上にホール注入層３、ホール輸送層４および発光層５が順に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser element is constituted by forming a pair of laminated structures each of which is composed of a first-conductivity clad layer and an active layer and has a triangular cross section on a mask layer having selectively formed openings and second-conductivity clad layers on the structures.例文帳に追加

よって、本発明は、特にＧａＮ系半導体を用い、傾斜結晶層を有する半導体素子でレーザー発振を実現する素子構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

This element is structured by laminating a cathode 1, an electroluminescent layer 2, a transparent layer 3, a leaking light diffusing layer 4' containing light scattering particles, and a translucent substrate 5 such as a glass substrate or the like in this order.例文帳に追加

陰極１、エレクトロルミネッセンス層２、透明電極層３、光散乱粒子含有浸み出し光拡散層４’およびガラス基板等の透光性の基板５がこの順に積層配置されている。 - 特許庁

The element 100 has a ridge section 10 composed of the p-GaN contact layer 9 and p-AlGaN clad layer 8, and the thickness t1 of the clad layer 8 in the ridge section 10 is adjusted to <0.3 μm.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮコンタクト層９およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８からなるリッジ部１０が形成されており、リッジ部１０のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層の厚さはｔ_1 ０．３μｍ未満である。 - 特許庁

The second light transparent layer 15 is stuck onto the light emitting element 13 and a top surface of the first light transparent layer 14, and has a refractive index larger than that of the first light transparent layer 14.例文帳に追加

第２の透光性層１５は、発光素子１３および第１の透光性層１４の上面に付着されており、第１の透光性層１４より大きい屈折率を有している。 - 特許庁

The sealing resin layer 60 seals the side surface of the transparent layer 20 and one surface of the light receiving element 10, and does not cover the upper surface of the transparent layer 20, and a filler for improving rigidity is mixed.例文帳に追加

封止樹脂層６０は、透明層２０の側面及び受光素子１０の一面を封止し、透明層２０の上面を被覆しておらず、剛性を向上させるフィラーが混入されている。 - 特許庁

The light-emitting type display element is provided with a recurrent reflecting plate 5, a light-emitting layer (organic EL layer ) 2, and a metal electrode (aluminum electrode) 3, as well as, a transparent electrode 2 for impressing voltage on the light-emitting layer.例文帳に追加

発光型表示素子は、再帰性反射板５と、発光層（有機ＥＬ層）２と、該発光層に電圧を印加するための金属電極（アルミニウム電極）３および透明電極２とを備えている。 - 特許庁

After an element forming groove is formed at the center of an island-shaped SOI layer, an N^- type diffusion layer used as a collector and a p^+ type diffusion layer used as an outside base are formed while the groove is held between the layers.例文帳に追加

島状のＳＯＩ層の中央に素子形成溝を形成した後、この溝を挟むようにして一方にコレクタになるＮ^-型拡散層と他方に外部ベースになるＰ^+型拡散層とを形成する。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element 10 is constituted by forming a DBR layer 12, an active layer 15, and a DBR layer 18 or the like on a substrate 11 and a resonator for laser oscillation is constituted of the DBR layers 12, 18.例文帳に追加

面発光レーザ素子10は、基板11上にＤＢＲ層12、活性層15およびＤＢＲ層18等が形成されたものであり、レーザ発振させるための共振器がＤＢＲ層12，18により構成されている。 - 特許庁

To suppress influence to an active layer caused by distortion introduced on the occasion of regrowth, in a gallium nitride system semiconductor laser element having a structure in which the active layer is arranged on a refractive index distribution layer.例文帳に追加

屈折率分布層上に活性層が配置された構成を備える窒化ガリウム系の半導体レーザ素子において、再成長の際に導入された歪みによる活性層への影響を抑える。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 30, a clad layer 3 of the first conductivity type, an active layer 4, and a clad layer 5 of the second conductivity type are formed sequentially above a semiconductor substrate 1 of the first conductivity type.例文帳に追加

半導体レーザ素子３０は、第１導電型の半導体基板１の上方に第１導電型のクラッド層３、活性層４、第２導電型のクラッド層５が順次形成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is provided with an organic layer containing a pair of electrodes and a light emission layer on a substrate, wherein at least one type of compound represented by general formula (1) is contained in the organic layer.例文帳に追加

基板上に一対の電極と発光層を含む有機層とを有する有機電界発光素子であって、前記有機層に、少なくとも一種の一般式（１）で表される化合物を含有する。 - 特許庁

A layer 405a including a circuit having an element, and a terminal electrode 405b are formed as a transferring layer to be separated, and a resin protection layer 405c is formed thereon to prevent the crack.例文帳に追加

転写する被剥離層として、素子を有する回路を含む層４０５ａと、端子電極４０５ｂとを形成し、その上にクラックを防止するための樹脂からなる保護層４０５ｃを形成す。 - 特許庁