「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

The capacitor further includes a sealing layer composed of a first sealing layer that is provided on the metallized contact surface of the capacitor element 2 and has at least a stress-relaxing function and a second sealing layer that is formed on a surface of the first sealing layer and reinforces the mechanical strength of the first sealing layer.例文帳に追加

また、コンデンサー素子２のメタリコン面上に設けられた少なくとも応力緩和機能を有する第１の封止層と、該第１の封止層の面上に形成された前記第１の封止層の機械的強度を補強する第２の封止層とからなる封止層を設けた。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element for the sensor which detects a change in magnetism given from outside includes the pinned layer 12 of which the direction of magnetization is fixed, a free layer 14 of which the direction of magnetization changes according to an external magnetic field, and an intermediate layer which is provided between the pinned layer 12 and the free layer 14.例文帳に追加

外部から加わる磁気の変化を検知するセンサ用の磁気抵抗効果素子が、磁化方向が固定されたピンド層１２と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層１４と、ピンド層１２とフリー層１４との間に設けられている中間層と、を含んでいる。 - 特許庁

The optical element includes: a first optical layer having a recessing-projecting surface; a wavelength-selective reflective layer provided on the recessing-projecting surface of the first optical layer; a second optical layer provided on the recessing-projecting surface on which the wavelength-selective reflective layer is provided so as to fill the recessing-projecting surface.例文帳に追加

光学体は、凹凸面を有する第１の光学層と、第１の光学層の凹凸面上に形成された波長選択反射層と、波長選択反射層が形成された凹凸面上に、該凹凸面を埋めるように形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁

The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。 - 特許庁

In the light-emitting element, a peripheral edge of the reflecting electrode layer 141 is arranged in a stepped shape, an upper surface of the reflecting electrode layer 141 in the Z-axis direction and the surface of the reflecting electrode layer covered with a protective film 15 at a peripheral edge of the reflecting electrode layer are covered with the transparent electrode layer 142.例文帳に追加

発光素子では、反射電極層１４１の周縁部がステップ形状であり、反射電極層１４１におけるＺ軸方向上側表面、および反射層の周縁部における保護膜１５で被覆された表面が、透明電極層１４２で覆われている。 - 特許庁

A pixel electrode, a first light-emitting layer, the intermediate conductive layer (consisting of an electron injection layer and a hole injection layer, and at least one of the layers is an island state), a second light-emitting layer, and a counter electrode are laminated in the order in the light-emitting element.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、画素電極、第１の発光層、中間導電層（電子注入を担う層及び正孔注入を担う層からなり、その少なくとも一方が島状）、第２の発光層、対向電極が順次積層されてなることを特徴とする。 - 特許庁

In the light-emitting element 1, since the fine concavo-convex structure 7 and an organic layer 8 having the refractive index different from that of the layer in which the fine concavo-convex structure 7 is formed are arranged on one surface of the light-emitting layer 6 configuring the organic EL layer 4, the refractive index level difference in the organic EL layer 4 inclines.例文帳に追加

発光素子１は、微細凹凸構造７と、微細凹凸構造７が形成された層とは異なる屈折率を有する有機層８が、有機ＥＬ層４を構成する発光層６の一方の面に設置されているので、有機ＥＬ層４内の屈折率段差が傾斜する。 - 特許庁

In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加

可変抵抗素子部１０１では、可変抵抗層２２を囲む周辺領域に、可変抵抗層２２への水素の拡散を抑制する水素バリア層２６、下部電極１９における水素バリア層１９ａ、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層２１が形成されている - 特許庁

To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加

ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In the display device, a distance between a reflection layer 14 and a counter electrode layer 22 is set up so that a specific color light out of lights emitted from a light emitting layer of a light emitting function layer 20 of a light emitting element 12 can be strengthened by interference and emitted from a counter electrode layer 22.例文帳に追加

表示装置では、発光素子１２の発光機能層２０の発光層で発した光のうち特定の色の光が干渉により強められて対向電極層２２から出射するように、反射層１４と対向電極層２２の距離が設定されている。 - 特許庁

The composite optical element on a lens blank 10 comprises a first layer 11 comprising the optical resin A, a second layer 12 comprising the optical resin B containing the metal particulates and the intermediate layer 13 which is held between the first layer 11 and the second layer 12 and comprising the optical resin A containing the metal particulates.例文帳に追加

レンズブランク１０上の複合型光学素子は、光学樹脂Ａからなる第１層１１と、金属微粒子を含有する光学樹脂Ｂからなる第２層１２と、第１層１１と第２層１２に挟まれた金属微粒子を含有する光学樹脂Ａからなる中間層１３を有する。 - 特許庁

This electron-emitting light-emitting element includes: a plurality of PN junction parts each having a depletion layer 34 having a predetermined thickness formed therein; an anode electrode 12 facing the depletion layer of the P-N junction part and separated from the depletion layer by a predetermined distance; and a phosphor layer 13 formed on the depletion layer 34 side of the anode electrode.例文帳に追加

所定厚さの空乏層３４が形成されたＰ−Ｎ接合部３１と、Ｐ−Ｎ接合部の空乏層に対向して所定間隔をおいて配置されたアノード電極１２と、アノード電極の空乏層３４側に形成された蛍光体層１３と、を備える。 - 特許庁

There are disclosed a nitride semiconductor light-emitting element including a substrate for growth of a sapphire substrate on which unevenness processing is performed, an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent conductive layer and a reflection layer of a dielectric in this order, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has an n-type semiconductor layer 3 provided on a substrate 2; an n-type electrode 4 and a light emitting layer 5 on the n-type semiconductor layer 3; and a p type semiconductor layer 6, a contact electrode 7, a reflecting electrode 8, and a p type electrode 9 sequentially laminated to the light emitting layer 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２にｎ型半導体層３が設けられ、ｎ型半導体層３にｎ電極４および発光層５が設けられ、発光層５に、ｐ型半導体層６と、コンタクト電極７と、反射電極８と、ｐ電極９とが順次積層されている。 - 特許庁

Further, the first conductive layer and the second conductive layer are electrically connected to form a coil shape, and the first conductive layer, the second conductive layer and/or the first magnetic element are electrically connected to the outside through through-holes 16, 17 having opening parts to the external surface of the third insulating layer.例文帳に追加

また、第一導電層と第二導電層が電気的に接続されてコイル形状をなし、第一導電層、第二導電層及び／又は第一磁性体素子が、第三絶縁層の外面へ開口部を有する貫通孔１６，１７を通じて外部と電気的に接続される構造を備える。 - 特許庁

A hard biased layer 32 is provided on each side of a free magnetic layer 26 in the widthwise direction of a track, and a ferromagnetic layer 34 is formed on the element ends C of the free magnetic layer 26 through the intermediary of a non-magnetic intermediate layer 27 as it extends even over the hard biased layers 32.例文帳に追加

フリー磁性層２６のトラック幅方向の両側にはハードバイアス層３２が設けられ、前記フリー磁性層２６の素子両側端部Ｃ上で非磁性中間層２７を介して形成された強磁性層３４が、前記ハードバイアス層３２上にまで延びている。 - 特許庁

This is the electroluminescent element equipped with a first electrode, the electroluminescent layer, and a second electrode laminated on a substrate, and in which the electroluminescent layer is constituted by containing a first zinc oxide layer, a zinc sulfide layer, and a second zinc oxide layer in this order.例文帳に追加

基板上に、第一電極、エレクトロルミネッセンス層及び第二電極を積層して備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、上記エレクトロルミネッセンス層は、第一の酸化亜鉛層、硫化亜鉛層及び第二の酸化亜鉛層をこの順に含んで構成されるエレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

This light emitting element includes: a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer 50, a second conductivity type semiconductor layer 30, and an active layer 40 located between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; and a plurality of polarization induction patterns 80.例文帳に追加

発光素子は、第１導電型の半導体層５０、第２導電型の半導体層３０、及び前記第１導電型の半導体層と前記第２導電型の半導体層の間に位置する活性層４０を含む発光構造物と、複数の偏光誘導パターン８０を含む。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element, in which a superlattice strain buffer layer using an AlGaN layer having a low Al content or a GaN layer is formed with good flatness and a nitride semiconductor layer having good flatness and crystallinity is formed on the superlattice strain buffer layer.例文帳に追加

Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor element includes an upper layer of an underlayer including a compound selected from an inorganic oxide and inorganic nitride on the underlayer including a polymer formed as the lower layer, an electrode in contact with the upper layer of the lower extending layer, and also an electrode via a gate insulation layer.例文帳に追加

ポリマーを含む下引き層を下層として、その上に無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層上層を有し、該下引き層上層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

In this semiconductor optical element 1A, the diffusion prevention layer 42 containing the Si impurities is interposed between the active layer 30 and p-type clad layer 40a of the semiconductor mesa portion 2M, and traps Zn diffused from the p-type clad layer 40a to the active layer 30.例文帳に追加

この半導体光素子１Ａにおいては、半導体メサ部２Ｍの活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとの間に、Ｓｉ不純物を含む拡散防止層４２が介在しており、この拡散防止層４２が、ｐ型クラッド層４０ａから活性層３０へ向かうＺｎをトラップする。 - 特許庁

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer.例文帳に追加

磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。 - 特許庁

This organic EL element 200 is composed by catching an organic function layer 140 between a pair of electrodes 141 and 154; and an intermediate layer 155 having a surface reforming function is interlaid between a hole injection layer 140A and a luminescent layer 140B constituting the organic function layer 140.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子２００は、一対の電極１４１，１５４間に有機機能層１４０を挟持してなり、前記有機機能層１４０を構成する正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとの間に、表面改質機能を有する中間層１５５が介在している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element having an organic layer and a pattern-like insulating layer formed between electrodes, wherein patterning of the insulating layer is easy, and there is no risk of exerting a bad influence on the organic layer when forming the insulating layer.例文帳に追加

電極の間に有機物層とパターン状絶縁層とが形成されている有機ＥＬ素子の製造方法において、絶縁層のパターニングが容易であり、絶縁層を形成する際に有機物層に対する悪影響を与える虞がない有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one of the positive electrode layer 11, the negative electrode layer, and the electrolyte layer 3 is composed of a sintered body, and the sintered body (positive electrode layer 11) and the battery element (positive electrode current collector 12) neighboring the sintered body (positive electrode layer 11) are adhered to a lithium ion conductor 4.例文帳に追加

正極層１１、負極層および電解質層３の少なくとも１つが焼結体からなり、この焼結体（正極層１１）と、焼結体（正極層１１）に隣接する電池要素（正極集電体１２）とが、リチウムイオン伝導体４で接着されている。 - 特許庁

After a function element body 3 is mounted on a package substrate 2 with a sacrificial layer 35 left, a sacrificial layer removing agent is filled into the mounting space 21 through a sacrificial layer removing hole 11 to remove the sacrificial layer 35, and the hole 11 is sealed with a sealing member layer 13.例文帳に追加

犠牲層３５を残した状態で機能素子体３をパッケージ基板２に実装した後に、犠牲層除去孔１１から可動子封装空間部２１に犠牲層除去剤を充填して犠牲層３５を除去し、犠牲層除去孔１１を封止材層１３によって封止する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has a semiconductor layer 11 in which an n-type clad layer 12, a light active layer 13, and a p-type clad layer 14 are formed on one main surface of an n-type substrate 10 in order, and p-type cap layers 21-23 are formed on the semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型基板１０の一方の主面上に、ｎ型クラッド層１２，光活性層１３およびｐ型クラッド層１４が順に形成された半導体層１１を有し、この半導体層１１の上にｐ型キャップ層２１〜２３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes a p-type semiconductive layer and an n-type semiconductive layer which are connected via an active layer, and emits light with an applied forward bias, wherein both of the p-type semiconductive layer and the n-type semiconductive layer are ferromagnetic members.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, a light-emitting part provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and a multilayer structure provided between the first semiconductor layer and the light-emitting part.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 1 includes a non-magnetic layer 20, formed by using a non-magnetic material between an insulating layer 15 which is formed by using an insulating material and a second magnetic layer formed using a magnetic material, and the non-magnetic layer 20 is formed on the insulating layer 15.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果素子１は、絶縁材料を用いて形成される絶縁層１５と、磁性材料を用いて形成される第２の磁化層との間に、非磁性材料を用いて形成される非磁性層２０を備え、非磁性層２０は、絶縁層１５上に形成される。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a base layer and a magnetic recording layer formed in this order on a substrate, and has a thin-film layer essentially comprising an element having ≥1.4 and ≤1.7 for Pauling's electronegativity and ≤4.0 nm thickness between the substrate and the base layer and in contact with the base layer.例文帳に追加

基板上に、下地層と磁気記録層とをこの順に設けてなる磁気記録媒体であって、基板と下地層のあいだに、下地層に接して、ポーリングの電気陰性度が１．４以上１．７以下の元素を主成分とし厚さが４．０ｎｍ以下の薄膜層を設けてなる磁気記録媒体。 - 特許庁

The magnetic thin-film element has a structure of a face-centered cubic lattice as an foundation layer of a ferromagnetic metal layer between at least ferromagnetic metal layer and a base material, and is provided with the layer comprising metal having the electric resistance lower than that of the ferromagnetic metal layer.例文帳に追加

発明１の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is characterized in that the medium in the fine particle layer includes a first particle coat layer 3 and a second particle coat layer 4 having reflectivity values different from each other; and the second particle coat layer has reflectivity greater than that of the first particle coat layer and is formed on the luminescent part side.例文帳に追加

前記微粒子層における媒質は、屈折率の異なる第１の粒子コート層（３）および第２の粒子コート層（４）を含み、前記第２の粒子コート層は前記第１の粒子コート層より屈折率が大きく、前記発光部側に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

An electroluminescent element has a metal electrode layer, a light-emitting layer in which light can be emitted according to the electroluminescence, and a transparent electrode layer, in this order on a substrate, and the light which is emitted by the above light-emitting layer is emitted from the above transparent electrode layer side.例文帳に追加

本発明に係るエレクトロルミネッセンス発光素子は、基板上に順に金属電極層、エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層、透明電極層を有し、前記発光層で発光した光を前記透明電極層の側から出射させることを特徴とする。 - 特許庁

An organic electroluminescent element is formed by including: a transparent electrode 1; a first light emitting unit 7 including a blue fluorescent light emitting layer 2 and a green fluorescent light emitting layer 3; an intermediate layer 9; a second light emitting unit 8 including a red phosphorescent light emitting layer 4 and a green phosphorescent light emitting layer 5; and a reflective electrode 6.例文帳に追加

透明電極１と、青色蛍光発光層２及び緑色蛍光発光層３を含む第一発光ユニット７と、中間層９と、赤色リン光発光層４及び緑色リン光発光層５を含む第二発光ユニット８と、反射電極６とを備えて形成される。 - 特許庁

The element comprises a magnetic layer of spinel type crystal structure formed on a basic body through a titanium nitride layer, and another magnetic layer bonded to the spinel type magnetic layer through a nonmagnetic layer wherein the electric resistance between both magnetic layers is detected under control of an outer magnetic field.例文帳に追加

素子を、基体上に窒化チタニウム層を挟んで形成したスピネル型結晶構造の磁性層と、前記スピネル型磁性層に非磁性層を介して接合した他の磁性層とで構成し、両磁性層間を通過する電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。 - 特許庁

The light transmission type organic EL element is composed of a transparent anode layer, a positive hole transport layer, a luminescence layer, a colorless organic electron injection layer of a thickness in the range of 3 to 30 nm, and a transparent cathode layer composed of indium-zinc oxide formed on a transparent substrate in this order.例文帳に追加

透明基板の上に、透明陽電極層、正孔輸送層、発光層、厚さが３〜３０ｎｍの範囲内にある無色の有機電子注入層、そして、インジウム亜鉛酸化物からなる透明陰電極層がこの順で形成されてなる光透過型有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises a GaN substrate and a lower clad layer, active layer, upper clad layer, and GaN contact layer, which are deposited on the substrate in this order, The thickness of the GaN contact layer is between 0.07 μm and 80 μm.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、ＧａＮコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記ＧａＮコンタクト層の膜厚が、０．０７μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor substrate 103, a first wiring-structure layer including a first wiring and a first insulating layer alternately formed on the semiconductor substrate, and a second wiring-structure layer including second wiring and a second insulating layer alternately formed on the first wiring-structure layer.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板１０３と、半導体基板上に交互に設けられた第１配線および第１絶縁層を含む第１配線構造層と、第１配線構造層上に交互に設けられた第２配線および第２絶縁層を含む第２配線構造層とを含む。 - 特許庁

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 - 特許庁

A resistive element 1 is constituted of a lower layer wiring 1a formed on a semiconductor wafer, an upper layer wiring 1b formed so as to ride over lower layer wirings 1a neighbored mutually, and a via 1c electrically connecting the lower layer wiring 1a and the upper layer wiring 1b.例文帳に追加

抵抗素子１は、半導体ウエハ上に形成された下層配線１ａと、互いに隣接する下層配線１ａ同士の上方を跨ぐように形成された上層配線１ｂと、下層配線１ａ及び上層配線１ｂを電気的に接続するビア１ｃとから構成されている。 - 特許庁

The sealing section 30 has a first photocurable resin layer 31 laminated on the back surface of the imaging element substrate 11, a thermosetting resin layer 32 laminated on the photocurable resin layer 31, and a second photocurable resin layer 33 laminated on the thermosetting resin layer 32.例文帳に追加

封止部３０は、撮像素子基板１１の背面に積層される第１の光硬化性樹脂層３１と、光硬化性樹脂層３１の上に積層される熱硬化性樹脂層３２と、熱硬化性樹脂層３２の上に積層される第２の光硬化性樹脂層３３とを有する。 - 特許庁

The antireflection layer 138 has a refractive index n between the refractive index of the first layer and the refractive index of the second layer; and has a thickness of λ/4n when λ represents a wavelength of the light-emitting element, whereby a reflection loss at the interface between the barrier layer 137 and the organic intermediate layer 139 can be reduced.例文帳に追加

反射防止層１３８は、第１層の屈折率と、第２層の屈折率と、の間の屈折率ｎを備え、発光素子波長をλとした場合λ／４ｎの厚さを備えることで、バリア層１３７と有機中間層１３９界面での反射損失低減を可能とした。 - 特許庁

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

The semiconductor device is produced by sealing a semiconductor element mounted on a lead frame having a plating layer selected from a silver plating layer, a nickel plating layer, a nickel - palladium plating layer or a nickel - palladium - gold plating layer using an epoxy resin composite containing components (A)-(F) shown below.例文帳に追加

下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて、銀メッキ層、ニッケルメッキ層、ニッケル−パラジウムメッキ層又はニッケル−パラジウム−金メッキ層から選ばれるメッキ層を有するリードフレームに搭載された半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁