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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
To provide a semiconductor light-emitting element and a manufacturing method of the same which prevent decrease in crystallinity of an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer due to crystallinity of a ground layer or contamination of impurities and enable a high output power to be gained.例文帳に追加
下地層の結晶性や不純物の混入に起因する、n型半導体層、発光層およびp型半導体層の結晶性低下を防ぎ、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The film type heater 33 includes a heat resistant insulating layer, a heating element formed on one side surface of the heat resistant insulating layer in pattern shape and generating heat by application of voltage, and a heat transfer layer formed in a surface state on the opposite side surface of the heat resistant insulating layer.例文帳に追加
フィルム状ヒータ33は、耐熱絶縁層と、耐熱絶縁層の一側の面にパターン状に形成されて電圧の印加により発熱する発熱体と、耐熱絶縁層の反対側の面に面状に形成される伝熱層と、を含む。 - 特許庁
The base plate 12 has laminated structure equipped with a surface layer 12c where the optical element is supported and which is partially etched and an etching stopper layer 12b functioning as an etching stopper to an etching medium for the surface layer under the surface layer.例文帳に追加
支持基板12は、前記光学素子が支持され部分的にエッチング処理を受ける表層12cと、該表層下にあって該表層のためのエッチング媒体に関してエッチングストッパとして機能するエッチングストッパ層12bとを備える積層構造を有する。 - 特許庁
The solar cell back sheet includes a vinylidene chloride resin layer and a silicone modified acrylic resin layer, and further includes a layer for concealing the vinylidene chloride resin layer, which is formed on a solar cell element side position when the solar cell back sheet is integrated into a solar cell module.例文帳に追加
塩化ビニリデン系樹脂層とシリコーン変性アクリル系樹脂層とを有し、太陽電池モジュールに組み込んだときに、太陽電池素子側になる位置に前記塩化ビニリデン系樹脂層を隠蔽する層を有する太陽電池バックシート。 - 特許庁
The film type heater 33 is interposed between the base body 31 and the releasing layer 37, and also the base body 31, the heating element 35, the heat resistant insulating layer 34, the heat transfer layer 36 and the releasing layer 37 are layered in this order outward in a radial direction.例文帳に追加
ベース体31と離型層37との間にフィルム状ヒータ33が介在されるとともに、ベース体31と、発熱体35と、耐熱絶縁層34と、伝熱層36と、離型層37とが、半径方向外方にこの順番で積層される。 - 特許庁
In the protection film 20, a p-type semiconductor layer 21 and an n-type semiconductor layer 22 are laminated in this order from a side of the magnet element assembly 10, and a pn junction is formed between the p-type semiconductor layer 21 and the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加
保護膜20はp型半導体層21とn型半導体層22とを磁石素体10の側からこの順に積層しており、p型半導体層21とn型半導体層22との間にはpn接合が形成されている。 - 特許庁
To provide a thin-film electrode layer having high EM (electromigration) resistance which is a problem in a conventional electrode structure by a Ta layer/an Au layer/a Ta layer, a thin-film magnetic head using a magneto-resistive effect element, and an electrode forming method of the thin-film magnetic head.例文帳に追加
従来のTa層/Au層/Ta層による電極構造では問題になっていた、EM(electromigration)耐性に優れた薄膜電極層及び磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド並びに該薄膜磁気ヘッドの電極形成方法を得る。 - 特許庁
In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加
n型ZnO単結晶基板基板101上に、n型MgZnOクラッド層103、ノンドープ量子井戸活性層105、p型MgZnO第2クラッド層109およびp型ZnOコンタクト層110を順次積層する。 - 特許庁
The switching element is composed of an ion conductive layer 23 containing an tantalum oxide, a first electrode 21 provided in contact with the ion conductive layer 23, and a second electrode 22 which is provided in contact with the ion conductive layer 23 and capable of feeding metal ions into the ion conductive layer 23.例文帳に追加
酸化タンタルを含むイオン伝導層23と、イオン伝導層に接して設けられた第1電極21と、イオン伝導層に接して設けられ、イオン伝導層に金属イオンを供給可能な第2電極22とを有する構成である。 - 特許庁
A zinc layer and an antibacterial layer consisting of at least one kind of antibacterial element selected from manganese, cobalt and copper are respectively precipitated in succession over a prescribed base material to form a multilayer film consisting of the zinc layer and the antibacterial layer.例文帳に追加
所定の基材上に、亜鉛層 とマンガン、コバルト、及び銅から選択される少なくとも一種の抗菌性元素からなる抗菌層とをそれぞれ順次に析出させて、前記亜鉛層と前記抗菌層とからなる多層膜を形成する。 - 特許庁
The MOSFET device has a semiconductor substrate 11; an SiGe layer 12 placed on the substrate 11; an Si layer 13 placed on the layer 12; and an element separation region 16 for separating the Si layer 13 into a core region 14 and an I/O region 15.例文帳に追加
MOSFETデバイスは、半導体基板11と、この上に備えられたSiGe層12と、この上に備えられたSi層13と、このSi層13をコア領域14とI/O領域15とに分離する素子分離領域16とを有する。 - 特許庁
To provide a light-emitting element with small distortion occurring at the interface with an organic material layer and a second conductive layer arranged on it, in which thickness of the light-emitting layer is maintained uniformly and loss of conductivity of the second conductive layer can be suppressed.例文帳に追加
有機材料層とその上に配される第二導電層との界面に生じる歪みが小さく、発光層の厚みが均一に保持されるとともに、第二導電層が有する導電性の損失も抑制することが可能な発光素子の提供。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor substrate 41 includes a step of forming support holes 21, 22 on an element separation layer 12, burying a support forming layer 27 in the support holes 21, 22, forming the layer 27 to cover a silicon layer 16, and then completing a support 26.例文帳に追加
半導体基板41の製造方法は、素子分離層12上に支持体穴21,22を形成し、支持体形成層27を支持体穴21,22の中に埋めるとともにシリコン層16が覆われるように形成した後、支持体26を完成させる。 - 特許庁
In the optical semiconductor device in which an optical semiconductor element mounted on the wiring circuit board is sealed with resin, there is contained a resin layer (B layer) in which a tensile modulus at 30°C between a sealing resin layer (A layer) and the board is 0.001 to 0.4 GPa.例文帳に追加
配線回路基板上に実装された光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置であって、封止樹脂層(A層)と該基板との間に30℃における引張り弾性率が0.001〜0.4GPaである樹脂層(B層)を有する光半導体装置。 - 特許庁
The electroluminescence element has a substrate 11; a hole injection electrode 12; a hole transport layer 13, an electron transport layer 14; and an electron injection electrode 15, stacked in order on the substrate 11, and the electron transport layer 14 acting as a luminescent layer contains a hole trap.例文帳に追加
基板11と、基板11上に順次積層された正孔注入用電極12、正孔輸送層13、電子輸送層14および電子注入用電極15を備え、発光層となる電子輸送層14が正孔トラップを含む。 - 特許庁
A board 10 is furnished on a first surface with a transparent electrode 12, an organic layer 14 including light emission layer and a metal electrode 16, and on a second surface with a light converging layer 20 which emits upon converging the light emitted from the organic layer 14 forward of the element.例文帳に追加
基板10の第1面側に、透明電極12、発光層を含む有機層14及び金属電極16を有し、基板の第2面側に有機層14の発光光を素子前方へ集光して射出する集光層20を設ける。 - 特許庁
The magnetoresistive effect element comprises a multilayer fixed magnetic layer comprising at least one nonmagnetic layer and magnetic layers sandwiching the nonmagnetic layer wherein the magnetic layers are coupled magnetostatically through the nonmagnetic layer.例文帳に追加
固定磁性層が、少なくとも1層の非磁性体層と、この非磁性体層を挟持する磁性体層とからなる多層膜であり、上記磁性体層が、上記非磁性体層を介して互いに静磁結合している磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
In addition, since the capping layer can be deposited at a temperature which is not very high, it gives no damage to the light emitting element.例文帳に追加
また、キャッピング層をあまり高くない温度で成膜することができるので、発光素子にダメージを与えない。 - 特許庁
Each magnetoresistive element 31 to 34 is covered with a protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60).例文帳に追加
磁気抵抗素子31〜34の各々は、保護膜(層間絶縁膜40、パッシベーション膜60)により覆われている。 - 特許庁
A negative electrode 12 is formed on the light emitting element (dummy light emitting layer 210) in an upper direction of the bank section.例文帳に追加
バンク部の上方向及び発光素子(ダミー発光層210)上には陰極12が形成されている。 - 特許庁
Around the element 101, a groove 103 formed in a layer 2 in common to the vibration film support 17 is disposed.例文帳に追加
素子101の周囲に、振動膜支持部17と共通の層2に形成された溝103が配されている。 - 特許庁
One end face of the optical wave-guide 235 faces the light emitting element 205 and covers the light emitting layer 210.例文帳に追加
光導波路235の他方の先端面は発光素子205に対向してその発光層210を覆っている。 - 特許庁
A liquid crystal light control element 26 includes a liquid crystal layer 260 composed of liquid crystal layers 260a and 260b.例文帳に追加
液晶調光素子26は、液晶層260a,260bにより構成される液晶層260を有する。 - 特許庁
To provide a light emitting element which prevents an electrical current from concentrating on a specific area in a semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層中の特定領域に電流が集中することを抑制した発光素子を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting element capable of suppressing the damage of an electrode side reflection layer and the loss of current.例文帳に追加
電極側反射層の破損及び電流の損失を抑制できる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
The capacity element 6 is covered with an n-th layer interlayer insulating film 8 provided on the substrate 1.例文帳に追加
容量素子6は、基板1上に設けられた第n層目の層間絶縁膜8によって覆われている。 - 特許庁
This polarizer includes the transparent protective film at least on one surface of the polarizing element via the adhesive layer.例文帳に追加
偏光子の少なくとも一方の面に、接着剤層を介して透明保護フィルムが設けられている偏光板。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for layering an optical element comprising a liquid crystal substance layer having no supporting substrate film.例文帳に追加
支持基板フィルムの無い液晶物質層からなる光学素子を積層するための製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, vacuum hollow grains 32 in the evaporator 14 act as an heat-insulating layer to retain the heat in the heating element 12.例文帳に追加
そして、蒸発器14内の真空中空粒子32が断熱層になり、発熱体12を保温する。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescence element with high luminescent efficiency by including a charge trapping function in a luminescent layer.例文帳に追加
発光層が電荷トラップ能を含むことによって、発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁
To prevent a crack of the resistive film formed on an electrode and an insulating layer in a thin film resistive element.例文帳に追加
薄膜抵抗素子において電極及び絶縁層上に成膜される抵抗膜のクラックを防止する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting element capable of reducing a stress applied to an adjacent layer by a current constriction structure.例文帳に追加
電流狭窄構造が隣接層に加える応力を低減できる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
THIN FILM CONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURE THEREOF, AND MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
薄膜導体層及び前記薄膜導体層を用いた磁気抵抗効果素子並びに薄膜導体層の製造方法 - 特許庁
The insulator layer and the conductor pattern are laminated upon another and a circuit element is formed of the conductor pattern in the laminate.例文帳に追加
絶縁体層と導体パターンを積層し、積層体内に導体パターンによって回路素子が形成される。 - 特許庁
A coil pattern made of a conductor pattern is formed in the element wherein a magnetic layer and the conductor pattern are layered.例文帳に追加
磁性体層と導体パターンを積層した素体内に導体パターンによってコイルパターンが形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor optical element having diffusion of Zn into an active layer suppressed, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
活性層中へZnの拡散が抑制された半導体光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent an increase in size of a semiconductor device by forming a resistance element on a diffusion layer with a good area efficiency.例文帳に追加
半導体素子の拡散層に抵抗素子を面積効率よく形成し、半導体素子の大型化を防ぐ。 - 特許庁
In the organic electroluminescent element, the hole injection layer further comprises a conductive polymer.例文帳に追加
正孔注入層が、さらに導電性高分子を含有することを特徴とする前記有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
The side emitter type light-emitting device 1 has a light-emitting element 12, a translucent layer 13, and a light-emitting member 14.例文帳に追加
サイドエミッタ型発光装置1は、発光素子12、透光性層13および発光部材14を有している。 - 特許庁
A protecting layer 23 of Ti-Mo is provided on a pad electrode part 22 connected to the Hall element 14.例文帳に追加
また、ホール素子14に接続されたパッド電極部22の上に、Ti−Moからなる保護層23を設ける。 - 特許庁
The photosensitive layer is laminated to seal and fuse adjacent ends together forming the cylindrical photosensitive element.例文帳に追加
感光性層を積層して、隣接する端部を一緒に封止し融着して、円筒形感光部材を形成する。 - 特許庁
A third non-magnetic layer 6 formed by being brought in contact with a magnetoresistive element 7 is formed by a diamond film.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子7に接して形成された第3の非磁性層6をダイヤモンド膜により形成する。 - 特許庁
Inner conductors 14 and 16 are arranged in a dielectric element while being spaced apart from each other by a ceramic layer 12A.例文帳に追加
相互間がセラミック層12Aで隔てられる内部導体14、16が誘電体素体内に配置される。 - 特許庁
The light emitting device 1 has a base body 11 made of a metal material, an insulating layer 12 and a light emitting element 13.例文帳に追加
発光装置1は、金属材料からなる基体11、絶縁層12および発光素子13を有している。 - 特許庁
To provide a method for producing an organic electroluminescent element capable of improving the surface evenness of the light emitting layer.例文帳に追加
発光層の表面均一性を向上させることができる有機電界発光素子の製造方法の提供。 - 特許庁
The light-shielding layer 21 is formed so as to surround the periphery of a region where the organic EL element 8 is arrayed.例文帳に追加
遮光層21は、有機EL素子8が配列された領域の周囲を囲むように設けられている。 - 特許庁
To provide a technique to improve the holding characteristics of a storage element utilizing charge trapping, having a charge accumulation layer.例文帳に追加
電荷蓄積層をもち、電荷のトラップを利用する記憶素子の保持特性を向上させる技術を提供する。 - 特許庁
The invention relates to the compound represented by formula (1), and to the organic EL element using the compound as an electron transporting layer.例文帳に追加
下記の式(1)で表される化合物、ならびにこの化合物を電子輸送層に用いた有機EL素子。 - 特許庁
A V-shaped groove is provided to the element forming layer 50 through anisotropic etching, and metal is deposited for the formation of a gate 30.例文帳に追加
異方性エッチングで素子形成層50のV字型の溝を作り、ゲート30のための金属を堆積する。 - 特許庁
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