「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic EL display of CCM system capable of effectively suppressing the deterioration of each organic EL element layer 12 with the water and moisture originating from a CF layer for correction 6, a CCM layer 7, OC layer 8, insulating layer 11, barrier rib 14, etc.例文帳に追加

ＣＣＭ方式の有機ＥＬディスプレイにおいて、補正用ＣＦ層６、ＣＣＭ層７、ＯＣ層８、絶縁層１１、および隔壁１４等に由来する水分により、有機ＥＬ素子層１２が劣化することを抑制する、さらに有効な手段を講じることを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 having a zinc oxide (ZnO)-based semiconductor crystal layer 13 with a light emitting layer on a substrate 11 made of (ZnO) is provided with a reflective layer 12 which reflects light emitted by the light emitting layer between the substrate 11 and light emitting layer.例文帳に追加

酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる基板１１上に、発光層を有するＺｎＯ系半導体結晶層１３を備えた半導体発光素子１０において、基板１１と発光層との間に、発光層より放射された光を反射する反射層１２を設ける。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is composed by forming, on a substrate in a sealed state, a layered product including a positive electrode layer, a negative electrode layer and an organic luminescent layer sandwiched therebetween, and is characterized by forming a polyparaxylene-based insulation layer at least on the negative electrode layer.例文帳に追加

陽極層、陰極層及びこれらに挟持された有機発光層を含む積層体が封止された状態で基板上に設けられてなる素子であって、少なくとも前記陰極層上にポリパラキシレン系絶縁層が形成されていることを特徴とする有機電界発光素子に係る。 - 特許庁

The light emitting display apparatus 2 comprises; a light emitting element layer 4 equipped with the light emitting element; a design layer 14 including a light transmitting pattern 20 and a light non-transmitting pattern 18 for directing the light emitting element layer; and an interlayer gap 8 formed between the light emitting element layer 4 and the light non-transmitting pattern 18, which spatially separates them.例文帳に追加

発光性表示体２において、発光素子を備える発光素子層４と、発光素子層４から発光される光の照射方向側に配置され、光透過性パターン２０と前記発光素子層を指向する光不透過性パターン１８とを有する意匠層１４と、発光素子層４と意匠層１４の光不透過性パターン１８との間に形成されるこれらを空間的に離間する層間ギャップ８とを備えるようにする。 - 特許庁

The magnetic memory includes a magnetoresistive effect element 1 having a magnetic layer 11 variable in magnetization, a magnetic layer 13 fixed in magnetization, an intermediate layer 12, and a magnetic layer 15 variable in magnetization in a direction parallel with a film surface, and a magnetic layer 16 disposed on a side surface of the magnetoresistive effect element 1 via an insulating film to converge magnetic fields generated from an end part of the magnetic layer 15.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化が可変な磁性層１１と、磁化が固定された磁性層１３と、中間層１２と、膜面に対して平行方向の磁化が可変な磁性層１５とを有する磁気抵抗効果素子１と、絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子１の側面上に設けられ、磁性層１５の端部から発生する磁場を収束する磁性層１６と、を有する。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 has a magnetization fixed layer 11, an intermediate layer 12 and a magnetization reversal layer 13 laminated, wherein at least one of the magnetization fixed layer 11 and magnetization reversal layer 13 contains the RE-TM alloy, and an insulating layer 6 for insulating a pair of electrodes 2 and 3 connected above and below is disposed in contact with the magnetoresistive element 1 and made of silicon oxide.例文帳に追加

磁化固定層１１と中間層１２と磁化反転層１３とを積層して備え、磁化固定層１１および磁化反転層１３の少なくとも一方がＲＥ−ＴＭ合金を含む磁気抵抗素子１であって、上下に接続された一対の電極２，３間を絶縁するための絶縁層６が、磁気抵抗素子１に接触して配され、シリコン窒化物からなることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor element protective resin 205 formed on a semiconductor element 101 by covering it is also formed in an outer peripheral surface region between an intermediate junction layer 203 of the semiconductor element 101 and a solder junction layer 204 by covering it; and thereby crack resistance in the semiconductor element 101 and a relaxation property of stress applied to an interface between the semiconductor element 101 and a solder material 104 are improved.例文帳に追加

半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor element is provided with a GaN layer 3 formed on a prescribed region on a sapphire substrate 1 and provided with a prescribed thickness, the element-forming region 6 where an element is formed, and an element non-forming region 7, formed in a region other than the element-forming region 6 on the sapphire substrate 1 where the GaN layer 3 is not formed or is formed thin.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、サファイア基板１上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するＧａＮ層３を含むとともに、素子が形成される素子形成領域６と、サファイア基板１上の素子形成領域６以外の領域に形成され、ＧａＮ層３が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域７とを備えている。 - 特許庁

A DC current (DCT current) which generates a magnetic field in the direction opposite to the predetermined magnetizing direction of the pin layer adjacent to an antiferromagnetic layer, is supplied to the spin valve magnetoresistance effect element 23 (SV element) while supplying a nearly rectangular alternating current (ACT current) to a recording element 22 of the magnetic head 21 equipped with the recording element 22 and the SV element 23.例文帳に追加

記録素子２２とスピンバルブ磁気抵抗効果素子２３（ＳＶ素子）とを備える磁気ヘッド２１の記録素子２２に略矩形状の交番する電流（ＡＣＴ電流）を供給しつつ、ＳＶ素子２３に反強磁性層に隣接するピン層の所定の磁化方向に対して逆方向の磁界を発生させる直流電流（ＤＣＴ電流）を供給する。 - 特許庁

In the electroluminescent element having a transparent conductive film and a phosphor layer, this is the inorganic dispersion-type electroluminescent element in which the phosphor layer contains a phosphor containing copper-doped zinc sulfide, zinc selenide, or a phosphor containing their mixed crystals, and in which the phosphor contains at least one kind of element selected from group XIII element and group XV element in the periodic table.例文帳に追加

透明導電膜と蛍光体層を有するエレクトロルミネッセンス素子において、該蛍光体層が銅をドープした硫化亜鉛、セレン化亜鉛またはそれらの混晶を含む蛍光体を含み、該蛍光体が、周期律表の１３族の元素及び１５族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする無機分散型エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

This organic electroluminescent element has: a positive electrode; at least one layer of an organic layer including a luminescent layer; and a negative electrode, and the luminescent layer contains at least one kind of a host material, an emitter, and a nonorganic semiconductor compound.例文帳に追加

陽極、発光層を含む少なくとも一層の有機層、及び陰極を有する有機電界発光素子であって、該発光層が、少なくとも一種の、ホスト材料、発光体、及び無機半導体化合物を含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The phase correction element is provided with an electrode layer 143, an electrode layer 144 arranged oppositely from the electrode layer 143, alignment layers 145 arranged at surfaces facing the electrode layers 143 and 144, and a liquid crystal layer 146 filled between the alignment layers 145.例文帳に追加

位相補正素子は、電極層１４３と、これに対向して配置された電極層１４４と、これら電極層１４３、１４４の対向面に配された配向膜１４５と、配向膜１４５の間に充填された液晶層１４６とを備える。 - 特許庁

To improve resistance characteristics of a gas barrier layer against an etching liquid and a cleaning liquid in a process after a gas barrier layer film forming in an organic EL element composed of sequentially laminating a color filter layer, the gas barrier layer, and an organic EL structure on a substrate.例文帳に追加

基板上にカラーフィルタ層、ガスバリア層、および有機ＥＬ構造体を順次積層してなる有機ＥＬ素子において、ガスバリア層成膜後の後工程におけるエッチング液や洗浄液に対するガスバリア層の耐性を向上させる。 - 特許庁

A first wiring board 101 provided with a specified insulating layer and a wiring layer, and a second wiring board 102 provided with a specified insulating layer and a wiring layer, are laminated through a board bonding element 106 provided with a through hole filled with a conductor 105.例文帳に追加

所定の絶縁層と配線層を備える第一の配線基板101と、所定の絶縁層と配線層を備える第二の配線基板102とが、導電体105が充填された貫通孔104を備えた基板接合体106を介して積層される。 - 特許庁

The part of a conductive layer 9 forming electrodes to be connected to an MR element in the groove formed between the lower shielding layer 5, and the 1st part 6a of the upper shielding layer are arranged in a state in which it is insulated by an insulator layer 8.例文帳に追加

下部シールド層５と上部シールド層の第１の部分６ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層９の一部が、絶縁膜８によって絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

The strain layer 5 is so bent in a region 12 under the recessed part 10 as to relax the strain attributable to the difference of the lattice constant between the InGaAs layer 3 and the GaAs layer 4, so that the constituent element layer 6A is raised vertically to the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層３とＧａＡｓ層４との格子定数の差に起因する歪を緩和するように歪層５が凹部１０の下方の領域１２で湾曲し、構成要素層６ＡがＧａＡｓ基板１に対して垂直に起立する。 - 特許庁

This light emitting element 1 has a top emission type structure in which an anode 11 made of metal, a hole transport layer 12, a luminescent layer 13, an electron transport layer 14, a translucent cathode 15, and the capping layer 16 are laminated one by one on a glass substrate 10.例文帳に追加

発光素子１は、トップエミッション構造の発光素子であり、ガラス基板１０上に、金属からなる陽極１１、正孔輸送層１２、発光層１３、電子輸送層１４、半透明陰極１５、及びキャッピング層１６が順次積層されている。 - 特許庁

A wiring structure in the semiconductor device is made a laminate structure wherein an insulating layer, the wiring layer which contains at least either Au or Ag as an alloying element and is composed of Al, and an insulating layer are laminated in order from a lower layer.例文帳に追加

半導体装置における配線構造を、下層から順に、絶縁層、添加元素として少なくともＡｕまたはＡｇのいずれか一方を含有するＡｌからなる配線層、絶縁層が、順次積層されてなる積層構造とする。 - 特許庁

The gallium nitride light emitting element comprises an n-type GaN buffer layer 12, an n-type GaN layer 14, an InGaN light emitting layer 16, a p-type GaN layer 18, an n-type electrode 20, and a p-type electrode 22 sequentially formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成される。 - 特許庁

After a metallic junction layer 31' is formed on the second principal surface of the compound semiconductor layer 50 from which the substrate 1 is removed, an element substrate 7 is stuck to the second principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a metallic layer 10.例文帳に追加

成長用基板１が除去された化合物半導体層５０の第二主表面に接合金属層３１’を形成した後、該化合物半導体層５０の第二主表面に金属層１０を介して素子基板７を貼り合せる。 - 特許庁

Between the element substrate 7 and the light emitting layer 24, an Ag metal layer is provided that contains an Ag reflective metal layer 10 that reflects the light from the light emitting layer to the light taking-out surface side, with Ag constituting main component as a whole.例文帳に追加

また、素子基板７と発光層部２４との間には、全体がＡｇを主成分に構成され、該発光層部からの光を前記光取出面側に反射させるＡｇ系反射金属層１０を含むＡｇ系金属層が配置される。 - 特許庁

In a magnetoresistive element comprising a substrate, a backing layer formed on the substrate, and a magnetoresistive structure formed on the backing layer, a diffusion prevention layer formed between the backing layer and the magnetoresistive structure is provided.例文帳に追加

基板、該基板上に形成された下地層及び該下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、下地層及び磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備える磁気抵抗素子である。 - 特許庁

A bonding pad 56 comprises a second layer electrode 64 and a third layer electrode 65, and a first layer electrode 70 is receded from a bonding region 68 toward the inside for electrical connection to an element with the wiring of the first layer from the bonding pad.例文帳に追加

ボンディングパッド５６は、第２層電極６４と第３層電極６５で構成し、ボンディングパッドから第１層目の配線で素子と電気的に接続するため、第１層電極７０をボンディングエリア６８から内側に向かって遠ざけた。 - 特許庁

An electronic component has an element body where a dielectric layer and an inner electrode layer are laminated alternately and a hetero phase of a prescribed thickness is formed at least in a part of an area near a boundary between the dielectric layer and the inner electrode layer.例文帳に追加

誘電体層と内部電極層とが交互に積層してある素子本体を有し、前記誘電体層と前記内部電極層との境界付近の少なくとも一部には、所定厚みの異相が形成してある電子部品である。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element where an organic thin-film layer having at least the luminous layer is clamped between positive and negative electrodes, a layer in contact with the luminous layer contains a metal complex compound in a specific structure.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極間に、少なくとも発光層を有する有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と接する層が、特定構造の金属錯体化合物を含有する。 - 特許庁

After a peel-off layer containing an element is formed on a board, the peel-off layer is adhered to a support body and the peel-off layer is peeled off from the board, a thin film in contact with the peel-off layer is formed, and then, is bonded to a transfer body 22.例文帳に追加

本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成した後、支持体に被剥離層を接着して基板から引き剥がして被剥離層を剥離した後、被剥離層に接する薄膜を成膜した後、転写体２２と貼り合わせる。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser element 40 has the laminating structure of a lower reflector 44, a lower clad layer 46, an active layer 48, an upper clad layer 50, an upper reflector 52, and a p-type contact layer 54 on an n-type GaAs stepped substrate 42.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子４０は、ｎ型ＧａＡｓ段差基板４２上に、下部反射鏡４４、下部クラッド層４６、活性層４８、上部クラッド層５０、上部反射鏡５２、及びｐ型コンタクト層５４の積層構造を備える。 - 特許庁

Since the first cap layer 51 made from NiFeHf absorbs oxygen which has been captured in the free layer 50, the interface between the tunnel barrier layer 49 and the free layer 50 is sharpened, thereby substantially improving dR/R performance of the MTJ element.例文帳に追加

フリー層５０に捕捉されている酸素がＮｉＦｅＨｆからなる第１のキャップ層５１によって吸着されるので、トンネルバリア層４９とフリー層５０との界面がより鮮鋭化し、ＭＴＪ素子のｄＲ／Ｒ性能が著しく向上する。 - 特許庁

The film type heater 33 is interposed between the base body 31 and the releasing layer 37, and also the base body 31, the heating element 35, the heat resistant insulating layer, the heat transfer layer and the releasing layer 37 are layered in this order outward in a radial direction.例文帳に追加

ベース体３１と離型層３７との間にフィルム状ヒータ３３が介在されるとともに、ベース体３１と、発熱体３５と、前記耐熱絶縁層と、前記伝熱層と、離型層３７とが、半径方向外方にこの順番で積層される。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer piezoelectric element exhibiting excellent durability in which damage on the interface of an internal electrode layer and a piezoelectric ceramic layer can be suppressed by enhancing the bonding strength of the internal electrode layer and the piezoelectric ceramic layer, and to provide its producing method and an ejector.例文帳に追加

内部電極層と圧電磁器層との接合強度を向上して、内部電極層と圧電磁器層との界面における破損を抑制できる耐久性に優れた積層型圧電素子及びその製法並びに噴射装置を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor having a support, the photosensitive layer on the support and the surface layer on the photosensitive layer is characterized in that the surface layer contains tin oxide particles doped with a tungsten element and the resin.例文帳に追加

支持体、該支持体上の感光層及び該感光層上の表面層を有する電子写真感光体において、該表面層がタングステン元素をドープした酸化スズ粒子及び樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The electrochromic element comprises a pair of substrates 2 and 4 provided with electrodes 3 and 5, respectively, and a coloring layer 6 and an electrolyte layer 7 interposed between the substrates 2 and 4, and the periphery of the coloring layer 6 and the electrolyte layer 7 is sealed by using a resin material 8.例文帳に追加

それぞれ電極３，５を備えた一対の基板２，４と、該基板２，４の間に挟持された発色層６及び電解液層７とからなり、発色層６及び電解液層７の周囲を樹脂材８で封止したエレクトロクロミック素子。 - 特許庁

An organic layer 18 and a cathode electrode 19 are formed on the exposed electrode layer 15a, thereby forming an organic light emitting element 1a using the source/drain electrode layer 15 (electrode layer 15a) as an anode electrode in the region 10A.例文帳に追加

この露出した電極層１５ａ上に有機層１８およびカソード電極１９を形成することで、領域１０Ａに、ソース・ドレイン電極層１５（電極層１５ａ）をアノード電極として用いた有機発光素子１ａを形成する。 - 特許庁

The organic electric field light-emitting element has a pair of electrodes and a layer composed of an organic substance of at least one layer or more sandwiched between them, and a light-emitting color adjusting layer is inserted between the organic layer and the electrode.例文帳に追加

本発明の有機電界発光素子は、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層以上の有機物からなる層を有しており、有機層と電極の間に発光色調整層を挿入したことを特徴とする。 - 特許庁

This photoelectric conversion element comprises a conductive layer, a layer containing micro particles of semiconductor adsorbing a dye, a hole transport layer and a counter electrode where the hole transportation layer contains olygopyrol having a degree of polymerization of 50 or lower.例文帳に追加

少なくとも導電層、色素を吸着した半導体微粒子含有層、正孔輸送層および対極を備えた光電変換素子において、前記正孔輸送層が、重合度が50以下のオリゴピロールを含有する光電変換素子および太陽電池。 - 特許庁

The metallic wiring layer 33 is formed over the insulating layer 20 from above the element electrode 11 exposed to an opening part 25 formed in the insulating layer 20, and a part of the metallic wiring layer 33 functions as an outer electrode 32.例文帳に追加

金属配線層３３は、絶縁層２０に形成された開口部２５に露出している素子電極１１の上から絶縁層２０の上に亘って形成されており、金属配線層３３の一部は外部電極３２として機能する。 - 特許庁

The organic light emission element has a first luminescence layer containing an ortho-metallic complex in the organic luminescence layer which is constituted laminating a transparent electrode, the organic luminescence layer and a back electrode on a substrate, and a second luminescence layer containing a macromolecule luminescent material.例文帳に追加

基材上に透明電極、有機発光層及び背面電極を積層してなり、該有機発光層が、オルトメタル化錯体を含有する第一発光層と、高分子発光材料を含有する第二発光層とを有する有機発光素子である。 - 特許庁

A capacitive element where a first electrode layer, a dielectric layer, a second electrode layer, and a third electrode layer of metal or metal silicide are laminated in this sequence is formed in a certain region of the surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板の表面上の一部の領域に、第１の電極層、誘電体層、第２の電極層、及び金属もしくは金属シリサイドからなる第３の電極層がこの順番に積層された容量素子が形成されている。 - 特許庁

Thereby, since the conductive layer 22 traps moisture and oxygen existing in an element forming layer 10, a pixel electrode 16, a function layer 20, and the common electrode 21 in the surrounding, the moisture and oxygen do not reach the function layer 20.例文帳に追加

従って、導電層２２は、その周囲にある素子形成層１０、画素電極１６、機能層２０及び共通電極２１中に内在する水分及び酸素をトラップするので、その水分及び酸素が機能層２０に到達することはない。 - 特許庁

The magnetic detection element is formed of an electrode layer 35 of soft magnetic materials at both sides of a laminated body 23, and an antiferromagnetic layer 34 forming a laminate structure together with the electrode layer 35 and producing a switched connection magnetic field for the electrode layer 35.例文帳に追加

積層体２３の両側に軟磁性材料で形成された電極層３５と、前記電極層３５と積層構造を成し、前記電極層３５との間で交換結合磁界を生じさせる反強磁性層３４を形成する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has an anode, a first organic layer, a light-emitting layer and a cathode in this order on a substrate, wherein the first organic layer and the light-emitting layer are formed by a wet film forming method.例文帳に追加

基板上に、陽極、第一の有機層、発光層、及び陰極をこの順に有し、第一の有機層、及び発光層は湿式成膜法で形成された有機電界発光素子であって、下記式（１）を満たすことを特徴とする、有機電界発光素子。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a lamination structure formed by successively laminating an anode (hole injection electrode) 2, a hole injection layer 3, a light emitting layer 4, an electron transport layer 5, an electron injection layer 6, and a cathode (electron injection electrode) 7 on a substrate 1.例文帳に追加

有機電界発光素子は、基板１上に、陽極（ホール注入電極）２、正孔注入層３、発光層４、電子輸送層５、電子注入層６および陰極（電子注入電極）７が順に形成された積層構造を有する。 - 特許庁

The film type heater 33 is interposed between the base body 31 and the releasing layer 37, and also the base body 31, the heating element 35, the heat resistant insulating layer, the heat transfer layer, and the releasing layer 37 are layered in this order outward in a radial direction.例文帳に追加

ベース体３１と離型層３７との間にフィルム状ヒータ３３が介在されるとともに、ベース体３１と、発熱体３５と、前記耐熱絶縁層と、前記伝熱層と、離型層３７とが、半径方向外方にこの順番で積層される。 - 特許庁

For the photoelectric conversion element comprising a conductive layer 10, a sensitized layer 20, an electric charge transfer layer 30, and an opposite pole 40, the opposite pole is formed by using a diamond layer doped with boron, and doped volume of boron is 5,000 ppm or more, and 30,000 ppm or less.例文帳に追加

導電層１０、感光層２０、電荷輸送層３０および対極４０を有する光電変換素子において、対極を硼素ドープダイアモンド層を用いて構成し、硼素のドープ量が５，０００ｐｐｍ以上３０，０００ｐｐｍ以下である。 - 特許庁