「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

A piezoelectric element of the present invention includes a substrate 21, a lower electrode layer, a piezoelectric layer, an upper electrode layer 23, a cavity portion formed below a piezoelectric vibrating portion, and at least two bridging portions 2a, 2b.例文帳に追加

本発明の圧電素子は、基板２１と、下部電極層と、圧電体層と、上部電極層２３と、圧電振動部の下に形成された空洞部と、二以上の架橋部２ａ，２ｂとを備える。 - 特許庁

On the diffraction element 20, an upper layer separation prevention pattern PPa is formed so that a base layer 20C and an enclosure layer 20D may fit to an outside optics area EO through which an optical beam does not pass.例文帳に追加

本発明は、回折素子２０は、光ビームが通過しない光学外領域ＥＯに、ベース層２０Ｃ及びカバー層２０Ｄが嵌合するように上層剥離防止パターンＰＰａを設けるようにする。 - 特許庁

The liquid crystal element has an alignment layer which is formed by forming an SiO_2 film 4 on an SiO alignment layer 3 and then water and ions adsorbed to an alignment layer surface can be reduced in amount.例文帳に追加

液晶素子において配向膜をＳｉＯ配向膜３上にＳｉＯ_2膜４を形成した構成にすることにより、配向膜表面に吸着する水分やイオンの量を低減することができる。 - 特許庁

The light emitting element 10 comprises an n-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer 13 sequentially formed on a substrate 11, and an alloyed film 19 formed on the layer 13.例文帳に追加

本発明の発光素子１０は、基板１１上にｎ型半導体層１２及びｐ型半導体層１３を順に有し、該ｐ型半導体層１３上に合金化フィルム１９を有する。 - 特許庁

The organic light emitting element has: a hole transport layer 3; a luminous layer 4 containing an electroluminescent dopant in a charge transport material; and an electron transport layer 5 in this order between two opposing electrodes 1, 2.例文帳に追加

対向する２つの電極１，２間に、ホール輸送層３と、電荷輸送材料中に発光ドーパントを含んでなる発光層４と、電子輸送層５とをこの順に備える有機発光素子に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing the light emitting element includes a step of forming the nano-structure on a surface of the substrate; and a step of forming thereon a first conductive semiconductor layer, active layer, and a second conductive semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子の製造方法は、基板表面にナノ構造体を形成し、その上に第１導電性半導体層、活性層、及び第２導電性半導体層を形成する段階を含む。 - 特許庁

The resistance change element includes a first electrode 11, a second electrode 13, a resistance changing layer 12 laminated between the first electrode 11 and the second electrode 14, and an insulating layer (tunnel barrier layer 14).例文帳に追加

第１の電極１１と、第２の電極１３と、第１の電極１１と第２の電極１４との間に積層された抵抗変化層１２および絶縁層（トンネルバリア層１４）とを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a spacer layer 17 is formed around an imaging element 12 on the semiconductor substrate 11, and a glass lid 15 is bonded to the spacer layer 17 via an adhesive layer 18.例文帳に追加

半導体装置１において、スペーサー層１７を半導体基板１１上の撮像素子１２の周囲に形成し、スペーサー層１７に接着剤層１８を介してガラスリッド１５を接合する。 - 特許庁

The organic light emission element includes a light emission layer containing a non-conjugate polymer between an electron transport layer containing conjugate polymer and a hole transport layer containing conjugate polymer.例文帳に追加

本発明は、共役系高分子を含む電子輸送層と共役系高分子を含む正孔輸送層との間に、非共役系高分子を含む発光層を有する有機発光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-receiving element 1a comprises an InP substrate 4, an In GaAsP semiconductor layer 16, a III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18 and an InGaAsP semiconductor layer 20.例文帳に追加

半導体受光素子１ａは、ＩｎＰ基板４と、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８と、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２０と、を備える。 - 特許庁

The organic EL element comprises a substrate, a lower side electrode, an organic EL light-emitting layer, a transparent oxide layer having low resistance functioning as an upper side electrode, and a transparent oxide layer having high resistance.例文帳に追加

基板と、下部電極と、有機ＥＬ発光層と、上部電極として機能する低抵抗透明酸化物の層と、高抵抗透明酸化物の層とを含むことを特徴とする有機ＥＬ発光素子。 - 特許庁

The electron emission element 10 is provided with a cathode substrate 11, a conductive layer 12 present on the cathode substrate 11, and a carbon layer 20 present on the conductive layer 12 and having an electron emission part 21a.例文帳に追加

電子放出素子１０は、カソード基板１１と、このカソード基板１１上に在る導電層１２と、この導電層１２上に在り、電子放出部２１ａを有するカーボン層２０と、を備えている。 - 特許庁

The deodorizing element is constituted so that a catalytic electrode layer carrying metal particles having a catalytic function and a counter electrode layer are laminated on a conductive base body, through an insulation layer having proton transmissivity.例文帳に追加

脱臭素子は、導電性基体に、触媒機能を有する金属微粒子を担持させた触媒電極層と、対向電極層とを、プロトン透過性を有する絶縁層を挟んで積層した。 - 特許庁

Or, the overcoat layer 16 consists of a metal oxide or nitride layer containing at least one kind of element selected from a group of yttrium, magnesium and aluminum, or of a DLC(diamond like carbon) layer.例文帳に追加

又は、オーバーコート層１６が、イットリウム、マグネシウム及びアルミニウムからなる群の中から選ばれた少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物若しくは窒化物、又はＤＬＣの層である。 - 特許庁

The piezoelectric/electrostrictive element 10 is formed of a substrate 11, an electrode layer 12 formed on the substrate through deposition, and a piezoelectric/electrostrictive layer 13 formed on the electrode layer 12 through deposition.例文帳に追加

圧電／電歪素子１０は、基板１１と、その基板上に固着して形成された電極層１２と、その電極層１２上に固着して形成された圧電／電歪層１３と、から構成されている。 - 特許庁

A second polysilicon layer 109 which serves as a floating gate electrode with first polysilicon layer 103 is formed on the element isolation region 108 of the first polysilicon layer 103 and the STI structure.例文帳に追加

第１ポリシリコン層１０３及びＳＴＩ構造の素子分離領域１０８上には、第１ポリシリコン層１０３と共に浮遊ゲート電極となる第２ポリシリコン層１０９が形成されている。 - 特許庁

The reflecting mirror 10 is constituted by laminating a silver-containing metal layer 3 on a base material 1 and by laminating a carbon element-containing nitride layer 4 on the metal layer 3.例文帳に追加

本発明に係る反射鏡１０は、銀を含む金属層３が基材１上に積層された反射鏡であって、炭素元素を含有した窒化物層４が金属層３上に積層されている。 - 特許庁

In the multilayer NTC thermistor 1A, a thermistor layer 4 having a B constant B2 and a thermistor layer 3 having a B constant B1 lower than the B constant B2 are laid in layer as one element.例文帳に追加

積層型ＮＴＣサーミスタ１Ａは、Ｂ定数Ｂ２を有するサーミスタ層４と、Ｂ定数Ｂ２より低いＢ定数Ｂ１を有するサーミスタ層３とが積層されて一素子として構成されている。 - 特許庁

This organic electroluminescent element with an organic layer clamped between two electrodes contains a compound expressed by a general formula (1), in at least one layer of the organic layer.例文帳に追加

２つの電極間に挟持された有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、有機層の少なくとも１層に、下記一般式（１）で示される化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

When the alloyed electric charge transport layer is, for example, the hole transport layer(HTL), holes conduct through the transport layer by the inorganic composition element, and voltage descending or heating decreases.例文帳に追加

上記合金化された電荷トランスポート層が、例えば、ホール・トランスポート層（ＨＴＬ）である場合、ホールがその無機構成要素によってそのトランスポート層を通して伝導され、電圧降下又は加熱が減少される。 - 特許庁

In the multilayer NTC thermistor 1A, a thermistor layer 3 having a B constant B1 and a thermistor layer 4 having a B constant B2 higher than the B constant B1 are laid in layer as one element.例文帳に追加

積層型ＮＴＣサーミスタ１Ａは、Ｂ定数Ｂ１を有するサーミスタ層３と、Ｂ定数Ｂ１より高いＢ定数Ｂ２を有するサーミスタ層４とが積層されて一素子として構成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element contains at least one layer of an organic compound layer between a pair of electrodes, and a platinum complex having a specified structure is contained in the organic compound layer.例文帳に追加

一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、特定の構造を有する白金錯体を有機化合物層に含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The semiconductor laser element has a lamination structure constituted by laminating a first cladding layer 103, an active layer 104 and a second cladding layer 105 on a semiconductor substrate 101, in this order from the side nearest the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、半導体基板(101)上に、半導体基板(101)に近い側から順に、第１のクラッド層(103)、活性層(104)、及び第２のクラッド層(105)が積層されてなる積層構造を有する。 - 特許庁

This is an organic electroluminescent element in which an luminous layer 5 is pinched by a positive electrode 2 and a negative electrode 7 on a substrate 1 and a hole injecting layer 3 is formed between the luminous layer 5 and the positive electrode 2.例文帳に追加

基板１上に、陽極２及び陰極７により挟持された発光層５が形成され、発光層５と陽極２との間に正孔注入層３が形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

A static magnetic field H_α formed by a ferromagnetic layer CR2 for magnetic field correction provided to a TMR element 5 cancels a static magnetic field H_β formed by a fixed layer 2 at a position of a magnetism sensitive layer 4.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５に設けられた磁界補正用強磁性層ＣＲ２が形成する静磁界Ｈ_αは、固定層２が形成する静磁界Ｈ_βを、感磁層４の位置において相殺する。 - 特許庁

Moreover, the thickness of the second metal layer 5 is 20% of that of the first metal layer 3 or larger, and they are provided with a resin sealant that encloses at least the heating element and the first metal layer 3.例文帳に追加

さらに、第２金属層５の厚みが第１金属層３の厚みの２０％以上であり、少なくとも前記発熱素子及び第１金属層を取り囲む樹脂封止体を備えている。 - 特許庁

This method for selective growth is applied to the manufacture of a semiconductor light-emitting element, in which the selectively grown layer is formed on a crystal layer having a three-dimensional shape a the active layer.例文帳に追加

この選択成長方法は、例えば、選択成長された結晶層が活性層として３次元的形状を有する結晶層上に成長された半導体発光素子の製造に適用される。 - 特許庁

Even if moisture or gas not fully sealed by the protective layer 7 is infiltrated from outside, the moisture or the gas is absorbed by the absorbent layer 6 to prevent the organic layer 4 of the EL element 2 from being damaged.例文帳に追加

保護層７で封止しきれずに外部から水分やガスが侵入しても、これらの水分やガスは吸収層６で吸収され、ＥＬ素子２の有機層４がダメージを受けることが防止される。 - 特許庁

Consequently, even if light is emitted from the light-emitting element 7 mounted on the light-emitting element mounting part 4, the light intruded from the gap between the light-shielding opening 6a of the light-shielding layer 6 and the light-emitting element 7 is intercepted by the light-emitting element mounting part 4.例文帳に追加

これにより、発光素子搭載部４に搭載された発光素子７から光が出射しても、遮光層６の遮光開口部６ａと発光素子７との隙間から侵入した光は発光素子搭載部４によって遮られる。 - 特許庁

For forming a plurality of semiconductor elements over an insulating surface, in one continuous semiconductor layer, an element region serving as a semiconductor element and an element isolation region having high resistance and a function to electrically isolate element regions from each other are formed.例文帳に追加

絶縁表面上に複数の半導体素子を形成するために、連続した半導体層中に半導体素子として機能する素子領域と、抵抗が高く素子領域間を電気的に分離する機能を有する素子分離領域を形成する。 - 特許庁

The intermediate layer 4 of the optical waveguide element 10 having a constitution composed of a derivative of the compositions AOx, B2Oy and COz (X: a bivalent element, Y: a tervalent element, Z: a quadrivalent element, 0<x<1, 0<y<3, 0<z<2, O: oxygen).例文帳に追加

このような構成の光導波路素子１０において、中間層４をＡＯｘ、Ｂ_２Ｏｙ、及びＣＯｚ（Ｘ：２価の元素、Ｙ：３価の元素、Ｚ：４価の元素、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜３、０＜ｚ＜２、Ｏ：酸素）なる組成の誘電体から構成する。 - 特許庁

The device is provided with an element mounting substrate 6, a light-emitting element 31 mounted on the element mounting substrate 6 via an underfil 32, a sealing member 8 made of a light transmissive material for sealing the light-emitting element 31, and a phosphor layer 9 for covering the sealing member 8.例文帳に追加

素子搭載基板６と、素子搭載基板６にアンダーフィル３２を介して搭載された発光素子３１と、発光素子３１を封止する光透過性部材からなる封止部材８と、封止部材８を覆う蛍光体層９とを備えた。 - 特許庁

The antenna is composed of a conductor element 1 formed on an integrated circuit board 2 via an insulating layer 5, a power receiving circuit for transmitting signals to or receiving signals from the conductor element 1, and a parasitic element 3 electromagnetically coupled with the conductor element 1.例文帳に追加

集積回路基板２上に絶縁層５を介して形成された導体素子１と、前記導体素子１に信号を伝えまたは受ける受給電回路と、前記導体素子１と電磁的に結合する無給電素子３からアンテナを構成する。 - 特許庁

In an element main body formation process in a process (2), an element main body 5 having an element layer constituted of a compound semiconductor is epitaxially grown in all the holes 4 or a portion of them in a status that the element main body 5 does not project from the upper part of the holes 4.例文帳に追加

次に、工程（２）の素子本体部形成工程にて、全ての孔部４またはその一部に、化合物半導体からなる素子層を有する素子本体部５を孔部４の上部から突出しない形でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A organic EL element 1 comprises an element substrate 2, a light-emitting part formed on a growth main surface 2a of the element substrate 2, and a light taking-out layer 8 formed on a light taking-out main surface 2b of the element substrate 2 on the opposite side of the growth main surface 2a.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、素子基板２と、素子基板２の成長主面２ａに形成された発光部と、成長主面２ａとは反対側の素子基板２の光取出主面２ｂに形成された光取出層８とを備えている。 - 特許庁

A heating portion 2 is provided with the main heating element 2a and an auxiliary heating element 2b; the main power supply device 3 supplies power to the heating element 2a; and an auxiliary power supply device 4 using an electric double-layer capacitor supplies power to the heating element 2b.例文帳に追加

加熱部２に主発熱体２ａと補助発熱体２ｂを設け、主発熱体２ａには主電源装置３から電力を供給し、補助発熱体２ｂには電気二重層キャパシタを用いた補助電源装置４から電力を供給する。 - 特許庁

The light-emitting element 20 also includes an ohmic contact layer 27a formed on the p-type nitride semiconductor layers 26, a light-transmitting conductive oxide layer 27b formed on the ohmic contact layer 27a, and a high-reflective metal layer 27c formed on the light-transmitting conductive oxide layer 27b.例文帳に追加

上記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層２７ａと、上記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層２７ｂと、上記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層２７ｃを有する。 - 特許庁

In a tunnel type magnetic detection element comprising a fixed magnetic layer that has a fixed direction of magnetization, an insulation barrier layer, and a free magnetic layer having a direction of magnetization that is variable with external magnetic field formed sequentially from below, a first protective layer of magnesium (Mg) is formed on the free magnetic layer.例文帳に追加

下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上にマグネシウム（Ｍｇ）で形成された第１保護層が形成される。 - 特許庁

In the second optical semiconductor element 20, the second cladding layer 24 is disposed in the recess 16 and is thermally connected to the semiconductor substrate 11, the third cladding layer 27 is disposed on the first optical waveguide layer 15, and second optical waveguide layer 22 is optically connected to the first optical waveguide layer 15.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 - 特許庁

The element also comprises a buffer layer 6 provided between the layer 3 and the layer 9, and since the light emitted from the layer 3 to an electrode 14 side is reflected to the substrate 1 side by the layer 6, the retrieving efficiency of the light from the substrate 1 side can be enhanced.例文帳に追加

又、第１発光層３と第２発光層９との間にはバッファ層６が設けられ、このバッファ層６により第１発光層３から電極１４側に発光された光が基板１側に反射されるので、基板１側からの光の取り出し効率を高めることができる。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

(a) The photoelectric conversion element includes: an i-layer having a quantum-dot arrangement structure; an n-type semiconductor layer and an electron extraction electrode formed on an electron extraction end side of the i-layer; and a p-type semiconductor layer and a hole extraction electrode formed on a hole extraction end side of the i-layer.例文帳に追加

（ａ）光電変換素子は、量子ドット配列構造を有するｉ層と、ｉ層の電子取り出し端側に形成されたｎ型半導体層及び電子取り出し電極と、ｉ層の正孔取り出し端側に形成されたｐ型半導体層及び正孔取り出し電極とを備える。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

Then, after alloying the barrier metal 13 and the impurity layers 14, 17, the embedded wiring layer consisting of a Cu seed layer 15 and a Cu plating layer 16 is formed in the groove 12, and then the thermal diffusion of the impurity element in the alloyed barrier metal layer 13 into the embedded wiring layer is carried out.例文帳に追加

その後、バリアメタル層１３と不純物層１４、１７とを合金化した後、溝１２内にＣｕシード層１５及びＣｕメッキ層１６からなる埋め込み配線層を形成し、然る後、合金化されたバリアメタル層１３内の不純物元素を埋め込み配線層内に熱拡散させる。 - 特許庁

The element has a GaP substrate 1, an active layer 4 which is positioned above the GaP substrate 1 and comprises an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer 3 which is positioned between the GaP substrate 1 and the active layer 4 and is formed by epitaxial lateral growth.例文帳に追加

ＧａＰ基板１と、ＧａＰ基板１の上方に位置し、ｎ型ＡｌＩｎＧａＰ層とｐ型ＡｌＩｎＧａＰ層とを含む活性層４と、ＧａＰ基板１と活性層４との間に位置し、エピタキシャル横方向成長により形成されたＥＬＯ層３とを備える。 - 特許庁