「longitudinal growth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a protective sheet for a field crop growth that can prevent a strip film piece from being torn and separated even when a connection between slits is broken, by intermittently providing one line of the slits on a sheet body that extend in a longitudinal direction.例文帳に追加

シート本体に長手方向に延びるスリットを断続的に１列設けることで、スリット間の連結部が破れても短冊状のフィルム片が千切れて分離することがない農作物生育保護シートを提供する。 - 特許庁

After etching the basic bottom layer 20 to form steps and performing transverse epitaxial growth by utilizing the side faces of the steps as the nuclei, the parts that bury the steps hardly allow the through dislocations which propagate in the longitudinal direction to propagate.例文帳に追加

これをエッチングして段差を設け、段差の側面を核として横方向エピタキシャル成長させれば、段差を埋める部分は縦方向に伝搬する貫通転位をほとんど伝搬しない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical fiber by which characteristics of the glass fiber can be stabilized by suppressing the variation of a refractive index distribution in a longitudinal direction regardless of the change of the growth rate of glass particle deposits.例文帳に追加

ガラス微粒子堆積体の成長速度の変化にかかわらず屈折率分布の長手方向の変動を抑えて光ファイバの特性の安定化を図ることができる光ファイバの製造方法を得る。 - 特許庁

Two ultrasonic probes 102B1 and 102B2 for transmission and reception face to each other in a direction parallel to a crystal growth direction, and make longitudinal ultrasonic waves propagate in an oblique direction with respect to a specimen 101.例文帳に追加

送信用と受信用の２つの超音波探触子１０２Ｂ１，１０２Ｂ２を結晶成長方向に平行方向に対向させ、被検体１０１に対して斜め方向に縦波超音波を伝搬させる。 - 特許庁

It is possible to securely induce the growth direction of the plant stem in an objective direction while seizing the longitudinal midway part of the plant stem growing with easy work in a loading state with the seizing means, and to improve the workability of management and harvest.例文帳に追加

簡単な作業で生長する植物の茎の長手方向中間部分を係止手段に乗せ掛け状に係止させながら、該植物の茎の生長方向を確実に目的方向に誘導することができ、管理、収穫の作業性を向上させ得る。 - 特許庁

A trench is formed in an n^- type drift layer (1) and embedded by crystal growth, by forming a p-type surf layer (4) by ion injection from oblique direction, and thus a 2nd n^- drift layer (5) is formed to form a longitudinal resurf structure, thereby forming a power MOSFET having low ON- resistance.例文帳に追加

ｎ^−型ドリフト層（１）にトレンチを形成し、斜め方向からのイオン注入によりｐ型リサーフ層（４）を形成し、トレンチを結晶成長により埋め込むことで第２のｎ^−ドリフト層（５）を形成することにより縦型リサーフ構造を形成し、低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

This water tank 4 for hydroponic is used for the hydroponic for transferring a culture solution L in the prescribed direction while floating a float supporting a plant corresponding to the growth conditions of the plant on the solution L and is characterized in that the base 44 formed gradually higher in the longitudinal direction is arranged.例文帳に追加

植物の生育状況に対応させて、当該植物を支持させたフロートを培養液Ｌに浮遊させたまま一定方向に移送する水耕栽培に用いられる水耕栽培用水槽４であり、長手方向に沿って徐々に高く形成された底面４４を備えたことを特徴としている。 - 特許庁

Thus without removing the mask 4 and with using the side of the steps as nuclei, a second group III nitride-based compound semiconductor 32 which dose not grow in epitaxially on the mask 4 can be grown upward with filling up the steps by longitudinal and lateral epitaxial growth.例文帳に追加

こうして、段差の上段の上面のマスク４を除かずに、側面を核として、マスク４上にはエピタキシャル成長しない第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めつつ、上方にも成長させることができる。 - 特許庁

A seaweed-growing device 1 obtained by attaching seaweeds 5 in the nearly same growth stage to a plurality of positions at a prescribed interval along a longitudinal direction of a mooring rope 3 having a float 4 and an anchor 2 connected thereto is set in the sea in the planned sea area so as to form a nearly vertical state.例文帳に追加

浮体４とアンカー２とを接続する係留索３の長手方向に沿って所定の間隔で複数個所にほぼ同じ生育段階にある海藻５を取り付けてなる海藻育成装置１を、計画海域の海中に略鉛直状態で設置する。 - 特許庁

This rotatable/movable flower stand with bearings enables a person to enjoy flowers in flowerpots from a preferable angle owing to the right-left rotatability and longitudinal/transverse movability of the stand, and also easily and fully receives the sunshine, is easy to change its position for flower growth.例文帳に追加

ベアリング付き回転・移動式フラワースタンドは左右回転と移動縦横自在により好みとする角度で植木鉢の花を観賞する事が出来、又太陽の日照りを存分に受け易くその位置も調整し易く花の生育にも顕著である。 - 特許庁

In the method of producing a single crystal material by an edge-defined film-fed growth (EFG) method, the single crystal material having a flat plate form is produced by arranging a seed substrate 130 for crystal- growing in the vertical direction with respect to the longitudinal direction of a liquid pool 304 for growing the single crystal having the flat plate form and pulling up the seed.例文帳に追加

エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース（ＥＦＧ）法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる液だまり３０４の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板１３０を配置して引き上げることにより、平板形状の単結晶材を製造する。 - 特許庁

In the casting mold for the blade 10 to form a turbine blade which is the unidirectional solidified blade, a plurality of crystal nucleation parts 14 which are projected to the same direction as the growth direction of the crystal grains during the molding of the turbine blade (a longitudinal direction of the blade), are arranged in a section around the blade molding section 11 in the bottom of a platform formation part 12.例文帳に追加

一方向凝固翼となるタービン翼を成型する翼成型用鋳型１０において、プラットフォーム成型部１２の底部における翼成型部１１の周囲となる部分に、タービン翼を成型する際の結晶粒の成長方向と同一方向（翼長手方向）に突起させた複数の結晶核生成部１４を設ける。 - 特許庁

To provide a growing apparatus and method, by which a larger-diameter silicon single crystal ingot larger than 200 mm as well as a middle or small diameter silicon single crystal ingot having a uniform oxygen concentration in a longitudinal direction can be produced based on a Czochralski method and the flower phenomenon generated on the growth of a single crystal can be completely controlled; and to provide wafers produced from the ingot.例文帳に追加

チョコラルスキCZ法において、中、小口径だけでなく、200mm以上の大口径のシリコン単結晶インゴットの長手方向に酸素濃度が均一で、また単結晶の成長時に発生するフラワ現象を完全に制御することができる成長装置、成長方法及びそのインゴットから製造されたウエハを提供する。 - 特許庁

In the middle of the growth of single wall carbon nanotubes, defects are introduced, and five-membered rings or seven-membered rings are introduced into a six-membered ring structures of graphene sheets, thereby the chirality modification is induced, and single wall carbon nanotubes heterojunctions are formed in which semiconductor single wall carbon nanotubes 11 and metallic single wall carbon nanotubes 12 join in those longitudinal directions mutually.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの６員環構造中に５員環または７員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ１１と金属的単層カーボンナノチューブ１２とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate for forming a plurality of gallium nitride semiconductor elements has a plurality of first regions grown with the transverse growth, including a first nitride semiconductor layer; and a plurality second regions grown substantially in the longitudinal direction, including a second nitride semiconductor layer, on a dissimilar substrate made of a material different from gallium nitride semiconductor.例文帳に追加

複数の窒化ガリウム系半導体素子を形成するため半導体基板であって、窒化ガリウム系化合物半導体とは異なる材料からなる異種基板上に、それぞれ横方向成長を伴って成長された第１の窒化物半導体層を含む複数の第１領域とそれぞれ実質的に縦方向のみの成長により成長された第２の窒化物半導体層を含む複数の第２領域とを有してなる。 - 特許庁

This graft support 1 comprising at least two cylindrical holders 2, 3 which have been formed from an elastic flexible material such as a soft rubber or a soft synthetic resin and have slits 5, 6 formed in the longitudinal directions, characterized in that the cylindrical holders 2, 3 have integrally been connected to each other to suitably and freely correspond to seedlings having different growth states.例文帳に追加

軟質ゴム、軟質合成樹脂等の弾力性を有する柔軟な素材の筒状抱持体２、３から構成され、該筒状抱持体２、３縦方向にスリット５、６が形成された接ぎ木支持具１において、少なくとも２つ以上の径の異なる筒状抱持体２、３を一体的に連結し、成育状況の異なる苗木に適宜対応自在としたことを特徴とする接ぎ木支持具。 - 特許庁

The silicon single crystal obtained by the above growth method is controlled to have carbon concentration in the range from 0.5×10^16 atoms/cm^3 to 15×10^16 atoms/cm^3 and has no dislocation site over the whole length in the longitudinal direction of a cylindrical part, and thereby, a silicon wafer with excellent ability of IG can be produced.例文帳に追加

この育成方法により得られるシリコン単結晶は、炭素濃度が０．５×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜１５×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の範囲に制御され、直胴部の長さの方向全長にわたり有転位部位がないので、優れたＩＧ能力を有するシリコンウェーハを製造することができる。 - 特許庁