「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目)

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lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方

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例文

Before formation of the tunnel junction layer, the active layer 47 is heat-treated at a temperature higher than 600 °C and lower than 750°C to form the p-type semiconductor layer 51 and then the p-type semiconductor layer is heat-treated at a temperature higher than 500 °C and lower than 600°C.例文帳に追加

この際、トンネル接合層を形成する前に活性層４７を、６００℃より高く７５０℃未満の温度で熱処理し、ｐ型半導体層５１を形成した後にｐ型半導体層を５００℃より高く６００℃未満の温度で熱処理する。 - 特許庁

The scrubber is constituted of an upper stage packing layer 4a for mainly cooling SO2 gas and a lower packing layer 4b for mainly removing SO3 and low temp. sulfuric acid and high temp. sulfuric acid are circulated respectively in the upper packing layer 4a and the lower packing layer 4b.例文帳に追加

同スクラバーは、主にＳＯ_2 ガス冷却のための上段充填層(4a)と、主にＳＯ_3 除去のための下段充填層(4b)から構成され、上段充填層(4a)には低温硫酸が、下段充填層(4b)には高温硫酸がそれぞれ循環される。 - 特許庁

The electrode resistant to distortion comprises an upper layer 28, a lower layer 26, and one or more compliant members 30 that provide an electrical connection between the upper layer and the lower layer, and the electrode is used in particular together with an actuator of piezoelectric stack type.例文帳に追加

本発明のひずみ耐性電極は、上部層２８と、下部層２６と、上部層と下部層の間の電気接続を提供する１つまたは複数のコンプライアント部材３０とを備え、特に圧電スタックタイプのアクチュエータと共に使用する。 - 特許庁

The connection portion 13 is arranged over the lower-layer wiring 11 and over ends of the conductive layer of the element 14, and comes into contact with an upper surface of the lower-layer wiring 11 and an upper surface and side surfaces of the ends of the conductive layer of the element 14.例文帳に追加

接続部１３は、下層配線１１上および素子１４の前記導電層の端部上にわたって配置され、接続部１３は、下層配線１１上面、素子１４の導電層の端部の上面および側面に接触している。 - 特許庁

例文

A lower-layer ground layer 5 is provided at the lower side of wiring 11 for high-frequency signals via a second insulating film 7, and an upper-layer ground layer 17 is provided at the upper side via a third insulating film 15, thus composing a strip line.例文帳に追加

高周波信号用の配線１１の下側には第２の絶縁膜７を介して下層グラウンド層５が設けられ、上側には第３の絶縁膜１５を介して上層グラウンド層１７が設けられ、これによりストリップ線路が構成されている。 - 特許庁

例文

The resin oozed out of the impregnated fiber Fb of the lower winding layer, is impregnated into the unimpregnated fiber Fa of the surface-winding layer by winding, and afterwards, the fiber reinforced resin shell 3 is formed by hardening the resin of the lower winding layer and the surface-winding layer.例文帳に追加

そして、巻き付けにより下巻き層の含浸繊維Ｆｂから染み出した樹脂を上巻き層の未含浸繊維Ｆａに含浸させて、その後に、下巻き層と上巻き層の樹脂を硬化させて繊維強化樹脂シェル３を形成する。 - 特許庁

In the optical waveguide having a lower clad layer, a core part and an upper clad layer, at least one of the lower clad layer, the core part and the upper clad layer is a cured product of the radiation curing composition comprising the components (A) to (C).例文帳に追加

下部クラッド層と、コア部分と、上部クラッド層とを含む光導波路において、下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層の少なくとも一つが、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有してなる放射線硬化性組成物の硬化物である。 - 特許庁

Therefore, only a part of the front surfaces of the lower shield layer 23 and the upper shield layer 27 is exposed in the end surface 26b, and the flaws and the residual abrasive grains of the surfaces of the lower shield layer 23 and the upper shield layer 27 can be reduced.例文帳に追加

従って、端面２６ｂには、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び上部シールド層２７表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁

例文

A multilayer wiring board comprises a copper layer for a capacitor lower electrode (metal layer for a capacitor lower electrode) formed with more than one of recessed parts 101c, a dielectric layer (dielectric layer for a capacitor 102) formed on the layer 101, and a copper layer for a capacitor upper electrode (metal layer for a capacitor upper electrode) 103 formed on the layer 102.例文帳に追加

一以上の凹部１０１ｃが形成されたコンデンサ下部電極用銅層（コンデンサ下部電極用金属層）１０１と、前記コンデンサ下部電極用銅層１０１上に形成された誘電体層（コンデンサ用誘電体層）１０２と、前記誘電体層１０２上に形成されたコンデンサ上部電極用銅層（コンデンサ上部電極用金属層）１０３とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

The self-pulsating semiconductor laser is provided with a lower clad layer 103 formed on a semiconductor substrate 101, an active layer 105 formed on the lower clad layer 103, a first upper clad layer 107 formed on the active layer 105, a second upper clad layer 109 formed on the first upper clad layer 107, and a block layer BLK.例文帳に追加

本発明に係る自励発振型半導体レーザは、半導体基板１０１の上に形成された下部クラッド層１０３と、下部クラッド層１０３の上に形成された活性層１０５と、活性層１０５の上に形成された第１上部クラッド層１０７と、第１上部クラッド層１０７の上に形成された第２上部クラッド層１０９と、ブロック層ＢＬＫとを備える。 - 特許庁

A thin-film transistor Q, which participates in a driving signal fixing function, is arranged at a lower part of the lower electrode 504, such that the lower electrode 504 functions as the light-shielding layer.例文帳に追加

下部電極５０４の下部に、駆動信号一定化機能に関わる薄膜トランジスタＱを配置し、下部電極５０４が遮光層して機能するようにする。 - 特許庁

According to a disclosed embodiment, a composite MIM capacitor comprises a lower electrode 124 of a lower MIM capacitor situated in a lower interconnect metal layer of a semiconductor die.例文帳に追加

開示された一実施例によれば、複合ＭＩＭキャパシタは、半導体ダイの下部相互接続金属層に位置する下部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２４を含む。 - 特許庁

A lower groove 6 is formed in a first insulating layer 2 that consists of materials containing Si and O, and a lower electrode 7 consisting of Cu is embedded in this lower groove 6.例文帳に追加

ＳｉおよびＯを含む材料からなる第１絶縁層２に下溝６が形成され、この下溝６には、Ｃｕからなる下部電極７が埋設されている。 - 特許庁

An insulating layer 27 is formed between the neighboring lower electrodes 20, and a lower electrode substrate 2 is constructed by arranging the lower electrodes 20 and the insulating layers 27 alternately.例文帳に追加

隣り合う下電極２０間にそれぞれ絶縁層２７が設けられており、下電極２０と絶縁層２７とが交互に配設されて下電極基板２を構成している。 - 特許庁

In the shielding material 10 includes a flexible insulating layer 11, a protective layer 13 provided on an upper surface of the insulating layer 11, and an adhesive layer 14 provided on a lower surface of the insulating layer 11, carbon powder is dispersed to the insulating layer 11 for formation.例文帳に追加

可撓性の絶縁層１１と、絶縁層１１の上面に設ける保護層１３と、絶縁層１１の下面に設ける接着層１４とを備えるシールド材１０において、絶縁層１１にカーボン粉末を分散させて形成する。 - 特許庁

A spacer layer 3 has a thickness (0.3 nm to 3 nm, for example) which forms an anti-parallel magnetic bond between a lower layer composed of an amorphous ferromagnetic layer 2 and an upper layer composed of the amorphous ferromagnetic layer 4 and the polycrystalline ferromagnetic layer 5.例文帳に追加

スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２からなる下層と、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。 - 特許庁

The low resistance layer 8a and the high resistance layer 8b are constituted so that, for example, the low resistance layer 8a has higher copper contents than the high resistance layer 8b and that the low resistance layer 8a has lower electric resistance than the high resistance layer 8b.例文帳に追加

低抵抗層８ａと高抵抗層８ｂは、例えば、銅の含有量が高抵抗層８ｂより低抵抗層８ａの方が多く、その低抵抗層８ａの方が高抵抗層８ｂより電気抵抗が小さくなる様に構成されている。 - 特許庁

The circuit board is provided with a circuit upper face pattern layer 2a and an intermediate pattern layer 3 which are arranged by intervening a first insulating layer 5, and a circuit lower face pattern layer 4 which is disposed on an opposite side of the intermediate pattern layer 3 by intervening a second insulating layer 6.例文帳に追加

第１の絶縁層５を間に介在させて設けられた回路上面パターン層２ａと中間パターン層３と、第２の絶縁層６を介在させて、中間パターン層３の向かい側に設けられた回路下面パターン層４とを備える。 - 特許庁

In the antistatic pre-coated metal plate, a coating film layer 24 and a thin film antistatic coating film layer 26 which has a film thickness of 1-10 μm, is thinner than the coating film layer 22 of a lower layer, contains a low electrostatic charge substance 28, and is formed on the surface layer of the coating layer 24 are formed.例文帳に追加

塗膜層２４と、その表層に膜厚が１〜１０μｍで下層の塗膜層２２より薄く、低帯電性物質２８を含有した薄膜帯電防止塗膜層２６を設けた帯電防止プレコート金属板とする。 - 特許庁

The fixing belt has at least a release layer and a metal layer comprising electroformed nickel, wherein hardness of the metal layer containing electroformed nickel in the release layer side is lower than hardness of the metal layer in the opposite side to the release layer.例文帳に追加

本発明の定着ベルトは、少なくとも離型層とニッケル電鋳からなる金属層とを有する定着ベルトであって、該ニッケル電鋳を有する金属層の離型層側の硬度が離型層の反対側より低いことを特徴とする。 - 特許庁

In configuring the lower electrode 13x of the non-linear element 10x and a tantalum wiring 13y thereof, a second tantalum layer 132x and an intermediate tantalum layer 132y which contain no nitrogen are laminated over a first tantalum layer 131x and a lower tantalum layer 131y which contain nitrogen, and a nitrogen-containing third tantalum layer 133x and a lower tantalum layer 133y are formed thereon.例文帳に追加

非線形素子１０ｘの下電極１３ｘおよびタンタル配線１３ｙを構成するにあたって、窒素含有の第１タンタル層１３１ｘおよび下層タンタル層１３１ｙの上層に、窒素を含有しない第２タンタル層１３２ｘおよび中間タンタル層１３２ｙを積層し、その上層に窒素含有の第３タンタル層１３３ｘおよび下層タンタル層１３３ｙを形成する。 - 特許庁

A thin film magnetic head 1 is provided with a heater 4 close to a lower part magnetic shield layer 5.例文帳に追加