「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

On a region in which a lower layer wiring (short-circuit line) 16a is formed, a dummy wiring D for relatively thinning the thickness of a flattened film 37 formed on the lower layer wiring 16a to the thickness of the flattened film 37 in a part except the lower layer wiring 16a is formed.例文帳に追加

下層配線（短絡線）１６ａが形成される領域に、その上に形成される平坦化膜３７の厚さを下層配線１６ａ以外の部分の平坦化膜３７の厚さに対して相対的に薄くするためのダミー配線Ｄを形成する。 - 特許庁

A lower layer electrode 3 which consists of polysilicon is formed (Fig.(a)), and the lower layer electrode 3 is dipped in acid solution, for example mixed solution of sulphuric acid and nitric acid, which oxidizes the polysilicon, so that silicon oxide film 4 is formed on the surface of the lower layer electrode 3 (Fig.(b)).例文帳に追加

ポリシリコンからなる下層電極３を形成し（図（ａ））、その下層電極３を、たとえば硫酸と硝酸との混合液のように、ポリシリコンを酸化する酸の溶液に浸漬させ、下層電極３の表面にシリコン酸化膜４を形成する（図（ｂ））。 - 特許庁

To provide a method of appropriately manufacturing a joint plan panel for lining having a small block group partitioned by crack inducing joints in an upper layer 20a, embedding a net 25 in a lower layer 20b, and sticking a grass pressing sheet 36 to the lower face of the lower layer.例文帳に追加

上層部２０ａに割れ誘発目地で区画された小ブロック群を有し、下層部２０ｂにネット２５を埋設し、下層部下面に草押えシート３６を貼付した目地割りパネルを適正に製造できる覆工用目地割りパネルの製造法を提供する。 - 特許庁

Therein, although the semiconductor layer is partially extended to the lower part of the data line, a light shielding film 129 overlapping one part of the semiconductor layer which is located on the lower part of the data line is formed on the same layer with the gate wiring.例文帳に追加

ここで、半導体層はデータ線の下部まで一部延びているが、ゲート配線と同一層にはデータ線の下部に位置する半導体層の一部と重なっている光遮断膜１２９が形成されている。 - 特許庁

A lower resist layer 13 is developed, including a pattern exposing region lower part of the surface resist layer 15 inverted to the negative type, and hence results in a profile shape undercut into the surface resist layer 15.例文帳に追加

そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。 - 特許庁

A PSG film 9, an SiN film 11, and a photosensitive polyimide layer 15 on the lower-layer conductive film 7 has through-holes 17 formed corresponding to one end side and the other end side of the lower-layer conductive films 7.例文帳に追加

下層導電性膜７上のＰＳＧ膜９、ＳｉＮ膜１１及び感光性ポリイミド層１５に、下層導電性膜７の一端側及び他端側にそれぞれ対応してスルーホール１７が形成されている。 - 特許庁

A lower electrode layer 21 is provided on a substrate 10, and a pair of magnetic tunnel effect elements is formed on the lower electrode layer 21 which comprises ferro-magnetic films 22 and 23, an insulating layer 24, a ferro-magnetic film 25, and a dummy film 26.例文帳に追加

基板１０上に下部電極層２１を設けるとともに、同下部電極層２１上に強磁性膜２２，２３、絶縁層２４、強磁性膜２５、ダミー膜２６からなる一対の磁気トンネル効果素子を形成する。 - 特許庁

Control boards CB1-CBn each are mounted with FPGA (Field Programmable Gate Array) 1-FPGA m that are lower layer devices controlled from an upper layer device, and configured by one group of the lower layer devices, and have the same configuration.例文帳に追加

制御基板ＣＢ１〜ＣＢｎは、上位層デバイスからの制御を受ける下位層デバイスであるＦＰＧＡ１〜ＦＰＧＡｍを搭載しており、下位層デバイスの１つのグループで構成され、何れも同じ構成を有している。 - 特許庁

Moreover, a photoresist pattern having T-shaped sectional plane is formed with lower and upper layer resist and ion etching of a thickness equal to the thickness of the laminated body of the lower dielectric material layer 2-the protective dielectric material layer 6 is performed onto the substrate 1.例文帳に追加

さらに、下層レジスト及び上層レジストで断面がＴ字型のフォトレジストパターンを形成し、下部誘電体層２〜保護誘電体層６の積層厚と等しい厚さだけ基板１にイオンエッチングを施す。 - 特許庁

By forming a lower clad layer 11a on a substrate 10, providing a Y-branched optical waveguide 9 on the lower clad layer 11a and covering the optical waveguide 9 with an upper clad layer 11b, an optical element 8 is produced.例文帳に追加

基板１０の上に下クラッド層１１ａを形成し、下クラッド層１１ａの上にＹ分岐した光導波路９を設け、光導波路９を上クラッド層１１ｂで覆うことにより光学素子８を製作する。 - 特許庁

The catalyst layer 11b consists of the catalyst layer of two layers of upper and lower sides, wherein a carrying amount A, B of Pd per unit weight on first alumina and a Ce-Zr-La-Y alumina complex substance of the lower layer is nearly equivalent.例文帳に追加

触媒層１１ｂを上下２層の触媒層に構成し、下層の第１アルミナ及びＣｅ・Ｚｒ・Ｌａ・Ｙアルミナ複合化物への単位重量当たりのＰｄの担持量Ａ，Ｂは略同じとする。 - 特許庁

The second conduction type doping concentration of the second upper clad layer 109 is lower than the second conduction type doping concentration of the first upper clad layer 108 and third upper clad layer 111, i.e. is 1×10^17 cm^-3 or lower.例文帳に追加

第二上クラッド層１０９の第２導電型のドーピング濃度が、第一上クラッド層１０８および第三上クラッド層１１１の第２導電型のドーピング濃度よりも低く、１×１０^17ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁

The capacitor 3 has a lower conductor layer 10 formed on the substrate 2, a dielectric film 20 formed on the lower conductor layer 10, and an upper conductor layer 30 formed on this dielectric film 20.例文帳に追加

キャパシタ３は、基板２の上に配置された下部導体層１０と、この下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、この誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

In order to use an MR effect, the lower magnetic layer is formed on the entire surface of the substrate, and the cavities formed in the alumina layer on the lower magnetic layer are filled with an upper magnetic material to form a nano-sized contact.例文帳に追加

本発明は、ＭＲ効果を利用するために、基板の全面に下部磁性層を形成し、の上のアルミナに形成された空孔部に上部磁性体を充填させることによって、微小サイズのコンタクトを形成する。 - 特許庁

To facilitate reuse of HDL description of a lower layer module while reducing complicatedness of composition instruction or restriction setting to the lower layer module in creation of a logic composition execution script for a multi-layer logic circuit.例文帳に追加

多階層論理回路の論理合成実行スクリプト作成時の、下位階層モジュールに対する合成指示や制約設定の煩雑さを削減すると共に、下位階層モジュールのＨＤＬ記述再利用を容易化する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a lower layer, a shielding film 9 and an upper layer and the lower layer includes one at least which is selected from a group constituted of a position detecting mark 6, an element for quality checking and circuit elements.例文帳に追加

下層と遮蔽体膜９と上層とを備える半導体装置であって、下層は位置検出用マーク６と、品質検査用素子と、回路素子とからなる群から選択される少なくとも１つを含む。 - 特許庁

The plurality of upper data electrodes 14 which can be set above the lower-layer data electrodes 12 of each group, GA, GB, and GC are connected to the lower-layer data electrodes 12 of each group through the opening of the insulated layer 20.例文帳に追加

各グループＧＡ，ＧＢ，ＧＣの下層データ電極１２の上方における複数の上層データ電極１４は各グループの下層データ電極１２に絶縁層２０の開口部を通して接続される。 - 特許庁

A vermicular pattern forming member 22 formed in a meandering belt shape is stuck on a uniformly sprayed lower spraying layer 25, and an upper spraying layer is sprayed at random on the member so that the lower spraying layer is exposed.例文帳に追加

満遍なく吹き付けられた下吹き層２５の上に蛇行した帯状に形成された虫喰い模様形成用部材２２を貼り付け、その上にランダムに下吹き層が露出するように上吹き層を吹き付ける。 - 特許庁

Since a base board is formed of a material having a thermal expansion coefficient lower than that of a wiring layer, thermal expansion coefficient on the surface of the wiring layer is set lower than that of the wiring layer itself.例文帳に追加

ベース板を配線層よりも低い熱膨張係数を有する素材で形成することにより、配線層の表面の熱膨張係数がこの配線層自身の熱膨張係数より低い値に設定される。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element capable of forming an upper layer organic film containing an electron transportable polymer on a lower layer organic film without impairing the lower layer organic film even if a wet process is used.例文帳に追加

湿式法を用いても、下層有機膜を損傷することなく下層有機膜の上に、電子輸送性高分子を含む上層有機膜を形成することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

A lower part electrode 5, an upper part electrode 7, a wiring layer 8, and/or an inter-layer insulating layer 9 comprise an anti-catalyst which reduces catalytic activation of metal or metal compound constituting the upper part/lower part electrodes 5 and 7.例文帳に追加

下部電極５、上部電極７、配線層８及び／又は層間絶縁層９が、上部／下部電極５，７を構成する金属又は金属化合物の触媒活性を低減する触媒毒を含む。 - 特許庁

Also, the lower metal layer 73 having a lower sulfur content than the upper metal layer 75 is softer than the upper metal layer 75 and can increase adhesiveness to the main fittings 5 by reducing internal stresses.例文帳に追加

また、硫黄の含有量が上層金属層７５より少ない下層金属層７３は、上層金属層７５より軟らかく、内部応力を緩和して主体金具５への密着性を高めることができる。 - 特許庁

Anisotropic etching is performed on the condition that the upper layer insulating films 7, 10 be removed from the lower layer insulating film 6 at a high selection ratio, and a SC 11 is formed so as to open to the lower layer insulating film 6 (B).例文帳に追加

下層絶縁膜６に対して上層絶縁膜７および１０を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行って下層絶縁膜６に開口するＳＣ１１を形成する（図３（Ｂ））。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, with which changes in the contact resistance value between the upper metal layer and the lower metal layer can be minimized, by preventing etching of the lower metal layer, when forming a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成の際に下部金属層のエッチングを防止し、上部金属層と下部金属層間の接触抵抗値の変化を最小化する事が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, this magnetic layer can be formed as a lower shield layer 3, and the conductive layers 7b can be formed so as to be self-aligned through the insulating film 2a in a groove formed in the lower shield layer 3.例文帳に追加

この平坦化により、磁性層は下部シールド層３となり、この下部シールド層３に形成された溝の中に、絶縁膜２ａを介して、導電層７ｂが自己整合的に形成された構造が得られる。 - 特許庁

A lower electrode 11, a protection insulating layer 14, and an interlayer insulating film 15 are formed on a cathode substrate 10, and a metal film lower layer 16, and an upper bus electrode 20 comprising the laminated film of a metal film upper layer 18 is provided on it.例文帳に追加

陰極基板１０に下部電極１１、保護絶縁層１４、層間膜１５を形成し、その上に金属膜下層１６と金属膜上層１８の積層膜からなる上部バス電極２０を有する。 - 特許庁

The lower part magnetic shield 10 is flattened, and a flat insulating layer 24, a thin and flat GMR sensor layer 26 and a flat PMGI layer 28 having uniform thickness are formed on the lower part magnetic shield 10 thus flattened.例文帳に追加

下部磁気シールド１０が平坦化され、その平坦な下部磁気シールド１０上に平坦な絶縁層２４、薄い平坦なＧＭＲセンサ層２６および均一な厚さの平坦なＰＭＧＩ層２８が形成される。 - 特許庁

Bonding wires 70P, 70G connect upper layer electrode parts 52P, 52G which are connected with a power source of the bare chip and a pad for grounding, and the lower layer electrode parts 51P, 51G for a power source and grounding of the lower layer conducting pattern.例文帳に追加

ボンディングワイヤ（７０Ｐ，７０Ｇ）は、ベアチップの電源及びグランド用パッドに接続された上層電極部（５２Ｐ，５２Ｇ）と下層導電パターンの電源及びグランド用下層電極部（５１Ｐ，５１Ｇ）とを接続する。 - 特許庁

The magnetic head 10 has a reproduction lower shielding layer 20, a reproduction lower insulating layer 22, a magneto-resistance element layer 24, a pair of hard magnetic material layers 26 and a pair of terminal layers 28 successively thin-film forming on a substrate 12.例文帳に追加

磁気ヘッド１０は、基板１２上に順次薄膜形成される再生下部シールド層２０、再生下部絶縁層２２、磁気抵抗素子層２４、一対の硬質磁性体層２６及び一対の端子層２８を備える。 - 特許庁

The sand cover structure includes a lower sand-cover layer of fine-grained water-granulated blast furnace slag and an upper sand-cover layer of the water-granulated blast furnace slag which has a grain size larger than that of the fine-grained water-granulated blast furnace slag and is formed on the lower sand-cover layer.例文帳に追加

細粒高炉水砕スラグによる下部覆砂層と、細粒高炉水砕スラグよりも粒度の粗い高炉水砕スラグにより前記下部覆砂層の上に形成された上部覆砂層とを有する。 - 特許庁

The capacitor 3 comprises a lower electrode 4 formed on the isolation layer 2, an isolation layer 5 formed on the lower electrode 4, and an upper electrode 6 formed on the isolation layer 5.例文帳に追加

コンデンサ３は、絶縁分離層２上に形成される下側電極４と、この下側電極４上に形成される絶縁分離層５と、この絶縁分離層５上に形成される上側電極６とを含んでいる。 - 特許庁

The bottom face of the core groove 25 is formed with a low refractive index layer 27 having a smaller refractive index than the lower clad layer 23, which consequently increases an essential difference in the refractive index between the core 26 and the lower clad layer 23.例文帳に追加

コア溝２５の底面には、下クラッド層２３よりも屈折率の小さな低屈折率層２７が形成されており、これによって実質的なコア２６と下クラッド層２３との屈折率の差を大きくしている。 - 特許庁

The lower layer label part 16 is made of material thicker than that of the label part 14 and has structure having high tensile strength and the upper layer label part 14 is laminated on the lower layer label part 16 to be stuck on the container 12.例文帳に追加

下層ラベル部１６は、上層ラベル部１６よりも厚い材料で引っ張り強度の高い構造に形成され、下層ラベル部１６に上層ラベル部１４が積層されて、容器１２に貼り付けられる。 - 特許庁

The red recording layer unit has a plurality of emulsion layers, the emulsion layers are disposed in such a way that each of the layers receives radiation for exposure before a lower layer receives radiation and each of the layers contains silver grains having higher sensitivity than silver grains in a lower layer.例文帳に追加

赤記録層ユニットは複数の乳剤層を有し、各乳剤層は下の層よりも前に露光輻射線を受けるように配置され、下の層の銀粒子よりも高感度の銀粒子を含有する。 - 特許庁

Since the voids in the lower layer wiring 16 are gettered also to the projecting parts 16a, the voids at the contacting part of the lower layer wiring 16 and the upper layer plug 22a is relaxed to suppress the increase of the contact resistance.例文帳に追加

凸部１６ａにも下層配線１６中のボイドがゲッタリングされるので、下層配線１６と上層プラグ２２ａとの接触部におけるボイドの集中が緩和され、コンタクト抵抗の増大が抑制される。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板１上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層３と、該バリアメタル層３上に設けられ、少なくともＣｕを含有するバンプ５とを有した半導体素子において、前記バンプ５はＣｕ含有率が大きい下層バンプ５ａと、該下層バンプ５ａよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプ５ｂとを備えている。 - 特許庁

A semiconductor LED comprises a lower cladding layer 31, active layer 32 formed on the upper part of one side of the lower cladding layer in sequence, upper cladding layer 33, a first electrode 34, and a second electrode 35 formed on a concavo-convex structural pattern region on the surface of the other side of the lower cladding layer.例文帳に追加

半導体発光素子において、下部クラッド層３１と、下部クラッド層の一側の上部に順次に形成された活性層３２、上部クラッド層３３及び第１電極３４と、下部クラッド層の他側の表面に形成された凹凸構造パターン領域上に形成された第２電極３５と、を備える半導体発光素子である。 - 特許庁

The protrusion is formed at a cylindrical conductive member and upper and lower layers thereof and is configured by a conductive layer formed over the whole lower layer wiring, and the upper layer wiring is electrically connected with the lower layer wiring at a place where the protrusion is exposed on almost the same plane as an upper plane of the insulating layer.例文帳に追加

凸状部は、柱状の導電性部材とその上層及び下層に形成されたものであり、下層配線の全体に渡って形成された導電層とで構成され、上層配線は、凸状部が絶縁層の上面と略同一平面で露出した部箇所で、下層配線と電気的に接続していることを特徴としている。 - 特許庁

This belt 10 for a tread mill comprises an intermediate canvas 20, a surface resin layer 21 disposed on the upper surface of the intermediate canvas 20, a primer layer 24 disposed on the lower surface of the intermediate canvas 20, an intermediate resin layer 25 disposed on the lower surface of the primer layer 24, and a rear surface canvas 26 disposed on the lower surface of the intermediate resin layer 25.例文帳に追加

トレッドミル用ベルト１０は、中間帆布２０と、中間帆布２０の上面側に配置される表面樹脂層２１と、中間帆布２０の下面側に配置されるプライマー層２４と、プライマー層２４の下面側に配置される中間樹脂層２５と、中間樹脂層２５の下面側にさらに配置される背面帆布２６とを備える。 - 特許庁

Deformation of the lower substrate 5 with the partitions 10 and the reflecting layer formed thereon can be prevented by compensating the stress generated at the lower substrate 5 in the process of forming the partitions 10 onto the lower substrate 5 with the stress generated in the process of forming the reflecting layer onto the lower substrate 5.例文帳に追加

下部基板上に隔壁を形成する工程で下部基板に発生する応力を、下部基板上に反射層を形成する工程で発生する応力で補償し、隔壁及び反射層が形成された下部基板の変形を防止することができる。 - 特許庁

A truncated conical lower electrode 10 composed of a first lower electrode layer 10a and a second lower electrode layer 10b is provided on an Si substrate 1 provided with an n- channel MOS transistor, and a low dielectric constant film 11 is provided on the upper bottom of the lower electrode 10.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタが設けられたＳｉ基板１上に、第１の下部電極層１０ａと第２の下部電極層１０ｂとからなる円錐台状の下部電極１０を設け、下部電極１０の上底上に低誘電率膜１１を設ける。 - 特許庁

This field emission type electron source is equipped with a lower electrode side amorphous semiconductor layer 4 having high resistance, which is formed on each lower electrode 12 on an insulating substrate 11, a composite amorphous layer 5 formed on the lower electrode side amorphous semiconductor layer 4, and a plurality of surface electrodes 7 arranged perpendicularly to the lower electrode 12.例文帳に追加

絶縁性基板１１上の各下部電極１２上に形成された高抵抗の下部電極側アモルファス半導体層４と、下部電極側アモルファス半導体層４上に形成された複合アモルファス層５と、下部電極１２に直交する方向に列設された複数本の表面電極７とを備える。 - 特許庁

A printing recording medium comprises an ink acceptive layer 2 made of at least two layers on the base 1 in such a manner that a surface layer of the acceptive layer is constituted of a porous resin layer 3 having thermoplasticity, and a substrate layer 4 of its lower layer constituted of a porous layer made of a pigment.例文帳に追加

印刷記録媒体は、基材１上に少なくとも２層から成るインク受容層２を設け、このインク受容層の表面層を熱可塑性を有した多孔質樹脂層３から構成し、その下層の下地層４を顔料から成る多孔質層で構成してある。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor laser element, an active layer is formed as a quantum well structure including a GaInN barrier layer 36 and a GaInN well layer 38, and a planar crystal defect prevention layer 40 made of an AlGaN layer is provided on an upper surface or a lower surface, or between both the surfaces of the barrier layer and the well layer.例文帳に追加

活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 - 特許庁