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「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > lower- layerの意味・解説 > lower- layerに関連した英語例文

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lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11223



例文

The decorative layer 2 has a resin layer 3 formed from a second resin material having a load distortion temperature lower than that of the first resin material and a metal layer 4 in contact with the resin layer 3.例文帳に追加

装飾層2は、第1樹脂材料よりも荷重たわみ温度の低い第2樹脂材料から形成された樹脂層3と、樹脂層3に接触する金属層4とを有する。 - 特許庁

Further, a polyimide resin precursor layer 8 is continuously applied on the lower clad layer 3 to cover the core layer 6, and is hardened to form an upper clad layer 7.例文帳に追加

その後、下部クラッド層3の上に、コア層6を被覆するように、ポリイミド樹脂前駆体層8を連続して塗工し、これを硬化させることにより、上部クラッド層7を形成する。 - 特許庁

A cermet film is provided on a lower layer of a coating layer of this material to enhance the adhesive force, or another oxide layer is formed on an upper layer thereof to enhance the dross adhesion resistance.例文帳に追加

この材料による被覆層の下層にサーメット被膜を施し接着力を高め、あるいは上層に他の酸化物層を形成して耐ドロス付着性を高めることもできる。 - 特許庁

A preferred lower side layer includes nickel - aluminum(NiAl) and magnecium oxide(MgO), and an intermediate layer comprising chrome(Cr) may be inserted between the bias layer and the base material layer.例文帳に追加

好ましい下側層としては、ニッケル−アルミニウム(NiAl)及び酸化マグネシウム(MgO)が挙げられ、クロム(Cr)を含む中間層をバイアス層と下地層との間に挟装してもよい。 - 特許庁

例文

On an n-type GaAs substrate 12, an n-type AlGaAs lower clad layer 14, an active layer 16, a p-type AlGaAs upper clad layer 18, and a p-type GaAs cap layer 20 are successively grown.例文帳に追加

n−GaAs基板12上に、n−AlGaAs下部クラッド層14、活性層16、p−AlGaAs上部クラッド層18、及びp−GaAsキャップ層20を成長させる。 - 特許庁


例文

The corrosion proof layer 23 has a low melting point layer, which includes a material having a lower melting point than that of a cable corrosion proof layer 13 arranged on the outside circumference of a cable oil-impregnated insulation layer 11.例文帳に追加

防食層23は、低融点層を備え、この低融点層は、ケーブル油浸絶縁層11の外周に配されるケーブル防食層13よりも低融点の材料からなる。 - 特許庁

In the backing layer, a soft gel material or a high water-absorbent polymer material which has absorbed water is hermetically stored between the surface layer 33 and a lower layer 34 made of the same material as the surface layer 33.例文帳に追加

裏打ち層には、表層33とそれと同じ材料でつくった下層34間に、軟質ゲル材料または吸水した高吸水性ポリマ材料を密封して収納する。 - 特許庁

The exhaust gas purifying catalyst 1 is equipped with a base material 2, a lower layer 3 which covers the base material 2 and contains the oxygen storage material and palladium but contains no rhodium and an upper layer 4 which covers the lower layer 3 and contains rhodium and a carrier for supporting it and has an oxygen storage capacity lower than the lower layer 3.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化用触媒1は、基材2と、前記基材2を被覆すると共に酸素貯蔵材料とパラジウムとを含み、ロジウムを含んでいない下層3と、前記下層3を被覆すると共にロジウムとこれを担持した担体と含み、前記下層3と比較して酸素貯蔵能がより低い上層4とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

When changing the band of the virtual large-capacity path, the path communication device executes a step of grasping the number of lower-layer paths matching an increase or decrease in band of the virtual large-capacity path, and a step of requesting the lower-layer path communication device to set or delete lower-layer paths as many times as the grasped number of lower-layer paths.例文帳に追加

または、仮想大容量パスの帯域を変更する際に、パス通信装置は、仮想大容量パスの帯域増または帯域減に一致する下位レイヤパスの本数を把握するステップと、下位レイヤパス通信装置に下位レイヤパスの設定要求または削除要求または帯域変更要求を、把握した下位レイヤパスの本数回行うステップとを実行する。 - 特許庁

例文

Also, the lower absorption layer 2 is practically vertically long, it is preferable that the distribution amount of the absorbent polymer 22 at the width direction center part of the lower absorption layer 2 is smaller than the other part of the lower absorption layer 2, and especially it is preferable that the absorbent polymer 22 is not practically present at the width direction center part of the lower absorption layer 2.例文帳に追加

また、下部吸収層2は実質的に縦長であり、該下部吸収層2の幅方向中央部は、該下部吸収層2の他の部位に比して、吸収性ポリマー22の分布量が少ないことが好ましく、特に、下部吸収層2の幅方向中央部には、吸収性ポリマー22が実質的に存在していないことが好ましい。 - 特許庁

例文

A lower metal layer 2B is provided on a lower interlayer dielectric 1 in an MIM capacitance element forming region 2000.例文帳に追加

MIM容量素子形成領域2000の下層層間絶縁膜1の上には、下層金属層2Bが設けられている。 - 特許庁

The heater unit is comprised of a nonwoven cloth layer 1 at the upper and lower sides and an electric heater wire 3 that is interposed between the nonwoven cloth layers 1, 2 at the upper and lower sides.例文帳に追加

上下の不織布層1と、上下の不織布層1、2間に介在された電熱ヒータ線3とからなる。 - 特許庁

The each of the sheets 2 provides respectively an upper and a lower sheet 3, 4 and a resin layer 5 formed between the upper and the lower sheets 3, 4.例文帳に追加

これら各シート2が、それぞれ上、下シート3,4と、これら上、下シート3,4の間に介設される樹脂層5とを備える。 - 特許庁

The receiving cover 8 covers a ring-shaped rib 2b at the lower side, and the lower side water stop layer 10 is tightly adhered to the ring-shaped rib 2b.例文帳に追加

受けカバー8は、下側の環状リブ2bを覆っており、下側止水層10は、環状リブ2bと密着している。 - 特許庁

Thus, the semiconductor device may include a low-resistance layer 40 extending from a lower portion of an element-forming region to a lower portion of an element-depleting region.例文帳に追加

このために、素子形成領域下部から素子分離領域下部に延在する低抵抗層40を有するようになる。 - 特許庁

An under layer protection film 18 is provided therein, on a lower face of the silicon substrate 1, to protect the lower face from a crack or the like.例文帳に追加

この場合、シリコン基板1の下面には、該下面をクラック等から保護するために、下層保護膜18が設けられている。 - 特許庁

A lower magnetic pole small piece 37 is thereafter chipped out of the lower magnetic pole layer 29 by using the upper magnetic pole small piece 38 as a mask.例文帳に追加

その後、上部磁極小片38をマスクに用いて、下部磁極層29から下部磁極小片37を削り出す。 - 特許庁

A lower electrode is formed by etching the lower electrode layer using the resist pattern and the capacitor dielectric film as the etching mask.例文帳に追加

レジストパターン及びキャパシタ誘電体膜をエッチングマスクとして、下部電極層をエッチングすることにより、下部電極を形成する。 - 特許庁

An upper plate is positioned on the upper section of the lower plate, and a capping layer is interposed between the lower plate and the upper plate.例文帳に追加

前記下部プレート上部に上部プレートが位置し、前記下部プレートと前記上部プレートとの間にキャッピング層が介在する。 - 特許庁

The lower magnetic pole 5 or the lower magnetic pole end layer 19 other than the protrusion is retreated from the floating face 15 by Lpfd.例文帳に追加

突出部以外の下部磁極5あるいは下部磁極先端層19は浮上面15よりLpfdだけ後退させる。 - 特許庁

Alternatively, the driving side electrode is formed at a film forming temperature lower than that of the wiring layer and between room temperature and a temperature lower than 300°C.例文帳に追加

或いは駆動側電極が、配線層の成膜温度より低い室温〜300℃未満の成膜温度で形成される。 - 特許庁

A wire layer, through which the first voltage is applied to the upper electrode, is located in the same level as or in a lower level than the lower electrode.例文帳に追加

上部電極に第1電圧を印加するための配線は下部電極の下部レベルまたは同一レベルの配線である。 - 特許庁

The upper wiring layer 91 is connected with the plate line P through lower wiring 32 provided lower than the ferroelectric capacitor 7.例文帳に追加

上部配線層91を、強誘電体キャパシタ7より下側に設けた下部配線32を介して、プレート線Pと接続する。 - 特許庁

A lower end of a peripheral wall 18 forming the air layer 20 is movable in the lateral direction on the lower structure 14.例文帳に追加

空気層20を形成する周壁18の下端部は、下部構造物14の上を横方向へ移動可能となっている。 - 特許庁

A first product is formed by forming a lower electrode 3 on the surface of a substrate 2, and a second product is formed by forming a lower insulation layer 4 on the surface of the lower electrode 3 of the first product, and a third product is formed by forming a lower ZnS layer 5 on the surface of the lower insulation layer 4 of the second product.例文帳に追加

基板2の表面に下部電極3を形成して第1生成物を生成し、前記第1生成物の前記下部電極3の表面に、下部絶縁層4を形成して第2生成物を生成し、前記第2生成物の前記下部絶縁層4の表面に下部ZnS層5を形成して第3生成物を生成する。 - 特許庁

To provide a magnetic head which has improved resistance properties against an external electric field noise by making a deformity part not to occur in a lower magnetic pole when forming the lower magnetic pole in a same shape with a lower shield layer and an upper shield layer.例文帳に追加

下部シールド層、上部シールド層と同形に下部磁極を形成する際に、下部磁極に変形部が生じないようにして、外部の電界ノイズに対する耐性を向上させた磁気ヘッドとして提供する。 - 特許庁

Also, existence of a lower order holder is discriminated and displayed by whether the mark is blinked or not, concretely, when a holder exists in a lower order layer, the mark is blinked, when the holder does not exist in the lower order layer, the mark is not blinked.例文帳に追加

また、下位フォルダーの有無については、前記マークを点滅させるか否かで識別表示し、具体的には、下位層にフォルダーがあるときはマークを点滅させ、下位のフォルダーが無いときは点滅させない。 - 特許庁

The fuel cell further includes an anode diffusion layer 4 laminated on an upper surface of the anode catalyst layer 2, a cathode diffusion layer 5 laminated on a lower surface of the cathode catalyst layer 3, an anode collector 6 joined to an upper surface of the anode diffusion layer 4, and a cathode collector 7 joined to a lower surface of the cathode diffusion layer 5.例文帳に追加

さらに、アノード触媒層2の上面に積層されるアノード拡散層4と、カソード触媒層3の下面に積層されるカソード拡散層5と、アノード拡散層4の上面に接合されるアノード集電体6と、カソード拡散層5の下面に接合されるカソード集電体7とを含む。 - 特許庁

In response to determining that the visual control is supported by a context layer, the computer displays the visual control and component icons on a context layer canvas, wherein the context layer includes elements from both an upper visual layer and a lower component layer, and wherein the component icons are associated with respective components from the lower component layer.例文帳に追加

視覚コントロールがコンテキスト層によってサポートされていると判断されたことに応答して、コンピュータは、視覚コントロールおよび要素アイコンを共にコンテキスト層キャンバス上に表示し、コンテキスト層は、上部視覚層および下部要素層の両方からの要素を含み、要素アイコンは、下部要素層からの各要素に関連付けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a Schottky layer 118, a cap layer 120 covering the Schottky layer, and a Schottky electrode having two stage structure of a lower structure 152 penetrating the cap layer to reach the Schottky layer and an upper structure 154 having a larger cross-section than the lower structure and riding over the cap layer.例文帳に追加

この半導体装置は,ショットキ層118と,ショットキ層を覆うキャップ層120と,キャップ層を貫通しショットキ層に到達する下部構造152と,下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層上に乗り上げる上部構造154との2段構造を有するショットキ電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In a step of laminating the coverlay layer and the circuit board on the flexible insulative sheet and thermocompression-bonding them via a cushioning member, the cushioning member includes an internal layer, and an upper surface layer and a lower surface layer where the rigidity of the lower surface layer is higher than that of the upper surface layer.例文帳に追加

前記可撓性絶縁シートにカバーレイ層および回路基板を積層しクッション材を介して熱圧着する工程において、前記クッション材は内部層とその上側の表面層と下側の表面層からなり、かつ下側の表面層の剛性が上側の表面層の剛性よりも大であることを特徴とする。 - 特許庁

Between the lower electrode 2 and the function layer 5a, a second polycrystalline semiconductor layer 3b, which has a lower speed of anodization with the electrolytic solution as compared with the first polycrystalline semiconductor layer and which is to serve as a stop layer that selectively anodizes the first polycrystalline semiconductor layer, is provided directly under the function layer 5a.例文帳に追加

下部電極2と機能層5aとの間において機能層5aの直下に、第1の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第1の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第2の多結晶半導体層3bが設けられている。 - 特許庁

Part of a conductive layer 7 constituting the electrodes to be connected to the MR element 9 is arranged into a groove 5, formed between the lower shielding layer 3, and the first portion 4a of the upper shielding layer is arranged in a state in which this part is insulated from the lower shielding layer 3 and the first portion 4a of the upper shielding layer by the insulating layer.例文帳に追加

下部シールド層3と上部シールド層の第1の部分4aの間に形成された溝5内に、MR素子9に接続される電極を構成する導電層7の一部が、絶縁膜によって、下部シールド層3と上部シールド層の第1の部分4aに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

The surface emitting type semiconductor laser 1000 comprises a luminous section 100; a commutation section 200; a first conductive layer 300 for electrically connecting an upper mirror layer 140 and an upper semiconductor layer 270; and a second conductive layer 400 for electrically connecting a lower mirror layer 120 and a lower semiconductor layer 250.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ1000は、発光部100と、整流部200と、上部ミラー層140及び上部半導体層270を電気的に接続する第1の導電層300と、下部ミラー層120及び下部半導体層250を電気的に接続する第2の導電層400と、を含む。 - 特許庁

The ventilating facility 30 includes an upper layer glass 32 which is a roof material of the roof and has solar radiation permeability and a lower layer glass 31 which is a ceiling material of a garage space 28 and arranged below the upper layer glass 32 leaving a predetermined space, and an air layer 33 is formed between the upper layer glass 32 and the lower layer glass 31.例文帳に追加

換気設備30は、屋根部分の屋根材であって日射透過性を有する上層ガラス32と、ガレージスペース28の天井材であって上層ガラス32の下方に所定間隔を隔てて対向配置される下層ガラス31とを備え、上層ガラス32と下層ガラス31との間に空気層33が形成されている。 - 特許庁

A mattress (bedding) 1 the whole of which is formed of a polyurethane (elastic member) has a three layer structure having a lower layer part 2 in an approximately rectangle form, a middle layer part 3 having a groove portion 5 in an approximately grid form formed on the lower layer part 2 and an upper layer part 4 having a plurality of projection portions 6 formed on the middle layer part 3.例文帳に追加

全体をウレタン(弾性部材)で形成されているマットレス(寝具)1であって、略矩形状の下層部2と、下層部2上に形成され、略格子状の溝部5を有する中層部3と、中層部3上に形成され、複数の突起部6を有する上層部4とからなる三層構造とする。 - 特許庁

Part of a conductive layer 57 constituting an electrode connected to an MR element is arranged into the groove formed between the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer in the state of insulating the layer from the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer with an insulated film 56.例文帳に追加

下部シールド層53と上部シールド層の第1の部分54aの間に形成された溝内に、MR素子に接続される電極を構成する導電層57の一部が、絶縁膜56によって、下部シールド層53と上部シールド層の第1の部分54aに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

(1) The optical recording medium having at least a phase change recording layer, layers provided on upper and lower sides of the recording layer in contact therewith and a reflection layer on a substrate is provided, wherein at least one layer selected from the phase change recording layer and the layers provided on the upper and the lower sides in contact with the recording layer is film-deposited under a reduction atmosphere.例文帳に追加

(1)基板上に、少なくとも相変化記録層とその上下に接して設けられた層と反射層とを有する光記録媒体において、相変化記録層とその上下に接して設けられた層から選ばれる少なくとも1層が還元雰囲気下で成膜されている光記録媒体。 - 特許庁

Moreover, the spacing L3 between a lower magnetic shielding layer 3 and an upper magnetic shielding layer 19 at the positions where the magnetic domain layer 9 and the 1st electrode layer 13 are layered is set narrower than the spacing L4 between the lower magnetic shielding layer 3 and the upper magnetic shielding layer 19 at the position of the MR film 7.例文帳に追加

また、磁区制御層9及び第1の電極層13が積層された位置における下部磁気シールド層3と上部磁気シールド層19との間隔L3は、MR膜7の位置における下部磁気シールド層3と上部磁気シールド層19との間隔L4よりも狭く設定されている。 - 特許庁

A coating film 2 composed of brazing composition includes a two-coat film, i.e., a lower layer 21 in contact with an aluminum alloy base material 1 and an upper layer 22, and a layer containing Si powder is arranged on the lower layer 21, and a layer containing Al or Al-Si based alloy powder is arranged on the upper layer 22.例文帳に追加

ろう付組成物からなる塗膜2が、アルミニウム合金基材1と接する下層21、及び上層22からなる2コート塗膜とされており、Si粉末を含む層を下層21に配し、Al若しくはAl−Si系合金粉末を含む層を上層22に配してなる構成としている。 - 特許庁

The memory element comprises an oxide layer formed by a resistance-transformed substance, a lower electrode, an oxide layer formed on the lower electrode including a transition metal oxide, nano-dots formed in the oxide layer and integrating the current paths in the oxide layer into a single unit, and an upper layer formed on the oxide layer.例文帳に追加

抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

In the acoustic mirror layer 2, a high acoustic impedance layer 21 formed from the same material as the lower electrode 31 and a low acoustic impedance layer 22 formed from the same material as the piezoelectric layer 32 are laminated alternately, and an uppermost layer at the side of the lower electrode 31 is composed of the low acoustic impedance layer 22.例文帳に追加

音響ミラー層2は、下部電極31と同じ材料により形成された高音響インピーダンス層21と圧電層32と同じ材料により形成された低音響インピーダンス層22とが交互に積層され下部電極31側の最上層が低音響インピーダンス層22により構成されている。 - 特許庁

The plating film 5 is formed on the surface 1a of a metal sheet 1, and is composed of: a lower plating layer 2; a plating layer 3 for identification having a pattern with a prescribed shape; and an upper plating layer 4 formed on the lower plating layer 3 and the plating layer 2 for identification.例文帳に追加

本発明のメッキ膜5は金属板1の表面1aに形成されたもので、下部メッキ層2と、所定形状のパターンを有する識別用メッキ層3と、下部メッキ層2及び識別用メッキ層3上に形成された上部メッキ層4とにより構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a HC trapping catalyst which increases the proportion of an exhausted gas passing through a cleaning catalyst layer being an upperlayer and diffusing to a HC absorbing layer being a lower layer to increase the HC amount absorbed in the HC absorbing layer being the lower layer to improve the HC cleaning rate during cold time.例文帳に追加

HCトラップ触媒において、上層の浄化触媒層を通過して下層のHC吸着層にまで拡散していく排気ガスの割合を増大させ、下層のHC吸着層に吸着されるHC量を増大させ、冷間時のHC浄化率を向上する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is equipped with: a lower electrode layer 62 provided over a substrate 40; a variable resistance layer 63 provided on the lower electrode layer 62 and is configured such that an electrical resistance can be changed; and an upper electrode layer 65 provided over the variable resistance layer 63.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、基板40上に設けられた下部電極層62と、下部電極層62上に設けられ、且つ電気抵抗を変化させる可変抵抗層63と、可変抵抗層63上に設けられた上部電極層65とを備える。 - 特許庁

This recording head has a lower magnetic pole layer 10, an upper magnetic pole layer 15, a magnetic gap layer 14 disposed between the respective magnetic pole parts of these magnetic pole layers and thin-film coils 12 disposed between the lower magnetic pole layer 10 and the upper magnetic pole layer 15 in the state of being insulated therefrom.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層10と、上部磁極層15と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層14と、下部磁極層10および上部磁極層15の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル12とを有している。 - 特許庁

The vibration-proof material comprises a thick upper-layer material which is composed of a nonwoven fabric or a urethane foam, a thin lower-layer material which is composed of a nonwoven fabric thinner than the nonwoven fabric of the upper-layer material, and the spherical elastic body which is sealed in or inserted and fixed between the upper-layer and lower-layer materials.例文帳に追加

該防振材は、不織布またはウレタンフォームからなる厚肉の上層材と、該上層材の不織布よりも薄い厚さとした不織布からなる薄肉の下層材と、前記上層材と下層材との間に封入または挿入固定された前記球状弾性体とからなる。 - 特許庁

The multiaxial fabric used for a paper machine includes: an upper layer having multiple interwoven MD yarns and CD yarns; a lower layer having multiple interwoven MD yarns and CD yarns; and a nonwoven layer disposed between the upper layer and the lower layer.例文帳に追加

本発明は、複数の織り交ぜられたMDヤーン及びCDヤーンを有する上部層と、複数の織り交ぜられたMDヤーン及びCDヤーンを有する下部層と、前記上部層と前記下部層との間に配置された不織層とを有することを特徴とする抄紙機に使用する多軸布を提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor element includes an upper layer of an underlayer including a compound selected from an inorganic oxide and inorganic nitride on the underlayer including a polymer formed as the lower layer, an electrode in contact with the upper layer of the lower extending layer, and also an electrode via a gate insulation layer.例文帳に追加

ポリマーを含む下引き層を下層として、その上に無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層上層を有し、該下引き層上層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

例文

The capacitor 10 includes a lower electrode 14A, a dielectric layer 16 having a SiO_2 layer 20 formed on the lower electrode 14A and an Si_3N_4 layer 22 formed on the SiO_2 layer 20 and an upper electrode 14B formed on the dielectric layer 16.例文帳に追加

本発明に係るキャパシタ10は、下部電極14Aと、下部電極14Aに成膜されたSiO_2層20とSiO_2層20上に成膜されたSi_3N_4層22とを有する誘電体層16と、誘電体層16上に形成された上部電極14Bとを備えることを特徴とする。 - 特許庁




  
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