「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The non-volatile storage device includes a lower electrode layer 20, an upper electrode layer 25, and a resistance change layer 23 that is provided in an area set beforehand in the lower electrode layer 20 connected to the upper electrode layer 25, and made of metal oxide exhibiting either of two resistance values by application of electric pulse.例文帳に追加

下部電極層２０と、上部電極層２５と、下部電極層２０のあらかじめ設定された領域に設けられ、かつ上部電極層２５に接続し、電気的パルスの印加により２値の抵抗値のいずれか一方を示す金属酸化物からなる抵抗変化層２３とを備える。 - 特許庁

In a band profile before forming a bonding with the active layer 13, the p-type GaP layer 14, and the upper clad layer 15; the energy level of a conductive band lower end in the p-type GaP layer 14 is higher by 0.05 eV to 1.0 eV than that of a conductive band lower end in the upper clad layer 15.例文帳に追加

活性層１３、ｐ型ＧａＰ層１４及び上部クラッド層１５の接合を形成する前のバンドプロファイルでは、ｐ型ＧａＰ層１４における伝導帯下端のエネルギー位置が、上部クラッド層１５における伝導帯下端のエネルギー位置よりも０．０５ｅＶ〜１．０ｅＶ高くなっている。 - 特許庁

This printed circuit board is provided with a first substrate layer whose elasticity is high, a second substrate layer joined on the first substrate layer whose elasticity is lower, and a flexible layer formed with flexibility by cutting a partial surface at the lower side of the first substrate layer with fixed depth.例文帳に追加

弾性の高い第１の基板層と、この第１の基板層上に接合されたより弾性の低い第２の基板層と、前記第１の基板層の下側を一部の面を一定の深さで削除して屈曲性を持たせて形成されたフレキシブル層とを具備することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁

A nonmagnetic support 2 is coated with at least a lower layer and an upper layer wherein at least the upper layer is a magnetic layer 4 and the lower layer 3 contains at least one kind of fatty acid ester, and at least one kind of phosphite shown by chemical formula (1) or (2).例文帳に追加

非磁性支持体上に少なくとも下層及び上層が塗布されてなり、少なくとも上層が磁性層であり、下層が少なくとも１種類以上の脂肪酸エステルと、少なくとも１種類以上の化学式（１）又は化学式（２）で示される亜燐酸エステルとを含有する。 - 特許庁

The printed wiring board comprises a core substrate 7; coating layers 61, 62 coating the surface; an upper conductive layer 51 and a lower conductive layer 52 provided at the upside and downside of the core substrate and coating layer via them; and an interlayer conductive part 2 for energizing the upper conductive layer and the lower conductive layer.例文帳に追加

コア基板７と，その表面を被覆する被覆層６１，６２と，コア基板及び被覆層を介してその上側及び下側に設けた上側導電層５１と下側導電層５２と，上側導電層と下側導電層との間の電気導通を行うための層間導電部２とからなる。 - 特許庁

A catalyst coat layer 2 comprising a lower catalytic layer 20 carrying at least Rh, and an upper catalyst layer 21 carrying at least one member selected from Pt and Pd is formed wherein the ratio of an average thickness of the lower catalyst layer 20 to an average thickness of the catalyst coat layer 2 is 35-90%.例文帳に追加

少なくともRhを担持した下触媒層20と、Pt及びPdから選ばれる少なくとも一種を担持した上触媒層21とからなる触媒コート層２を形成し、触媒コート層２の平均厚さに対する下触媒層20の平均厚さの割合を35〜90％とした。 - 特許庁

The laminate structure has a support board 10, a lower electrode including an adhesion layer 11 containing a metal oxide and a conductive layer 12 formed on the support board 10 through the adhesion layer, a dielectric layer 13 laid on the lower electrode, and an upper electrode laid on the dielectric layer.例文帳に追加

積層構造体は、支持基板１０と、金属酸化物を含む密着層１１と該密着層を介して支持基板上に形成された導電層１２とを含む下部電極と、該下部電極上に配置された誘電体層１３と、該誘電体層上に配置された上部電極とを有する。 - 特許庁

An optical wavelength 1 has a laminated body in which five layers of a clad layer 11, a core layer 13, a clad layer 121, the core layer 13, and a clad layer 122 are laminated in this order from a lower side; and has a long slender band shape.例文帳に追加

光導波路１は、下側からクラッド層１１、コア層１３、クラッド層１２１、コア層１３、およびクラッド層１２２の５層をこの順で積層してなる積層体を有しており、細長い帯状をなしている。 - 特許庁

The inkjet recording sheet comprises a perforated layer as a lower layer which contains a silica fine particle, formed on a base material and a porous layer containing a mixture of silica fine particle and γ-alumina as an upper layer, formed on the perforated layer.例文帳に追加

基材上に、シリカ微粒子を含有する多孔層の下層を有し、その上層に、シリカ微粒子とγ−アルミナとの混合物を含有する多孔質層を有することを特徴とするインクジェット記録シート。 - 特許庁

In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.例文帳に追加

整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁

The Ni-P plated layer 14 contacts a lower layer copper pattern 12 in the bottom of the via hole 10 and in the outside of the via hole 10, it reaches the surface of the layer insulation layer 13 and contacts the upper layer copper pattern 15.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐめっき層１４は，ビアホール１０の底部で下層銅パターン１２に接触し，ビアホール１０の外部では層間絶縁層１３の表面に達して上層銅パターン１５に接触している。 - 特許庁

In an infrared laser region; a lower side clad layer 12, an active layer 13, a first upper side clad layer 14, an etching stop layer 15, and a second upper side layer 16 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.例文帳に追加

赤外レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層１２、活性層１３、第１上側クラッド層１４、エッチングストップ層１５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層１６が順次積層されている。 - 特許庁

The V-ribbed belt is equipped with an adhesive rubber layer 12, a canvas 13 adhered on the upper surface of the adhesive rubber layer 12, and a lower rubber layer 14 integrally formed with the adhesive rubber layer 12 on the undersurface of the adhesive rubber layer 12.例文帳に追加

Ｖリブドベルト１０は、接着ゴム層１２と、接着ゴム層１２の上面に貼付される帆布１３と、接着ゴム層１２の下面に接着ゴム層１２と一体に形成された下ゴム層１４を備える。 - 特許庁

In a semiconductor device having the resistance element group and/or a signal wiring layer on a semiconductor substrate, a shield layer is disposed in the resistance element group and/or the upper layer and/or the lower layer of the signal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に抵抗素子群および／または信号配線層を有する半導体装置において、前記抵抗素子群および／または信号配線層の上層および／または下層にシールド層を設ける。 - 特許庁

Further, a plating pretreatment (dry etching) is carried out to expose a new film face by removing the surface oxidation layer of the resist layer, and the upper gap layer not being covered with the resist layer is removed to expose the lower gap layer.例文帳に追加

続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。 - 特許庁

The back gate electrode 21 and the gate electrode 22 are formed by conductive films 18 of a three-layer structure where an n-type silicon layer 15, a metal silicide layer 16 and a p-type silicon layer 17 are laminated in order from lower layer side.例文帳に追加

バックゲート電極２１及びゲート電極２２は、下層側から順に、ｎ型シリコン層１５、金属シリサイド層１６、ｐ型シリコン層１７が積層された３層構造の導電膜１８により形成する。 - 特許庁

In this case, the first wire 11 is formed in a first layer in a crossing region AR1, and formed in the first layer, a second layer lower than the first layer, and a third layer between the first and second layers in peripheral regions AR2.例文帳に追加

ここで、第１配線１１は、交差領域ＡＲ１では第１層に形成し、周辺領域ＡＲ２では第１層、第１層より下層の第２、及び第１，第２層間の第３層に形成する。 - 特許庁

Drain wiring 31 has the four layer structure of an intrinsic amorphous silicon layer 31a, an n-type amorphous silicon layer 31b, a lower metal layer 31c constituted of Cr and an Al metal layer 31d in order from the bottom.例文帳に追加

ドレイン配線３１は、下から順に、真性アモルファスシリコン層３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン層３１ｂ、Ｃｒからなる下層金属層３１ｃおよびＡｌ系金属層３１ｄの４層構造となっている。 - 特許庁

A multilayer film 24g which selectively transmits green light is formed as a seven-layered structure consisting of two layers of silicon nitride layer 21 and one layer of air layer 22 respectively on upper and lower sides of a spacer layer 20g which is an air layer.例文帳に追加

緑色の光を選択的に透過させる多層膜２４ｇは空気層であるスペーサ層２０ｇの上下にそれぞれ窒化ケイ素層２１を２層と空気層２２を１層備えた７層構造となっている。 - 特許庁

The glass layer has a first glass layer 4 comprising a first glaze 2 and a second glass layer 5 formed on the outside of the first glass layer 4 and comprising a second glaze 3 having a lower coefficient of linear thermal expansion than the first glass layer.例文帳に追加

ガラス層は、第１釉薬２からなる第１ガラス層４と、第１ガラス層４より外面側に形成され、第１ガラス層より線熱膨張係数が小さい第２釉薬３からなる第２ガラス層５とを有する。 - 特許庁

The diffuser comprises a translucent layer composed of translucent materials, an upper diffusion layer formed on an upper surface of the translucent layer, and a lower diffusion layer formed on a bottom surface of the translucent layer.例文帳に追加

本発明の拡散板は、透光材料で構成された透光層と、該透光層の上面に形成された上拡散層と、該透光層の底面に形成された下拡散層とからなったことを特徴とする - 特許庁

A coating film 52 consisting of the same polymeric organic compound as the core layer 22 intervenes between the upper and side surfaces of the core layer 22 and the upper clad layer 24, and between the lower clad layer 18 and the upper clad layer 24.例文帳に追加

コア層２２と同じ高分子有機化合物からなる塗膜５２が、帯状のコア層２２の上面及び側面と上部クラッド層２４、並びに下部クラッド層１８と上部クラッド層２４との間に介在している。 - 特許庁

The lower clad layer includes: a narrow-gap layer which extends sidewise from the ridge part, has an electrode mounted on its top surface, and has small band gap energy; and a wide-gap layer which has larger band gap energy than the narrow-gap layer and is in contact with the core layer.例文帳に追加

下部クラッド層は、リッジ部から側方に延在して、上面に電極が載置されたバンドギャップエネルギの小さいナローギャップ層と、ナローギャップ層よりバンドギャップエネルギが大きく、コア層に接したワイドギャップ層とを含む。 - 特許庁

A leveling layer 3h of a hydraulic-engineering formed asphalt mixture is formed on the transition 1, whereon there are constructed a lower seepage control layer 3b, an intermediate drainage layer 3c, and an upper seepage control layer 3j composed of only one layer.例文帳に追加

トランジション１の上に水工フォームドアスファルト混合物のレベリング層３ｈを形成し、その上に下部遮水層３ｂ、中間排水層３ｃ、および１層のみの上部遮水層３ｊを施工する。 - 特許庁

This heat-insulating container comprises a first fiber layer 11 of a predetermined density and a second fiber layer 12 of the density lower than that of the first fiber layer 11, and the second fiber layer 12 is formed on the inner side of the first fiber layer 11.例文帳に追加

所定密度の第１繊維層１１と、第１繊維層１１よりも低密度の第２繊維層１２とを備え、第２繊維層１２が第１繊維層１１の内側に形成された断熱容器である。 - 特許庁

A thermally printed ticket structure consists of a plurality of layers partially stuck to a lower layer film, that is, a paper-made base material layer, and a thermal image forming membrane is supported by the base material layer between the thin film layer and the base material layer.例文帳に追加

下層フィルムすなわち紙製基材層に部分接着された複数層からなるくじ券構造であって、熱像形成皮膜はその薄いフィルム層とその基材層との間で基材層によって支持される。 - 特許庁

Then, a GaN layer 4, which contains magnesium as a dopant is laminated thereon at a lower pressure than the GaN layer 3, by which pits formed in the GaN layer 3 are filled with the GaN layer 4, and the surface of the GaN layer 4 becomes flat.例文帳に追加

次に、その上に、マグネシウムをドーパントとして含むＧａＮ層4をＧａＮ層3よりも低圧で積層させ、ＧａＮ層4によって、ＧａＮ層3に生じたピットを埋めてＧａＮ層4の表面を平坦にする。 - 特許庁

The semiconductor layer is constituted of two layers as an especially characteristic structure so that the lower layer composed of the semiconductor layer 5, the source electrode 6 and the drain electrode 7, and the upper layer of the semiconductor layer 8 are laminated sequentially.例文帳に追加

特に特徴的な構造として、半導体層が２層構成であり、下層の半導体層５とソース電極６及びドレイン電極７と上層の半導体層８が順次積層された構造をしている。 - 特許庁

Formation of an upper wiring layer on an insulating resin layer and interlayer conduction via a via hole, between the lower wiring layer and upper wiring layer, are attained by using the copper nanoparticle sintered body conductive layer.例文帳に追加

この銅ナノ粒子焼結体型の導電体層を利用して、絶縁性樹脂層上の上層配線層の形成と、下層配線層と上層配線層の間における、ビアホールを介する層間導通を達成する。 - 特許庁

In a red laser region; a lower side clad layer 22, an active layer 23, a first upper side clad layer 24, an etching stop layer 25, and a second upper side clad layer 26 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.例文帳に追加

赤色レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層２２、活性層２３、第１上側クラッド層２４、エッチングストップ層２５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層２６が順次積層されている。 - 特許庁

The resistance change layer 23 is made of metal oxide having the same metal base as that of a metal thin-film layer 22 formed on the surface of the lower electrode layer 20, and a storage element 27 is composed of the resistance change layer 23, a lower electrode layer 20a in an area connecting with the resistance change layer 23 and the upper electrode layer 25.例文帳に追加

この抵抗変化層２３は下部電極層２０の表面に形成された金属薄膜層２２と同じ金属母体を有する金属酸化物からなり、この抵抗変化層２３と、抵抗変化層２３に接続する領域の下部電極層２０ａおよび上部電極層２５とにより記憶素子２７を構成している。 - 特許庁

A capacitor 10 is provided with a lower electrode 14A; a dielectric layer 16 having an SiO_2 layer 20 formed on the lower electrode 14A, an SiON layer 21 formed on the SiO_2 layer 20, and an Si_3N_4 layer 22 formed on the SiON layer 21; and an upper electrode 14B formed on the dielectric layer 16.例文帳に追加

本発明に係るキャパシタ１０は、下部電極１４Ａと、下部電極１４Ａに成膜されたＳｉＯ_２層２０とＳｉＯ_２層２０上に成膜されたＳｉＯＮ層２１とＳｉＯＮ層２１上に成膜されたＳｉ_３Ｎ_４層２２とを有する誘電体層１６と、誘電体層１６上に形成された上部電極１４Ｂとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The electron source 10a is constructed of a lower electrode 12, a buffer layer made of amorphous silicon layer formed on the lower electrode 12a, a polycrystalline silicon layer 3 formed on the buffer layer, an intense-field drift layer 6 formed on the polycrystalline silicon layer 3, and a surface electrode 7 formed on the intense-field drift layer.例文帳に追加

電子源素子１０ａは、下部電極１２と、下部電極１２ａに形成されたアモルファスシリコン層からなるバッファ層１４と、バッファ層１４上に形成された多結晶シリコン層３と、多結晶シリコン層３上に形成された強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とで構成されている。 - 特許庁

The oxidation-resistance layer 12 is inserted between the lower part ferromagnetic body layer 82 and the tunnel barrier layer 84 of oxide so that, when the material of the tunnel barrier layer 84 is oxidized, the oxidation stops at the interface between the material of the tunnel barrier layer 84 and the oxidation-resistance layer 12, preventing the lower part ferromagnetic body layer 82 from being oxidized.例文帳に追加

本発明によれば、下部強磁性体層８２と酸化物からなるトンネルバリア層８４との間に耐酸化層１２を挟んだことにより、トンネルバリア層８４の原材料を酸化させるときに、その酸化がトンネルバリア層８４の原材料と耐酸化層１２との界面で止まるので、下部強磁性体層８２の酸化を防ぐことができる。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a switching element and a storage node connected to the switching element, wherein the storage node includes a lower metal layer connected to the switching element, and a first insulating layer, an intermediate metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, and a nano-layer which are sequentially formed on the lower metal layer.例文帳に追加

スイッチング素子、スイッチング素子に連結されたストレージノードを備える不揮発性メモリ素子において、ストレージノードは、スイッチング素子に連結された下部金属層と、下部金属層上に順次に形成された第１絶縁層、中間金属層、第２絶縁層、上部金属層及びナノ層を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

To provide a coating method and a coating apparatus capable of stably coating a lower layer with an upper layer even under a condition of a wide lip clearance when subsequently starting to coat the lower layer with the upper layer to be coated, and preventing loss of coating solution and substrate.例文帳に追加

下層の上に上層を逐次的に塗布する上層の塗り付け開始時に、リップクリアランスが広い条件下であっても上層を安定して下層の上に塗布することができ、しかも塗布液ロスや支持体ロスの発生を防止することができる。 - 特許庁

The upper conductive layer 13 has an upper layer opening part 13a and the lower conductive layer 11 has a lower layer opening part 11a and a first region, a second region and a third region (R1, R2, R3) with electric field intensity weakening stepwise are formed.例文帳に追加

この上層導電層１３は、上層開口部１３ａを有し、下層導電層１１は、下層開口部１１ａを有し、電界強度が段階的に弱くなる第１、第２および第３領域（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）を形成する。 - 特許庁

The upper layer film 36 is provided with tensile stress comparable with compressive stress of the lower layer film 35, and the thin film structure A composed of the lower layer film 35 and the upper layer film 36 is regulated so as to have a weak tensile stress as a whole.例文帳に追加

上層膜３６は、下層膜３５の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜３５及び上層膜３６からなる薄膜構造体Ａは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。 - 特許庁

A lower transparent panel substrate 20 has a TFT forming layer 40 formed on a buffer layer 32 on a lower glass substrate 30, and is provided with the pixel electrode layer 60 on its gate film layer 36 together with a gate line 42 and a common line 50.例文帳に追加

下側の透明パネル基板２０において、下ガラス基板３０上のバッファ層３２の上にＴＦＴ形成層４０が形成され、そのゲート膜層３６の上に、ゲートライン４２、コモンライン５０と共に画素電極層６０が設けられる。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser element 40 has the laminating structure of a lower reflector 44, a lower clad layer 46, an active layer 48, an upper clad layer 50, an upper reflector 52, and a p-type contact layer 54 on an n-type GaAs stepped substrate 42.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子４０は、ｎ型ＧａＡｓ段差基板４２上に、下部反射鏡４４、下部クラッド層４６、活性層４８、上部クラッド層５０、上部反射鏡５２、及びｐ型コンタクト層５４の積層構造を備える。 - 特許庁

The first metal layer 21 is obtained by aggregating nano metal particles which can be fused at a temperature lower than that of the first metal layer 21, and the second metal layer 22 is obtained by aggregating metal particles of which the fusing point is lower than that of the first metal layer 21.例文帳に追加

第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。 - 特許庁

The capacitor 31 is provided with a lower electrode layer 14b electrically connected to a storage node 51 held at the potential of stored data in the static type memory cell and an upper electrode layer 20 facing the lower electrode layer 14b across a dielectric layer 19.例文帳に追加

キャパシタ３１は、スタティック型メモリセルの記憶データの電位に保持される記憶ノード５１に電気的に接続される下部電極層１４ｂと、下部電極層１４ｂと誘電体層１９を挟んで対向する上部電極層２０とを有している。 - 特許庁

The overlay is composed of an upper layer containing the solid lubricant made from MoS2, and a lower layer containing the solid lubricant and/or a hard material (if the solid lubricant is MoS2, its contents are smaller in the lower layer than in the upper layer).例文帳に追加

ＭｏＳ_2からなる固体潤滑剤を含む上層と、固体潤滑剤及び／又は硬質物を含む下層（但し固体潤滑剤がＭｏＳ_2 である場合はその含有量が上層よりも相対的に少ない）からオーバレイを構成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming the lower wiring layer and the upper wiring layer on a semiconductor substrate (step S40), and a step of inspecting the lower wiring layer and the upper wiring layer (steps S60 and S80).例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下層配線層及び上層配線層を形成する工程（ステップＳ４０）と、下層配線層及び上層配線層を検査する工程（ステップＳ６０及びステップＳ８０）とを含む。 - 特許庁

The optical filter is formed by alternately laminating an Al_2O_3 layer 41a of a reflection preventive layer to lower the reflectance and a TiOx layer 41b of a light absorption layer to lower transmissivity on a transparent resin substrate 31 comprising polyether sulfone.例文帳に追加

ポリエーテルサルホンから成る透明樹脂基板３１上に、反射率を低下させるための反射防止層であるＡｌ_2Ｏ_3層４１ａと、透過率を低下させるための光吸収層であるＴｉＯｘ層４１ｂを交互に積層している。 - 特許庁