「metal contacts」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A MOS transistor 20 has: a gate electrode 22 formed in a grid pattern; source regions 23 and drain regions 24, each of which is surrounded by the gate electrode 22; and a source metal wiring 27 and a drain metal wiring 28 that are arranged along one direction of the grid of the gate electrode 22 and connected to the source regions 23 and the drain regions 24 via contacts, respectively.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ２０が、格子状に形成されたゲート電極２２と、ゲート電極２２で囲まれたソース領域２３およびドレイン領域２４と、ゲート電極２２の格子の一方向に沿って配置され、ソース領域２３およびドレイン領域２４とコンタクトを介して接続するソース用メタル配線２７およびドレイン用メタル配線２８を有する。 - 特許庁

The hydrogen separating body 1 includes the porous substrate 3 having a plurality of pores 15 continuously communicating from one surface 11 to the other surface 13 and composed of ceramics as a principal component and the hydrogen permselective metal film 5 that is provided on one surface 11 of the porous substrate 3, and the iron content of a portion that contacts the hydrogen permselective metal film 5 in the porous substrate 3 is 0.1 mass% or less.例文帳に追加

一の表面１１から他の表面１３まで連通する多数の細孔１５を有してセラミックスを主成分とする多孔質基体３と、多孔質基体３の一の表面１１に設けられる水素選択透過性金属膜５とを有し、多孔質基体３における水素選択透過性金属膜５と接触する部分の鉄含有量が０．１質量％以下である水素分離体１。 - 特許庁

A linear concave part 40b on a side of the first cooling media flow channel 48a of the metal separator 18 includes a flat surface 43b overlapping in a laminating direction with a linear convex part 72a of the metal separator 24, and also, a flat surface 43a of a rear side of the flat surface 43b directly contacts to the first electrolyte-electrode structure body 16a.例文帳に追加

金属セパレータ１８の第１冷却媒体流路４８ａ側の直線状凹部４０ｂは、金属セパレータ２４の直線状凸部７２ａと積層方向に重なり合う平坦面４３ｂを有するとともに、前記平坦面４３ｂの裏面側の平坦面４３ａは、第１電解質膜・電極構造体１６ａに直接接触する。 - 特許庁

This energy absorption member has a double tube structure wherein an inner tube 1 made of a metal tube having a deformed shape whose cross section comprises convex and concave portions is inserted in an outer tube 2 made of a metal tube having a circular or polygonal cross section so that the inner surface of the outer tube contacts with the diametric maximum part of the inner tube 1.例文帳に追加

断面形状を凹凸にした異形形状を有する金属管からなる内管１が、円形または多角形の断面形状を有する金属管からなる外管２に、該外管の内面と前記内管の径最大部とが接触するように、挿入されてなる二重管構造を有することを特徴とする衝突エネルギー吸収部材である。 - 特許庁

The electronic device comprises a panel holder formed of a thin sheet metal for housing and holding the display unit, an intermediate case having a frame shape for holding by surrounding the panel holder, and an outer case which is formed of the thin sheet metal, fitted to outside of the intermediate case, contacts with a surface peripheral portion of the cover glass, and holds the display unit.例文帳に追加

本発明の電子機器は、肉薄の板金から形成されて表示部ユニットを収容保持するパネルホルダと、このパネルホルダを囲繞して保持する枠形状の中間ケースと、肉薄の板金から形成され中間ケースの外側に嵌合設置されてカバーガラスの表面周縁部と当接し表示部ユニットを保持する外ケースとを備えている。 - 特許庁

The plate material is obtained by placing a breathable material containing B_4C and an aluminum metal plate serving as a supply path that contacts the breathable material in a mold, placing an aluminum mass serving as a reservoir so that it is connected to the aluminum metal plate serving as the supply path, and performing infiltration without pressure to integrate the B_4C-aluminum composite material and an aluminum layer.例文帳に追加

B_4Cを含有する通気性素材と、前記通気性素材に接触する供給パス用アルミニウム金属板とを型に入れて、前記供給パス用アルミニウム金属板に接続するようにリザーバー用アルミニウム塊を配置し、非加圧浸透させてB_4C‐アルミニウム複合材とアルミニウム層を一体化させたことを特徴とする。 - 特許庁

In the holding tool of the board for an electronic component mounting apparatus that contacts the lower surface of a board 6 for holding, a ceramic board pad member 5 that contacts with the lower surface of the board 6 is elastically joined to a metal heating block 4 by an undulated washer 12 and a bolt 13.例文帳に追加

基板６の下面に当接して保持する電子部品実装装置用の基板の保持治具において、基板６の下面に当接するセラミックの基板受け部材５と金属の加熱ブロック４とを、波形座金１２とボルト１３によって弾性的に締結するととともに、基板受け部材５の下面に吸着孔５ａと連通する空隙部を設け、基板６を吸着して保持する際に空隙部内を真空吸引することにより加熱ブロック４と基板受け部材５とを真空吸着させる。 - 特許庁

The wafer holding jig for sucking and holding the wafer to the holding surface using vacuum or reduced pressure comprises mainly a metal- porous ceramic composite with molten metal impregnated therein, wherein a porous ceramic layer without metal impregnation is formed at the bottom of the holding surface except outer edge portion where the wafer contacts, and sucking holes are provided from the rear of the holding surface through to the porous ceramic layer.例文帳に追加

真空又は減圧を利用して、ウエハを保持面に吸着、保持するウエハ保持治具であって、上記ウエハ保持治具は、主に、溶融金属が含浸された金属−多孔質セラミック複合体からなり、上記保持面の下には、ウエハ接触部分の外縁部分を除いて金属を含浸しない多孔質セラミック層が形成されるとともに、上記保持面の裏面から上記多孔質セラミック層に貫通する吸引孔が設けられていることを特徴とするウエハ保持治具。 - 特許庁

(iii) To have a worker use live line work equipment. In this case, the danger of electric shocks due to the body of a worker or an electric conductor handled by workers such as a metal tool and material (hereinafter referred to as "body, etc.") contacts or close to objects with different voltage from that of charge circuit actually handled by workers shall be eliminated. 例文帳に追加

三　労働者に活線作業用装置を使用させること。この場合には、労働者が現に取り扱つている充電電路と電位を異にする物に、労働者の身体又は労働者が現に取り扱つている金属製の工具、材料等の導電体（以下「身体等」という。）が接触し、又は接近することによる感電の危険を生じさせてはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Production process of a cable having envelope layer arranged on the twisted cable materials comprising the steps of: forming metal pipe 8 which is larger than the cable part 7 on the outside of twisted cable part 7, by continuous extrusion, deforming the extruded pipe until it contacts the cable part 7, …thereby affixing the envelope layer 8' arranged on the twisted cable materials. 例文帳に追加

加撚したケーブル部材７の周りに、連続押出法によって、大き過ぎる寸法の金属管8を共軸的に押出成形し、この押出成形した金属管８を加撚したケーブル部材７の上まで変形させて、被覆層８′を形成する工程を有する加撚したケーブル部材の上に配置した被覆層を有するケーブルの製法。 - 特許庁

In a contact resistance measuring method, the contact resistance of contacts provided for the inside of an insulating cover made of a resin and made of a prescribed metal is measured.例文帳に追加

本発明に係る接触抵抗の測定方法は、樹脂製絶縁カバーの内部に設けられ、所定の金属からなる接点の接触抵抗を測定する方法であって、（ａ）樹脂製絶縁カバーの外側表面状態に関するデータと、接触抵抗との相関を予め取得する工程と、（ｂ）樹脂製絶縁カバーのデータＸ１を取得する工程とを備える。 - 特許庁

The integration method allows at least two different thicknesses of metals deposited on a semiconductor substrate such that on some of the CMOS transistors thinner silicide metals are formed and used in the formation of gate contacts, whereas on the other CMOS transistors thicker silicide metals are formed and used in the formation of metal silicide gates.例文帳に追加

本発明の集積化方法によれば、半導体基板上に堆積する金属の厚さを少なくとも２種類にすることができるから、一部のＣＭＯＳトランジスタの上に薄いシリサイド金属を形成してゲート・コンタクトを形成する際に使用し、他のＣＭＯＳトランジスタの上に厚いシリサイド金属を形成して金属シリサイド・ゲートを形成する際に使用することも可能になる。 - 特許庁

A seal lip 6 is protruded from the side of a flange part of a grommet body 2 which contacts the vehicle body, while a stationary plate 10 made up of such things as a metal plate covers the opposite side, and bolt holes through which stud bolts to protrude from the surface of the vehicle body are inserted are provided in a row at least in the upper center of the grommet body and the stationary plate.例文帳に追加

グロメット本体２のフランジ部の車体当接側にシールリップ６を突設すると共に、反対側に金属板等からなる固定板１０を被せ、車体の表面から突設されるスタッドボルトが挿入されるボルト穴を、グロメット本体および固定板の少なくとも上部中央部に連通して設ける。 - 特許庁

The anisotropic conductive connector 11 has a plurality of conductive parts 15 to connect conductively both connection objects 26a, 26b by contacting a first connection object 26a and a second connection object 26b different from this first connection object 26a and a metal part 16a which contacts the conductive part 15 and connects conductively a plurality of conductive parts 15.例文帳に追加

電子機器に備わる第１の接続対象物２６ａと、この第１の接続対象物２６ａとは別の第２の接続対象物２６ｂとに接触して、両接続対象物２６ａ，２６ｂを導電接続する複数の導電部１５と、この導電部１５と接触して複数の導電部１５どうしを導電接続する金属部１６ａを有する異方導電性コネクタ１１とした。 - 特許庁

In a method of forming a photovoltaic element, which enables the precipitation of a silicon layer 110 on a substrate 103 by contacting the substrate 103 with a supersaturated solution obtained by dissolving a silicone in a metal solvent 109, before the substrate 103 contacts the supersaturated solution, a silicon thin film 107 is formed on the surface of the substrate 103 using a high-frequency plasma CVD method.例文帳に追加

金属溶媒１０９にシリコンを溶解した過飽和溶液に基板１０３を接触させることにより基板１０３上にシリコン層１１０を析出させる光起電力素子の形成方法において、過飽和溶液に基板１０３と接触させる前に、基板１０３表面にシリコン系薄膜１０７を高周波プラズマＣＶＤ法を用いて形成しておく。 - 特許庁

A shield cover 12 for covering semiconductor memory chips is set on the board and is connected to thereto via the reference potential connection patterns 15 and metal cover contacts 16.例文帳に追加

メモリモジュールのプリント基板１１上に配置された高周波数の信号線上、及び／又は信号線の終端部の延長線上に基準電位接続パターン１５を設けると共に、半導体メモリチップを覆うシールドカバー１２を前記基板上に設けて、基準電位接続パターン１５と金属カバーコンタクト部品１６を介してシールドカバー１２を接続する。 - 特許庁

The level of integration of a semiconductor optoelectronic device is improved by the semiconductor cap layer, such as an InGaAs cap layer having a thickness of ≤200 nm together with the pure metal layer and, in addition, fewer impurities are introduced in the formation of an ohmic contact than with prior art alloy contacts.例文帳に追加

本発明では、厚さ200nm以下のInGaAs保護膜層のような半導体保護膜層を厚さ10nm以下の極薄の純金属層と共に用いて、これにより半導体光電子デバイスの集積レベルを向上させると共に、オーミック接触の形成において従来法の合金接触よりも少量の不純物が導入されるに過ぎない。 - 特許庁

To provide a connector assembled by press-fitting a contact formed by bending a metal plate into a body formed of resin, in which variations of press-fitted conditions of individual contacts are reduced and the possibility of occurrence of deformation such as a warp of a body due to internal stress after assembling the connector is reduced.例文帳に追加

金属薄板を曲げて成形されたコンタクトを、樹脂成形されたボディに圧入することにより組み立てられるコネクタにおいて、個々のコンタクトの圧入状態にばらつきを低減すると共に、コネクタの組み立て後に、ボディの内部応力による反りなどの変形が発生する可能性を低減する。 - 特許庁

The flexible metal-laminated film 100 includes a polymer film 110, the thin copper foil 120 which contacts the polymer film on one surface and is thinned by etching the opposite surface, and a metallic layer 130 formed on the copper foil to have such a thickness that the layer can decrease the surface roughness of the etched copper foil.例文帳に追加

ポリマーフィルム１１０と、一面において前記ポリマーフィルムが接合し、反対面においてエッチングにより厚みが薄くなった銅箔１２０と、前記エッチングによる前記銅箔の表面粗度を低減することができる厚みで前記銅箔上に形成された金属層１３０とを含む軟性金属積層フィルム１００。 - 特許庁

The decorative member for the block includes an aluminum frame body 12 used disposed and fixed between corner blocks 1, 1 of the block structure 10; a block fixing metal fitting 21 fixing the frame body 12 using lateral joints 2 of the corner blocks 1; and an erosion preventive buffer member 19 preventing erosion when the frame body 12 contacts the corner blocks 1.例文帳に追加

ブロック構築物１０のコーナーブロック１，１間に配設されて固定されて用いられるアルミ製の枠体１２と、コーナーブロック１の横目地２を利用して枠体１２を固定するブロック固定用金具２１と、枠体１２が前記コーナーブロック１と接触した場合の浸食を防止する浸食防止緩衝部材１９とを備えている。 - 特許庁

A conductive compression spring 44 of which one end is locked to a pawl 26b and the other end pressure contacts the central face 33a to conduct the sheet metal 26 and the connector grounding plate 33 is installed between the pawl 26 provided at the end part of the rising part 26a and the connector grounding plate 33.例文帳に追加

立設部２６ａの端部に設けられた爪部２６ｂとコネクタ２３のコネクタグランド板３３との間には、一端部が爪部２６ｂに係止され、他端部が中央面３３ａを押圧接触することにより、板金２６とコネクタグランド板３３とを導通させる導電性の圧縮バネ４４が設けられている。 - 特許庁

This method of manufacturing the semiconductor device includes: an application process of applying a liquid body used as a material of a metal terminal film 4 on a mounting substrate 2; a loading process of loading a semiconductor member on the mounting substrate 2 so that a connection terminal 5 of the semiconductor member contacts the liquid body applied on the mounting substrate 2; and a solidification process of solidifying the liquid body.例文帳に追加

金属端子膜４の材料となる液状体を実装基板２上に塗布する塗布工程と、前記実装基板２上に塗布された前記液状体に半導体部材の接続端子５が接触するように、前記実装基板２の上に前記半導体部材を載置する載置工程と、前記液状体を固化する固化工程と、を含む。 - 特許庁

When a human hand and a similar article charged with floating static electricity approaches or contacts a metal decoration steel plate 1 located at the outermost part, the electrostatic charge is guided to the vicinity of a through hole 2-1 formed in a resin molded base board 2 and discharged to a conductive part 3-1 through a discharge route with the through hole 2-1 as an air gap.例文帳に追加

待機中の静電気を帯びた人間の手や同等の物品が最も外側にある金属装飾鋼板１に近接または接触すると、静電気による電荷は樹脂成形基台２に設けられた貫通孔２−１の付近に導かれ、この貫通孔ー１を空気ギャップとする放電経路を介して導電部３−１に放電する。 - 特許庁

In addition, an aluminum case (metal case) 42 which conducts and dissipates heat generated through mutual induction to the connector attaching sections 29 and 65 from the contacts 53 is connected directly to the connector.例文帳に追加

第一コア体２６及び／又は第二コア体６３に、回路基板４１、７０のための収容部５０と、対応するコネクタ取り付け部２９、６５に接触する接触部５３とを有し、且つ相互誘導作用により発生する熱を伝導してその熱を接触部５３からコネクタ取り付け部２９、６５に放出するアルミケース（金属ケース）４２を直結する。 - 特許庁

In a state that a voltage is not applied across a conductive pad 3 mounted on a silicon substrate 5 and a conductive pad 4 mounted on a glass substrate 6, since a liquid metal 2 is on an electrical contact 63 of a cavity 10 and is not on an electrical contact 64, there is electric insulation between the electrical contacts 63, 64.例文帳に追加

シリコン基板５に設けられる導電性パッド３と、ガラス基板６に設けられる導電性パッド４との間に電圧を印加していない状態では、液体金属２が空洞部１０の電気接点部６３上にはあるが、電気接点部６４上にはないので、電気接点部６３，６４間は絶縁状態である。 - 特許庁

A device testing apparatus 1 includes: a metal plate 11 which is contacted with a collector electrode provided in a semiconductor device 20 to support the semiconductor device 20; and a plurality of contacts 30e equipped with an expansion and contraction mechanism for contacting with an emitter electrode 20e provided in the semiconductor device 20 while pressing the emitter electrode 20e.例文帳に追加

素子試験装置１は、半導体素子２０に配設されたコレクタ電極に接触して半導体素子２０を支持する金属板１１と、半導体素子２０に配設されたエミッタ電極２０ｅを押圧しつつ、エミッタ電極２０ｅに接触する伸縮機構を備えた複数の接触子３０ｅと、を備えている。 - 特許庁

To form one of an electrode and the contact of a slider from an alloy material consisting of a gold component excellent in sulfurization resistance and an abrasion-resistant metal component, in consideration of that a plurality of electrodes or the contacts of the sliders sliding along the surfaces of the electrodes are abraded by the mutual sliding of them in a slidable detector.例文帳に追加

摺動式検出器において、複数条の電極やこれら各電極の表面に沿い摺動する摺動子の接点がこれら相互間の摺動で摩耗することをも考慮して、各電極及び摺動子の接点の一方を、耐硫化性に優れる金成分と耐摩耗性金属成分とからなる合金材料により形成することを目的とする。 - 特許庁

The elastic member 2 has a base part 14 fixed to a core metal member 1, an annular first lip part 15 for extending from the base part 14 to an inner ring 6 side and an annular slide part 21 in which an end is connected to a tip end side of the first lip part 15 and another end side slides and contacts with the second fixed part 12 of a slinger 3.例文帳に追加

上記弾性部材２は、芯金部材１に固定された基部１４と、基部１４から内輪６側に向かって延在する環状の第１リップ部１５と、第１リップ部１５の先端側に一端が連結され、スリンガ３の第２固定部１２に他端側が摺接する環状の摺接部２１とを有する。 - 特許庁

At least during operation, the metal fuel 2 contacts the outer surface of the cooling tube 10 and the inside surface of the fuel element vessel 9 so that cooling is attained, from the inside and the outside of the fuel elements 3 by core cooling water 34 and two-phase flow of water and steam 33.例文帳に追加

燃料要素容器９内に金属燃料２を密封した燃料要素３を水又は水と水蒸気との２相流３３中に設置すると共に、燃料要素３内に炉心冷却水例えば水蒸気又は水蒸気と水との２相流３４を循環させる冷却管１０を設け、少なくとも運転時には金属燃料２は冷却管１０の外周面及び燃料要素容器９の内側面に接触しており、炉心冷却水３４と水又は水と水蒸気３３との２相流により燃料要素３の内と外から冷却を行うようにしている。 - 特許庁

In the groove, contacts 212a, 212b contacting a conductive pad 130 of the module is provided, and a metal cover 220 for holding the connector in a connecting state pinching the module between the supporting part by covering and locking the connector body.例文帳に追加

このコネクタは、接続体勢にあるモジュールの前辺に沿って延びる受入部２１１と、受入部から後方へ延びてモジュールを受ける支持部２１３とを有するコネクタ本体２１０を備え、受入部の後面にモジュールの前辺が挿入される溝２１１ａを設け、溝に、モジュールの導電パッド１３０に接触するコンタクト２１２ａ、２１２ｂを設け、コネクタ本体に被さってこれに係止して支持部との間でモジュールを挟持して接続体勢に保持する金属製カバー２２０を備える。 - 特許庁