「mr elements」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

For example, when the number of MR elements 1 is 3, the number of terminals is 4.例文帳に追加

例えば、ＭＲ素子１が３個の例では、端子数は４個となる。 - 特許庁

A large number of the MR elements Q1 to QN are arrayed and formed on the wafer.例文帳に追加

ウエハ上に多数のＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮを整列して形成する。 - 特許庁

The conductive layers 81L, 81R, 82L, 82R connect the MR elements 50, 60 in series and conduct the sense current to the MR elements 50, 60 connected in series.例文帳に追加

導電層８１Ｌ，８１Ｒ，８２Ｌ，８２Ｒは、ＭＲ素子５０，６０を直列に接続すると共に、直列に接続されたＭＲ素子５０，６０に対してセンス電流を流す。 - 特許庁

To provide a read head having one or more magnetoresistive (MR) sensors (or elements).例文帳に追加

１つ以上の磁気抵抗（ＭＲ）センサ（または素子）を有する読取ヘッドを設ける。 - 特許庁

It is therefore possible to reduce the interval between the MR elements 3A and 3B more while maintaining the size of the MR elements 3A and 3B in comparison with the case that the conductor has a U-shape.例文帳に追加

このため、ＭＲ素子３Ａ，３Ｂのサイズを維持しつつ、導体がＵ字状をなす場合よりもＭＲ素子３Ａ，３Ｂ同士の間隔を小さくすることができる。 - 特許庁

The patterns 8 for process monitor are formed by ion milling processing with the same stage as the stage for previously forming the film having an ion milling rate higher than that of the MR elements 6 to a film thickness thicker than the film thickness of the MR elements 6 and patterning the MR elements 6.例文帳に追加

加工モニタ用パターン８は、磁気抵抗効果素子６よりもイオンミリングレートが大きな膜を磁気抵抗効果素子６の膜厚よりも厚く形成しておき、磁気抵抗効果素子６をパターン化する工程と同じ工程でイオンミリング処理によってパターン形成する。 - 特許庁

A first position detecting MR elements 11a and 11b as a dual system and second position detecting MR elements 12a and 12b also as a dual system are provided to detect the operating direction of a shift lever.例文帳に追加

２重系の第１位置検知ＭＲ素子１１ａ，１１ｂと、同じく２重系の第２位置検知ＭＲ素子１２ａ，１２ｂとを設けて、シフトレバーの操作方向を検出する。 - 特許庁

The device is additionally provided with many oscillation insulating elements arranged so as to support the platform and the MR photographing system on a horizontal supporting surface.例文帳に追加

本装置はさらに、水平支持面上でプラットフォームとMR撮影システムを支えるように配置された多数の振動絶縁要素を備える。 - 特許庁

The first and second MR elements, MRM, MRR, can take low- and high-resistance steady states.例文帳に追加

第１、第２ＭＲ素子ＭＲＭ、ＭＲＲは、低、高抵抗状態の定常状態を取り得る。 - 特許庁

At first, MR elements 4a and 4b are stacked on a silicon substrate 1 with a digit line 8 shred.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ディジット線８を共有して、ＭＲ素子４ａ，４ｂが積層される。 - 特許庁

The measuring part 100 has the first and second MR elements 1, 2, and detects each resistance value of the first and second MR elements 1, 2 corresponding to an own attitude change and the presence of a bias magnetic field.例文帳に追加

測定部１００は、第１および第２のＭＲ素子１，２を有し、自らの姿勢変化とバイアス磁界の有無とに応じた第１および第２のＭＲ素子１，２の抵抗値を検出する。 - 特許庁

Each shield layer in the plurality of MR read-out head elements is insulated from the ground, and an electric resistance layer is connected between the shield layer in at least two MR read-out head elements among the plurality of MR read-out head elements.例文帳に追加

複数のＭＲ読出しヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、これら複数のＭＲ読出しヘッド素子における各シールド層がグランドから絶縁されており、これら複数のＭＲ読出しヘッド素子のうちの少なくとも２つのＭＲ読出しヘッド素子におけるシールド層間に電気抵抗層が接続されている。 - 特許庁

To provide a yoke type magneto-resistive(MR) thin-film magnetic head which improves reproduction output and is capable of embody a higher recording density by ameliorating the decrease in the magnetization quantity in overlap regions between MR elements and a magnetic field induction yoke, the reproduction voltage obtd. by the constant current driving of the MR elements and the magnetic field quantity flowing into the MR elements.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁界誘導ヨークとの間のオーバーラップ領域における磁化量低下、磁気抵抗効果素子の定電流駆動で得られる再生電圧並びに磁気抵抗効果素子に流入する磁束量を改善することにより再生出力を向上し、高記録密度化が実現できるヨークタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

Then, a plurality of magnetoresistive effect elements(MR elements) 15a, 15b are disposed on the surface different from the forming surface of the upper yoke 12, while being positioned in this gap 12a.例文帳に追加

そして、この間隙１２ａに位置して、上ヨーク１２の形成面とは異なる面に、複数の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１５ａ，１５ｂを配設する。 - 特許庁

Since each MR element 1 is provided with the other terminal 3, the number of terminals is reduced to the number of elements +1 from the conventional number of elements ×2.例文帳に追加

各ＭＲ素子１にはそれぞれ他方の端子３が設けられているので、端子数は従来の素子数×２から、素子数＋１に減少できる。 - 特許庁

The hard magnet layer is patterned to form a first pattern 43A covering the MR elements 42C, 42D and second and third patterns 43B, 43C holding the MR elements 42A, 42B therebetween in the in-plane direction.例文帳に追加

ハードマグネット層をパターニングし、ＭＲ素子４２Ｃ，４２Ｄを覆う第１のパターン４３Ａと、面内方向においてＭＲ素子４２Ａ，４２Ｂを挟むように第２および第３のパターン４３Ｂ，４３Ｃとを形成する。 - 特許庁

The respective resistance values of the fifth and seventh MR elements change in the same direction mutually according to the change in the signal magnetic field, while the respective resistance values of the sixth and eighth MR elements 6 and 8 change in the direction opposite to that.例文帳に追加

第５および第７のＭＲ素子の各抵抗値は信号磁場の変化に応じて互いに同じ向きに変化し、第６および第８のＭＲ素子６，８の各抵抗値は、それとは反対向きに変化する。 - 特許庁

The respective resistance values of the first and third MR elements 1 and 3 change in the same direction mutually according to a change in a signal magnetic field, while the respective resistance values of the second and fourth MR elements 2 and 4 change in the direction opposite to that.例文帳に追加

第１および第３のＭＲ素子１，３の各抵抗値は、信号磁場の変化に応じて互いに同じ向きに変化し、第２および第４のＭＲ素子２，４の各抵抗値は、それと反対向きに変化する。 - 特許庁

Each of the magnetization directions 52, 54 in the magnetization fixed layers of the second and fourth MR elements is opposite to a magnetization direction 51 in the magnetization fixed layer of the first MR element.例文帳に追加

第２のＭＲ素子および第４のＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向５２，５４が、第１のＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向５１と反対に向いている。 - 特許庁

Three MR elements are arranged in both the select direction and shift direction of a shift lever as a triple system.例文帳に追加

シフトレバーのセレクト方向とシフト方向両側とにそれぞれＭＲ素子を３つ設けて３重系とする。 - 特許庁

It is therefore possible to implement a compact overall constitution while maintaining the size of the MR elements 3A and 3B, reduce measurement errors caused by temperature differences between the MR elements 3A and 3B, and highly accurately and stably measure electrical currents.例文帳に追加

したがって、ＭＲ素子３Ａ，３Ｂのサイズを維持しつつ、よりコンパクトな全体構成を実現することができるうえ、ＭＲ素子３Ａ，３Ｂ間の温度差による測定誤差を低減し、精度良く安定した電流測定が可能となる。 - 特許庁

To make it possible to manage the dimensions of magneto-resistive elements(MR elements) in accordance with the shapes or sizes of patterns for process monitor appearing on a polished surface when more precisely obtaining the dimensions of the MR element by polishing.例文帳に追加

研磨加工によって磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の寸法を追い込む際に、研磨面に表われる加工モニタ用パターンの形状または寸法に基づいて磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の寸法を管理できるようする。 - 特許庁

The system consists of a plurality of resonator elements disposed in a region of a patient placed in the examination volume of the MR apparatus.例文帳に追加

システムは、ＭＲ装置の検査ボリューム中に置かれた患者の領域に配置される複数の共振器素子からなる。 - 特許庁

Hereby, the current magnetic field Hm1 can be detected with high sensitivity and high accuracy by using both MR elements 21, 22.例文帳に追加

このため、ＭＲ素子２１，２２の双方を用いて、電流磁界Ｈｍ１を感度良く高精度に検出することができる。 - 特許庁

The compensation resistor 36 is connected to a point between the fourth and first MR elements 34, 31 of the bridge 35.例文帳に追加

補正用抵抗器３６は、ブリッジ３５の、第４のＭＲ素子３４と第１のＭＲ素子３１との間の点に接続されている。 - 特許庁

Moreover, a motion detecting MR element 13 is provided in an intermediate position between the above elements to detect if there is a movement of the shift lever.例文帳に追加

また、これら素子の中間位置に、１つの移動検知ＭＲ素子１３を設けて、シフトレバーの移動有無を検出する。 - 特許庁

Another embodiment includes an electromagnetic sensor array having a plurality of MR sensors arranged in an array configuration, where each MR sensor includes a plurality of MR elements forming a Wheatstone bridge circuit, and where each MR sensor is adapted to produce a time-varying output voltage in response to a time-varying external magnetic field.例文帳に追加

別の実施例は、複数のＭＲセンサがアレイの構成で配置された電磁センサアレイを含み、各ＭＲセンサは、ホイートストンブリッジ回路を形成する複数のＭＲ素子を含み、各ＭＲセンサは、経時変化する外部磁場に応答して経時変化出力電圧を発生させるように適合される。 - 特許庁

Therefore, a position detector 5 only needs to have a total of five MR elements 1 instead of six conventionally, even with a three-position detection configuration by the dual system, thereby reducing the use of MR element 1 by one.例文帳に追加

よって、位置検出装置５を２重系３位置検出としても、従来のところＭＲ素子１が６個必要であったのが、合計５個で済み、ＭＲ素子１を１つ削減することが可能となる。 - 特許庁

The MR elements 7A, 7B are respectively electrically connected by connecting wiring 74 and the direction Is, where the detecting current flows in the respective MR elements 7A, 7B, is set substantially parallel with the signal magnetic field direction Ms flowing to the magnetic induction yoke 2.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子７Ａ、７Ｂのそれぞれは連結配線７４により電気的に直列に接続され、それぞれの磁気抵抗効果素子７Ａ、７Ｂにおいて検出電流の流れる方向Ｉｓが磁界誘導ヨーク２に流れる信号磁界方向Ｍｓと実質的に平行に設定される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for lapping a magnetic head slider, by which lapping accuracy is furthermore improved, and generation of scratches and smears between gaps of magnetic resistance (MR) elements and electrical lapping guide (ELG) elements is prevented.例文帳に追加

ラッピング加工精度をさらに向上でき、ＭＲ素子やＥＬＧ素子のギャップ間にスクラッチやスミアが発生するのを防止できる磁気ヘッドスライダのラッピング加工方法および加工装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic sensor includes first to eighth MR elements 1-8 so arranged on a substrate as to surround the central region R1 and a difference detection unit.例文帳に追加

基板上に中心領域Ｒ１を取り囲むように配置された第１〜第８のＭＲ素子１〜８と、差分検出部とを備える。 - 特許庁

To provide a tunneling magnetoresistive element which is of low resistance and the variation of characteristics between elements is less while keeping a high MR ratio.例文帳に追加

高いＭＲ比を保持しつつ低抵抗であり、しかも素子間における特性のバラツキが小さいトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

Magnetization directions of the magnetization fixed layers in the two MR elements making a pair, have a predetermined relative angle except for 0° and 180°.例文帳に追加

対を構成する２つのＭＲ素子における磁化固定層の磁化方向は、０°および１８０°を除く所定の相対角度をなしている。 - 特許庁

Furthermore, the resistors of the first and second MR elements 11A, 11B indicate change of a mutually reverse direction in response to a detection object magnetic field.例文帳に追加

さらに、第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂの抵抗は、検出対象磁界に応じて互いに逆方向の変化を示す。 - 特許庁

Then, when determining that it is possible, a transmission/reception part 3 executes the PI imaging on the basis of MR signals detected from the coil elements.例文帳に追加

そして、可能と判定した場合、送受信部３は、前記コイルエレメントから検出されるＭＲ信号に基づいてＰＩ撮影を実行する。 - 特許庁

Each of the first and second measuring terminals 32 and 34 is fitted in a cutting region ΔX set between the adjacent MR elements.例文帳に追加

第１及び第２の測定端子部３２、３４のそれぞれは、隣接するＭＲ素子の間に設定された切断領域ΔＸ内に設けられている。 - 特許庁

The bias magnetic field is applied in a direction orthogonal to a magnetization direction of each pinned layer in the first and second MR elements 1, 2 by a coil 30.例文帳に追加

バイアス磁界は、コイル３０によって第１および第２のＭＲ素子１，２における各ピンド層の磁化の向きと直交する方向に印加される。 - 特許庁

The resolution of the MR magnetic sensor is improved by preventing the gap length which decides the resolution from being restricted by the thicknesses of the elements 1 and 2.例文帳に追加

このようにして、分解能を決定するギャップ長を磁気抵抗効果素子の厚さによって制約されない構成として分解能の向上を図る。 - 特許庁

The MR elements 42A to 42D including a magnetic reference layer are formed on the same substrate 35 and a protective layer and a hard magnet layer are formed to cover them.例文帳に追加

同一基体３５上に、磁気リファレンス層を含むＭＲ素子４２Ａ〜４２Ｄを形成し、それらを覆うように保護層とハードマグネット層とを形成する。 - 特許庁

The angle sensor 1 for detecting a rotational angle θ of the magnetic field Hm to be detected which rotates in one plane of rotation includes a pair of MR elements 11A, 11B whose stacking surfaces are arranged orthogonal to the plane of rotation and a pair of MR elements 21A, 21B whose stacking surfaces are arranged parallel to the plane of rotation.例文帳に追加

一の回転面において回転する検出対象磁界Ｈｍの回転角θを検出する角度センサ１は、積層面が回転面と直交するように配置された一対のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂと、積層面が回転面と平行をなすように配置された一対のＭＲ素子２１Ａ，２１Ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic device including a plurality of MR elements containing a magnetic material layer provided on the same substrate and magnetized in directions different from each other.例文帳に追加

同一基体上に設けられ、かつ相互に異なる方向に磁化された磁性材料層を含む複数のＭＲ素子を有する磁気デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the region of a prescribed rotation angle in the magnetic field Hm to be detected, because the MR elements 11A, 11B generate first resistance variation in response to only the temperature variation, the rotational angle of the magnetic field Hm to be detected not including errors due to temperature variation can be obtained from relationship with the second resistance variation in the MR elements 21A, 21B.例文帳に追加

検出対象磁界Ｈｍにおける所定の回転角の領域では、ＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂが温度変化のみに応じた第１の抵抗変化を生じるので、ＭＲ素子２１Ａ，２１Ｂにおける第２の抵抗変化との関係から温度変化による誤差を含まない検出対象磁界Ｈｍの回転角を求めることができる。 - 特許庁

To provide a radio frequency (RF) sensor system, in an embodiment, having a plurality of magnetoresistive (MR) sensors each of which includes a configuration of MR elements and is adapted to produce a time-varying output voltage in response to a time-varying external magnetic field.例文帳に追加

実施例は、複数の磁気抵抗（magnetoresistive）（ＭＲ）センサを有する無線周波数（radio frequency）（ＲＦ）センサシステムを含み、各ＭＲセンサは、ＭＲ素子の構成を含み、経時変化する外部磁場に応答して経時変化出力電圧を発生させるように適合される。 - 特許庁

A plurality of MR heads 3 (3A, 3B, 3C, 3D), where the shielded surface distance between magnetoresistance effect elements are different each are arranged in a width direction W of the magnetic tape MT, in parallel, thus setting the contact state between the magnetic tape and the MR head to different conditions each.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とシールド面の距離がそれぞれ異なる複数のＭＲヘッド３（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ）を、磁気テープＭＴの幅方向Ｗに並列に配置することにより、磁気テープとＭＲヘッドの接触状態をそれぞれ異なる条件に設定することができる。 - 特許庁

The first and second MR elements 11A, 11B have a mutually rotative symmetrical relationship centering a center axis CL parallel to a direction of anisotropic magnetic fields Hk1, Hk2 of the free layer.例文帳に追加

第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂは、自由層の異方性磁界Ｈｋ１，Ｈｋ２の方向と平行な中心軸ＣＬを中心として互いに回転対称な関係にある。 - 特許庁