「multiple-quantum-well」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The strain amount as an entire of the multiple quantum well layers is reduced by allowing part of a group of the quantum well layers and barrier layers to be formed by average strain which is a small value or whose code is inverse even if the group of the quantum well layers and barrier layers having the average large strain value is formed in the other part.例文帳に追加

量子井戸層と障壁層の組の一部が、小さい値もしくは符号が逆となっている平均歪で形成されることにより、他方に、大きな値の平均歪を有する量子井戸層と障壁層の組が形成されていても、多重量子井戸層全体としての歪量を低下させる。 - 特許庁

In the first clad layer 104 and the second clad layer 106, a lattice mismatch rate of a part of the multiple quantum well active layer 105 to the substrate 101 is larger than that of a part opposite to the multiple quantum well active layer 105 to the substrate 101.例文帳に追加

この第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０６のそれぞれにおいて、多重量子井戸活性層１０５側の部分の基板１０１に対する格子不整合率は、多重量子井戸活性層１０５側とは反対側の部分の基板１０１に対する格子不整合率よりも大きい。 - 特許庁

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state.例文帳に追加

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。 - 特許庁

In the ring laser system 300, photons generated in the inside of the multiple quantum well 112 are circulated within a ring laser structure, including the outside structure 116, the multiple quantum well 112, and the optical core 110, then limitted from a noncontinuous portion 114 attached to the outside structure 116.例文帳に追加

当該リングレーザシステム３００では、多重量子井戸１１２内部で形成された光子は、外側構造体１１６、多重量子井戸１１２及び光コア１１０を含んで成るリングレーザ構造内部で循環し、外側構造体１１６に付着した不連続部１１４から出射する。 - 特許庁

This nitride semiconductor light-emitting element contains a light-emitting layer 106 having a multiple quantum well structure consisting of a plurality of quantum wells and a plurality of barrier layers alternately stacked on each other, wherein each quantum well layer is composed of InGaNP, and each barrier layer is composed of a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層１０６を含み、その量子井戸層はＩｎＧａＮＰからなり、障壁層は窒化物半導体層からなることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a unipolar multiple quantum well oscillator that performs continuous oscillation at a frequency of approximately 20 to 100 THz in room temperature.例文帳に追加

周波数が２０ＴＨｚから１００ＴＨｚ程度で室温連続発振するユニポーラ多重量子井戸発振器を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element of a multiple quantum well structure that provides a wide bandwidth and superior life characteristics, and a wavelength variable light source.例文帳に追加

広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置を提供する。 - 特許庁

A cascade laser device is provided with: a multi-layer film structure including a multiple quantum well including potential barriers 41, 143 and 151 and quantum wells 142 and 144 and an electric field application means for applying an electric field to the multi-layer film structure.例文帳に追加

カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。 - 特許庁

Furthermore, the width of wavelength is adjusted, by adjusting the composition of materials of the bottom and barrier layers of the different multiple quantum wells or the width of the quantum well or the length of the photo-isolation confinement structures.例文帳に追加

また、該異なる多重量子井戸の底面とバリア層の材料の組成、もしくは量子井戸の幅、もしくは光分離閉じ込め構造の長さを調整して波長の長さを調整する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element having higher light emitting efficiency is realized by setting the number of pairs of well layers and barrier layers of an AlGaAs multiple quantum well active layer 5 to the optimum value.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層５の井戸層及びバリア層のペア数を最適な値にすることにより、発光効率の高い半導体発光素子を実現することができる。 - 特許庁

The gain region is constituted of 24 bulk semiconductor crystals, and the saturable absorption region 26 is constituted of a multiple-quantum-well structure.例文帳に追加

利得領域は、２４バルク半導体結晶によって構成され、及び、可飽和吸収領域２６は、多重量子井戸構造によって構成される。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is provided with an active layer 45 having a multiple quantum well structure, and SCH layers 42, 44, 50, and 52 that are formed above and under it.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられたＳＣＨ層４２，４４，５０，５２を備えている。 - 特許庁

A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。 - 特許庁

A vertical light-emitting diode (VLED) die includes a metal base (base) 12, a mirror 14 on the metal base, a p-type semiconductor layer 16 on the mirror, a multiple quantum well (MQW) layer 18 on the p-type semiconductor layer configured to emit light, and an n-type semiconductor layer 20 on the multiple quantum well (MQW) layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The MQW active layer 5 includes a multiple quantum well structure constituted of barrier layers and well layers having a tensile strain, and a layer thickness of each well layer is larger than that of each barrier layer, and the layer thickness of at least one well layer is made different from those of the other well layers.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 - 特許庁

A light emitting diode 100 has a light-emitting layer with a mutiple quantum well structure, and a quantum-wave interference layer composed of a first layer and a second layer wider in band width than the first layer are laminated in a multiple period besides the light-emitting layer.例文帳に追加

発光ダイオード１００は、発光層が多重量子井戸構造であり、発光層以外に第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した量子波干渉層を有する。 - 特許庁

This shows that a composition of the well layer of the light-emitting layer 40 of the multiple quantum well structure changes extremely smoothly from above the (c) plane of the surface of the GaN layer 35 to above a facet surface.例文帳に追加

これは、多重量子井戸構造の発光層４０の井戸層の組成が、ＧａＮ層３５表面のｃ面上部からファセット面上部にかけて、極めて滑らかに変化していることを示している。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the light emitting diode which includes an active layer 6 having a multiple quantum well structure formed by laminating a well layer 6a and a barrier layer 6b alternately, at least one well layer 6a of the active layer 6 is different in thickness from other well layers 6a.例文帳に追加

ウエル層６ａとバリア層６ｂを交互に積層した多重量子井戸構造の活性層６を有する発光ダイオード用エピタキシャルウエハにおいて、活性層６の少なくとも１つのウエル層６ａの厚さが、他のウエル層６ａの厚さと異なるものである。 - 特許庁

An Al oxide film formed on the surfaces of the lower light lockup layer 16, the multiple quantum well active layer 18 and a lower lockup layer 20 including Al is removed by etching.例文帳に追加

Ａｌを含む下光閉込層１６、多重量子井戸活性層１８及び上光閉込層２０の表面に形成されたＡｌ酸化膜をエッチング除去する。 - 特許庁

Accordingly, positions at which electrons and holes are combined in the multiple quantum well structure to emit light can be controlled, and luminous efficiency can be enhanced.例文帳に追加

これにより、多重量子ウェル構造内で電子と正孔が結合し、光を放出する位置を調節することができ、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

By constituting a multiple quantum well constituting a laser active layer region of InGaAlAs/InGaAlAs, reliability and a light output level are maintained even when an element is maintained at high temperature.例文帳に追加

レーザ活性層領域を構成する多重量子井戸をＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓで構成することによって、高温に素子を保っても信頼性および光出力レベルをたもつ。 - 特許庁

To enable suppressing the dispersion of a carrier toward a clad layer and thereby to substantially increase a light emitting output even if a light-emitting layer is of a multiple quantum well structure.例文帳に追加

発光層を多重量子井戸構造とした場合でも、クラッド層へのキャリアの拡散を抑制し、発光出力を大幅に向上させることができるようにする。 - 特許庁

To make a high S/N ratio and a short gate width compatible in optical sampling using an electroabsorption type light modulator of a multiple quantum well structure.例文帳に追加

本発明の目的は、多量子井戸構造の電界吸収型光変調器を用いた光サンプリングにおいて高いＳ／Ｎ比と短いゲート幅を両立することにある。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing semiconductor laser capable of suppressing damages generated in the crystal of a multiple quantum well layer, and easily forming a mode-transforming region.例文帳に追加

多重量子井戸層の結晶において損傷発生を抑制してモード変換領域を容易に形成できる半導体レーザーの製造方法を提供する。 - 特許庁

The quantum cascade laser is equipped with a semiconductor substrate and an active layer having a cascade structure wherein unit laminates 16, each consisting of a quantum well light emission layer 17 and an injection layer 18, are stacked in multiple stages.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser.例文帳に追加

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The III nitride semiconductor layer 2 has a multilayer structure laminating an n-type contact layer 21, a multiple quantum well (MQW) layer 22 as a light-emitting layer (active layer), an AlGaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 sequentially from the AlN substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＡｌＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層（活性層）としての多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）層２２、ＡｌＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。 - 特許庁

The inner stripe nitride laser diode structure is provided with a multiple-quantum well layer and first and second surfaces, and is provided with a waveguide layer where the first surface is in contact with the multiple- quantum well layer, and a current-blocking layer entering the second surface of the waveguide layer and divided into two portions by a stripe groove.例文帳に追加

本インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造は、多量子ウェル層と、第１及び第２の表面を有し、前記第１の表面が前記多量子ウェル層に接触している導波層と、前記導波層の第２の表面内に突入していて、ストライプ溝によって２つの部分に分割されている電流ブロッキング層とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a first light emitting layer 3 and a second light emitting layer 9 laminated on a substrate 1 to emit lights of different chromaticities so that the first layer 3 is formed in a multiple quantum well structure.例文帳に追加

基板１上に、異なる色度の光を発光する第１発光層３と第２発光層９とが積層され、第１発光層３は多重量子井戸構造を成している。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element in which the forward voltage is lowered through use of an active layer of multiple quantum well structure in order to widen application range to various products.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、順方向電圧の低い窒化物半導体を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 comprises an active layer 45 of multiple quantum well structure, and separation confinement heterostructure (SCH) layers 42, 44, 50 and 52.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられた分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層４２、４４、５０、５２を備えている。 - 特許庁

This optical signal pattern discriminating device comprises a polarization beam splitter, a λ/4 plate (and -λ/4 plate), a condenser lens, and a multiple-quantum well structure plane type optical switch.例文帳に追加

この光信号パターン識別装置は、偏光ビームスプリッタ、λ／４板（および−λ／４板）、集光レンズ、および多重量子井戸構造面型光スイッチから構成されている。 - 特許庁

In addition, the first clad layer 4 is formed in a manner that a phase difference between the light emitted from the quantum well active layer 5 and that reflected on the DBR 3 becomes an integer multiple of 2π.例文帳に追加

また、第１クラッド層４は、量子井戸活性層５からの発光光と、ＤＢＲ３で反射された反射光との位相差が２πの整数倍になるように形成されている。 - 特許庁

A multiple quantum well structure is used as an active layer 4, and further a maximum position of an intensity distribution of emitted light is shifted from the center position of the active layer 4 to a p-type cladding layer 6 side.例文帳に追加

活性層４として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層４の中心位置よりｐ型クラッド層６側にずらす。 - 特許庁

The second conductivity-type barrier layer 2a is provided in a range of the multiple quantum well 40 in which first conductivity-type dopants contained in the p-InP clad layer 22 are diffused.例文帳に追加

第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 - 特許庁

Immediately after stacking a barrier layer composed of GaAsP for a multiple distortion quantum well active layer 105 at a growth temperature of 650°C, a 2nd upper guide layer 126 composed of AlGaAs is stacked.例文帳に追加

６５０℃の成長温度で、多重歪量子井戸活性層１０５のＧａＡｓＰからなるバリア層を積層した直後に、ＡｌＧａＡｓからなる第二上ガイド層１２６を積層する。 - 特許庁

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.例文帳に追加

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1A includes a semiconductor substrate 10, and an active layer 15 which is provided on the substrate 10 and has a cascade structure in which a unit laminate consisting of a quantum well emission layer and an injection layer is stacked in multiple stages so that the emission layer and the injection layer are alternately laminated, for generating light by inter-subband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁

When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加

電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 - 特許庁

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)).例文帳に追加

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。 - 特許庁

The multiple quantum well, GaN final barrier, p-type electron rejection, and p-type contact layers 23, 24, 25, 26 are subjected to epitaxial growth coherently to the n-type compressive stress application layer 22.例文帳に追加

多重量子井戸層２３、ＧａＮファイナルバリア層２４、ｐ型電子阻止層２５およびｐ型コンタクト層２６は、ｎ型圧縮応力印加層２２に対してコヒーレントにエピタキシャル成長された層である。 - 特許庁