「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, four photodiodes 13a to 13d in a width of (1/2)P are arranged at a pitch of (3/4)P (at an electrical angle of 270°).例文帳に追加

また、(１/２)Ｐの幅の４つのフォトダイオード１３a〜１３dを、(３/４)Ｐのピッチ(電気角２７０度)で配置する。 - 特許庁

The sizes of the dots P(m,n) to P(m+5,n+7) are irregular in arrangement in a gradation direction.例文帳に追加

ドットＰ（ｍ，ｎ）〜Ｐ（ｍ＋５，ｎ＋７）の大きさは、グラデーション方向における配列で不規則になっている。 - 特許庁

The n-side electrode is provided outside the p-side electrode and in the periphery of the p-side electrode in a planar view.例文帳に追加

ｎ側電極は、平面視においてｐ側電極よりも外側でｐ側電極の周りに設けられている。 - 特許庁

5. Expansion of support for development of human resources in growth fields (fiscal 2012 budget: included in \\50.0 billion) (Continuation) (See p. 195.) 例文帳に追加

5 ．成長分野等人材育成支援事業の拡充【24 年度予算：500 億円の内数】（継続）（p.197参照） - 経済産業省

The P-channel MOS transistor M4 is connected to the N-channel MOS transistor M5 in series via a current source Q11.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタM4とNチャネルMOSトランジスタM5は、電流源Q11を介して直列に接続されている。 - 特許庁

A ratio (D/P) of depth D of each of recesses of a transfer mold to a pitch P of the recesses is in a range of 0.05 to 0.45.例文帳に追加

転写型の凹部の深さＤとピッチＰとの比率Ｄ／Ｐは、０．０５〜０．４５である。 - 特許庁

An amount of radiation in the environment is measured with the cylindrical probe P or the radiation measurement device.例文帳に追加

筒状のプローブP又は放射線測定器で環境中の放射線量を測定する。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the NFET5, a p well diffusion region 8 is formed.例文帳に追加

NFET５の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｐウェル拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

A p-electrode 5 is made in close contact on the p-GaN layer 4, making ohmic contact.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層４上にｐ電極５が密着して形成されオーミック接触している。 - 特許庁

p) documents of payment of the fees for printing and maintenance in force and the amount of such fees;例文帳に追加

(p) 印刷及び効力維持のための手数料の納付書類及び当該手数料の金額 - 特許庁

A transfer support apparatus 1 is an apparatus for supporting transfer of the care-receiver P in an upright sitting position.例文帳に追加

移乗支援装置１は、端座位の被介護者Pの移乗を支援するためのものである。 - 特許庁

In this case, the potential of the node P is reduced down to that of the node (A), and the node P enters L level.例文帳に追加

このとき、ノードＰの電位はノードＡと等しくなるまで引き下げられ、Ｌレベルへ遷移する。 - 特許庁

To provide a method for decomposing 2,3,7,8-tetrachlorinated dibenzo-p-dioxin in higher level than that of conventional way.例文帳に追加

2,3,7,8-四塩素化ジベンゾ-p-ジオキシンを従来よりも高いレベルで分解できる方法を提供する。 - 特許庁

The command grep (from "g/re/p") finds occurrences of a string in one or more files. 例文帳に追加

grepコマンドは、指定された文字列を一つ以上のファイルから探す(コマンド名は "g/re/p" に由来している)。 - JM

In the formula, x is 0.95≤x≤1.05, p is 0.02≤p≤0.1, and y is 0.8≤y≤1.0;例文帳に追加

また、０．０２≦ｚ≦０．１０で、ＭはＮb，Ｔa，Ｍo，Ｗから選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

A conveyance roller 2 comes into contact with an upper face of the paper P on the downstream side in the direction A of conveyance of the paper P.例文帳に追加

用紙Ｐの搬送方向Ａの下流側の上面には搬送ローラ２が接している。 - 特許庁

In this case, an n-type deep region may be interposed between a p-type partition region and a p-type well region.例文帳に追加

また、ｐ仕切り領域とｐウェル領域との間にｎ深部領域を挟んでも良い。 - 特許庁

8. “Special Finance for Small and Medium Enterprises in the Specified Area” affected by the nuclear disaster (Continuation) (See p. 188.) 例文帳に追加

8 ．原子力災害に伴う「特定地域中小企業特別資金」（継続）（p.188参照） - 経済産業省

9. Revitalization consultation and support for commerce in city centers (SMRJ subsidy program) (Continuation) (See p. 211.) 例文帳に追加

9 ．中心市街地商業活性化診断・サポート事業【中小機構交付金】（継続）（p.218参照） - 経済産業省

To manufacture and supply an LED lighting lamp (P) of panel shape in which a lighting lamp fixing frame (S) of the LED lighting lamp (P) is made a heat sink part, and heat generated from the LED lighting lamp (P) is radiated to prevent deterioration of the lifetime of an LED by the heat.例文帳に追加

本発明は、パネル状のLED照明灯(P)においてLED照明灯(P)の照明灯固定用周囲枠（S）をヒートシンク部とすることにより、LED照明灯（P）から生じる熱を放出して、前記熱によりLEDの寿命を低下させることのないLED照明（P）を製作し提供することにある。 - 特許庁

The p-well 60 located under the output is formed with the concentration of the p-type impurity higher than the p-well 10 in the other area.例文帳に追加

出力部の下に配置されたＰウェル６０は、他の領域のＰウェル１０よりＰ型不純物の濃度が高く形成される。 - 特許庁

The p-AlInAs layer, p-InP layer, and p-GaInAs layer are formed in striped ridges of a 10 μm width.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層、ｐ−ＩｎＰ層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層は、幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成されている。 - 特許庁

A pair of standby trays 10 are provided to receive sheets P in a state of having slid to the width of the sheets P and support the two sides of each sheet P.例文帳に追加

待機トレイ１０は、一対から成り、用紙Ｐの幅にスライドした状態で用紙Ｐを受け取り、用紙Ｐの両側を支持する。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The arm 1 has a form or a structure grasping the insertion P, and is energized in such the direction that the wedge 2 may be inserted into a gap between the inserted body C and the insertion P in its grasping position.例文帳に追加

ここでアーム(1) は、差込体(P) を把持する形状または構造を有し、かつその把持姿勢においてクサビ部(2) が被差込体(C) −差込体(P) 間の隙間(g) に入り込む方向に付勢されている。 - 特許庁

In addition, in the cord section, the ratio (P/L1) of the mean space P of the carcass cord to the major diameter L1 is ≥1.2, and the ratio (P/L2) of the mean space P to the minor diameter L2 is ≤2.5.例文帳に追加

またこのコード断面において、カーカスコードの平均間隔Ｐと前記長径Ｌ１との比（Ｐ／Ｌ１）が１．２以上であり、しかも前記平均間隔Ｐと前記短径Ｌ２との比（Ｐ／Ｌ２）が２．５以下である。 - 特許庁

Vibration is given to the paper sheets P by this turn, an air layer is formed in the papers sheets P to reduce sticking inside the paper sheets P, and individual pressed paper sheet P moves in the direction of pressing.例文帳に追加

この回動によって紙葉類Ｐに振動を与え、紙葉類Ｐ内に空気層ができ紙葉類Ｐ内部の張り付きが緩和され、押圧された個々の紙葉類Ｐが押圧された方向に移動する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

When a magnetic pole slot teeth width is taken as B, a slot pitch as P, a slot pitch as P, and a teeth root portion height as H, H/P = 0.08 to 0.12 and S/P = 0.01 to 0.03 in the range of B/P = 0.5 to 0.7.例文帳に追加

また、磁極スロットティース幅をＢ、スロットピッチをＰ、ティース付根部高さをＨとした時、Ｂ／Ｐ＝０．５〜０．７の範囲のもので、Ｈ／Ｐ＝０．０８〜０．１２とし、Ｓ／Ｐ＝０．０１〜０．０３と設定したことを特徴とする。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

Quantity of light distributions P(1) to P(i) and P(i) to P(256) in the subscanning direction corresponding to some scan and quantity of light distributions P(256) and P(1) in the subscanning direction corresponding to preceding and following scans are combined to generate correction reference data.例文帳に追加

或るスキャンに対応する副走査方向の光量分布Ｐ（１），…，Ｐ（ｉ），…，Ｐ（２５６）（図中に実線で示す）に、そのスキャンの前および後のスキャンに対応する副走査方向の光量分布Ｐ（２５６），Ｐ（１）（図中に点線で示す）を合成して、補正の基準となる補正基準データを作成する。 - 特許庁

Wherein, [7] is the component in the welding material and []p is the component in a steel plate.例文帳に追加

尚、〔〕：溶接材料中の成分、〔〕_p：鋼板中の成分を示す。 - 特許庁

The bending machine 1 formes difference in level on the long-sized material P.例文帳に追加

曲げ加工機１は、長尺物Ｐに段差を形成する。 - 特許庁

A phosphor P is diffused in the refrigerant R.例文帳に追加

そして、冷媒Ｒ中に蛍光体Ｐが分散されている。 - 特許庁

The FT_12 may be formed in a p-type well region 36.例文帳に追加

ＦＴ_１２は、Ｐ型ウエル領域３６に形成してもよい。 - 特許庁

In a detour control server P, an event scale collecting section 11 collects the scale of an event occurring in each communication area C.例文帳に追加

迂回制御サーバPにおいて、事象規模収集部１１は各通信エリアCで発生した事象の規模を収集する。 - 特許庁

An NMOS region is formed in the P-type well.例文帳に追加

Ｐ型ウェル内にはＮＭＯＳ領域が形成されている。 - 特許庁

Integrated in the p+ well are a plurality of NMOS transistors.例文帳に追加

ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。 - 特許庁

Further, the p^+-type isolation layer 11 is in contact with the channel stopper 3.例文帳に追加

また、ｐ^+型分離層１１は、チャネルストッパー３に接する。 - 特許庁

A large number of Pachinko game machines P are installed in a game hall.例文帳に追加

遊技ホールには多数のパチンコ機Ｐが設けられている。 - 特許庁

Transmitting axes of polarizing regions P(1) and P(2) in the light-transmitting section 2 vary in direction by an angle of θ to each other.例文帳に追加

光透過部２における偏光領域Ｐ（１）、Ｐ（２）の透過軸の方向は互いに角度θだけ異なっている。 - 特許庁

A trench 5 is formed in a P type body region 4.例文帳に追加

Ｐ型のボディ領域４には、トレンチ５が形成されている。 - 特許庁

The plant seeds are allowed to soak in the filtrate of a culture mixture of a microorganism in Enterobacter, for example, Enterobacter cloacae No.11-5 (FERM P-8884) and then sowed.例文帳に追加

植物種子をエンテロバクター属に属する微生物、例えばEnterobacter cloacae No.11-5（FERM P−8884）の培養ろ液に浸漬した後播種する。 - 特許庁

ORGANIC HALOGEN COLLECTOR IN SIMPLIFIED MEASUREMENT FOR POLYCHLORINATED-DIBENZO-p-DIOXINS例文帳に追加

ダイオキシン類簡易測定における有機ハロゲン捕集装置 - 特許庁