「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In the electron gun, the average surface roughness of an electron emitting surface of a cathode 1 is set at 1 μm(p-p) to 30 μm(p-p) and its variation is set at within a range of ±50% of its average.例文帳に追加

カソード１の電子放出面の表面粗さが、平均が１μｍ（ｐ−ｐ）〜３０μｍ（ｐ−ｐ）で、ばらつきが平均の±５０％以内とされていることを特徴とする電子銃。 - 特許庁

The plurality of sensor levers detecting a recording material P are arranged at positions deviated from each other in the conveying direction of the recording material P, so that the timings of generating impact noise of the plurality of the sensor levers are delayed.例文帳に追加

記録材Pを検知する複数のセンサレバーを記録材P搬送方向に互いにずれた位置に配置されていることにより、複数のセンサレバーの衝撃音が発生するタイミングをずらす。 - 特許庁

When the Status indicates the non-normal state, a Q calculating unit 107 sets a quantization step size Q to nSize[p, c-1]/tSize using nSize[p, c-1] as a normalized code of a last coding unit of the same picture in a step S62.例文帳に追加

Statusが非定常状態であるとき、Q計算部107は、ステップS62において、同じピクチャで1つ前のコーディングユニットにおける正規化符号量であるnSize[p,c-1]を用いて、量子化ステップサイズQをnSize[p,c-1]／tSizeに設定する。 - 特許庁

The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The provision includes two distinct subsections, Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(i) and Exchange Act Section 13(p)(1)(A)(ii), regarding the information required in that Conflict Minerals Report.例文帳に追加

この規定にはその紛争鉱物報告書において義務付けられる情報に関して、証取法第13(p)(1)(A)(i)条と同法第13(p)(1)(A)(ii)条という、はっきりと分かれた2つの項目が含まれている。 - 経済産業省

The fixing belt 1 and the recording paper P start coming into contact with the magnetic path of the induction heating device 3 at the outside of the recording paper P on an upstream side in a moving direction, and are separated at outside on a downstream side.例文帳に追加

定着ベルト1と記録用紙Pが、誘導加熱装置3の磁路に対して、記録用紙Pの移動方向の上流側の外側において接触を開始し、同下流側の外側において離隔する。 - 特許庁

In a genuine P-to-P file exchange, by contrast, users obtain and install P-to-P file sharing software on their computers, and then access other users directly, which enables them to exchange their files with other users. 例文帳に追加

純粋型のＰ２Ｐファイル交換では、ユーザーはＰ２Ｐファイル交換ソフトウェアを入手しパソコンにインストールした後、直接他のユーザーへアクセスすることにより、後はユーザー間でファイル交換が可能となる。 - 経済産業省

Pictures in each frame are divided into I pictures and P pictures, further, the P pictures are divided into main frame P pictures (P4, P8, P12) and other sub frame P pictures (p1, p2, p3 and the like) and encoded.例文帳に追加

各フレームの画像をＩピクチャとＰピクチャとに分け、さらにＰピクチャを、４フレーム毎のメインフレームのＰピクチャ（Ｐ４，Ｐ８，Ｐ１２）と、それ以外のサブフレームのＰピクチャ（ｐ１，ｐ２，ｐ３，・・・）とに分けて符号化する。 - 特許庁

The pick-up roller 31 in the second contact position is brought in contact with the other surface of the paper sheet P so as to feed the paper sheet P from the paper re-supply tray 51, and the drum 21 holds and conveys the paper sheet P in the state of being brought in contact with the other surface of the paper sheet P.例文帳に追加

また、ピックアップローラ３１は、第２接触位置において、用紙Ｐの一方の面と接触しその用紙Ｐを再給紙トレイ５１から送り出し、ドラム２１が当該用紙Ｐの一方の面と接触した状態で保持しつつ搬送する。 - 特許庁

To solve the problem that setting is so complicated that unexpected switching can occur due to the setting in a method for ensuring reliability in a one station concentrated Ethernet network in which many P-P connections are gathered, which becomes a reliability technology for multipoint connection.例文帳に追加

P−Pの接続が多く集まった一局集中型のEthernet網において信頼性を確保する方法は多地点接続の信頼性技術となり、それは設定が複雑であり、設定によって予期しない切り替えが起こることが課題である。 - 特許庁

That is, the impurity element in the vicinity of the junction regions can be gettered effectively, by lowering the concentration of the element represented by P in sections close to the junction regions and enhancing the concentration of the element represented by P in sections separated from the junction regions.例文帳に追加

即ち、接合領域に近い部分でPに代表される元素の濃度を低くし、接合領域から離れた部分でPに代表される元素の濃度を高くすることで、接合領域近傍の不純物元素を効果的にゲッタリングできる。 - 特許庁

To hold the sheet P in a standing state only by holding a lower end of the sheet P at a sheet reversing part of the sheet P in a reversing conveying unit used in double-side printing.例文帳に追加

両面印刷時に使用する反転搬送ユニットにおける用紙Ｐの用紙反転部にて、用紙Ｐの下端部のみを挟持しただけで、当該用紙Ｐが起立状態を保持できるようにする。 - 特許庁

In the p-type layer, a thermally conductive portion is disposed in contact therewith in a region different from a region where the p-electrode is connected, and the thermally conductive portion is electrically insulated from the p-electrode.例文帳に追加

ｐ型層にはｐ電極が接続された領域と異なる領域において熱伝導部が接して配されており、熱伝導部はｐ電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする。 - 特許庁

The vertical npn transistor T0 has an n well 22 formed in the p-type semiconductor substrate 21, a p well 23 formed in the n well 22, and an n-type region 24 formed in the p well 23.例文帳に追加

縦型ＮＰＮトランジスタＴ０は、Ｐ型半導体基板２１に形成されたＮウェル２２と、Ｎウェル２２に形成されたＰウェル２３と、Ｐウェル２３に形成されたＮ型領域２４とを有している。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

Further, a P^-- diffusion region 52 having a concentration lower than that of the P^- body region 41, and the P diffusion regions 51 is formed to be in contact with the end of the gate trench 21 in the longitudinal direction thereof.例文帳に追加

また，ゲートトレンチ２１の長手方向の端部と接し，Ｐ^- ボディ領域４１およびＰ拡散領域５１よりも低濃度のＰ^--拡散領域５２が形成されている。 - 特許庁

Since the concentration of p-type impurities in the p^- impurity layer 24 is higher than that in the body region 13, a depletion layer appearing upon application of a gate voltage does not elongate readily toward the p^+ impurity layer 8.例文帳に追加

ｐ^- 不純物層２４のｐ型不純物濃度がボディ領域１３より高いので、ゲート電圧の印加時に発生する空乏層がｐ^+ 不純物層８の方へ伸びにくくなる。 - 特許庁

In the same way, a p-type extension region 10 is formed with common use of a p-channel intermediate voltage resistance MIS, and an extension region of a p-channel high voltage resistance MIS in a high voltage resistance MIS region.例文帳に追加

同様に、Ｐチャネル型の中耐圧ＭＩＳと高耐圧ＭＩＳ領域のＰチャネル型の高耐圧ＭＩＳのエクステンション領域を共有化し、Ｐ型エクステンション領域１０とする。 - 特許庁

When the tip of the paper P reaches a switchback possible position in the storage part, the paper P is guided in a switchback downstream passage, and the paper P is carried again up to the printing part (S15).例文帳に追加

そして、収容部内において、用紙Ｐの先端がスイッチバック可能な位置に到達すると、用紙Ｐをスイッチバック下流経路に案内し、再び印刷部まで用紙Ｐを搬送する（Ｓ１５）。 - 特許庁

Meanwhile, a (p) electrode 6 is provided on the p-type GaN contact layer 5, and a plurality of ridge portions 8 are formed in dots by crystal growth in addition to the (p) electrode 6.例文帳に追加

一方、ｐ型ＧａＮコンタクト層５の上にｐ電極６が設けられており、ｐ電極６以外に、複数のリッジ部８が点散するよう結晶成長により形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric field in a well layer W3 is directed toward the p layer from the n layer, and the piezoelectric field in the gallium nitride semiconductor layer P is directed toward the n layer from the p layer.例文帳に追加

井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。 - 特許庁

The concave portions 111 are opened on one side in a direction parallel to a rotating shaft P and the side opposite to the rotating shaft P in a diameter direction centered at the rotating shaft P.例文帳に追加

凹部１１１は、回転軸Ｐに平行な方向における一方の側及び回転軸Ｐを中心とした径方向における回転軸Ｐとは反対側に開口している。 - 特許庁

In this case, the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108b is conducted in the same process as the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108c of a p-type MOS transistor 109c.例文帳に追加

その際、Ｐ型不純物のゲート電極１０８ｂへの導入は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０９ｃのゲート電極１０８ｃへの導入と同一の工程において行う。 - 特許庁

To control p-type conversion through p-type impurities diffused from a p-type nitride semiconductor layer in a current constriction layer formed in its interior, thus obtaining a good current constriction characteristic.例文帳に追加

内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。 - 特許庁

To form a P-type isolation layer closer to a P-type base region, so as to reduce a device in size by restraining the P-type isolation layer, that isolates devices from one another from expanding in the widthwise direction.例文帳に追加

素子間を分離するＰ型アイソレーション層の幅方向の拡張を制限することにより、Ｐ型アイソレーション層をＰ型ベース領域により近付けて形成し、素子の小型化を図る。 - 特許庁

An ink jet printer has copy reading sections 20 scanning a copy D in the width direction for reading the image of the copy, and printing sections 21 executing printing to recording paper P by an ink jet system by scanning in the width direction of the recording paper P.例文帳に追加

インクジェットプリンタは、原稿Dを幅方向に走査して原稿の画像を読み取る原稿読み取り部20と、記録用紙Pを幅方向に走査して記録用紙Pにインクジェット方式による印字を行う印字部21とを備えている。 - 特許庁

In the optical waveguide circuit, a semiconductor layer 104 is formed, at least in the part of the front surface of the projection part 102 of the substrate 100, having the projection part 102 to form a p-n or p-i-n structure of functioning as a photodetector, etc.例文帳に追加

光導波路回路において、突起部102を有する基板100の突起部102の表面の少なくとも一部に、受光素子などとして機能するp-nないしはp-i-n構造を形成する様に半導体層104が形成されている。 - 特許庁

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

In this case, the recess 26 receives the pipe P in such a state that a half or more of the pipe P in its radial direction protrudes forward from the recess 26.例文帳に追加

この場合、収容凹部２６は、管体Ｐの径方向における半分以上が収容凹部２６から前方へ突出した状態で管体Ｐを収容する。 - 特許庁

In the optical signal receiver, simple synchronization detection circuits (37a-p) are provided in each of logical operation circuits (36a-p), and a method for performing the synchronization detection in parallel is adopted.例文帳に追加

各論理演算回路（３６ａ〜ｐ）に簡易的な同期検出回路（３７ａ〜ｐ）を具備し、同期検出を並列的に行う手法を採る。 - 特許庁

An abradant flowing down along the passage P is retained in the inner peripheral part of the passage P to sink and separate abradant devris in the abradant in the retained part.例文帳に追加

流路Ｐに沿って流下する研磨剤は流路の内周部で滞留させられ、この滞留部で研磨材中の研磨屑が沈降し分離させられる。 - 特許庁

A point P in the reference cross-section image 58A and a point P in the auxiliary cross-section image 100A correspond to the identical point in a three-dimensional data space.例文帳に追加

参照断面画像５８Ａ内の点Ｐと補助断面画像１００Ａ内の点Ｐは、三次元データ空間内における同一点に対応している。 - 特許庁

In a silicon substrate 1, an n-well 3 is formed in a p-channel MISFET forming region, and a p-well 4 is formed in an n-channel MISFET forming region.例文帳に追加

シリコン基板１に、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴ形成領域にｎ型ウェル３を、ｎチャネルＭＩＳＦＥＴ形成領域にｐ型ウェル４を形成する。 - 特許庁

The word line driver includes an n-channel transistor 313 placed in a p-type well region located in a deep n-type well region in a p-type substrate.例文帳に追加

このワード線ドライバは、ｐ型基板の中の深いｎ型ウェル領域の中に配置したｐ型ウェル領域に設けたｎチャネルトランジスタ３１３を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device which is improved in reliability by enabling a p-type layer of a III nitride semiconductor to be reduced in resistance and improved in C-axis orientation distribution.例文帳に追加

III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The crushed pieces P are preheated in a preheating device 5 in a process feeding the crushed pieces P by a feeder 2 before charged in the treatment tank 3.例文帳に追加

粉砕片Ｐを処理槽３に投入する前に、その粉砕片Ｐが搬送装置２にて搬送される過程で予備加熱装置５にて予備加熱する。 - 特許庁

In fiscal 2012, beginners’ information sessions will be held in 47 prefectures, and sessions for practitioners will be held in major cities throughout Japan. (Continuation) (See p. 218.) 例文帳に追加

平成24 年度は、初心者向け説明会を47 都道府県において開催、実務者向け説明会を全国の主要都市で開催する。（継続）（p.226参照） - 経済産業省

The substrate P to which the solution is applied is dried in a chamber 100.例文帳に追加

溶液を塗布した基板Ｐをチャンバー１００にて乾燥させる。 - 特許庁

A longitudinal wave P propagates in ink 30 toward an aperture 12.例文帳に追加

縦波Ｐはインク３０中を開口１２へと向かって伝搬する。 - 特許庁

In this case, the formula (1) is P=0.19×P_total×ΔT/(D/2)-4.2.例文帳に追加

Ｐ＝０．１９×Ｐ_ｔｏｔａｌ×ΔＴ／（Ｄ／２）−４．２ …（１） - 特許庁

A P+ embedded layer 23 is formed in the lower part of the region 26.例文帳に追加

ウェル領域２６の下部にはＰ＋埋込層２３を形成する。 - 特許庁

In a step S26, the luminance logL_u(p) is subjected to logarithmic inverse conversion.例文帳に追加

ステップＳ２６で、輝度ｌｏｇＬ_ｕ（ｐ）が対数逆変換される。 - 特許庁

Plasma P is generated under pressure of atmospheric pressure and in the vicinity thereof.例文帳に追加

大気圧及びその近傍の圧力下でプラズマＰを生成する。 - 特許庁

The film 2 has a holding surface P in contact with the grinding object.例文帳に追加

フィルム２は、被研磨物に当接する保持面Ｐを有している。 - 特許庁

The p-type electrode 112 is arranged in the light receiving surface 119.例文帳に追加

ｐ型電極１１２は、受光面１１９内に配置されている。 - 特許庁