p-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 17764件
At the stagnation of the paper sheet P in the gate part 41, after sending the paper sheet P to a return direction reverse to the delivery direction to return the paper sheet P to an upstream area of the gate part 41, the paper sheet P is newly delivered to the gate part 41.例文帳に追加
ゲート部41での紙葉類Ｐの停滞時、紙葉類Ｐを繰出方向に対して逆の戻し方向に送って紙葉類Ｐをゲート部41より上流域へ戻した後、紙葉類Ｐをゲート部41に再度繰り出す。 - 特許庁
An endogenous glucose metabolized product (G-6-P) affecting the measurement is removed by using glucose-6-phosphate dehydrogenase (G6PDH) in low concentration, and 2-deoxyglucose-6-phosphate (2DG-6-P) of a metabolized product of the 2DG is treated with high-concentration G6PDH.例文帳に追加
この測定に影響する内因性のグルコース代謝産物（G-6-P)を低濃度のグルコース-6-リン酸デヒドロゲナーゼ（G6PDH）を用いて除去し、2DGの代謝物である2-デオキシグルコース-6-リン酸（2DG-6-P）を高濃度のG6PDHにより処理する。 - 特許庁
In wave optics, the reciprocity theorem of ray diagrams implies that the excitation of a wave at a point P by wave from a source Q is the same as that detected at Q with the source at P. 例文帳に追加
波動光学において光線図の相反定理は、光源Qからの波による点Pでの波の励起は光源PによってQで検出される波の励起と同じであることを(論理的に当然のこととして)意味する。 - 科学技術論文動詞集
In this condition, the sheets P are not in perfect alignment, but when all the sheets P are placed on the staple tray 7e, the stopper 82 moves so that the distance lessens, and the sheets P are put in perfect alignment in the longitudinal direction.例文帳に追加
この状態では、転写紙Ｐが完全には整合していないが、全ての転写紙Ｐがステープルトレイ７ｅに載置されると、ストッパ８２が上記距離が短くなるように移動して、転写紙Ｐを長さ方向に完全に整合させる。 - 特許庁
A nitride semiconductor device has a p-type light guide layer 106 composed of a p-type GaN, with a surface being subjected to etching, and a p-type contact layer 108 composed of p-type GaN formed on a surface to be etched in the p-type light guide layer 106.例文帳に追加
窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。 - 特許庁
At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加
第一のＰＮ接合素子、第二のＰＮ接合素子、第三のＰＮ接合素子、および第四のＰＮ接合素子のうちの少なくとも２つのＰＮ接合素子を、異なる２つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁
In the case of a PAL system, a counter 2 for delay and a flip-flop circuit 3 obtain a pseudo-vertical synchronizing signal PV(P)' obtained by delaying the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(P) of the system and the signal PV(P)' is supplied to the counter 1 through the PAL terminal of the circuit 4.例文帳に追加
ＰＡＬ方式の場合、遅延用カウンタ２及びフリップ・フロップ回路３により、該方式の垂直同期信号Ｐ_V(P)の後縁が遅延された疑似垂直同期信号Ｐ_V(P)’が得られ、切換回路４のＰＡＬ端子を介してカウンタ１に供給される。 - 特許庁
In the formulae, A^1 to A^3 are each a cation; X is a halogen; and p^1-p^3 are each a numeral of 0-3 required to neutralize the electric charges of each of the whole complexes with each of the cations A^1 to A^3.例文帳に追加
一般式（Ｉ） A^1_p^1[Ir^IVX_6] 一般式（III） A^3_p^3[Ir^IIIX_6] 一般式（II） A^2_p^2[Ir^IIIX_5(H_2O)] （式中、A^1、A^2及びA^3はそれぞれカチオンを表す。Xはハロゲン原子を表す。p^1、p^2及びp^3はそれぞれ錯体全体の電荷をカチオンA^1、A^2及びA^3によって中和するために必要な０〜３の数を表す。） - 特許庁
In step S120, air density p in a currently traveling state is calculated.例文帳に追加
ステップＳ１２０では、現在走行中の状態における空気密度ρを算出する。 - 特許庁
The plug P at the tip part of the gas receptacle is positioned in a tilted attitude facing in a diagonal lower direction.例文帳に追加
ガスコンセント先端部のプラグＰを斜め下方向に向けた傾斜姿勢とする。 - 特許庁
The casing 2 is locked with the overhead pole P in one end thereof and has an opening 2e in a lower part thereof.例文帳に追加
ケーシング２は、一端側が架線柱Ｐに係止され、下部に開口２ｅを有する。 - 特許庁
Thus, the occurrence of any processing error can be prevented in write-in processing to the medium P.例文帳に追加
そのため、媒体Ｐへの書込処理時の処理エラーの発生を防止することが出来る。 - 特許庁
In the inspection path PH3, the part P is carried in a direction orthogonal to an axis Lo thereof.例文帳に追加
検査経路ＰＨ３では、パーツＰをその軸線Ｌｏと直交する方向に搬送する。 - 特許庁
In addition, the Ca element and the P element preferably mainly exist in the same position.例文帳に追加
また、Ｃａ元素とＰ元素とは主として同一箇所に存在しているのが好ましい。 - 特許庁
Then, the paper sheet P' is conveyed in the forward direction again as shown in Fig. c.例文帳に追加
その後、図９（ｃ）に示すように、当該紙葉類Ｐ’を再び正方向に搬送する。 - 特許庁
The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60.例文帳に追加
Ｐ型拡散領域３８で発生した電荷がＮ型領域６０に吸い込まれる。 - 特許庁
Speakers 112L and 112R are placed in front of a listening position P in generally bilateral symmetry.例文帳に追加
スピーカ１１２Ｌ，１１２Ｒは、リスニング位置Ｐの前に略左右対称に配置されている。 - 特許庁
The short pulse P is the one in which the rising and trailing are finished in a short time.例文帳に追加
短パルスＰは、短時間で立ち上げ及び立ち下げが終了する短パルスである。 - 特許庁
Polysilicon gate electrodes G are formed in trenches 6 formed in P wells 4.例文帳に追加
Ｐウェル４に形成されたトレンチ６内には、ポリシリコンゲート電極Ｇが形成されている。 - 特許庁
The base plate 1 is formed in a length disposed in a shorter side length direction of the supporting block P.例文帳に追加
基板１は、支持用ブロックＰの短手方向に沿って配される長さに形成される。 - 特許庁
The quantitative input and output data collect ed in support of the analysis shall be calculated in relation t o the specified Product/Service P ortfolio. 例文帳に追加
定量データは、規定の製品・サービスのポートフォリオとの関連で計算する。 - 経済産業省
In the element 10, an electromotive force is generated by setting a temperature difference between the semiconductors 11 and 12 (e.g. temperature gradient such as high temperature (TH) in the N-type semiconductor side and low temperature (TL) in the P-type semiconductor side).例文帳に追加
この熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12との間に、温度差（例えば、N型半導体側を高温（T_H）、P型半導体側を低温（T_L）とした温度勾配）を設定すると電極間に起電力が生じる。 - 特許庁
Besides, by forming a guide-in opening 51 for guiding the printing paper P and a discharge opening 52 which allows send of the printing paper P in the sealing body 50, the printing paper P is easily guided in and out.例文帳に追加
また、このシール体５０に印画紙Ｐの導入を許す導入開口５１と、印画紙Ｐの送り出しを許す排出開口５２とを形成することにより、印画紙Ｐの導入と排出を容易に行えるようにした。 - 特許庁
A p type polysilicon embedded layer 17 is formed in the insulating film.例文帳に追加
絶縁膜内にｐ型の多結晶シリコン埋込層１７を形成する。 - 特許庁
In the case of q[i]<div+p-1, processing is moved to a step 35 as it is.例文帳に追加
ｑ[ｉ]＜ｄｉｖ＋ｐ−１の場合、そのままステップ３５に進む。 - 特許庁
A 1st double correlator 74 generates a correlation Pe in which a p sample is early and a correlation P1 in which a p sample is late about a synchronizing burst slot.例文帳に追加
第１の二重相関器７４は、同期化バースト・スロットに関してｐサンプルの早い相関Ｐｅ及び遅い相関Ｐｌを発生する。 - 特許庁
The photoelectromotive force generated in the p-type silicon substrate 2 can be enhanced.例文帳に追加
ｐ型シリコン基板２内で発生する光起電力を大きくできる。 - 特許庁
The foreign matter removing roller 57 is arranged in the edge aligning guide member 54 for regulating the position of the paper P in the crossing direction with the carrying direction of the paper P so as to abut on the paper P in the paper feeding cassette body 53.例文帳に追加
異物除去ローラ５７は、給紙カセット本体５３内の用紙Ｐに当接するように、用紙Ｐの搬送方向と交差する方向の用紙Ｐの位置を規制する幅寄ガイド部材５４に設けられる。 - 特許庁
A P-type semiconductor region 106 is disposed in the active region 115.例文帳に追加
活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。 - 特許庁
In this light-emitting device 1, an n clad layer 3, an active layer 4 and a first p-clad layer 5 are laminated on a substrate 2, and a second p-clad layer 6 lower in oxidation nature and lower in conductivity than the first p-clad layer 5 is further laminated.例文帳に追加
発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。 - 特許庁
A light probe P is inserted into a forceps channel 10f in the endoscope 10.例文帳に追加
ライトプローブＰは、内視鏡１０の鉗子チャンネル１０ｆに挿通される。 - 特許庁
The organic EL display panel 1 has a pixel P provided in a matrix.例文帳に追加
有機ＥＬパネル１は、マトリクス状に設けられた画素Ｐを有する。 - 特許庁
A P-type isolation region 2 is formed in part by the diffusion of the P-type impurity in the upper face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加
また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、Ｐ型分離領域２が部分的に形成されている。 - 特許庁
By having n-type carriers included in the n-type layer 2b diffuse into the p-type layer 2a, a compensation region 2c is formed in the portion of the p-type layer 2a, which is present in the vicinity of the interface between the p-type layer 2a and the n-type layer 2b.例文帳に追加
ｎ型層２ｂ中のｎ型キャリアがｐ型層２ａ中に拡散することにより、ｐ型層２ａとｎ型層２ｂとの界面近傍のｐ型層２ａ中に補償領域２ｃが形成される。 - 特許庁
A winding mechanism 8 for the paper P is arranged in the storage space part S.例文帳に追加
収容空間部Ｓ内にペーパーＰの巻き取り機構８を配設する。 - 特許庁
A slider 16 moves in a prescribed direction along with a surface of a document P.例文帳に追加
スライダー１６は、原稿Ｐ面に沿って所定方向に移動する。 - 特許庁
As the result, the change quantity Y1(p) in the present age can be obtained.例文帳に追加
その結果、現在の年齢における変化量Ｙ１(ｐ)が得られる。 - 特許庁
The P type column region 106 in the outer circumferential region is formed deeper than the P type column region 106 in the element forming region.例文帳に追加
外周領域のＰ型コラム領域１０６は、素子形成領域のＰ型コラム領域１０６の深さ以上の深さに形成される。 - 特許庁
In step S24, a gain value g (p) is calculated for each pixel position.例文帳に追加
ステップＳ２４で、ゲイン値ｇ（ｐ）が各画素位置に対して算出される。 - 特許庁
A p^+-region 35 is formed in a portion that is to function as a channel region facing the planer gate electrode 31 in the p-base regions 20 and 21.例文帳に追加
Ｐベース領域２０，２１におけるプレーナゲート電極３１と対向するチャネル領域となる部位にＰ^+領域３５が形成されている。 - 特許庁
To exhaust air in a water feed pipe Q from a pump P at a low cost.例文帳に追加
ポンプＰからの給水路Ｑの空気抜きを安価にして行う。 - 特許庁
In the primary circuit P, the frequency of the AC voltage is set.例文帳に追加
１次回路Ｐにおいて、交流電圧の周波数が設定される。 - 特許庁
A first region and a second region, which are different in thickness, are installed in a p- epitaxial layer 3a formed on the main face of a p+ silicon substrate 1a.例文帳に追加
ｐ^+ シリコン基板１ａの主表面上に形成されるｐ^- エピタキシャル層３ａに、厚みの異なる第１および第２領域を設ける。 - 特許庁
The oil suction opening 5a of an oil strainer 5 is placed in the main chamber P.例文帳に追加
オイルストレーナ５のオイル吸入口５ａは、主室Ｐに臨んでいる。 - 特許庁
The surface 12a has an end in a circumferential direction where the rotation axis P is set to be a center, and it bends to a rotation axis P-side in the end.例文帳に追加
表面１２ａは回転軸Ｐを中心とした周方向で端を有し、当該端において回転軸Ｐ側へと湾曲している。 - 特許庁
The OELD panel 10 includes pixels P which are provided in matrix.例文帳に追加
有機ＥＬパネル１０は、マトリクス状に設けられた画素Ｐを有する。 - 特許庁
The projection of the polarization vector P in each piezoelectric layer on the normal line 13 is in the same direction.例文帳に追加
各圧電体層における分極ベクトルPは前記薄膜共振子に平行な面αの法線１３に対して傾斜するように配向している。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which p-type and n-type transistors are balanced in operating speed by improving the operating speed of the p-type transistor.例文帳に追加
ｐ型トランジスタの動作速度を高め、ｎ型トランジスタとの動作速度の均衡がとれた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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