「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In the preliminary drying process, the paint P is heated to 220°C at a gentle temperature rate of increase, so that the liquid constituent in the paint P is evaporated.例文帳に追加

仮乾燥工程では、塗料Ｐを緩やかな温度上昇率で２２０℃まで加熱して塗料Ｐ中の液体成分を蒸発させる。 - 特許庁

To simplify the connecting work in piping P having a flange part Pa.例文帳に追加

フランジ部Ｐａを有する配管Ｐの接続作業の簡便化を図る。 - 特許庁

The electric fuel pump P is stored and arranged in the fuel chamber 3.例文帳に追加

電動燃料ポンプＰは、燃料室３内に収納配置される。 - 特許庁

A pit P having approximately a same depth as a height of a rail R is arranged in a floor F by being fitted to the track of the rail R, and the rail R is laid in the pit P.例文帳に追加

レールＲの軌道に合わせて該レールの高さと略等しい深さのピットＰを床Ｆに設けて該ピット内に前記レールを敷設する。 - 特許庁

Joint intervals P in the base material 1 are measured before ink-jet coating.例文帳に追加

インクジェット塗装前の基材１における目地間隔Ｐを測定する。 - 特許庁

Curie temperature is regulated in a range of 50-200°C by adding P.例文帳に追加

Ｐの添加により、キュリー温度が５０〜２００℃の範囲で調節される。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

Reaction is preferably carried out in the presence of a catalyst comprising p-methylphenol.例文帳に追加

パラ−メチルフェノールよりなる触媒の存在下にオゾンを反応させる。 - 特許庁

A p-type epitaxial layer 2 is crystal-grown in the trench aperture part.例文帳に追加

トレンチ開口部にｐ型のエピタキシャル層２を結晶成長させる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING In-CONTAINING p-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

Ｉｎを含むｐ型窒化物化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

A differential transformer 1 outputs a detection signal in response to toner P.例文帳に追加

差動トランス１は、トナーＰに応答して、検知信号を出力する。 - 特許庁

GLXBadContextStateis generated if the current GLX context is in display-list constructionmode. 例文帳に追加

.P現在の GLX コンテクストがディスプレイリスト構築モードであれば、\\f3GLXBadContextState\\fP が生成される。 - XFree86

(2) A time integration value of P/η^* in a range where P/η^* is ≥0.01×10^6 from the molding start is in a range of 55×10^6 to 380×10^6.例文帳に追加

（２）成形開始からＰ／η^＊が０．０１×１０^６以上の範囲のＰ／η^＊の時間積分値が、５５×１０^６〜３８０×１０^６。 - 特許庁

A p-electrode 6 as a bonding electrode is formed while it is directly in contact with a p-type layer 4 made of p-type GaN-based compound semiconductor, and a current diffusion layer 5 that has light transmitting property as well as higher conductivity that the p-type layer 4 is formed in a part on the surface of the p-type layer 4 excluding the p-electrode 6.例文帳に追加

ｐ型のＧａＮ系化合物半導体にて形成されたｐ型層４に直接に接触して、ボンディング電極であるｐ電極６が形成されており、ｐ型層４の表面のｐ電極６以外の部分に、透光性でｐ型層４よりも高い導電性を有する電流拡散層５が形成されている。 - 特許庁

In the structure, a contact protection layer is inserted on a p-type contact layer, and, by subjecting an insulating film to thermal processing after subjecting it to RIE, an opening for contact can be formed without inclusion of reactive ions in the p-type contact layer that causes the contact resistance to increase and without causing resistance of the p-type contact layer to increase by etching.例文帳に追加

本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a.例文帳に追加

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

The new pipe P is moved axially in the sheath pipe P' by rotating the above sphere 3 and a new pipe channel is created in the sheathe pipe P' by connecting an insertion nozzle of the new pipe P with a socket nozzle of a preceding new pipe one by one.例文帳に追加

前記新管Ｐをさや管Ｐ’内で前記球体３の回転により軸方向に移動させ、新管Ｐの挿し口１を先行する新管Ｐの受け口２に挿入して順次つなぎ合わせて、さや管Ｐ’内に管路を新設する。 - 特許庁

The P wave analyzer 52, upon being informed of arrival of P waves from the P wave detector 51, predicts seismic intensity in the district where the vertical diffusion furnace 54 is installed at the time when S waves arrives in the future based on the waveform, amplitude of the arriving P waves, or the like.例文帳に追加

Ｐ波解析部５２は、Ｐ波検知部５１からＰ波が到来したことを知らされると、到来したＰ波の波形及び振幅等からその後にＳ波が到来した時の、縦型拡散炉５４が設置されている地域の震度を予測する。 - 特許庁

Thereby while the pin P is not reversed in a transfer direction, the pin P can be rotated to be arranged in the same direction, enabling pin P collecting speed to be high without decreasing a pin P collecting rate.例文帳に追加

これにより、ピンＰの移動方向を反転させることなく、ピンＰを回転させてピンＰを同一方向に整列させることが可能となるので、ピンＰの回収率を悪化させることなく、ピンＰの回収速度を高速にすることが可能となる。 - 特許庁

An n well area 8 is formed on the p-type low density epitaxial growth layer 4, a p-channel MOS transistor and a p well area 10 are formed in the n well area 8 and an n-channel MOS transistor is formed in the p well area 10.例文帳に追加

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４にＮウエル領域８が形成され、Ｎウエル領域８内にＰｃｈＭＯＳトランジスタとＰウエル領域１０が形成され、Ｐウエル領域１０内にＮｃｈＭＯＳトランジスタが形成されている。 - 特許庁

By immersing and heating the waste plastic metal composite material A in a melting tank 2 filled with a melted plastic P, the waste plastic metal composite material A is separated into the melted plastic P and metals remaining in the metal net basket 4 and is recovered.例文帳に追加

融解プラスチックP で満たされた融解槽2 内に廃プラスチック金属複合材A が浸漬されて加熱されることにより、廃プラスチック金属複合材A が融解プラスチックP と金網かご4 内に残留する金属類とに分離されて回収される。 - 特許庁

In this case, an operation of forming the registration pattern in a formation position where the erroneous detection arises is inhibited, and a formation position P (9) other than the formation positions P (1) to P(8) is regarded as a new formation position.例文帳に追加

この場合には、誤検出が発生した形成位置でのレジストパターンの形成を禁止する一方、形成位置Ｐ(1)〜Ｐ(8)とは異なる形成位置Ｐ(9)を新たな形成位置としている。 - 特許庁

And, in the read circuit, the semiconductor circuit memory device has the P-type transistor connected to the bit line, and a P-type transistor connected in series between the P-type transistor and a power supply source and connected to a read column selection signal.例文帳に追加

そして、ビットラインに接続されたＰ型トランジスタと、電源ソースとの間に直列に接続されるとともに、リードカラムセレクション信号に接続されたＰ型トランジスタをリード回路内に有する。 - 特許庁

An N well 8 is formed in a P-type semiconductor substrate 1, a P well 9 is further formed in the N well 8, and a nonvolatile semiconductor memory device main part 12 is formed on a surface of the P well 9.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＮウエル８を形成し、さらにＮウエル８内にＰウエル９を形成し、Ｐウエル９表面に不揮発性半導体記憶装置主部１２を形成する。 - 特許庁

Then, L^*a^*b^* values of an intersection point P(x)out of a straight line connecting the target lattice point P(x)in and the focal point color S with the color gamut 302 serve as output color corresponding to the lattice point P(x)in.例文帳に追加

そして、対象の格子点Ｐ（ｘ）ｉｎと焦点色Ｓを結ぶ直線と色域３０２との交点Ｐ（ｘ）ｏｕｔのＬ^*ａ^*ｂ^*値を、格子点Ｐ（ｘ）ｉｎに対応する出力色とする。 - 特許庁

A terminal M of external terminals P, M, N, U of a conventional module is formed into two terminals and the terminal array is formed in one linear shape in the order of M1, P, N, M2, or M1, N, P, M2, U.例文帳に追加

従来のモジュールの外部端子Ｐ，Ｍ，Ｎ，ＵのＭ端子を２端子とし、端子配列をＭ１、Ｐ，Ｎ、Ｍ２、Ｕの順序、又はＭ１、Ｎ，Ｐ、Ｍ２、Ｕの順序で、１直線状に配置する。 - 特許庁

In an operation to fit the bridge pipe P in the pipe fitting recess part 30 and press the bracket 22 against the bridge pipe P, the clamping member 23 is swung to the holding position to hold the bridge pipe P.例文帳に追加

パイプ嵌合凹部３０内に架設パイプＰを嵌合し、ブラケット２２を架設パイプＰに向けて押し込む操作で、そのクランプ部材２３を挟持位置まで揺動させて架設パイプＰを挟持する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a p-type semiconductor substrate 1, an n-type drift region 3 provided in the p-type semiconductor substrate 1, and a p-type body region 4 provided in the n-type drift region 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｐ型半導体基板１、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型ドリフト領域３、及びｎ型ドリフト領域３内に設けられたｐ型ボディ領域４を含む。 - 特許庁

In the case of storing tab sheets P' in the paper feed cassette 7, both side parts of the tab sheet P' are received on side cursor 35 and the end stopper 36, and the trailing end of the tab sheet P' is received by the other side cursor 35.例文帳に追加

給紙カセット７内にタブシートＰ’を収容する場合には、該タブシートＰ’の両側部を一方のサイドカーソル３５とエンドストッパ３６で受け、タブシートＰ’の後端を他方のサイドカーソル３５で受ける。 - 特許庁

To provide a method for purifying p-phenylenediamine, by which crude colored p-phenylenediamine can be distilled to obtain purified white p-phenylenediamine inhibited in discoloration and improved in storage stability.例文帳に追加

有色の粗ｐ−フェニレンジアミンを、蒸留することで、変色を抑制し、保存安定性が向上した白色のｐ−フェニレンジアミンに精製することができるｐ−フェニレンジアミンの精製方法を提供すること。 - 特許庁

A pipe jacking guide implement 10 is used for a jacking method in which a pipeline is newly constructed in the sleeve P' while a spigot 1 of a pipe P is inserted into a socket 2 of the preceding pipe P so as to be joined to it.例文帳に追加

管Ｐの挿し口１を先行する管Ｐの受口２に挿入して継合わせつつさや管Ｐ’内に管路を新設する推進工法に使用する管推進案内具１０である。 - 特許庁

To enable surely crushing a PET bottle P without being influenced by whether or not the content is filled or empty in the PET bottle P in a processing apparatus used for crushing the PET bottle P.例文帳に追加

ペットボトルＰを破砕する場合に用いる処理装置において、ペットボトルＰに内容物が詰まっているか或いは空であるかに影響されることなく、ペットボトルＰを確実に破砕できるようにする。 - 特許庁

The sheet P is further carried and cut by the carrying distance with the cutter blade 12, so that the small sheet P' cut out in the sheet P exists in the state of having a borderless printing thereon.例文帳に追加

さらに用紙Ｐを搬送し、さらにカッター刃１２で搬送距離分の切断を行うと、用紙Ｐの中にくりぬかれた小さな形状の用紙Ｐ’が縁無し印刷された状態で存在する。 - 特許庁

This machine for polishing the internal and external peripheral surfaces of the pipe P is constituted such that polishing members 4 and 5 are revoluted simultaneously with self-rotation while holding them in a state where respective polishing members 4, 5 are brought in pressure contact with the internal and external peripheral surfaces of the end section of the pipe P.例文帳に追加

パイプ(P) の端部の内周面と外周面とにそれぞれ研磨部材(4,5)を圧接した状態で保持しながら、該研磨部材(4,5) を自転と同時に公転させる構造とする。 - 特許庁

Thereby, a length of the paper P of a projection plane in a paper feeding direction is shortened by an amount which the paper P is lifted upward.例文帳に追加

したがって、用紙Ｐが上方へ持ち上がった分、用紙Ｐの投影面における給紙方向の長さが短くなる。 - 特許庁

In a step S27, client codes and part numbers P/N are changed into a stylized form by specification of half/full of character size, deletes of '-', etc.例文帳に追加

ステップＳ２７においては、半角／全角の指定、「−」の削除等によって、取引先コードや、部品番号P/N が定型化される。 - 特許庁

In other words, the discharged sheet P can be moved without deformation, and the take-out property of the sheet P can be enhanced.例文帳に追加

つまり、排出されたシート材Ｐを変形させることなく移動させ、シート材Ｐの取出性を向上させることができる。 - 特許庁

A p-type base layer 23 is provided in the main cell 21, and an n-type emitter layer 24 is disposed on a part of the upper surface of the p-type base layer.例文帳に追加

メインセル２１においては、ｐ型ベース層２３を設け、その上層部分の一部にｎ型エミッタ層２４を設ける。 - 特許庁

In three kinds of photosensitive parts 202B, 202G, 202R, a p^+-type layer and an n-type layer are formed inside a p-type well.例文帳に追加

３種類の受光部２０２Ｂ，２０２Ｇ，２０２Ｒにおいて、Ｐ型ウェル内にＰ^+型層およびＮ型層が形成されている。 - 特許庁

A gaseous starting material introducing pipe 6 is arranged in the lower part of the opening 3b, and a gaseous starting material is fed toward the plasma jet P.例文帳に追加

前記開口(3b)の下方には、原料ガス導入管(6) が配され、前記プラズマジェット(P) に向けて原料ガスが供給される。 - 特許庁

A heat sink 46 is disposed at a downstream from a fixing section 31 in a conveyance passage of sheet P so as to cool the sheet P.例文帳に追加

ヒートシンク４６は、用紙Ｐの搬送経路において定着部３１よりも下流に配置されて、用紙Ｐを冷却する。 - 特許庁

The movable members 21 support an end portion Pe in the width direction of the sheet P to prevent the end portion Pe of the sheet P from bowing downwardly.例文帳に追加

移動部材２１で用紙Ｐの幅方向の端部Ｐｅを支え、用紙Ｐの端部Ｐｅが下方向にたわむことを防ぐ。 - 特許庁

Calorific value P in an object to be heated becomes uniform by making the electric field uniform, and uniform heating can be attained.例文帳に追加

電界を一様にすることにより、被加熱物の発熱量Pも一様になるので、均一な加熱をする事が可能となる。 - 特許庁

A linear p-side electrode 9 is disposed in the p-type impurity region 8 and is connected thereto.例文帳に追加

直線状ｐ側電極９がｐ型不純物領域８上に配置されてｐ型不純物領域８に接続されている。 - 特許庁

The first sheet S1 in a roll is mounted on the adherend P and rotated so that the overhanging part is pinched into the gap from the adherend P.例文帳に追加

ロール状の第１シートＳ１を被着体Ｐに載置し、回転させてオーバーハング部を被着体Ｐとの間に挟み込む。 - 特許庁