「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Impurity density setting regions in both of the N-type clad layer 4 and the P-type clad layer 2 are set to be the regions having a width of 3 μm or less from the interface between a P-type active layer 3 and the N-type clad layer 4/the P-type clad layer 2.例文帳に追加

また、不純物密度の設定領域を、Ｎ型クラッド層４、Ｐ型クラッド層２共にＰ型活性層３との界面から３μｍ以内の幅の領域とする。 - 特許庁

The flow property of the powders P is accelerated by giving vibration to the powders P in the cavity C through the lower die 9, so that the powders P reliably fills every corners of the cavity C.例文帳に追加

つまり、下型９を介してキャビティＣ内の粉体Ｐに振動を与えることにより、粉体Ｐの流動性を促進し、キャビティＣの隅々まで確実に粉体Ｐを充填させる。 - 特許庁

The buried p^+ type semiconductor region 50, a p^+ type semiconductor region 36 formed in the SIThy 12, and a buried p^+ type semiconductor region 38 are connected electrically.例文帳に追加

埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０と、ＳＩＴｈｙ１２に形成されているｐ^+型半導体領域３６と、埋め込み型のｐ^+型半導体領域３８とを電気的に接続する。 - 特許庁

A metal pipe material P is used as a starting material, and after the pipe material P is worked to have a prescribed length in a first process, the fitting is molded by applying plastic working to the pipe material P.例文帳に追加

金属製のパイプ材Ｐを出発原料とし、第一工程にてそのパイプ材Ｐを所定の長さに加工した後、該パイプ材Ｐに塑性加工を施して成形するようにした。 - 特許庁

At least, two narrow p(++) auxiliary FLR 24 having concentration for preventing punch-through are formed in a p(+) FLR by using a p(+) main FLR 23 having a shallow junction.例文帳に追加

浅い接合を有するｐ(+)主ＦＬＲ２３を用い、該ｐ(+)主ＦＬＲ内にパンチスルーしない濃度を有する狭いｐ(++)補助ＦＬＲ２４を少なくとも２本形成した半導体装置。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, the p-type substrate P-sub is present for prescribed thickness, and the p-type well region PWEL and an n-type well region NWEL are provided in equal depth.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型基板Ｐ-subが所定厚さ存在し、Ｐ型のウェル領域ＰＷＥＬ、Ｎ型のウェル領域ＮＷＥＬが同等の深さで設けられる。 - 特許庁

Zn and Be are doped simultaneously as p-type dopant of a p-type AlGaAs active layer 2 and a p-type AlGaAs clad layer 3 in an AlGaAs light emitting diode.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ系発光ダイオードにおけるｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層２、およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３のｐ型ドーパントとして、ＺｎとＢｅを同時にドープするようにした。 - 特許庁

The circumferential face 23a is abutted on the uppermost paper P among pieces of the paper P put on the paper guide 17, and the paper feeding roller 23 feeds it in a direction for feeding paper P.例文帳に追加

用紙ガイド１７上に載置された用紙Ｐのうち最上位の用紙Ｐに円周面２３ａが当接して給紙ローラ２３が用紙Ｐの給送方向への繰り出しを行う。 - 特許庁

Thus, the heat capacity of each transfer material P is measured at fixing each transfer material P, and the power supply to the transfer material P is controlled with the appropriate power in accordance with the measurement result.例文帳に追加

これにより、個々の転写材Ｐの定着時にその熱容量を測定し、その結果に応じて当該転写材Ｐに対する適正な電力での通電制御が行える。 - 特許庁

In the base layer 3, a p^+ layer 12, whose p-type impurity concentration is higher than an average value of the p-type impurity concentration of the base layer 3 and is smaller in thickness than the base layer is formed adjacent to the boundary between the base layer 3 and p-type polysilicon layer 8.例文帳に追加

ベース層３において、ベース層３とｐ型ポリシリコン層８との界面近傍には、ｐ型不純物濃度がベース層３のｐ型不純物濃度の平均値より高く、厚さがベース層の厚さに比して極めて薄いｐ^+層１２が形成されている。 - 特許庁

When the height of the sheet paper P accumulated in the in-body paper ejection part 7 reaches the nip position of a paper ejection roller 24, the paper ejecting speed of the paper ejection roller 24 is increased immediately after waiting for sheet paper P passing through the fixing device 22, whereby ejecting force for the sheet paper P is increased.例文帳に追加

胴内排紙部７内に集積されるシート紙Ｐの高さが排紙ローラ２４のニップ位置に達したら、シート紙Pが定着装置２２を通過するのを待って、直ちに排紙ローラ２４の排紙速度を増速して、シート紙Ｐの排出力を増加する。 - 特許庁

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress.例文帳に追加

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a p-type semiconductor crystal by subjecting the semiconductor crystal to donor acceptor simultaneous doping, the semiconductor crystal (for example, ZnO) is supplied intermittently with donor impurities (for example, Ga), in the manufacturing process of the p-type semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶（たとえば、ＺｎＯ）にドナー不純物（たとえば、Ｇａ）を断続的に供給する。 - 特許庁

In the case of setting a P-locking condition in accordance with a predetermined request signal for setting the P-locking condition, a P-position indicator lamp 62 is changed over to be lit on/off in accordance with the change-over condition of power supply to a vehicle 10.例文帳に追加

Ｐロック状態とする為の所定の要求信号に基づいてＰロック状態とする際には、車両１０の電源供給の切替状態に基づいてＰポジションインジケータランプ６２の点灯と消灯とを切り替える。 - 特許庁

When the paper turning-over means 3 is driven, travel of the paper P in the direction B of paper width is regulated by a paper feeding fence 1, a part in the vicinity of a rear end corner part moves in the oblique direction and is lifted inward to separate the paper P from the paper P below it.例文帳に追加

用紙めくり手段３が駆動されると、用紙Ｐは幅方向Ｂの移動を給紙フェンス１で規制され、後端角部付近が斜め方向に移動して内方で持ち上がり、下方の用紙Ｐと分離される。 - 特許庁

A semiconductor device includes a buried p (or n) channel type MOSFET whose n (or p) type impurity concentration in a buried channel region 7 of a buried p (or n) channel region gradually increases toward a p++ source region 5 and a p++ drain region 6, in the lengthwise direction of a channel like a line shown in the accompanying drawing.例文帳に追加

埋め込みｐ（又はｎ）チャネル領域である埋め込みチャネル領域７に於けるｎ（又はｐ）型不純物濃度が図に付記した線図に見られるようにチャネル長方向に於いてｐ^++ソース領域５側及びｐ^++ドレイン領域６側に向かって漸増するように分布している埋め込みｐ（又はｎ）チャネル型ＭＯＳＦＥＴが含まれている。 - 特許庁

This method comprises applying direct current negative voltage to a plant P planted in soil subjected to electrical insulation from the ground, and thus promoting ionization of minerals dissolved in the water flowing in the tissue of the plant P so as to make the minerals easier to be absorbed into the plant P and also promote plant P growth through activating the metabolism action of the plant P cells.例文帳に追加

大地と電気絶縁した土壌に植えた植物Ｐに直流負電圧を印加することにより、植物Ｐの組織中を流れる水に溶け込んでいるミネラルのイオン化を促して植物Ｐに吸収され易くすると共に、植物Ｐの細胞の新陳代謝の働きを活発にして、植物Ｐの生長を促進させる。 - 特許庁

With this structure, since an upper sheet P directly brought in contact with a feeding roller 13 is conveyed in the conveying direction A by the feeding roller 13, a lower sheet P directly brought in contact with the separating roller 15 is conveyed in the reverse direction by the separating roller 15, and the upper sheet P and the lower sheet P are thereby separated from reach other.例文帳に追加

このため、給紙ローラ１３により該給紙ローラ１３に直接接触する上側のシートＰが搬送方向Ａに搬送されるが、分離ローラ１５により該分離ローラ１５に直接接触する下側のシートＰが逆方向に搬送され、上側のシートＰと下側のシートＰが分離する。 - 特許庁

In this manufacturing method, when nitride treatment is performed to a tunnel insulating film 61 of a nonvolatile storage element Qm, in a semiconductor device in which the nonvolatile storage element Qm and a P-channel MISFET Qp are mounted on the same substrate, a forming region of a gate insulating film 63 of the P-channel MISFET Qp is covered in advance with a thick buffer silicon oxide film.例文帳に追加

不揮発性記憶素子Ｑｍ及びpチャネルMISFETＱｐを同一基板上に搭載した半導体装置の製造方法において、不揮発性記憶素子Ｑｍのトンネル絶縁膜６１に窒化処理を施す際に、pチャネルMISFETＱｐのゲート絶縁膜６３の形成領域を厚い膜厚のバッファシリコン酸化膜で被覆しておく。 - 特許庁

The sealing glass 1 has a flat shape in which each of cross sections passing through the gravity center G and orthogonal to a horizontal plane P has a major axis L in the direction parallel to the horizontal plane P and a minor axis S in the direction orthogonal to the horizontal plane P when the sealing glass 1 is placed on the horizontal plane P in a prescribed attitude.例文帳に追加

封止用ガラス１は、水平面Ｐ上に所定の姿勢で載置したとき、その重心Ｇを通りかつ水平面Ｐと直交する全ての各断面が、水平面Ｐと平行な方向の長軸Ｌと、水平面Ｐと直交する方向の短軸Ｓとを有する扁平な形状をなす。 - 特許庁

In this paper feeder, a sheet P is pressed and fed by a paper feeding roller 2 rotating in a paper feeding direction A by rotation of a paper feeding rotating plate 4 in the direction approaching the paper feeding roller 2, while the sheet P is separated from the paper feeding roller 2 by rotation of the paper feeding rotating plate 4 in the direction away from the paper feeding roller 2.例文帳に追加

給紙装置は、給紙回動板4が給紙ローラ2に接近する方向に回動することにより、用紙Pが、給紙方向Aに回転する給紙ローラ2に圧接して給紙され、給紙回動板4が給紙ローラ2から離れる方向に回動することにより、用紙Pが、給紙ローラ2から離れるものである。 - 特許庁

In the determination method of the lining in the pipe for determining whether the lining layer L formed of the resin is executed on the inner surface of the pipe P formed of the metal, an impact is applied to the pipe P formed of the metal to produce vibration in the pipe P and the presence of the lining layer L is determined on the basis of the behavior of vibration generated in the pipe P.例文帳に追加

金属製の管Ｐの内面に樹脂製のライニング層Ｌが施工されているか否かを判定する管内ライニングの判定方法で、金属製の管Ｐに衝撃を付与して管Ｐに振動を発生させ、その管Ｐに発生した振動の挙動に基づいてライニング層Ｌの有無を判定する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a floating gate 4 is formed on a sense transistor region in a P^- type Si substrate 1.例文帳に追加

Ｐ^−型Ｓｉ基板１のうち、センストランジスタ領域上に、浮遊ゲート４を形成する。 - 特許庁

In order to set the luminance rate μ≥1.3, a light emission condition is set in a region of P≥17.5/d.例文帳に追加

輝度率をμ≧１．３とするためには、Ｐ≧１７．５／ｄの領域に発光条件を設定する。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type impurity region 121 is formed in a main surface of a p^--type substrate 200.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の主面内にはｎ型不純物領域１２１が形成されている。 - 特許庁

The thumb-turn 2 is formed in an almost L shape extending in the diametrically expanding direction from the center of the rotary shaft P.例文帳に追加

サムターン２が、回動軸Ｐの中心から拡径方向へ延びる略Ｌ字状となされたもの。 - 特許庁

The operation result obtained by this inner product operation unit 3 is stored in a P register 15 in a word form.例文帳に追加

この内積演算ユニット３による演算結果は、ワード形式でＰレジスタ１５に格納される。 - 特許庁

Thereafter, the press plate P is rotated in the direction v shown in the figure around the positioning pin 51a.例文帳に追加

その後、刷版Ｐが位置決めピン５１ａを中心として図示ｖ方向に回転運動する。 - 特許庁

Luminance detection image data is read in p-pixel unit in a luminescent spot search process (step S702).例文帳に追加

輝点検索処理の際に、輝度検出画像データをｐ画素単位で読み出す（ステップＳ７０２）。 - 特許庁

In the manufacturing method for semiconductor devices, a plurality of trenches 25 passing through a p-well region 23 are formed in the form of stripes.例文帳に追加

ｐウェル領域２３を貫通する複数のトレンチ２５をストライプ状に形成する。 - 特許庁

The first sheet in a roll is pinched between the second sheet and the adherend P and fixed in a retaining manner.例文帳に追加

ロール状の第１シートを第２シートと被着体Ｐとの間に挟んで保持・固定する。 - 特許庁

One workpiece in the sucking position P is sucked with a swing arm 42 and fed in a press.例文帳に追加

ワーク吸着位置Ｐの１枚のワークをスイングアーム４２で吸着してプレス機内に供給する。 - 特許庁

In addition, a p-side metal electrode 8 is formed in a partial area on the ZnO substrate 7.例文帳に追加

また、ＺｎＯ基板７上の一部領域にｐ側金属電極８が形成されている。 - 特許庁

Cooling water in a cooling tower 1 is circulated in an absorption refrigerator 3 by a pump P.例文帳に追加

冷却塔１内の冷却水は、ポンプＰにより、吸収式冷凍機３に循環される。 - 特許庁

The second field magnets 41 are magnetized in a diameter direction in a circumferential direction centered at the rotating shaft P.例文帳に追加

第２界磁磁石４１は回転軸Ｐを中心とした周方向で径方向に着磁される。 - 特許庁

Next, boron ion is implanted in multiple stages using the resist mask in order to form the p-type well layer.例文帳に追加

次に、レジストマスクを用いて、多段階で、ボロンをイオン注入し、Ｐ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

The content of P in the piezoelectric ceramic is 0<P_2O_5≤250 ppm in terms of P_2O_5.例文帳に追加

圧電磁器中におけるＰの含有量は、Ｐ_２Ｏ_５に換算して、０＜Ｐ_２Ｏ_５≦２５０ｐｐｍである。 - 特許庁

The buried resistor 11 is formed in a P-well 13 formed in the N-well 14.例文帳に追加

埋め込み抵抗器１１はＮウエル１４内に形成されたＰウエル１３内に形成される。 - 特許庁

To accelerate a data transfer rate in data writing in a p-channel MONOS memory cell.例文帳に追加

ｐチャネルＭＯＮＯＳメモリセルにおいて、データ書込時のデータ転送レートの高速化を実現する。 - 特許庁

In the construction method of this cable duct, a hanging lever member 2 is installed in a pair of hanging bolts 1 fixed to the lower surface of a slab P.例文帳に追加

スラブＰ下面に固定された一対の吊りボルト１に吊杆部材２を装着する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type body region 10 is formed in the surface layer portion of an N-type epitaxial layer 6.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層６の表層部には、Ｐ型のボディ領域１０が形成されている。 - 特許庁

Similarly, a p-AlGaN layer 5p is formed in the upper part of the p-body layer 4p due to dispersion of Mg from the p-body layer 4p, and an undoped AlGaN layer 5i is formed in the upper part of the channel forming layer 4i.例文帳に追加

同様に、ｐボディ層４ｐの上部には、ｐボディ層４ｐからＭｇが拡散してｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐが形成され、チャネル形成層４ｉの上部には、アンドープＡｌＧａＮ層５ｉが形成される。 - 特許庁

The electromagnetic steel sheet with an insulating coating film comprises Zr, P and a resin, and in which the molar ratio of P to Zr, P/Zr, is 0.50 to 2.50, and the resin is contained by 10 to 50% expressed in terms of a solid content by weight to the total solid content of the coating film.例文帳に追加

Ｚｒ、Ｐおよび樹脂を含有し、ＰがＺｒに対しモル比でＰ／Ｚｒ＝０．５０〜２．５０であり、前記樹脂は被膜全固形分に対し固形分重量換算で１０〜５０％含有する。 - 特許庁

Even if the oil P flowing in the oil and water separation tank 2 is small, the thickness of the oil P on the water surface becomes the detected thickness value or above, and the oil P is certainly detected in its early stages by the oil detector 3.例文帳に追加

油水分離槽２内に流入する油Ｐがわずかであっても、水面上の油Ｐの厚みが検知厚以上になり、油検知器３によって油Ｐが早期かつ確実に検知される。 - 特許庁

A cutout 13 facing to the tubular body P in the base 1 is curved along the peripheral surface of the tubular body P and the base 1 is provided with roller bodies 4 in contact with the peripheral surface of the tubular body P at both end parts of the peripheral direction.例文帳に追加

基台１の、管体Ｐと対向する切欠き１３は管体Ｐ周面に沿って湾曲しており、基台１には周方向の両端部に管体Ｐ周面と接するローラ体４が設けられている。 - 特許庁