「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

In exposing a substrate P by projecting an image of a pattern on a substrate P through a projection optical system PL and fluid 1, liquid repellent is applied to a side face PB and a rear face PC of the substrate P.例文帳に追加

投影光学系ＰＬと液体１とを介してパターンの像を基板Ｐ上に投影することによって基板Ｐを露光する際、基板Ｐの側面ＰＢ、裏面ＰＣを撥液処理する。 - 特許庁

A copper alloy having a composition comprising, by mass, 0.03 to 0.5% Ni and 0.01 to 0.2% P, and in which the mass ratio between Ni and P, Ni/P is 2 to 10, and the balance copper with inevitable impurities is used.例文帳に追加

Ｎｉ：０．０３〜０．５質量％、Ｐ：０．０１〜０．２質量％を含有し、ＮｉとＰとの質量比であるＮｉ／Ｐが２〜１０であり、残部銅及び不可避不純物からなる銅合金を用いる。 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

In this case, impurity concentration of the p-type latch-up preventing layer PL is set higher than that of the p-type channel forming layer PCH but lower than the p^+-type contact layer PC.例文帳に追加

このとき、ｐ型ラッチアップ防止層ＰＬの不純物濃度は、ｐ型チャネル形成層ＰＣＨの不純物濃度よりも高く、ｐ^＋型コンタクト層ＰＣの不純物濃度よりも低くなっている。 - 特許庁

A P 14 picture being a next P picture is decoded and re-encoded by using the quantization matrix Q2 similarly, and the information of the quantization matrix Q2 is described in a sequence header of I14 picture re-encoded and generated.例文帳に追加

その次のPピクチャであるP14ピクチャも、同様に、量子化マトリクスQ2を用いてデコードおよび再エンコードされ、再エンコードされて生成されたI14ピクチャのシーケンスヘッダに量子化マトリクスQ2の情報が記載される。 - 特許庁

Then, a P-type impurity is injected selectively into the P-type transistor formed region in which the P-type gate pattern 110b and the first space have been formed and thus a CMOS transistor is formed.例文帳に追加

そして、前記Ｐ型ゲートパターン１１０ｂ及び第１スペーサが形成された前記Ｐ型トランジスタ形成領域に選択的にＰ型不純物を注入してＣＭＯＳトランジスタを形成する。 - 特許庁

In the element forming part 2, a p-type epitaxial layer PEpi1 and an interlayer insulating film 3 are formed, and on the surface of the p-type epitaxial layer PEpi1, an n-well NW and a p-well PW are formed.例文帳に追加

素子形成部２には、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１及び層間絶縁膜３を設け、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１の表面にはＮウエルＮＷ及びＰウエルＰＷを形成する。 - 特許庁

When the first sensor 91 and the second sensor 92 detect floating of the paper sheet P (in the case wherein the paper sheet P is curled), suction by the fan 77 is increased to easily suck the paper sheet P.例文帳に追加

また、第１のセンサ９１、第２のセンサ９２によって用紙Ｐの浮きが検出された場合(用紙Ｐがカールしている場合)には、ファン７７による吸引量を増加させ、吸着させやすくする。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁

The comfort effectiveness evaluation device 8 calculates a comfort index P with P=1.0-|PMV|/3 and the comfort index is weighted according to the in-room human numbers N at the time of acquiring the comfort index P.例文帳に追加

快適実効性評価装置８は、Ｐ＝１．０−｜ＰＭＶ｜／３として快適指標Ｐを求め、この快適指標Ｐにその快適指標Ｐの取得時の在室者数Ｎに応じた重み付けを施す。 - 特許庁

Accordingly, the concentration profile PF1_MG of the p-type dopant becomes steep in the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 close to the interface between the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 and the active layer 17.例文帳に追加

故に、ｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５と活性層１７との界面近傍のｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５でｐ型ドーパントの濃度プロファイルＰＦ１_Ｍｇが急峻になる。 - 特許庁

A roll 72 is abutted on the highest sheet P to raise a rear end side of the sheet P is raised on the upstream side in the sheet conveying direction of a pickup roll 52 for feeding the sheet P from a paper feed tray 44.例文帳に追加

給紙トレイ４４からシートＰを送り出すピックアップロール５２のシート搬送方向上流側で、ロール７２が最上部のシートＰと当接し、このシートＰの後端側を盛り上げる。 - 特許庁

(3) The concentration Ti (ppm) of titanium metal element of a titanium compound soluble in a polyester and the concentration P (ppm) of phosphorus element of the phosphorus compound satisfy 0.65≤P/Ti≤5 and 10≤Ti+P≤200.例文帳に追加

］（３）その際、ポリエステルに可溶なチタン化合物のチタン金属元素濃度Ｔｉ（ｐｐｍ）とリン化合物のリン元素濃度Ｐ（ｐｐｍ）とが、０．６５≦Ｐ／Ｔｉ≦５，１０≦Ｔｉ+Ｐ≦２００を満足する。 - 特許庁

P-type collector layers 7 extending from the surface of N-type layers 5b to the inside thereof are formed in each of the N-type layers 5b composed of the N-type epitaxial layer 5 surrounded by the P-type drain isolation layer 6 and a P-type element isolation layer 3.例文帳に追加

Ｐ型ドレイン分離層６とＰ型素子分離層３に囲まれたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ｂにその表面から内部に延在するＰ型コレクタ層７を形成する。 - 特許庁

Since the deformation of the elastic protrusion 31 and a contact area with a transfer material P are reduced in the case that the transfer material P is thin paper, feeding force imparted from the elastic protrusion 31 to the transfer material P is made small.例文帳に追加

転写材Ｐが薄紙の場合、弾性突起３１の変形、転写材Ｐとの接触面積が少ないので、弾性突起３１から転写材Ｐに付与される搬送力は小さい。 - 特許庁

Since the position relationship between the terminal fitting 20 and the circuit board P is kept generally constant even if there are fluctuations in the thickness of the circuit board P, the reliability of contact between the terminal fitting 20 and the circuit board P is secured.例文帳に追加

回路基板Ｐの板厚にバラツキがあっても、端子金具２０と回路基板Ｐとの位置関係を概ね一定に保つので、端子金具２０と回路基板Ｐとの接触信頼性が確保される。 - 特許庁

An N+ type layer 5 is a diffusion layer formed adjacently to the P+ type layer 4 just below the P+ type layer 4, and it is formed by ion-implanting N-type impurities in a way similar to the P+ type layer 4.例文帳に追加

Ｎ＋型層５は、Ｐ＋型層４直下に、Ｐ＋型層４と隣接して形成された拡散層であり、Ｐ＋型層４と同様にＮ型の不純物をイオン注入して形成される。 - 特許庁

The triac is formed by selectively forming n-layers 41 and 43 within a p-layer of a semiconductor substrate in which an n-layer is held by the p-layers and also selectively forming an n-layer 42 within the p-layer.例文帳に追加

ｐ層がｎ層を挟み込む半導体基板のｐ層内にｎ層４１及び４３が選択的に形成され、ｐ層内にｎ層４２が選択的に形成され、トライアックが形成される。 - 特許庁

In the step for manufacturing a nitride compound semiconductor laser, a p-type AlGaN etching marker layer 200 is placed under a p-type GaN cap layer 108 and a p-type AlGaN clad layer 107.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザの製造工程において、ｐ型ＧａＮキャップ層１０８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７下にｐ型ＡｌＧａＮエッチングマーカー層２００を敷く。 - 特許庁

To selectively form a p^+ region on a p-well and to reduce contact resistance of a metal electrode and the p^+ region without using a hard mask in manufacturing a silicon-carbide junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、ｐウェル上に選択的にｐ^+領域を形成し、また金属電極とｐ^+領域とコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

When the edge part of the plate P is pushed in between the upper clamping part 3 and the lower clamping part 4, the nonskid member 7 is abutted to the surface of the plate P and the leaf spring 11 is brought into the press contact with the lower surface of the plate P.例文帳に追加

皿Ｐの縁部を上方挟持部３と下方挟持部４の間に押し込むと、滑り止め部材７が皿Ｐの表面に当接し、板ばね１１が皿Ｐの下面に圧接する。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

Tension of the continuous paper sheet P lowered by moving the continuous paper sheet P in a direction B is thereby restored before a control section 16 starts to control the conveyance amount of the continuous paper sheet P to prevent fluctuation of the tension of the continuous paper sheet P to be caused when starting to convey the continuous paper sheet P in the paper sheet conveying direction F.例文帳に追加

これにより、連続用紙ＰをＢ方向へ後退させることで低下する連続用紙Ｐの張力を、制御部１６が連続用紙Ｐの搬送量の制御を開始する前に回復させ、再び、連続用紙Ｐが用紙搬送方向Ｆへ搬送開始されるときに起きる連続用紙Ｐの張力の変動を防止する。 - 特許庁

In a decoder 153, a signal is changed in accordance with a value of a parameter (p) through a decoding process, thereby obtaining a student signal corresponding to the value of the parameter (p).例文帳に追加

復号化器１５３では、復号化の過程で、パラメータｐの値に応じて信号が変化するようにされ、当該パラメータｐの値に対応した生徒信号が得られる。 - 特許庁

To provide an organic p-type material usable in an electronic device.例文帳に追加

電子デバイスにおいて利用することができる有機ｐ型材料を提供すること。 - 特許庁

Particularly, it is preferable that the average pore size (r) of the porous supporter is in the range of 0.1 μm < r < 20 μm and the porocity (p) is in the range of 5% ≤ p ≤ 60%.例文帳に追加

特に前記多孔質支持体は、平均細孔径ｒが０．１μｍ＜ｒ＜２０μｍの範囲であり、気孔率ｐが５％≦ｐ≦６０％の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

The device is provided with a transfer device 70 which is opposed to the substrate P, and is moved in a direction with which the mounting surface 34A intersects in response to the pressure of the liquid 1 applied to the substrate P.例文帳に追加

基板Ｐと対向し、基板Ｐに供給される液体１の圧力に応じて載置面３４Ａと交差する方向に移動する移動装置７０を備える。 - 特許庁

In the workpiece conveying apparatus 1, the parts P are placed on the side corresponding to the faces of the workpiece W to which the parts P are assembled in the part placing means 9.例文帳に追加

該ワーク搬送装置１にあっては該部品載置手段９には該部品Ｐが該ワークＷに組付けられるべき該ワークＷの面に対応する側に該部品Ｐを載置する。 - 特許庁

In one embodiment, in the p^+-type layer (4c) and the n^+-type layer (5a) forming the hetero-interface, the band gap for the p^+-type layer (4c) is larger than that for the n^+-type layer (5a).例文帳に追加

一実施形態では、ヘテロ界面をなすｐ^＋型層（４ｃ）とｎ^＋型層（５ａ）とにおいて、ｐ^＋型層（４ｃ）のバンドギャップがｎ^＋型層（５ａ）のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

A rotary guide 37 brought into contact with the inside of the sheets P bent in a recessed shape and rotatable by the force of contact with the sheets P is installed in a register conveying guide 33.例文帳に追加

レジスト搬送ガイド３３内に、凹状に湾曲される用紙Ｐの内側に接触し、用紙Ｐとの接触力に応じて回動可能な回転ガイド３７を設ける。 - 特許庁

In a process for press-fitting the lamination, the lamination is press-fitted in a pressure area ≥ pressure P (kgf/cm^2), satisfying ΔB/ΔA≤0.005 (%/(kgf/cm^2)) and ≤ (P+200) (kgf/cm^2).例文帳に追加

積層体を圧着する工程において、ΔＢ／ΔＡ≦０．００５（％／（kgf／cm^2））となるプレス圧Ｐ（kgf／cm^2）以上、（Ｐ＋２００）（kgf／cm^2）以下のプレス圧領域で圧着を行う。 - 特許庁

The cleaning pig 1, which has a wheel 3 in a pig body 5 equipped with a shock plate 2 noncontactable with an inside wall of the pipe P, is moved by air current flowing in the pipe P.例文帳に追加

管Ｐ内壁と非接触の受圧板２を備えたピグ本体５に車輪３を設けた清掃ピグ１を、管Ｐ内を流れる気流によって走行させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a threshold voltage of a P-HEMT having an embedded P-type gate structure becomes uniform at any position in the surface of a wafer.例文帳に追加

埋め込みＰ型ゲート構造をもったＰ−ＨＥＭＴの閾値電圧が、ウエハ面内のいずれの箇所においても均一となるような半導体装置を提供する。 - 特許庁

The CU (Card Unit) stores the number of game balls usable in the P machines for games.例文帳に追加

ＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

Using N regions 16, 18 formed in the P well and a P region 20 formed in the N well, a pixel is reset and read out after a charge integration time.例文帳に追加

Ｐウェルに形成されたＮ領域１６、１８およびＮウェルに形成されたＰ領域２０を使用して、画素をリセットし、電荷集積時間後の画素を読み取る。 - 特許庁

In the correction mode, the movement of the camera is reduced with respect to the movement of the pointer P.例文帳に追加

補正モードでは、カメラ１０の動きに対するポインタＰの動きを小さくする。 - 特許庁

These pixels are set in a range exceeding the outer circumferential end of the print sheet P.例文帳に追加

これらの画素は、印刷用紙Ｐの外周の端を越える範囲に設定される。 - 特許庁

During the conveyance, the component of the gas, which is allowed to pass through the stacked sintered ores P during the conveyance, in the direction of passing through the stacked sintered ores P during conveyance is made in reverse direction.例文帳に追加

搬送途中で、積層して搬送中の焼結鉱Ｐに通気される気体の、積層して搬送中の焼結鉱Ｐを貫通する方向の成分を、逆にする。 - 特許庁

Furthermore, a p-type well 42d, and the like, are formed in an n^--type layer 42a, and the like, composed of the active layer 2c, and a semiconductor element is formed in the p-type well 42d.例文帳に追加

また、活性層２ｃにて構成されるｎ^-型層４２ａ等の中にｐ型ウェル４２ｄ等を形成し、このｐ型ウェル４２ｄ内に半導体素子を形成する。 - 特許庁

Since carbon which functions with respect to the isoelectronics is diffused in the P-N junction, in addition, the luminous efficacy of the P-N junction is improved.例文帳に追加

また、少なくとも上記ＰＮ接合部には、アイソエレクトロニクス中心として機能する炭素が拡散されており、これにより、ＰＮ接合部での発光効率が高められている。 - 特許庁

A p type well 4 is then formed in the lightly doped n type epitaxial layer 3 and a photoelectric converting part 5 and a charge transfer part 7 are formed in the p type well 4.例文帳に追加

前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３内にｐ型ウェル４を形成し、前記ｐ型ウェル４内に光電変換部５および電荷転送部７を形成した。 - 特許庁

In the inventive printer 10, the housing 20 has an opening 21 for throwing in a roll sheet P on the upper surface side and a section 22 for containing the roll sheet P is provided therein.例文帳に追加

本発明のプリンタ１０においては、筐体２０は、上面側にロール紙Ｐの投入開口２１を形成し、その内部にロール紙Ｐの収納部２２を備える。 - 特許庁

Further, in the p^- body region 13, an n^+ source region 11 is formed.例文帳に追加

さらに，Ｐ^- ボディ領域１３中には，Ｎ^+ ソース領域１１が形成されている。 - 特許庁

A specimen P and a specimen holder 11 are cooled by being immersed in a cooling medium F and extracted from the cooling medium F.例文帳に追加

標本Ｐと標本ホルダ１１を冷媒Ｆに浸漬して冷却する。 - 特許庁