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p-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 17764



例文

A semiconductor capacitance device 600 has a P type semiconductor layer 610, a N type well region 612 provided in the P type semiconductor, and a P type well region 614 provided in the N type well region 612.例文帳に追加

半導体容量装置600は、P型半導体層610と、P型半導体層内に設けられたN型ウエル領域612と、N型ウエル領域612内に設けられたP型ウエル領域614と、を有する。 - 特許庁

In the braking force control device, a contribution degree of master cylinder pressure P and depressing stroke amount S when a target deceleration G is set to increase the contribution degree of the master cylinder pressure P in proportion to the master cylinder pressure P.例文帳に追加

目標減速度Gを算出する際の上記マスタシリンダ圧Pと踏込みストローク量Sの寄与度合を、マスタシリンダ圧Pが大きいほどマスタシリンダ圧Pの寄与度合を大きく設定した、制動力制御装置である。 - 特許庁

Since the sheet P is moved in a raised state, the sheet P is neither hooked to a rib nor deformed even when a projecting rib extending in the discharging direction of the sheet P is provided on the discharge tray 42.例文帳に追加

シート材Pを浮かした状態で移動させるため、排出トレイ42にシート材Pの排出方向に延びる凸状のリブが設けられている場合でも、シート材Pがリブに引っ掛り変形することは無い。 - 特許庁

When collecting the bills P of the bill storage part 43, the bill pushing part 34 is brought into a pushing state of the bills P stored in the bill storage part 43, and the bill P is prevented from being caught in the bill processing part 13.例文帳に追加

紙幣収納部43の紙幣Pを回収する際には、紙幣押込部34を紙幣収納部43に収納されている紙幣Pの押し込み状態とし、紙幣Pが紙幣処理部13に引っ掛かるのを防止する。 - 特許庁

例文

To provide a charging paper sheet storage/pull-in device, capable of dissolving holdup of a paper sheet P in a gate part 41 to resume delivery of the paper sheet P, and preventing damages to the paper sheet P at paper sheet charging.例文帳に追加

ゲート部41での紙葉類Pの停滞を解消して紙葉類Pの繰り出しを再開でき、紙葉類装填時での紙葉類Pの損傷を防止できる装填紙葉類収納繰込み装置を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a method of manufacturing P-PTC thermistor composition by which the rate of conductive particles contained in a P-PTC thermistor composition can be suppressed sufficiently and, in addition, the specific resistance value of the finally obtained P-PTC thermistor can be lowered sufficiently.例文帳に追加

導電性粒子の含有割合を十分に抑制し、しかも最終的に得られるP−PTCサーミスタの比抵抗値を十分に低下可能なP−PTCサーミスタ組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

A p-type well 2 has a higher impurity concentration than that of the p-type RESURF layer 18, and is formed in contact with the p-type RESURF layer 18 on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加

P型ウェル2はP型リサーフ層18よりも高い不純物濃度を有しており、かつN型不純物領域1内の基板50上面においてP型リサーフ層18と接触して形成されている。 - 特許庁

At least one block B among the plurality of blocks B includes a pixel P which is adjacent to one pixel P of a block B adjacent to the block B in the X direction and a pixel P which is adjacent in the Y direction.例文帳に追加

複数のブロックBのうち少なくともひとつのブロックBは、当該ブロックBに隣接する他のブロックBのひとつの画素Pに対してX方向に隣接する画素PとY方向に隣接する画素Pとを含む。 - 特許庁

Based on the pixel p(0) of the closest point C, a size d org in the direction along the ultrasonic beam of the medical device is taken, and information indicating that the medical device is present is provided to the pixels p(0) to p(b) in this section.例文帳に追加

最近点Cのピクセルp(0) から、当該医療デバイスの超音波ビームに沿った方向の寸法dorg をとり、この区間のピクセルp(0) 〜p(b) に対し、医療デバイスが存在することを示す情報を付与する。 - 特許庁

例文

To prevent blisters from being deposited in a P-SiN film, at or after the P-SiN film is deposited on a Cu embedded wiring.例文帳に追加

Cu埋め込み配線上へP−SiN膜を成膜した時あるいは成膜した後におけるブリスタ不良の発生を防止する。 - 特許庁

例文

The conditioned fresh air conditioned to a temperature higher than that in the skiing space P is fed to an upper layer above the skiing space P.例文帳に追加

滑走空間Pの空気の温度より高い温度に調節された調節済み外気を、滑走空間Pより上層に供給する。 - 特許庁

The materials P are also indirectly heated with superheated steam that has not come into contact with the materials P in the first and second treatments.例文帳に追加

一次処理,二次処理で処理対象物Pと接触しない過熱水蒸気で処理対象物Pを間接的にも加熱する。 - 特許庁

Thus allows a dynamic image coded data of only long-time P-frames following one I-frame to be divided in blocks of a size easy to handle.例文帳に追加

これにより、一つのI-フレームの後に長時間のP-フレームのみが続く動画像符号化データを扱いやすい大きさに分割できる。 - 特許庁

This is an auxiliary tool for facilitating drawing to insertion P such as the plug inserted in the inserted body C such as the electric outlet and on-table outlets.例文帳に追加

コンセント、テーブルタップなどの被差込体(C) に差し込まれているプラグなどの差込体(P) の引き抜きを容易にするための補助具である。 - 特許庁

When the wire 100 is wound around a core material of a radius r_f at a spiral pitch P, tensile strain ε_t at an optional point in the strain region is obtained.例文帳に追加

半径r_fの芯材にスパイラルピッチPで線材100を巻回した際、歪領域内の任意点での引張歪みε_tを求める。 - 特許庁

Consequently, the magnetic sheet needs to have a coercive force of300 At/m and the amount of added P needs to be ≥0.2 wt.% in this case.例文帳に追加

このことから、磁性シートの保磁力は300AT/m以上必要となり、その場合、Pの添加量は0.2wt%以上必要である。 - 特許庁

Carrier rolls 72 and 73 and a carrying-out roll 75 stop carrying to the paper P in a state of holding the other part of the paper P in the first carrying passage 71 by ejecting a part of the paper P from the first carrying passage 71 by carrying the paper P along the first carrying passage 71, and eject the paper P to the machine outside in response to extracting operation of the user to the stopped paper P.例文帳に追加

そして、搬送ロール72,73および搬出ロール75は、第1搬送路71に沿って用紙Pを搬送することで用紙Pの一部が第1搬送路71から排出されたことにより、用紙Pの他の一部が第1搬送路71内に保持された状態にて用紙Pに対する搬送を停止するとともに、停止した用紙Pに対するユーザの引出し操作に従って用紙Pを機外に排出する。 - 特許庁

In the extended data region A12, sub image data P(1), ..., P(n) photographed with photographing parts 12R and 12L are stored.例文帳に追加

拡張データ領域A12には、上記撮影部12R及び12Lによって撮影された副画像データP(1)、…、P(n)が格納される。 - 特許庁

The p-type base layer monotonously decreases in impurity density from an upper-end part 4B of the p-type base layer toward the n-type base layer.例文帳に追加

p形ベース層の不純物濃度は、p形ベース層の上端部4Bからn形ベース層に向かって単調減少する。 - 特許庁

To judge chemical sensitivity and development of adverse effect by elucidating mechanism of control of development of P-glycoprotein in vivo.例文帳に追加

生体内におけるP-糖蛋白質の発現の制御のメカニズムを解明し、薬剤に対する感受性や副作用の発現を判定する。 - 特許庁

The roller member 63 is deformed according to pressure applied from the paper P, coming in surface contact with the paper P, when the paper is guided.例文帳に追加

そして、コロ部材63は、用紙案内時に用紙Pから受ける圧力に追従して変形し、前記用紙Pに面接触する。 - 特許庁

In the top face of the n-type dopant region 121, a p^+-type source region 126 and a p^+-type drain region 122 are also formed.例文帳に追加

また、n型不純物領域121の上面内に、p^+型ソース領域126及びp^+型ドレイン領域122が形成されている。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してp型ドーパントをイオン注入して深いp型注入領域を形成する。 - 特許庁

The P-channel MOS transistor 109 is formed in an N well diffusion area formed on a substrate of a P conductivity type.例文帳に追加

このPチャネルMOSトランジスタ109は、P導電型の基板上に形成されたNウェル拡散領域内に形成されている。 - 特許庁

Near the corner of the light-emitting element 50, a bonding electrode, i.e. a P electrode 8, is formed in contact with the P-type semiconductor layer 5.例文帳に追加

発光素子50の角部付近には、P型半導体層5に接触してボンディング電極であるP電極8を形成してある。 - 特許庁

When the recording material P is housed in a recording material cassette 69, a stopper 69x moves and detects a housing direction of the recording material P.例文帳に追加

記録材カセット69に記録材Pが収容されるとストッパ69xが移動して記録材Pの収容方向を検知する。 - 特許庁

To elucidate the control mechanism of P-glycoprotein expression in an organism and to determine the occurrence of drug sensitivity and adverse effect.例文帳に追加

生体内におけるP-糖蛋白質の発現の制御のメカニズムを解明し、薬剤に対する感受性や副作用の発現を判定する。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板10の一面側に、バッファ層11、p型半導体層12およびp型コンタクト層13がこの順に積層されている。 - 特許庁

A distance image, where distance is displayed by allowing azimuth to correspond to each pixel of the number of pixelsp is obtained in a distance image generation step (S15).例文帳に追加

距離画像生成ステップ(S15)で画素数p×pの各画素に方位を対応させて距離を表示した距離画像を得る。 - 特許庁

The user is allowed to set in advance an automatic exclusion period and an m/z range (-p,q) with respect to any m/z as precursor selection conditions.例文帳に追加

プリカーサ選択条件として自動除外の期間と任意のm/zに対するm/z範囲(-p,q)とをユーザが予め設定できるようにする。 - 特許庁

The N bus bar 12 extends in parallel with the axial direction of the P bus bar 11, and also is arranged to surround the P bus bar 11.例文帳に追加

Nバスバー12は、Pバスバー11の軸線方向に対して平行に延びるとともに、Pバスバー11を囲むように配置される。 - 特許庁

A P+ type diffusion layer 105 and an N+ type diffusion layer 107 as a source diffusion layer are formed in the P type diffusion layer 104.例文帳に追加

P型拡散層104内には、P+拡散層105、およびソース拡散層としてのN+拡散層107が形成されている。 - 特許庁

A value of [P(100)/2] as a reference value for judging the laser device is in a normal characteristic is obtained by using the quantity of the light P(100).例文帳に追加

光量P(100)を用いて、正常特性であるかを判定するための基準値として、[P(100)/2+α]を求める。 - 特許庁

Thus, the amount of use of the synthetic resin P can be reduced, and the projecting electronic part can be surely embedded in the synthetic resin.例文帳に追加

これにより、合成樹脂Pの使用量を低減しつつ、突出電子部品を確実に合成樹脂に埋没させることが可能になる。 - 特許庁

The n-channel JFET 44 is provided with a gate region 66 composed of a p-region in the center of the p+ region of the element forming region 36c.例文帳に追加

nチャネルJFET44は、素子形成領域36cの上部中央にp^+領域からなるゲート領域66が設けてある。 - 特許庁

In this way, feeding pressure on the printing paper P is not changed if waviness occurs on the printing paper P during paper feeding, thus preventing paper feeding malfunction.例文帳に追加

これにより、給紙時に印刷用紙Pにうねりが発生しても印刷用紙Pの給紙圧が変化せず給紙不良を防止する。 - 特許庁

This binding device presses the superimposing part P of a big band 1 without shifting the part with a flapper 3 in putting the band 1 around a binding bundle S.例文帳に追加

束Sの周りに大帯1を巻回して結束する際、大帯1の重なり部分Pがずれないようにフラッパ3で押圧する。 - 特許庁

A gate turn-off thyristor has bonding wires 23 extended in a first direction (length direction) P of mesa type p-type anode emitter layers 4.例文帳に追加

このゲートターンオフサイリスタで、ボンディングワイヤ23はメサ型のp型のアノードエミッタ層4の第1の方向(長手方向)Pに延在している。 - 特許庁

The power supply ground-pair transmission line 20 is connected to the drain layer 3 of the driver transistor 10 and a P^+-type layer 7 in a P-type well 2.例文帳に追加

そして、電源グランドペア伝送線路20はドライバトランジスタのドレイン層3、Pウエル2中のP^+層7にそれぞれ接続される。 - 特許庁

The p-side contact layer includes a plurality of protrusions protruding in a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p側コンタクト層は、n形半導体層からp形半導体層に向かう第1方向に突出した複数の突起部を含む。 - 特許庁

The method for purifying p-cyanophenol comprises a washing or recrystallization treatment of p-cyanophenol in a water-containing organic solvent.例文帳に追加

p−シアノフェノールを、含水有機溶媒で、洗浄処理または再結晶処理することを特徴とするp−シアノフェノールの精製方法。 - 特許庁

A p-electrode is formed over the top surface of the p-type nitride semiconductor layer 4 with a current-constricting insulation film 5 of SiO2 in between.例文帳に追加

p型窒化物半導体層4上面にSiO_2よりなる電流狭窄用絶縁膜5を介して、p電極を形成する。 - 特許庁

In addition, a trench groove 16 is formed just above the p pillar layer 4, and a p^+ contact layer 7 is formed on the bottom of the trench groove 16.例文帳に追加

また、pピラー層4の直上域にトレンチ溝16を形成し、トレンチ溝16の底部にp^+コンタクト層7を形成する。 - 特許庁

When the sheet P is inserted in this sheet conveying device 40, a shutter 110 contacts with a front edge of the sheet P to move the shutter 110.例文帳に追加

シート搬送装置40は、シートPが差し込まれるとシートPの前縁にシャッター110が接触して、シャッター110が移動する。 - 特許庁

In midway of conveyance, the bend pipe P is stopped and positioned by a stopper 2, and the bend pipe P is grasped by a first robot 10 from above.例文帳に追加

その搬送途中で、ストッパ2で曲管Pを停止して位置決めし、上から第1ロボット10により曲管Pを挟持する。 - 特許庁

The p-type second and p^+-type third diffused layers 12 and 13 are formed in two steps as the emitter layer of the thyristor.例文帳に追加

サイリスタのエミッタ層として、P型の第二拡散層12およびP^+型の第三拡散層13の二段形成を行っている。 - 特許庁

Negative charge generated by radiation rays in the body (P-) 15 outflows to the outside of the transistor via the body terminal (P+) 16.例文帳に追加

ボディ(P−)15において放射線によって発生した負電荷は、ボディ端子(P+)16を介して当該トランジスタ外に流出する。 - 特許庁

A bicycle ergometer 100 applies multistep exercise stresses to a subject P by a pedaling exercise of the subject P in a seating state.例文帳に追加

自転車エルゴメータ100は、着座状態の被検者Pのペダル漕ぎ運動によって、多段階の運動負荷を被検者Pに掛ける。 - 特許庁

A multiplexer samples signals from P-sets of sources at a rate of a multiple of P, with respect to a chip rate of the code in the incoming signal.例文帳に追加

マルチプレクサが来入信号中の符号のチップレートのP倍のレートでもってP個のソースのそれぞれからの信号をサンプリングする。 - 特許庁

例文

P discharge assisting operation of address discharge is carried out in a plurality of P discharge regions (rp) of the groove part 41 between scanning electrodes Y.例文帳に追加

走査電極(Y)間の溝部41の複数のP放電領域(rp)で、アドレス放電の動作を助けるP放電が行われる。 - 特許庁




  
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