「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The contact 107 is not formed in the high-density P-type diffusion region 106.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６には、コンタクト１０７は形成されない。 - 特許庁

When the sheet angle varies relative to the ultrasonic wave signal 16 due to the wrinkles on a sheet P, a phase shift and a variation in amplitude occur in the signal 17 passed through the sheet P.例文帳に追加

シートＰの皺により、超音波信号１６に対してシート角度が変化すると、シートＰを通した信号１７の位相シフトと振幅の変化が起こる。 - 特許庁

Therefore, operability in handling the document and the recording medium P is improved.例文帳に追加

このため、原稿及び記録媒体Ｐを取り扱う際の操作性が向上する。 - 特許庁

The p-type layer in the active region can be a quantum well layer or a barrier layer.例文帳に追加

活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁

The gate contact electrode 21 is arranged in contact with the first p-type region 16, to overlap the whole thereof with the first p-type region 16 in top view.例文帳に追加

ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 - 特許庁

After cooling in the cooling chamber 23, a valve body 24a is rotated to supply the GH pellet P received in a holding chamber 24c to a supplying passage 25 for supplying the GH pellet P to a depressurizing step.例文帳に追加

冷却室23での冷却後、弁体24aを回動させて保持室24cに受容されたGHペレットＰを脱圧工程へ供給する供給路25に供給する。 - 特許庁

The current time T and the current temperature P are recorded, when it is decided in the fifth step that the current temperature P is to be recorded in the sixth step.例文帳に追加

第６ステップでは、第５ステップにおいて現在温度Ｐを記録するという判断を行った場合において、現在時刻Ｔおよび現在温度Ｐを記録する。 - 特許庁

In addition, a packet-specific encryption key PEK is used to encrypt a packet p.例文帳に追加

また、パケット固有暗号化キーＰＥＫがパケットｐを暗号化するのに使用される。 - 特許庁

A P type base layer 18 is formed in the upper part of the second semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｐ型のベース層１８が第２半導体層１２の上部に形成されている。 - 特許庁

After that, the pipe P is inserted in the through holes 20a and the burring holes 11a.例文帳に追加

その後、貫通孔２０ａおよびバーリング孔１１ａに、配管Ｐを挿通する。 - 特許庁

The MOS transistor for switching is formed in a P-type well 23 formed in an N-type well 22 formed on the P-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

そして、そのスイッチング用のＭＯＳトランジスタを、Ｐ型半導体基板１１に形成されたＮ型ウエル２２内にさらに形成されたＰ型ウエル２３内に、形成するようにした。 - 特許庁

Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n.例文帳に追加

また、ｐ^＋型拡散層３ｐがｎ^＋型拡散層４ｎと接触している。 - 特許庁

In the electrooptic panel, a pixel P is provided corresponding to the crossing of a data line 3 and a scanning line 2.例文帳に追加

データ線３及び走査線２の交差に対応して画素Ｐが設けられる。 - 特許庁

In the heat-treatment step, the p-type impurities are solid-layer diffused into a drift region 2 in the area surrounding the oxide film 12 so as to form a p-type impurity-containing region.例文帳に追加

熱処理工程において、酸化膜１２を囲む範囲のドリフト領域２内にｐ型不純物が固層拡散して、ｐ型の不純物含有領域が形成される。 - 特許庁

The voltage monitoring device 6 is connected to the observation point P, and measures a change in a voltage value in the observation point P to determine the released connection terminal part.例文帳に追加

さらに、電圧モニタ装置６は、観測端Ｐに接続され、観測端Ｐでの電圧値の変化を測定することで、どの接続端子部が開放したかを判別する。 - 特許庁

Powder P is filled in a cavity formed by a die 1 in a floating condition and a lower punch 3, and a transverse punch 4 penetrates through the powder P for forming a side hole 5.例文帳に追加

浮動状態のダイ１と下パンチ３とにより形成されるキャビティ１ａに粉末Ｐを充填し、粉末Ｐに横パンチ４を貫通させて横孔５を形成する。 - 特許庁

The diaphragm is formed of a silicon layer having a high concentration P type impurity and the peak concentration of the P type impurity is set in the inner section of the diaphragm in the depth direction of the diaphragm.例文帳に追加

振動板を高濃度のＰ型不純物シリコン層で形成し、振動板の厚さ方向で振動板内部に高濃度Ｐ型不純物のピーク濃度を持たせた。 - 特許庁

(1) The basis weight of the substrate in accordance to JIS P 8124 is ≥70g/m2.例文帳に追加

（１）ＪＩＳ Ｐ ８１２４に準拠する支持体の米坪が７０ｇ／ｍ^2以上である。 - 特許庁

In the p+-type well region 105, an n++-type source region 106 is formed.例文帳に追加

ｐ^+形ウェル領域１０５内にはｎ^++形ソース領域１０６が形成される。 - 特許庁

The heating unit 63 is heated after the paper P comes in contact with the pressure contact part H.例文帳に追加

圧接部Ｈに用紙Ｐが接触した後に、発熱体６３の加熱を行う。 - 特許庁

Ink carriages 71 and 72 are disposed at two positions in the carrying direction of a recording sheet P.例文帳に追加

記録用紙Ｐの搬送方向の２箇所にインクキャリッジ７１，７２を配設する。 - 特許庁

When the pipe P is inserted into an insertion hole in a connector body 2 to the specified depth, the pipe P is engaged by the projection of a retainer 3 in a condition with slipping-off being prevented.例文帳に追加

パイプＰをコネクタ本体２の挿入孔へ正規深さまで挿入すると、パイプＰはリテーナ３の抜け止め突起によって抜け止め状態で係止される。 - 特許庁

The film 2 has an approximately flat holding surface P in contact with the object to be ground.例文帳に追加

フィルム２は、被研磨物に当接する略平坦な保持面Ｐを有している。 - 特許庁

In this case, indium starting material is supplied into an atmosphere for growing the p-type clad layer 107, and a temperature for growing the p-type clad layer is kept in a range between 800°C to 1,000°C.例文帳に追加

この場合、ｐ型クラッド層１０７の成長雰囲気中にインジウム原料を供給し、ｐ型クラッド層の成長温度を８００℃〜１０００℃の範囲とする。 - 特許庁

Then, a projection image in the virtual field of view when it is viewed from the virtual viewpoint P is calculated.例文帳に追加

ついで、仮想視点Ｐから見た、仮想視野における投影画像を求める。 - 特許庁

The paper sheet P is curled again to the direction, which is opposite to that when the paper sheet P is curled in the nip area, in an area from the fixing nip to a contact member 181.例文帳に追加

その後、用紙Ｐには、定着ニップから接触部材１８１までの領域において、定着ニップにおいて生じたカールとは逆方向のカールが生じる。 - 特許庁

The hydrogen concentration in the Na is decreased by cleanup, and a hydrogen concentration peak P is formed.例文帳に追加

クリンナップによりＮａの水素濃度が低下し、水素濃度ピークＰを形成する。 - 特許庁

A P+ type contact layer 4 is formed in the opening 7 for burying the opening 7.例文帳に追加

開口部７に該開口部７を埋設するＰ＋型コンタクト層４を形成する。 - 特許庁

Since a clearance is provided between the bottom wall 11 of the tray and the bottom surface of the pack P, a shock in transport is softened to prevent the strawberry packed in the pack P from being damaged.例文帳に追加

トレーの底壁１１とパックＰの底面との間に隙間ができるので、輸送中の衝撃が緩和され、パックＰに詰められたいちごの傷みが防止される。 - 特許庁

Editing is done in two distinct modes: command and input . 例文帳に追加

p編集は、m コマンドモードとm 入力モードの 2 つの異なるモードを使い分けて行ないます。 - JM

Each address in a comma-delimited range is interpreted relative to the current address. 例文帳に追加

pコンマで区切られた各行番号は、現在行からの相対行を指し示します。 - JM

A protective diode is formed in a p-type silicon layer 13 of an SOI substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０のｐ型シリコン層１３内に保護用ダイオードが形成される。 - 特許庁

An element separating region 7 is formed which reaches to a P type bulk board 2 in a region between the digital part 5 and the analog part 6 in the P type epitaxial layer 3.例文帳に追加

また、Ｐ型エピタキシャル層３におけるデジタル部５とアナログ部６との間の領域には、Ｐ型バルク基板２まで到達する素子分離領域７を形成する。 - 特許庁

An n-type region 11 is formed in a p-type silicon semiconductor substrate 10.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン半導体基体１０にＮ型領域１１が形成されている。 - 特許庁

The absorbent for endogenous cannabinoid comprising a compound with log P value of 3.50 or more (P is the distribution coefficient in an octanol-water system) fixed in a water-insoluble carrier is obtained.例文帳に追加

水不溶性担体にｌｏｇＰ（Ｐはオクタノール−水系での分配係数）値が３．５０以上の化合物を固定してなる内因性カンナビノイドの吸着材を得る。 - 特許庁

A p-type well region 2 is formed in the main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型ウエル領域２は半導体基板１の主表面に形成されている。 - 特許庁

The paper rotation unit U6 rotates the print paper P to convey the print paper P to the print part 4 in a condition in which its longitudinal direction crosses the direction of conveyance orthogonally.例文帳に追加

ペーパ回転ユニットＵ６がプリントペーパＰを回転することによって、プリントペーパＰは、その長手方向が搬送方向に直交した状態でプリント部４に搬送される。 - 特許庁

A plasma waste gas treatment facility P is provided with an electrode part 2 in an constitution thereof.例文帳に追加

プラズマ排ガス処理設備Ｐは、その構成中に電極部２を備えている。 - 特許庁

The P well 100P is a semiconductor region in which the access transistors AT are formed.例文帳に追加

Ｐウェル１００Ｐは、アクセストランジスタＡＴが形成された半導体領域である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor excellent in stability and reproducibility.例文帳に追加

安定性、再現性に優れたｐ型のIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 特許庁

To provide a zeolite adsorbent excellent in selectivity for the separation of p-xylene.例文帳に追加

ｐ−キシレンの分離のための選択度の優れたゼオライト吸着剤を提供する。 - 特許庁

The insulator is provided in a trench t1 formed so as to extend in the thickness direction of the p-type semiconductor layer from a surface of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記絶縁体は、前記ｐ形半導体層の表面から前記ｐ形半導体層の厚み方向に延びて形成されたトレンチｔ１内に設けられている。 - 特許庁

A tungsten plug 13 is formed in a reduction atmosphere on a P-type substrate 3.例文帳に追加

タングステンプラグ１３は、Ｐ型基板３上に、還元雰囲気中で形成される。 - 特許庁

A groove 14 is formed in a p-type InP cladding layer 12 (a first semiconductor layer).例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（第１の半導体層）に溝１４を形成する。 - 特許庁

A mean pixel calculator 72 calculates a mean value MG (P) of a plurality of pixels existent in a predetermined area centered by a pixel P of interest in a monotone image G.例文帳に追加

平均画素算出部７２は、単色画像Ｇの注目画素Ｐを中心とする所定の領域に存在する複数の画素の値の平均Ｍ_G（Ｐ）を算出する。 - 特許庁