「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type diffusion area 17 is formed in a part of a p well area 9 in which an NMOS (N-channel Metal-Oxide Semiconductor) transistor is formed and a GND power supply wire 16 is formed on the p-type diffusion area 17 so as to be electrically connected.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタが形成されるＰウェル領域９内の一部にはＰ型拡散領域１７が形成され、Ｐ型拡散領域１７上に電気的に接続してＧＮＤ用電源配線１６が形成される。 - 特許庁

The power supplied to the heating body 3 from a power source while recording paper P passes through a nip is set higher when the trailing edge side of the paper P in the carrying direction passes through the nip than when the leading edge side of the paper P in the carrying direction passes through the nip.例文帳に追加

記録紙Ｐのニップ通過中における電源から加熱体３への電力を、記録紙Ｐの搬送方向後端部側のニップ通過時に記録紙Ｐの搬送方向先端部側のニップ通過時よりも大きくする。 - 特許庁

Then, even when the temperature of the coating material P in the secondary side flow passage is made high, the coating material P is returned to the tank 10 in the quantity equivalent to the increase of the temperature to suppress the increase of the pressure of the coating material P.例文帳に追加

したがって、二次側流路２１内の塗料Ｐが高温になっても、その塗料Ｐは温度上昇に伴う体積の増大分だけタンク１０側へ戻ることになり、塗料Ｐの圧力上昇が抑えられる。 - 特許庁

A diode PND2 is formed on a principal surface f1 of a P-type P substrate 1p, and a crystal defect in the P substrate 1p is detected by inspecting an electric characteristic in applying a reverse voltage to the diode PND2.例文帳に追加

Ｐ型のＰ基板１ｐの主面ｆ１上にダイオードＰＮＤ２を形成し、そのダイオードＰＮＤ２に逆方向電圧を印加したときの電気特性を検査することで、Ｐ基板１ｐ内の結晶欠陥を検出する。 - 特許庁

This vacuum seal device maintains vacuum in a hermetic package P with a laminar getter 4 formed in a predetermined portion within the hermetic package P, and the hermetic package P is formed of a part of the device body 1 and packaging substrates 2, 3.例文帳に追加

気密パッケージＰ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部４により気密パッケージＰ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、デバイス本体１の一部とパッケージ用基板２，３とで気密パッケージＰを構成している。 - 特許庁

Moreover, the printer main body part 10 comprises a paper storage part 14 for setting papers P in the vertical direction, a printing means 20 for printing on the papers P, and a stacker part 15 for supporting the printed papers P in the vertical direction.例文帳に追加

また、プリンタ本体部１０には、用紙Ｐを鉛直方向にセットする用紙収納部１４、用紙Ｐに印字する印字手段２０、そして印字された用紙Ｐを鉛直方向に保持するスタッカ部１５などが備えられている。 - 特許庁

The device is provided with a main substrate 11, a pixel areas P arrayed on the main substrate 11, an anode terminal in contact with an anode layer 13a covering the pixel areas P, and a cathode terminal 14 in contact with a cathode layer 18 covering the pixel area P.例文帳に追加

主基板１１と、主基板１１上に配列された画素領域Ｐと、画素領域Ｐを覆う陽極層１３ａに接する陽極端子１３と、画素領域Ｐを覆う陰極に接する陰極端子１４とを備える。 - 特許庁

In this manner, the radiation detector 40 which is made pixelwise is moved around a specimen P in such a way that the center 60a of its effective field of view is matched to the center Po of the specimen P, and a radiation from the specimen P is detected.例文帳に追加

このようにしてピクセルワイズされた放射線検出器４０をその有効視野の中心６０ａが被検体Ｐの中心Ｐｏに合うように被検体Ｐの周囲で移動させ、被検体Ｐからの放射線を検出する。 - 特許庁

The channel portion of the N-channel transistor A is used in common with a P-type drain 7a of the P-channel transistor B, and the channel portion of the P-channel transistor B is used in common with an N-type source 5b of the N-channel transistor A to make the memory cell highly integrable.例文帳に追加

ＮチャネルトランジスタＡのチャネル部とＰチャネルトランジスタＢのＰ型ドレイン７ａとを共用すると共に、ＰチャネルトランジスタＢのチャネル部とＮチャネルトランジスタＡのＮ型ソース５ｂとを共用することによって高集積化する。 - 特許庁

A paper P is heated beyond the temperature of softening point of a binder resin in a heating section 12 after scraping the center area (e) of the paper P by a polishing cloth 22 in exclusion of frame-like areas (a)-(d) of 10 mm ranging from the rim of the paper P.例文帳に追加

用紙Ｐの周縁から１０ｍｍの額縁状の領域（ａ）〜（ｄ）を残して用紙Ｐの中央部（ｅ）を研磨布２２で擦過した後に、用紙Ｐを加熱部１２でバインダー樹脂の軟化点以上に加熱する。 - 特許庁

In the state of binding the mount papers P, respective outer walls 18 are provided in upright to prevent the toppling or the rattling in the facial direction of the mount papers.例文帳に追加

各外壁部１８は、紙葉類Ｐの面方向への移動を規制可能な離間幅を隔てて立設されている。 - 特許庁

In third work, a molded recessed portion 4 is formed in the center at the upper end of the blank P to be recessed in a concentrically circular shape.例文帳に追加

第３次加工でブランクＰの上端部中央を同心円状に凹ませる成型凹部４を形成する。 - 特許庁

In the separation part 30, an N^+ layer 3N, silicon 11, and a P^+ layer 3P are arranged alongside in this order in the X-direction.例文帳に追加

分離部３０には、Ｎ＋層３Ｎ、シリコン１１およびＰ＋層３Ｐが、この順で、Ｘ方向に並んで配置される。 - 特許庁

This stacker 1 for mail has a containing portion 2 that contains mail P collected in an upright position, a backup plate 10 that is in contact with an end of the collected mail P in a stacked direction and that energizes the mail matters P to the stacked direction, and a pushing roller 14 placed at a position in contact with, pushing the other end of the collected mail P.例文帳に追加

郵便物集積装置１は、郵便物Ｐを立位で集積状態にして収容する収容部２、集積した郵便物Ｐの集積方向一端に面接し、郵便物Ｐを集積方向に付勢するバックアッププレート１０、および集積した郵便物Ｐの他端に転接する位置に配置された押し込みローラ１４を有する。 - 特許庁

The straight cover 10 is roughly in the shape of a chevron, where the center in width is lifted up in the longitudinal direction of the rack P, in cross section.例文帳に追加

直線部被覆体１０は、幅員中央部がラックＰの長手方向に沿って持ち上がった断面略山形状を成す。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

In the inkjet printer 1, in recording on recording paper P, the roller 17 is placed in a position away from a conveyance surface 8a, or in a mode for cleaning the roller 17, the following member 20 is pushed down to bring the roller 17 into contact with the recording paper P and press the roller 17 against the recording paper P.例文帳に追加

そして、インクジェットプリンタ１は、記録用紙Ｐへの記録動作中には、ローラ１７を搬送面８ａから離れた位置に位置付け、ローラ１７の清掃モード実行時には、追動部材２０を押し下げて、ローラ１７を記録用紙Ｐに接触させて押し付ける。 - 特許庁

In the portion of each P well 4 sandwiched between one N+ region 13 and the other N+ region 13, a P+ region 5 as a contact region to maintain the P well 4 at a predetermined potential is formed so as to contact the surface of the P well 4.例文帳に追加

一方のＮ+領域１３と他方のＮ+領域１３とによって挟まれたＰウェル４の部分には、Ｐウェル４を所定の電位に固定するためのコンタクト領域としてＰ+領域５が、Ｐウェル４の表面に接触するように形成されている。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

A p^--type silicon layer 13 becoming a p^--type region 12 is formed and n-type impurities are solid-phase diffused from the sidewall of a first trench 22 formed in the p^--type silicon layer 13 into the p^--type silicon layer 13 thus forming an n^--type region 11.例文帳に追加

ｐ^-型領域１２となるｐ^-型シリコン層１３を形成し、ｐ^-型シリコン層１３に形成された第１トレンチ２２の側壁からｐ^-型シリコン層１３にｎ型の不純物を固相拡散することにより、ｎ^-型領域１１を形成している。 - 特許庁

When recording paper P is fed with the feed roller 25 in a curved conveying passage 23 especially under the condition that the stiffness of the recording paper P is strong, the recording paper P is conveyed along a guiding surface 18 under the state that the recording paper P thrusts the guiding surface 18 of a paper guide 110.例文帳に追加

記録用紙Ｐが給紙ローラ２５によって湾曲した搬送路２３内に給紙されると、特に、記録用紙Ｐのこしが強い場合には、記録用紙Ｐは用紙ガイド１１０のガイド面１８を押圧しながら、ガイド面１８に沿って搬送される。 - 特許庁

A fluorine capturing agent is added to a fluorotitanium complex ion-containing aq. soln. mixed with the P-type semiconductor component and the composite film consisting of titanium and the P-type semiconductor is precipitated on the substrate immersed in this aq. soln. to produce a composite film having photocatalytic activity.例文帳に追加

p型半導体成分を混合したフルオロチタン錯イオン含有水溶液にフッ素捕捉剤を添加し、この水溶液に浸漬した基板上に、酸化チタン及びp型半導体からなる複合膜を析出させる、光触媒活性を有する複合膜の製造方法。 - 特許庁

Since a p-type base layer 3 is formed by diffusion on the entire surface of an element portion above a p-type epitaxial layer becoming a p-type pillar layer and then it is divided when a trench 5' is formed and left on the p-type pillar layer 2, diffusion hardly take place in the lateral direction.例文帳に追加

ｐ型ベース層３は、ｐ型ピラー層となるｐ型エピタキシャル層上の素子部全面に拡散により形成させ、その後トレンチ５’の形成時に分断されてｐ型ピラー層２の上に残った層として形成されるため、横方向に殆ど拡散されない。 - 特許庁

Even if the front end of the paper P turns downward, since the conveyor belt 38B on the downstream side has the downward gradient in relation to the conveyor belt 38A on the upstream side according to the angles at which the paper P turns downward, the paper P is naturally conveyed without correcting posture of the Paper P.例文帳に追加

用紙Ｐの先端が下がっても、用紙Ｐの先端を向く角度に応じて、上流側の搬送ベルト３８Ａに対し下流側の搬送ベルト３８Ｂが下り勾配になっているので、用紙Ｐの姿勢を矯正することなく自然に搬送される。 - 特許庁

In conducting printing to the two sheets of printing paper P set on the magazine housing part 2, each sheet of the printing paper P is applied to the carrying roller 75, so that the tip position of each sheet of the printing paper P is arranged, and the printing paper P is carried to the printing part 4.例文帳に追加

マガジン収容部２にセットされた２つのプリントペーパＰに対してプリントを行う場合には、各プリントペーパＰを搬送ローラ７５に当接させることで、各プリントペーパＰの先端位置を揃えた後に、各プリントペーパＰをプリント部４へと搬送する。 - 特許庁

The copper alloy bonding wire for a semiconductor device contains at least one kind of Mg and P in total of 10 to 700 mass ppm, and having a dense layer containing the total density of Mg and P of ten or more times the containing density on the surface of the wire.例文帳に追加

半導体装置用銅合金ボンディングワイヤは、Mg及びPの少なくとも1種を総計で10〜700質量ppmの含有濃度で含有し、ワイヤ表面にMg及びPの総計濃度が前記含有濃度の10倍以上である濃化層を有していることを特徴とする。 - 特許庁

The paper P lying in the processing liquid is horizontally carried, and the leading end of the paper P is guided toward the blade 108 by the 1st guide member 150, then, the paper P passes through between the upper end of the blade 108 and the slit 106, then, the paper P is carried to the adjacent downstream processing tank.例文帳に追加

処理液中のペーパーＰは水平に搬送され、先端が第１のガイド部材１５０によってブレード１０８に向けてガイドされ、ブレード１０８の上端とスリット１０６との間通過して隣接する下流側の処理槽へ搬送される。 - 特許庁

Even if the front end of the paper P turns upward, since the conveyor belt 38B on the downstream side has the upward gradient in relation to the conveyor belt 38A on the upstream side according to the angles at which the paper P turns upward, the paper P is naturally conveyed without correcting posture of the Paper P.例文帳に追加

用紙Ｐの先端が上がっても、用紙Ｐの先端が上を向く角度に応じて、上流側の搬送ベルト３８Ａに対し下流側の搬送ベルト３８Ｂが上り勾配になっているので、用紙Ｐの挙動が安定し、スムーズに搬送される。 - 特許庁

The image forming device also includes a carrying angle changing means 100 for switching a carrying angle of the paper P so as to turn the tip PA of the paper P in the separating direction from the paper ejecting tray 22 when ejecting the paper P and bring the attitude of the paper P closer to the horizontal direction more than when ejecting the paper P when guiding the paper P to the reversal passage 81.例文帳に追加

画像形成装置は、用紙Ｐを排出する場合には用紙Ｐの先端ＰＡを排紙トレイ２２から離れる方向に向け、用紙Ｐを反転経路８１に案内する場合には用紙Ｐの姿勢を排出する場合よりも水平方向に近づけるように用紙Ｐの搬送角度を切り替える搬送角度変更手段１００をさらに備えている。 - 特許庁

The first anti-fuse element and the second anti-fuse element are configured to be simultaneously programmable, and formed in a P-well 130 and a P-well 134 on a substrate 102 respectively, and an N-well 122 and an N-well 124 of an opposite conductivity type isolating the P-well 130 and the P-well 134 mutually are formed between the P-well 130 and P-well 134.例文帳に追加

第１のアンチヒューズ素子および第２のアンチヒューズ素子は、同時にプログラム可能に構成され、第１のアンチヒューズ素子および第２のアンチヒューズ素子は、それぞれ、基板１０２上のＰウェル１３０およびＰウェル１３４に形成され、Ｐウェル１３０とＰウェル１３４との間には、これらを分離する逆導電型のＮウェル１２２やＮウェル１２４が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer in the outermost circumference (portion contacting with a solution in a chip end) is floated thereby, the maximum potential in the chip is imparted to the n-type semiconductor layer in an inner side thereof, and the minimum potential in the sensor chip is imparted to the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

このため、最外周（チップ端で溶液に接する部分）のｐ型半導体層をフローティング、その内側のｎ型半導体層にチップ内の最高電位を与え、ｐ型半導体層にはセンサチップの最低電位を与える。 - 特許庁

In this rotary feeder, a rotary drum 5 with partition chambers 20 is provided in a casing 4, and the casing 4 is provided with a pellet throw-in part 25 for supplying a pellet (p) in the partition chambers 20 and transport pipes 26 for transporting the pellets (p) in the partition chambers 20.例文帳に追加

仕切室２０のある回転ドラム５をケーシング４内に設け、かつ、仕切室２０にペレットｐを供給するペレット投入部２５と、仕切室２０内のペレットｐを輸送する輸送管２６をケーシング４に設けたロータリーフィーダ。 - 特許庁

In a process in which the pipe P is compressed in the axial direction by the shaft pushing cylinders 72 and 73, the movable dies 15 and 16 are moved in the radial direction of the pipe P by the bending cylinder 35 in relation to the moving amount of the end holding tools 70 and 71.例文帳に追加

曲げシリンダ３５は、軸押しシリンダ７２，７３がパイプＰを軸方向に圧縮する過程で、端末保持具７０，７１の移動量に関連して、移動型１５，１６をパイプＰの径方向に移動させるようにしている。 - 特許庁

Further, the play area P can be enlarged because of a constricted part 40 in the rail holder 31.例文帳に追加

レールホルダ（３１）のくびれ部（４０）により遊技領域（Ｐ）を広くすることができる。 - 特許庁

In the drift layer 1 is provided a p+-type buried doped layer 9 with a floating potential.例文帳に追加

そして、ｎ-型ドリフト層１内に、電位の浮いたｐ+型埋め込みドープ層９を設ける。 - 特許庁

An image of the paper P is read out by an image reading means 4 and stored in an image memory 5.例文帳に追加

用紙Ｐ の画像を画像読取手段４で読取って画像メモリ５に記憶する。 - 特許庁

To reduce elliptic addition and subtraction in multiplying an element P on a Z module M by k (is element of Z).例文帳に追加

Ｚ加群Ｍ上の元Ｐをｋ（∈Ｚ）倍する際の楕円加減算を少くする。 - 特許庁

The semiconductor substrate SUB has a primary surface and has p-type regions in its inside.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢは主表面を有し、かつ内部にｐ型領域を有する。 - 特許庁

A diffusion region 7, where p-type impurity is diffused, is formed in the window layer 6.例文帳に追加

窓層６にはｐ型不純物が拡散された拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

Whereby the workpiece can be engraved step by step to a depth P in the Z-axis direction.例文帳に追加

このようにＺ軸方向の深さＰまで１段づつ彫り下げていくものである。 - 特許庁

Gas cavities P in the intermediate 11 are impregnated with a lubricant (a first impregnating process).例文帳に追加

この中間体１１の気孔Ｐに潤滑油を含浸させる（第一の含浸工程）。 - 特許庁

A plurality of files B, C, M and P are cached in a memory by the management units of a file system.例文帳に追加

メモリにファイルシステムの管理単位で複数のファイルＢ、Ｃ、ＭおよびＰをキャッシュする。 - 特許庁

An ECU judges whether a shift lever is in an N position or a P position (step S110).例文帳に追加

ＥＣＵは、シフトレバーがＮ位置又はＰ位置にあるか否かを判定する（ステップＳ１１０）。 - 特許庁