1153万例文収録!

「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

p-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 17764



例文

A period except the one defined as a selection period (S) in the first display area is defined as a pause period (P) and a selection period (S) in the second display area is set in the period defined as the pause period (P) in the first display area.例文帳に追加

第1表示領域で選択期間(S)とした期間を除いた期間を休止期間(P)とし、第2表示領域における選択期間(S)を第1表示領域の休止期間(P)とした期間に設定する。 - 特許庁

The column side brackets 25A are arranged at both sides in the vehicle width direction of the outer column 12b so that a welding object 34a extends in the column axis P direction in the vicinity of a column axis P in the vertical direction of the outer column 12b.例文帳に追加

被溶接部34aがアウタコラム12bの上下方向におけるコラム軸P付近であってコラム軸P方向に延在するように、コラム側ブラケット25Aをアウタコラム12bの車幅方向両側に配置する。 - 特許庁

Air is introduced between the highest sheet and the lower sheet P on the rear end side in the conveying direction of the highest sheet P, and the tightly stuck sheets are released from each other.例文帳に追加

これにより、最上部のシートPの搬送方向の後端側で、下のシートPとの間に空気が侵入して、密着が解除される。 - 特許庁

Furthermore, the shift quantity is preferably selected to half a period (p) of the repetitive pattern in the before- processing image S (0.5×p) as a maximum value.例文帳に追加

また、シフト量の大きさは、処理前画像Sにおける繰り返しパターンの周期の大きさpの半分の大きさ(0.5×p)を最大値とすることが好ましい。 - 特許庁

例文

To provide an advantageous method for smelting a high cleanliness steel of which the amounts of N, S and P in the molten steel are controlled to each about 20 ppm or less N, 9 ppm or less S, and 45 ppm or less P.例文帳に追加

溶鋼中のN、SおよびP量をそれぞれ、〔N〕≦20ppm、〔S〕≦9ppm、〔P〕≦45ppm程度とした高清浄鋼の有利な溶製方法を提案する。 - 特許庁


例文

As a result, a plastic flowing face formed in a state of approximately orthogonal to the rotating axis of the friction jointing tool T crosses the stacking layer face 4 of the members P, P to be jointed.例文帳に追加

この結果、摩擦接合ツールTの回転軸と略直交して形成される塑性流動面は、被接合部材P、Pの積層面4を横切る。 - 特許庁

In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加

(2)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式(i):T=(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having a p-type semiconductor layer in which the activation rate of a p-type impurity element is high, and the specific resistance is low.例文帳に追加

p型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いp型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a case where a thumbnail image group P11 is deleted so as to display only selected image P, residual image erasing processing is executed before the only selected image P is displayed.例文帳に追加

サムネイル画像群P11を消去して選択画像Pのみを表示する場合、選択画像Pのみを表示する前に残像消去処理を行う。 - 特許庁

例文

Products P are bound to a fixing plate 8 by using binding bands 24, and under such a condition, the products P and the fixing plate 8 are contained in a returnable box main body 2.例文帳に追加

結束バンド24を用いて固定板8に製品Pを結束し、この状態で製品Pおよび固定板8を通い箱本体2に収容する。 - 特許庁

例文

To provide a power-on power supply voltage detection circuit that reduces the temperature dependence of a threshold of p-type MOS transistors and variations in the thresholds of the p-type MOS transistors.例文帳に追加

p型MOSトランジスタのしきい値の温度依存性及び、p型MOSトランジスタのしきい値のばらつきを低減するパワーオン電源電位検知回路を提供する。 - 特許庁

The tip holding part 20 is formed in the shape of a loop to move around the tip P2 side of the writing implement P to hold it when the writing implement P is held.例文帳に追加

先端保持部20は、筆記具Pを保持したときに、筆記具Pの先端P2側を回ってこれを保持するループ状に形成されている。 - 特許庁

A plurality of continuous sheet width detecting parts 15-1 to 15-p for detecting the width of the continuous sheet during being conveyed are separately arranged in the conveying path for the continuous sheet.例文帳に追加

搬送中の連続シートの幅を検出する複数の連続シート幅検出部15-1〜15-pを連続シートの搬送経路中に離間して配設する。 - 特許庁

A fermentation tank 2 for a material to be treated P is provided in a building 1 and gas G generated from the material to be treated P is exhausted through an exhaust channel 4.例文帳に追加

建物1内に被処理物Pの発酵槽2を設け、被処理物Pから発生したガスGが排気路4を通して排気されるようにする。 - 特許庁

While compressing the tube p with a jig for pushing shaft 22 in an axial direction, a screw shaft is pressurized by sending fluid into the tube p with pressurizing mechanism 23.例文帳に追加

この管体pを軸押し治具22で軸方向に圧縮しつつ、管体pの内部に加圧機構23により流体を送り込んで加圧する。 - 特許庁

Thereby the moving amount of the head of the driver P toward the center in the vehicle width direction of the vehicle 1 is smaller than the head of any passenger P on the other seats.例文帳に追加

これにより、運転手Pの頭部の、車両1の車幅方向中心側への移動量は、他のシートの乗員Pの頭部よりも小さい。 - 特許庁

The player P is photographed with a camera unit 42, and from the image, the position of the head of the player P is recognized, and on the basis of the result in the recognition, a game is proceeded with.例文帳に追加

カメラユニット42でプレイヤPを撮影し、その画像からプレイヤPの頭部位置を認識し、認識結果に基づいてゲームを進行させる。 - 特許庁

The p-type clad layer 18 has a projecting part 18a, which is salient on the p-side contact layer 19 side in correspondence with the opening 21a of the insulating layer 21.例文帳に追加

p型クラッド層18は、絶縁層21の開口21aに対応してp側コンタクト層19側に突出した突部18aを有している。 - 特許庁

A temperature of a floating gas is changed in the furnace longitudinal direction to apply prescribed temperature history to the flat plate-shaped member P floated and retained by the floating gas.例文帳に追加

浮上用気体の温度を炉長方向に変化させ、浮上用気体により浮上保持された平板状部材Pに所定の温度履歴を付与する。 - 特許庁

A second member 12 has a ring shape centering around the axis P, and faces the first member 11 in a radial direction centering on the axis P.例文帳に追加

第2部材12は軸芯Pを中心としたリング状の形状を有し、軸芯Pを中心とした径方向において第1の部材11と対面する。 - 特許庁

An n-type clad layer 11, an active layer 12, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 14, are formed in this order on a conductive substrate 10.例文帳に追加

導電性の基板10上にn型クラッド層11、活性層12、p型クラッド層13およびp型コンタクト層14がこの順に形成されている。 - 特許庁

A relief valve 60 is opened, when a pressure P in a crank case 28 is 142 kPa or more, to keep the maximum value Pm of the pressure P at 142 kPa or less.例文帳に追加

リリーフ弁60は、クランク室28の圧力Pが142kPa以上になると、開いて、圧力Pの最大値Pmを142kPa以下に保持する。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層508成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にV族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

The inner container 1 accommodating a water-based paint P is accommodated in the outer container 2, and the water-based paint P inside the inner container 1 is pumped and sprayed.例文帳に追加

水性塗料Pを収容した内側容器1を外側容器2に収容し、内側容器1内の水性塗料Pを吸い上げて噴霧する。 - 特許庁

Since a P-N junction is not formed in the lattice defect regions 53 and 54, the parasitic capacity among the N+ region 14 and the P+ regions 15 and 16 is reduced.例文帳に追加

格子欠陥領域53、54にはPN接合が形成されないので、N^+領域14とP^+領域15、16との間の寄生容量が少ない。 - 特許庁

A section being parallel with one side of the glass substrate P is downward curved in a projecting manner to form the lowest part of the glass substrate P and is lowered toward the scanning stage 49.例文帳に追加

ガラス基板Pの一辺と平行な部位をガラス基板Pの最下部となるように下に凸に湾曲させ、走査ステージ49に向かって下降させる。 - 特許庁

Consequently, a recess having a low potential for the holes is formed in the P type carrier blocking layer 4 between the P type base layer 5 and the N- type base layer 3.例文帳に追加

これによりP型ベース層5とN−型ベース層3の間のP型キャリア阻止層4に正孔に対して電位の低い窪み部を形成する。 - 特許庁

A path connecting the p-type body layer 3a and the p-type active layer for body voltage application 6 is arranged in parallel to the crystal orientation <100> of the SOI layer.例文帳に追加

P型ボディ層3aとボディ電圧印加用P型活性層6とを結ぶ経路はSOI層の結晶方位<100>に平行に配置する。 - 特許庁

The computing means corrects the measurement information for the measuring means 43 in accordance with a passing width x of the recording material P to compute the thickness of the recording material P.例文帳に追加

演算手段は、記録材Pの通紙幅xに基づき測定手段43の測定情報を補正することによって、記録材Pの厚みを演算する。 - 特許庁

According to this structure, when the vertical P-type PNP transistor is put in ON operation, a parasitic current flows, mainly through a zone having the P-type diffusion layer 23 formed therein.例文帳に追加

この構造により、縦型PNPトランジスタがオン動作した際に、P型の拡散層23が形成された領域が、主に、寄生電流の経路となる。 - 特許庁

In the device, a current injection is performed into its gain region 30 by a constant-current source 28 via an n-side common electrode 12, and a p-side electrode 24 of the gain region.例文帳に追加

利得領域30には、n側共通電極12と利得領域のp側電極24とを介して定電流源28によって電流注入がなされる。 - 特許庁

An actuator 26 detecting a paper P is provided ahead of a fixing nip formed by a fixing roller 22 and a pressure roller 24, in the conveying direction of the paper P.例文帳に追加

定着ローラ22と加圧ローラ24が形成する定着ニップよりも用紙Pの搬送方向よりも前側に、用紙Pを検出するアクチュエータ26を設ける。 - 特許庁

Plural pins 20 inserted from the lower side into pots of the panel P are freely liftably and lowerably installed in the slide head 9 to move the panel P together with the slide head 9.例文帳に追加

スライドヘッド9にはパネルPのポットへ下側から挿入される複数のピン20を昇降自在に設け、パネルPをスライドヘッド9とともに移動させる。 - 特許庁

Contact members 42 which come into contact with the flanks of the printing plate P are disposed at this insertion tray 1 movably in the transverse direction of the printing plate P.例文帳に追加

また、挿入トレー1には、印刷板Pの側面と当接する当たり部材42が、印刷板Pの幅方向に移動可能に配設されている。 - 特許庁

A reconstruction section 103 reconstructs image data relating to a subject P from magnetic resonance signals emitted out of the subject P in the magnetic field.例文帳に追加

再構成部103は、磁場の中の被検体Pから放射される磁気共鳴信号に基づいて被検体Pに関する画像データを再構成する。 - 特許庁

A light-emitting device 1 comprises p(p is an integer of 3 or more) semiconductor laser elements T provided in parallel with each other, and a control power supply 9.例文帳に追加

互いに並列に設けられたp個(pは3以上の整数)の半導体レーザ素子Tと、制御電源部9とを備えた発光装置1が提供される。 - 特許庁

A P^+ buried layer 29 is formed in all or a part of the zone of the photodiode 12 through a process same as that of a P^+ buried layer 15 for device isolation.例文帳に追加

フォトダイオード12の領域の全部または一部にはP^+埋め込み層29が、素子間分離用のP^+埋め込み層15と同一プロセスで形成される。 - 特許庁

A storage unit 12 stores N pieces of speech data D[1] to D[N] for indicating speech collected at different positions P[1] to P[N] in a space R.例文帳に追加

記憶装置12は、空間R内の相異なる位置P[1]〜P[N]にて収音された音声を示すN個の音声データD[1]〜D[N]を記憶する。 - 特許庁

When the generation of any failure is predicted in a disk 16 (#4) configuring an RAID group 17(P), storage contents of the disk 16 (#4) are copied to the spare disk 16 (SP).例文帳に追加

RAIDグループ17(P)を構成するディスク16(#4)に障害の発生が予測されると、ディスク16(#4)の記憶内容は予備ディスク16(SP)にコピーされる(S1)。 - 特許庁

In the case of releasing the operation of the operation section 9 when the projector P reaches a desired projection angle, the projector P maintains a desired projection angle.例文帳に追加

そして、プロジェクタPが所望の投射角度となったときに操作部9の操作を解除すると、プロジェクタPが所望の投射角度に維持される。 - 特許庁

The product P is hit by an exciting hammer 15, and a vibration generated in the product P due to its hitting is measured by a detecting rod 18 and a vibration sensor 19.例文帳に追加

製品Pを加振ハンマ15で打撃し、それにより当該製品Pに生じた振動を検知棒18及び振動センサ19で測定する。 - 特許庁

The chips 122A to 122D are moved along the central axis P in the state that they are bitten into the workpiece, and the workpiece is planed parallel to the central axis P.例文帳に追加

チップ122A〜122Dをワークに切り込まれた状態で、中心軸Pに沿って移動させ、ワークを中心軸Pに平行に平削り加工する。 - 特許庁

A seal material is arranged in the vertical direction of the wall panel P on the contact plane 10 of the joining part 1 of at least adjacent one wall panel P.例文帳に追加

隣り合う少なくとも一方の壁パネルPにおける接合部1の接合面10には、壁パネルPの上下方向に亙ってシール材2が設けてある。 - 特許庁

A bounce out part 10 which makes the game balls P bounce out within the ball path 30 is provided in the course of the ball path 30 where the game balls P flow down.例文帳に追加

遊技球Pを流下させる球通路30の途中に、球通路30の内部において遊技球Pを飛び出させる飛出部10を設ける。 - 特許庁

Using the arranging reference line P as the reference, the folded-up body 12 is shaped in line symmetry so that the two ends 3a and 3b approach the arranging reference line P.例文帳に追加

折り完了体12が、配置基準線Pを基準として、両端3a・3b側を、配置基準線Pに接近させるように、線対称形とされる。 - 特許庁

Once a detection sensor S1 detects a sheet P, a motor is driven to start moving an abutting member 300 downstream in a conveying direction of the sheet P.例文帳に追加

用紙Pが検知センサS1によって検知されると、モータが駆動され用紙Pの搬送方向下流側への突き当て部材300の移動が開始される。 - 特許庁

The analog circuit is provided with a p-type well 107, and n-type wells 109a, 109b provided in the element forming surface side of the p-type Si substrate 101.例文帳に追加

アナログ回路は、p型Si基板101の素子形成面側に設けられている、p型ウェル107、n型ウェル109a、109bを備える。 - 特許庁

In response to the high-output, a P-channel FET 151a of a high-side amplification circuit 150a and a P-channel FET 151b of a low-side amplification circuit 150b are turned off.例文帳に追加

それに応じて、ハイサイド増幅回路150aのPチャネルFET151aとローサイド増幅回路150bのPチャネルFET151bはオフとなる。 - 特許庁

The trench GRV is made, after p-n junction of the photodiodes PD1, PD2 is formed so as to traverse the p-n junction in the thickness direction.例文帳に追加

トレンチ溝GRVは、ホトダイオードPD1,PD2におけるpn接合の形成後に、このpn接合を厚み方向に横断するように形成されている。 - 特許庁

例文

Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.例文帳に追加

このため、保護ダイオード1におけるpn接合は、上記p+型拡散領域16の側面と、上記n+型拡散領域4aとで構成される。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS