「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

By rotating the plurality of blades 5 through each corresponding path P, air for cooling is forced to be fed in each path P, so that air for cooling can be passed through each path P.例文帳に追加

複数の羽根５がそれぞれ対応する通路Ｐを通って回転することにより各通路Ｐに冷却用空気が強制的に送り込まれ、これにより、それぞれの通路Ｐに冷却用空気を流すことができる。 - 特許庁

A positioning tool 1 is attached to the oil pan P and largely projected from the oil pan P, thereby it is possible to arrange the oil pan P in the predetermined position of the cylinder block B while being guided by the positioning tool 1.例文帳に追加

位置決め治具１をオイルパンＰに取り付け、位置決め治具１をオイルパンＰから大きく突出させることで、位置決め治具１でガイドしながらオイルパンＰをシリンダブロックＢの所定位置に配置することができる。 - 特許庁

The method for separating p-cresol comprises supplying the mixed cresol containing p-cresol in gas phase to a material supply side of the separation membrane composed of zeolite, and recovering p-cresol at the permeating and recovering side of the separation membrane.例文帳に追加

ｐ−クレゾールを含む混合クレゾールを、気相流体においてゼオライトから構成された分離膜の原料供給側に供給し、該分離膜の回収側に透過回収することによってｐ−クレゾールを分離する。 - 特許庁

A nonwoven fabric of p-phenylene diphenyletherterephthalamide fibers (or mixed nonwoven fabric of poly-p phenylene terephthalamide fibers and poly-p phenylene diphenyletherterephthalamide fibers) is used in the insulation layer being built up on the core material printed wiring board.例文帳に追加

芯材プリント配線板にビルドアップする絶縁層にはｐ−フェニレンジフェニルエーテルテレフタルアミド繊維不織布（又は、ポリｐ−フェニレンテレフタルアミド繊維とポリｐ−フェニレンジフェニルエーテルテレフタルアミド繊維の混抄不織布）を使用する。 - 特許庁

The method for separating p-cymene comprises supplying the mixed cymene containing p-cymene in gas phase to a material supply side of the separation membrane composed of zeolite, and recovering p-cymene at the permeating and recovering side of the separation membrane.例文帳に追加

ｐ−シメンを含む混合シメンを、気相流体においてゼオライトから構成された分離膜の原料供給側に供給し、該分離膜の回収側に透過回収することでｐ−シメンを分離する。 - 特許庁

When it is assumed that a feeding amount of a hub 8 in regard to its diameter direction of a turning tool per one rotation of the hub 8 is defined as (p), a fixing surface 27 is turned under a condition of p≤0.3mm, more preferably a condition of p≤0.2mm.例文帳に追加

ハブ８の１回転当たりの旋削工具の、このハブ８の径方向に関する送り量をｐとした場合に、取付面２７を、ｐ≦０．３mm、より好ましくはｐ≦０．２mmの条件下で旋削加工したものとする。 - 特許庁

In the composition, the water content W to a ratio P/B of content P of PDA to content B of BIT is set so as to become a range represented by formula (1): W≥-58.1(P/B)+79.例文帳に追加

好ましくは、水の含有割合Ｗを、ＢＩＴの含有割合Ｂに対するＰＤＡの含有割合Ｐの比Ｐ／Ｂに対して、式（１）：Ｗ≧−５８．１（Ｐ／Ｂ）＋７９ …（１）で示される範囲となるように設定する。 - 特許庁

Thereafter, inclined belts 520 and 521 suck the paper P through the suction duct 53, and deliver the paper P from the reversing position in an inclined direction P2 while bringing a side edge Pa of the paper P into contact with a side surface regulating plate 54.例文帳に追加

その後、斜行ベルト５２０,５２１は吸引ダクト５３により用紙Ｐを吸着して、反転位置から用紙Ｐの側端部Ｐａを側面規制板５４に当接させながら該用紙Ｐを斜め方向Ｐ２送り出す。 - 特許庁

Further, a p-type layer 12 is provided with a high-resistance surface 12sr so as to eliminate ohmic contact between a "p" contact electrode 121 and a p-type layer 12 below the large-area portion 130p and in a region wider than it.例文帳に追加

更には大面積部１３０ｐの下方とそれよりも広い領域においてｐコンタクト電極１２１とｐ型層１２のオーミック接触を排除するため、ｐ型層１２に高抵抗面１２ｓｒを設けておく。 - 特許庁

The weather resistance of the welding material is improved by satisfying [Ni]+[Cu]+3[Mo]≥1.2% and the selective corrosion in the welded part is prevented by satisfying ([Ni]+[Cu]+3[Mo])/([Ni]p+[Cu]p+3[Mo]p)≥1.05.例文帳に追加

溶接材料の耐候性を〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕≧１．２％となるようにし向上させ、溶接部の選択腐食を(〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕)／(〔Ｎｉ〕_p＋〔Ｃｕ〕_p＋３〔Ｍｏ〕_p)≧１．０５となるようにし、防止する。 - 特許庁

The loop cable 42 is installed inside the floor cushion 4 in a loop shape in such a way as encircling a position P where a person with difficulty in hearing is seated.例文帳に追加

ループケーブル４２は、座布団４の内部に、難聴者が着席する位置Ｐを囲むようにループ状に設置されている。 - 特許庁

The flow path 30A is unevenly distributed in a plane view, in a fixed pattern area P where a fixed pattern is displayed, in a display area A.例文帳に追加

流路３０Aは、表示領域Ａのうち固定パターンが表示される固定パターン領域Ｐ内に平面視で偏在する。 - 特許庁

A pocket groove P is formed in a drum-type star wheel 51 along an axis line, and provided in a closed chamber 30 in a horizontally rotatable manner.例文帳に追加

ドラム型スターホイル５１にポケット溝Ｐを軸線に沿って形成し、密閉チャンバ３０内に水平に回転自在に設けた。 - 特許庁

The shift lock member B is movable to the locking position only in a condition in which the shift stopper 7 is engaged with the detent part 32 in the P range.例文帳に追加

Ｐレンジでディテント部３２にシフトストッパ７が係合した状態でのみシフトロック部材Ｂをロック位置へ移動可能とする。 - 特許庁

In a step 2, among data packets belonging to the data packet group, (p) non-transmitted data packets are transmitted in parallel at a maximum in the order of generation.例文帳に追加

ステップ２は、データパケット群に属するデータパケットのうち、生成順に最大ｐ個の未送信データパケットを並列送信する。 - 特許庁

In the running-in operation, the chain 1 is loaded with such tension P that stress exceeding an elastic limit is generated in the links 2.例文帳に追加

慣らし運転のとき、チェーン１には、リンク２に弾性限度を超える応力が発生するような張力Ｐが負荷される。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

The sheet P is prevented from being sucked to drop in the ink mist suction hole 25 formed in preparation for frameless printing in the platen 22.例文帳に追加

プラテン２２に縁なし印刷に備えて設けたインクミスト吸引孔２５にシートＰが吸い込まれて落ち込むのを防止する。 - 特許庁

In consequence of the above structure, the transfer image is prevented from turbulence even in the case when the trailing end of the paper sheet P rampages at a step in the vicinity of the photoreceptor 1.例文帳に追加

この構成により、感光体１近傍の段差で用紙Ｐの後端が暴れても転写画像が乱れない。 - 特許庁

A paper discharge guide plate 3 is curved in the orthogonal direction to the direction of conveyance of a sheet P when approaching a discharge port 7 side, and the sheet P is curved so that it protrudes upward for a sheet loading part 6 in order to give the stiffness of the sheet P and discharge it.例文帳に追加

排紙ガイド板３は、排出口７側へ向かうに連れてシートＰの搬送方向と直交方向に湾曲し、シート積載部６に対して上方に凸となるようにシートＰを湾曲させてコシを持たせて排出できる。 - 特許庁

In addition, the p-type cladding layer 26 is composed of at least two layers where the composition is mutually different in a layer thickness direction, and a first p-type cladding layer 20 positioned near the active layer 17 has a lower refractive index than a second p-type cladding layer 21.例文帳に追加

さらに、ｐ型クラッド層２６は層厚方向に互いに組成が異なる２層以上から構成され、活性層１７に近い第１のｐ型クラッド層２０が、より遠い第２のｐ型クラッド層２１に比べて低い屈折率を有する。 - 特許庁

Subjects in adjacent rectangular images P in the time elapse manner are regarded as almost the same, and the imaging condition of the rectangular image P for the next imaging is decided from the rectangular image P which is photographed this time.例文帳に追加

本発明によれば、撮影時期が経時的に隣接する短冊画像Ｐに写りこむ被検体像は、ほぼ同様であるものと見なして今回撮影された短冊画像Ｐから次回撮影される短冊画像Ｐの撮影条件を決定する。 - 特許庁

Then the p-type well diffusion region 11 of the protection element 41 included in the electrostatic protection circuit 2 is configured to have higher p-type impurity density than the p-type well diffusion region 4 of the NMOS transistor 31 included in the internal circuit 1.例文帳に追加

そして、静電気保護回路２に含まれる保護素子４１のｐ型ウェル拡散領域１１が、内部回路１に含まれるＮＭＯＳトランジスタ３１のｐ型ウェル拡散領域４よりもｐ型不純物濃度が高くなるように構成されている。 - 特許庁

A reversal conveyance part 50 conveys a sheet P along a reversal conveyance path, and rotates the sheet P around a rotation shaft that is in parallel with a main conveyance path in a sheet conveyance direction FD1, and thereby reversing both sides of the sheet P.例文帳に追加

反転搬送部５０は、反転搬送経路に沿って用紙Ｐを搬送し、主搬送経路における用紙搬送方向ＦＤ１と平行な回転軸を中心として用紙Ｐを回転させることにより、用紙Ｐの表裏を反転させる。 - 特許庁

Crushed pieces P charged in a treatment tank 3 are stirred by a rotary member 7 to be raised in temp. by the mutual friction or collision of the crushed pieces P or the friction and collision of the crushed pieces with the inner wall of the treatment tank to peel the coating films on the surfaces of the crushed pieces P.例文帳に追加

処理槽３内に投入された粉砕片Ｐを回転部材７にて撹拌して、粉砕片Ｐ，Ｐ同士もしくは槽内壁との摩擦や衝突によって昇温させて、粉砕片Ｐの表面の塗膜を剥離させる。 - 特許庁

In a semiconductor device, n-channel MOS transistor UT21 and UT22 are constituted by respectively forming n+-type auxiliary source regions 6a and 6b in a p-type base area 4 and a p+-type drain region 5 which are the source region of a p-channel MOS transistor constituted as a second unipolar transistor.例文帳に追加

第二のユニポーラトランジスタであるｐチャネルＭＯＳトランジスタのソース領域であるｐベース領域４とｐ^+ ドレイン領域５内にそれぞれｎ^^+ 補助ソース領域６ａ、６ｂを形成し、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＵＴ２１、ＵＴ２２を構成する。 - 特許庁

The control part 10 accumulates, when the identification part 5 identifies the bill P to be a desired bill, the bill P in the pocket 6-1 to 6-4 corresponding to the denomination thereof, and accumulates the bill P in the reject pocket 6-5 when it is an unnecessary bill.例文帳に追加

制御部１０は、識別部５が、紙幣Ｐが所望券であるか否かを識別したときに、紙幣Ｐを金種に対応したポケット６−１〜６−４に集積させ、不用券である場合には、リジェクトポケット６−５に集積させる制御を行う。 - 特許庁

Mammary gland contents of respective mammographic pictures P are calculated, the mammographic pictures P are rearranged in order of the mammary gland content of the respective mammographic pictures, and the mammographic pictures P are displayed in rearranged order.例文帳に追加

乳房放射線画像Ｐそれぞれの乳腺の含有率を算出し、各乳房放射線画像の乳腺の含有率の順に乳房放射線画像Ｐを並び替て、並び換えた順に従って乳房放射線画像Ｐを表示する。 - 特許庁

A solder alloy containing 60 to 100 mass ppm P is fed to an Sn-Ag based or Sn-Ag-Cu based solder alloy for replenishing a solder bath against the reduction of a P content in the solder bath occurring in the process of the working of a jet, and the P content is retained.例文帳に追加

噴流稼働中に見られるはんだ浴内のＰ含有量の減少に対して、はんだ浴補充用にSn−Ag系またはSn−Ag−Cu系はんだ合金にＰ60〜100 質量ppm含有するはんだ合金を供給してＰ含有量の維持を図る。 - 特許庁

The surface layer of an n^--type drift layer located below a recess 20 in a p-type RESURF layer 21 is connected, by migration of SiC, to a part formed on the surface layer of a p-type base region 3 in the p-type RESURF layer 21.例文帳に追加

ＳｉＣのマイグレーションによってｐ型リサーフ層２１のうち凹部２０の下方に位置するｎ^-型ドリフト層２の表層部と、ｐ型リサーフ層２１のうちｐ型ベース領域３の表層部に形成された部分とが接続されるようにする。 - 特許庁

Herein part of the horizontal members 12 support panel members P in a rotatable manner, and therefore by rotating the panel members P outward, an expanded working space S4 is temporarily formed in an inner area defined by the panel members P.例文帳に追加

一部の横架材１２には、パネル材Ｐが回転可能な状態で支持されており、当該パネル材Ｐを外側に回転移動させることにより、パネル材Ｐの内側領域に、拡張されたワーキングスペースＳ４を一時的に形成することができる。 - 特許庁

Meanwhile, the recording paper P which is influenced by the electrostatic force and the frictional force comparatively little such as the recording paper P which is large in thickness or the recording paper P which is small in size is ejected at low speed, so that the stacking performance after paper delivery is restrained from being spoiled.例文帳に追加

一方、厚さが厚い記録用紙Ｐやサイズが小さい記録用紙Ｐなど、静電気力や摩擦力の影響が比較的小さい記録用紙Ｐについては、低速で排紙されるので、排紙後のスタック性が損なわれることが抑制される。 - 特許庁

The foreign matter P in the obverse B1 side of the specimen B detected at the time of the obverse image-picking up of the specimen B is compared with the foreign matter P detected at the time of the reverse image-picking up of the specimen B to detect the foreign matter P in the reverse B2 side of the specimen B.例文帳に追加

被検査物Ｂの表面撮像時に検出された被検査物Ｂの表面B1側の異物Ｐと被検査物Ｂの裏面撮像時に検出された異物Ｐとを比較して、被検査物Ｂの裏面B2側の異物Ｐを検出する。 - 特許庁

The distance (interline) between an edge part p in a longitudinal direction of each F electrode 121 (an electrode P) and an edge part q in the longitudinal direction of an adjacent F electrode 121 (an electrode Q) and nearer to the electrode P is 4 μm or shorter.例文帳に追加

それぞれのＦ電極１２１（電極Ｐ）の長手方向に沿う縁部ｐと、隣接するＦ電極１２１（電極Ｑ）の長手方向に沿う縁部であって電極Ｐに近い側の縁部ｑとの間の距離（線間）は、４μｍ以下である。 - 特許庁

When post processing is included in an interrupted job (S23), the number of sheets p printed normally up to the interruption is compared with a threshold p0 (S24), and when p > p0, "post processing: YES" is changed to "post processing: NO" (S26), and in the other case, p =0 is set (S25).例文帳に追加

中断したジョブに後処理が含まれていれば（Ｓ２３）、中断時までに正常に印刷された枚数ｐと閾値ｐ０とを比較し（Ｓ２４）、ｐ＞ｐ０であれば「後処理有」を「後処理無」に変更し（Ｓ２６）、そうでなければｐ＝０とする（Ｓ２５）。 - 特許庁

Thus, whether or not the document P stacked on a document tray 101 is in the bound state is precisely determined in either the case where the document P has a bound part using a staple or a clip or the like, or the case where the document P is bound by gluing or using a non-magnetic binding tool.例文帳に追加

これにより、原稿トレイ１０１に積載された原稿Ｐがステイプル、クリップ等による綴じ部のある場合、糊付けや非磁性の綴じ具で綴じられている場合のいずれであっても、綴じ状態の有無を的確に判断することができる。 - 特許庁

The P-type of input protective circuit forming part 3 is provided in an N-type of well 216 formed in the silicon substrate 1, and the P-type of input protective circuit forming part 3 is PN-separated from the P-type of input circuit forming part 2.例文帳に追加

そして、Ｐ型入力保護回路形成部３を、シリコン基板１に形成されたＮ型ウェル２１６内に設け、Ｐ型入力保護回路形成部３を、Ｐ型入力回路形成部２からＰＮ分離したことを特徴としている。 - 特許庁

Each of the detection devices 11 and 12 is capable of detecting a superposed state of the sheet P, detecting a conveyance state in a bending direction of paper sheet P by detection timing and detecting also the conveyance state in the superposed direction of the paper sheet P.例文帳に追加

検知器１１、１２は枚葉紙Ｐの重なり状態を検知可能であり、検知のタイミングにより枚葉紙Ｐの曲がり方向における搬送状態を検知し、かつ枚葉紙Ｐの重なり方向における搬送状態も検知可能になっている。 - 特許庁

At this point, rear ends of driving bolts 21 and 23 joined to the expander chuck body 10 and additionally fastened in sequence in the conduit materials P per each conduit material P are detachably fixed via a driving disc 25 at rear end openings of the conduit materials P to be connected.例文帳に追加

このときエキスパンダーチャック体１０に連繋して、管路材Ｐ毎に管路材Ｐ内で順次に追加締結する押込ボルト２１，２３の後端を、連結する管路材Ｐの後端開口部で押込盤２５を介して着脱自在に固定する。 - 特許庁

The correction method of a cutter blade forcing pressure of a resin underwater cutting device is to achieve an optimal cutting operation in compliance with a change in the molten resin pressure (P), by changing a bias value (B) through detecting the internal molten resin pressure (P) of a die (3) and controlling the forcing pressure (Po) of the cutter drive shaft (12).例文帳に追加

本発明による樹脂水中カッティング装置におけるカッター刃押し付け圧の補正方法は、ダイス(3)内側の溶融樹脂圧力(P)を検出してバイアス値(B)を変更し、カッター駆動軸(12)の押し付け圧(Po)を制御することにより、溶融樹脂圧力(P)の変化に応じて最適のカッティング動作を得ることができる方法である。 - 特許庁

A p-type body region is formed to be adjacent to the gate trench without contacting therewith, in a position deeper than the gate trench, the gate trench hexagonally surround it around the p-type body region as the center, in top view, and a side face of the gate trench is constituted of only {11-20} face of the silicon carbide.例文帳に追加

前記ゲートトレンチと隣接しかつ接触せずにp型ボディー領域が、前記ゲートトレンチよりも深い位置に形成され、かつ、上面からみたときにこのp型ボディー領域を中心として、前記ゲートトレンチが六角形の形を有して取り囲んでおり、前記ゲートトレンチの側面は炭化珪素の{11-20}面のみにより構成されている。 - 特許庁

In a power MOSFET, having a p+-type embedded layer 9 in an n--type drift layer 1, a p+-type carrier injection layer 10 connected to a second gate electrode 11 is formed at the side of a p-type base layer 4 to inject holes into the n--type drift layer 1 from the p+-type carrier injection layer 10 at turning on.例文帳に追加

ｎ−型ドリフト層１中にｐ＋型埋込み層９を有するパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ｐ型ベース層４の側方に第２のゲート電極１１に接続されたｐ＋型キャリア注入層１０を設け、ターンオン動作時にｐ＋型キャリア注入層１０からホール（正孔）をｎ−型ドリフト層１中に注入する。 - 特許庁

When a motion predicting and compensating part 24 needs the predictive image P of a prescribed part in a reference frame and has to read image data from an interpolated image buffer 101 for the predictive image P, the motion predicting and compensating part 24 reads data of an area P' corresponding to the predictive image P from the image data stored in the interpolated image buffer 101.例文帳に追加

動き予測・補償部２４が、参照フレーム内の所定の部分の予測画像Ｐを必要とし、そのために補間画像バッファ１０１から画像データを読み出す必要がある場合、補間画像バッファ１０１に記憶されている画像データから、予測画像Ｐに対応した領域Ｐ’のデータを読み出す。 - 特許庁

In the case of storing a file C in the distributed shared memory 1 of the providers P, the requester R distributes an empty slot notification request to the providers P, and when receiving a slot notification response from the providers P, the requester R transmits the file C to the distributed shared memory 1 of the providers P which has distributed the slot notification response.例文帳に追加

リクエスタＲがプロバイダＰの分散型共有メモリ１にファイルＣを格納させたい場合、プロバイダＰに空きスロット通知リクエストを配信して、プロバイダＰからスロット通知レスポンスを受信すると、スロット通知レスポンスを配信したプロバイダＰの分散型共有メモリ１にファイルＣを送信する。 - 特許庁

Boron with a dose of 5×1014 cm-2 to 1016 cm12 is selectively ion implanted in a non-doped polysilicon wiring, p+Poly 16 (p+ polysilicon) which is p-type diode and p+ layer 15 are simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

ノンドープのポリシリコン配線に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＢ（ボロン）を選択的にイオン注入して、同時にｐ^+ 層１５とｐ型ダイオードになるｐ^+ Ｐｏｌｙ１６（ｐ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入する箇所のポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁