「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

As result, when the support plate is moved in the direction shown by the arrow D, recording paper P is cut and, when the support plate 108 is moved in the direction shown by the arrow C, a perforation is formed to the recording paper P.例文帳に追加

この結果、支持板１０８が矢印Ｄ方向に移動したときには記録紙Ｐが切断され、矢印Ｃ方向に移動したときに記録紙Ｐにミシン目が形成される。 - 特許庁

To provide a non-cyanide electroless gold-plating solution which is excellent in solution stability, and can perform a plating without impairing a substrate even when the substrate is composed of an Ni-P plated metal layer of phosphate medium in concentration.例文帳に追加

液安定性に優れ、また中リン濃度のNi-Pめっき金属層からなる下地であっても該下地を荒らすことなくめっきが行える非シアン無電解金めっき液を提供する。 - 特許庁

This funnel is fitted in the auxiliary member 4 which is detachably fitted on the mouth section of the PET bottle P, and at the same time, on the funnel, a guide port 2 which can be inserted in the mouth section of the PET bottle P is provided.例文帳に追加

ペットボトルＰの口部に着脱自在に装着した補助部材４に嵌合すると共に、ペットボトルＰの口部内に挿入可能な案内孔２を設けた漏斗とした。 - 特許庁

A separate implantation step is done in a zone surrounding the high voltage p++/n- well junction, in order to acquire a p- type implant region adjacent to the junction.例文帳に追加

接合部周辺のｐ^−タイプのインプラント領域を得るために、別の注入ステップが、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を取り囲んでいるゾーンにおいて行われることを特徴とする。 - 特許庁

The Fin FET diode structure is formed by driving a P+dopant in a primary side of a diffused fin and an N+dopant in a secondary side to give a P+N+diode structure.例文帳に追加

Ｆｉｎ ＦＥＴダイオード構造は、拡散フィンの第１側にＰ＋ドーパントを、第２側にＮ＋ドーパントを打ち込んで、Ｐ＋Ｎ＋ダイオード構造を与えることによって形成される。 - 特許庁

A Ni-P or Ni-P system plated film is formed by electroless plating in the fuel feed pump in the cylinder direct fuel injection device having aluminum or aluminum alloy.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金を有する筒内直接燃料噴出装置における燃料ポンプに、無電解によりＮｉ−Ｐ或いはＮｉ−Ｐ系のめっき被膜を形成する。 - 特許庁

The underground radar apparatus has a plurality of directional antennas AT1, AT2, AT3 and AT4 set via an almost equal distance in the periphery of side faces in the vicinity of the leading end of the underground excavator P.例文帳に追加

そして、この地中レーダ装置は、地中掘削機(P) の先端近傍において側面のまわりにほぼ等間隔で取付けられる複数の指向性アンテナ(AT1,AT2,AT3,AT4) を備えている。 - 特許庁

In an n-type first semiconductor region nw1 formed on a main surface of a p-type semiconductor substrate 1, a plurality of p-type second semiconductor regions pw1 are arranged in an array form.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１の主面に形成されたｎ型の第１半導体領域ｎｗ１内にはｐ型の複数の第２半導体領域ｐｗ１がアレイ配置されている。 - 特許庁

The electric flaring machine for performing flaring work in the end part of the pipe P is constituted by pressing the rotating eccentric cone 19 to the opening part in the end part of the pipe P fixed to the clamp device 6.例文帳に追加

該クランプ装置６に固定したパイプＰ端部の開口部に回転する偏芯コーン１９を押圧することでパイプＰ端部にフレア加工する電動フレア加工機を構成する。 - 特許庁

The door pocket 31 constrains the waist part L of the passenger P in a rear part of the pelvis 111 around the ilium 121 in a build of the passenger P sitting on the vehicle seat 11.例文帳に追加

ドアポケット３１は、車両のシート１１に着座する乗員Ｐの骨格において、腸骨１２１を中心とした骨盤１１１の後部で該乗員Ｐの腰部Ｌを拘束する。 - 特許庁

An anion exchange membrane 5 may be used as a diaphragm P, and chloride ions contained in the wastewater in the cathode side treatment process may be moved to the anode side 3 and reduced.例文帳に追加

前記隔膜Pとしてアニオン交換膜５を用い、陰極側処理工程で排水中に含有される塩化物イオンを陽極側３へと移動させて低減するようにしてもよい。 - 特許庁

While Mg is used as a p-type impurity in the p-type nitride semiconductor layer in the nitride semiconductor crystal layer 2, (TMAl)_2DMMg is used as the dopant material for Mg.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２中のｐ型窒化物半導体層のｐ型不純物にはＭｇを用いるが、そのＭｇのドーパント材料として（ＴＭＡｌ）_２ＤＭＭｇを使用する。 - 特許庁

To provide a novel 2,6 di-substituted primary p-phenylene diamine to use in a composition for oxidation dyeing of a keratin fiber or in the oxidation dyeing method using the composition.例文帳に追加

ケラチン繊維を、酸化染色するための組成物において使用し、また該組成物を使用する酸化染色法で使用する、新規な2,6-ジ-置換一級p-フェニレンジアミンを提供する。 - 特許庁

The term, shiso can be generically used as 'shiso in the broad sense,' or 'shiso in the narrow sense' for chirimen-jiso, P. frutescens var. crispa f. crispa, which is a basic species, and aka-jiso, P. frutescens var. crispa f. purpurea, which is a typical species. 例文帳に追加

それらの総称「広義のシソ」として用いる場合と、基本品種であるP.frutescensvar.crispaf.crispa（チリメンジソ）や代表的な品種であるアカジソP.frutescensvar.crispaf.purpureaを「狭義のシソ」として用いる場合がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Structure in which the N type layers 2 and the P type layers 3 are repeatedly arranged by further making a region sandwiched between the P type layers 3 in the N-type substrate 10 be the N type layer 2.例文帳に追加

また、Ｎ型基板１０のうち各Ｐ型層３に挟まれた領域をＮ型層２とすることで、当該Ｎ型層２とＰ型層３とが繰り返し配置された構造を形成する。 - 特許庁

Details are as follows: P+ diffusion regions are formed at two boundary parts of the bird's beak parts of the field oxide film and the P well diffusion layer in the N+ diffusion layer (source) in an NMOS.例文帳に追加

詳しくは、ＮＭＯＳに、フィールド酸化膜のバーズビーク部であり、且つ、Ｎ＋拡散層（ソース）におけるＰウェル拡散層との２ヵ所の境界部にＰ＋拡散領域を形成する。 - 特許庁

In a transistor part 10a, a junction capacity of a p-n junction between a p-type base layer 4 and the emitter layer 51 is limited to a low level, to prevent a decrease in high-frequency characteristics.例文帳に追加

トランジスタ部１０ａでは、ｐ型ベース層４とエミッタ層５１との間に形成されるｐｎ接合の接合容量は低く抑られ、高周波特性の劣化が防止される。 - 特許庁

Budgetary support will be provided in fiscal 2012 for initiatives including the formation of industrial agglomerations in growth industries and the development of equipment, facilities, and human resources for the purpose of revitalization. (Continuation) (See p. 209.) 例文帳に追加

平成24 年度の予算措置としては、成長産業における産業集積の形成及び活性化のための施設等整備・人材育成等の取組を支援する。（継続）（p.215参照） - 経済産業省

The recording medium cassette includes: a cassette body which stores paper P in the standing posture, and whose one surface functions as a holding surface 61 for the paper P fed out from a stored state and subjected to recording; and a holder 63 which is provided on the holding surface 61 of the cassette body to freely extend in a paper P feeding direction, and holds the paper P in the standing posture.例文帳に追加

用紙Ｐを起立姿勢で収容すると共に、１の面が、収容状態から送り出されて記録が行われた用紙Ｐの保持面６１として機能するカセット本体と、カセット本体の保持面６１に、用紙Ｐの送り方向に延在自在に設けられ、用紙Ｐを起立姿勢に保持するホルダー６３と、を備えた。 - 特許庁

Virtual speakers 151L and 151R are placed in front of the listening position P in generally bilateral symmetry such that they form a center angle centering the listening position P which is greater than another center angle formed by speaker 112L and 112R, and they are closer to the listening position P than the speakers 112L and 112R in the back and forth direction of the position P.例文帳に追加

仮想スピーカ１５１Ｌ，１５１Ｒは、リスニング位置Ｐを中心とする中心角がスピーカ１１２Ｌとスピーカ１１２Ｒにより形成される中心角より大きく、かつ、リスニング位置Ｐの前後方向においてスピーカ１１２Ｌおよびスピーカ１１２Ｒよりリスニング位置Ｐに近くなるようにリスニング位置Ｐの前に略左右対称に配置されている。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6, and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7, thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型半導体層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型半導体層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6 and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7 thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子のｐ型層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。 - 特許庁

The element is constituted by using the p-type GaN semiconductor layer, in which a region where hydrogen is made to remain in a p-type GaN compound semiconductor layer (p-type layer) profundal part, resistance is made high exists inside, and a region formed of a nonstoichiometric composition is installed in a surface layer.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層（ｐ型層）深底部に水素を残留させて、高抵抗となした領域を内在し、且つ表層部に非化学量論的な組成からなる領域を設けたｐ型ＧａＮ系半導体層を用いて素子を構成する。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるｐ型シリコン層中のｐ型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。 - 特許庁

A p-partition region of the transition part 22 is made different in shape of a p-partition region from the active part 21 and terminal part 23, and charge balance is made between p-partition regions 4a, 4b and 4c of the active part 21, transition part 22 and termination part 23, and n-drift region 3, in order to prevent a decrease in breakdown voltage.例文帳に追加

活性部２１および終端部２３に対して遷移部２２のｐ仕切り領域の形状を変え、活性部２１、遷移部２２および終端部２３の各ｐ仕切り領域４ａ、４ｂ、４ｃとｎドリフト領域３とでチャージバランスをとることで、耐圧低下の防止を図る。 - 特許庁

The method for greening the rooftop comprises each culturing the plant P in the containers 1, transporting a plurality of containers 1 in which the cultured plants P are each housed to the rooftop 100 which is an installation place, laying containers 1 in which the plants P are each housed on the rooftop 100 to carry out greening.例文帳に追加

屋上の緑化方法は、容器１の中で植物Ｐを栽培し、栽培後、栽培した植物Ｐを収納した容器１を施工場所である屋上100 へ複数運搬し、植物Ｐを収納した容器１を屋上100 に敷き詰めてを緑化させるものである。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element, a metal which is in ohmic contact with an n-type nitride semiconductor is used in a p-side electrode for injecting hole to a p-type nitride semiconductor layer, and a contact layer forming the p-side electrode is formed of an n-type nitride semiconductor.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層に正孔を注入するためのｐ側電極に、ｎ型窒化物半導体とオーミック接触する金属を用いるとともに、かかるｐ側電極を形成するコンタクト層をｎ型窒化物半導体で形成する。 - 特許庁

In this case, a paper discharge control is performed in consideration of whether the roll paper P in the conveyance path 20 has been already printed, whether the roll paper P has a printable length when not printed, and whether the end paper generated when the printed roll paper P was cut by the downstream cutter 14 by a prescribed length can be discharged.例文帳に追加

その際、搬送路２０中のロール紙Ｐが印字済みか否か、印字済みでなければ印字可能な長さがあるか、印字したロール紙Ｐを下流側カッタ１４で所定長さにカットしたとき、端切れの紙が排出可能か否か、等を考慮して排紙制御を行う。 - 特許庁

The abrasive tool 1 includes: a rotary shaft 2 rotating around a shaft core P; and abrasive teeth 3 formed so that a plurality of base ends 3a are continuously provided in the rotary shaft 2 in a circumferential direction of the shaft core P at regular intervals, and also linearly extended in a direction perpendicular to the shaft core P.例文帳に追加

研磨工具１は軸芯Ｐ回りに回転される回転軸２と基端部３ａが回転軸２に連なりかつ軸芯Ｐの周方向に等間隔に複数設けられているとともに軸芯Ｐに対して直交する方向に直線状に延在した研磨歯３とを備えている。 - 特許庁

In an area where the guide member 17 includes the exit of the nip part 16 in the feeding direction of paper P, the paper P to be ejected from the nip part 16 is stripped from the fixing roller 11 by guiding a marginal part of the paper P protruded from the nip part 16 at an end in the width direction to a normal direction.例文帳に追加

このガイド部材１７が、用紙Ｐ搬送方向におけるニップ部１６の出口を含む領域において、ニップ部１６からはみ出た用紙Ｐの幅方向端部の余白部を正規方向にガイドすることで、ニップ部１６から排出される用紙Ｐは定着ローラ１１から剥離される。 - 特許庁

This image forming device 10 has a positioning member 222 arranged in a carrying passage 200 and used for positioning the paper P in the direction orthogonal to the carrying direction of the paper P, and a skew roll for carrying the paper P so as to skew in the direction of the positioning member 222.例文帳に追加

画像形成装置１０は、搬送路２００に設けられ、用紙Ｐの搬送方向と直交する方向の用紙Ｐの位置決めに用いられる位置決め部材２２２と、位置決め部材２２２の方向に向けて斜行させるように用紙Ｐを搬送する斜行ロールを有する。 - 特許庁

In a region in the drift layer 12 sandwiched by the p-type body regions 14 and the silicon carbide substrate 11, a plurality of p-type regions 13, which are arranged spaced apart from each other in a direction perpendicular to the thickness direction of the drift layer 12 and whose conductivity types are p type, are formed so as to line up with each other.例文帳に追加

そして、ｐ型ボディ領域１４と炭化珪素基板１１とに挟まれたドリフト層１２の領域には、ドリフト層１２の厚み方向に垂直な方向において互いに分離して配置された導電型がｐ型であるｐ型領域１３が複数並ぶように形成されている。 - 特許庁

In this crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor, hydrogen as well as p-type dopant is doped or diffused in the p-type group III nitride semiconductor by controlling the partial pressure of hydrogen in an atmosphere, in at least one step during crystal growth of a group III nitride semiconductor doped with the p-type dopant, during cooling after the crystal growth, and during annealing after the crystal growth.例文帳に追加

本発明のｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法は、ｐ型ドーパントをドープしたIII族窒化物半導体の結晶成長中、結晶成長後の冷却中、結晶成長後のアニール中の少なくとも１つの工程で、雰囲気中の水素分圧の制御により、ｐ型III族窒化物半導体中にｐ型ドーパントの他に水素をドープもしくは拡散する。 - 特許庁

A pipeline 15 in which a pressure regulating part (a stroke simulator valve 16, an orifice 17) and a stroke simulator 14 are arranged in series is installed in parallel with a third brake circuit (pipelines 26, 30) in which a control valve 27 is installed and which connects a master cylinder M/C to the suction side of a pump P.例文帳に追加

制御弁27が設けられマスタシリンダM/CとポンプPの吸入側とを接続する第３ブレーキ回路（管路26,30）と並列に、調圧部（ストロークシミュレータバルブ16、オリフィス17）とストロークシミュレータ14とが直列に並ぶ管路15を設けた。 - 特許庁

In a vertical MOSFET composed of a cell portion and a termination portion, a super-junction structure in which an n pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are provided in the cell portion and n pillar layers 21 and p pillar layers 22 are provided in the termination portion is formed.例文帳に追加

セル部及び終端部からなる縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、セル部にｎピラー層３及びｐピラー層４を設け、終端部にｎピラー層２１及びｐピラー層２２を設けたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

The auto-dope detecting method assumes that an As wafer Wa and a P wafer Wp are arranged in a susceptor 4 to grow an epitaxial film in vapor phase, and measures a distribution in resistivity of the P wafer Wp in the direction of its sectional depth.例文帳に追加

オートドープの検出方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。 - 特許庁

An IGBT is structured in a main cell part MC so that a p^+-type body layer 5 is terminated in an n^+-type emitter region 4, and the IGBT is structured in a sense cell part SC so that p^+-type body layer 5 is terminated in a channel region.例文帳に追加

メインセル部ＭＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がｎ^+型エミッタ領域４内で終端する構造とされ、センスセル部ＳＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がチャネル領域内で終端する構造とされるようにする。 - 特許庁

To quickly and easily measure concentrations of polychlorinated- dibenzo-p-dioxins in exhaust gas with precision eaqual to an official method, in measurement of the concentrations of the polychlorinated-dibenzo-p-dioxins in the exhaust gas, in particular when a dust concentration is high, using total organic halogen concentration.例文帳に追加

排ガス中のダイオキシン類濃度の測定において、特にダスト濃度が高い場合の排ガス中のダイオキシン濃度を全有機ハロゲン濃度を用いて、公定法と同等の精度で迅速にかつ簡易に測定する方法を提供する。 - 特許庁

The rotary shaft 102 is extended on the upper surface side of the rolled paper P in parallel with a direction expressed with an arrow B.例文帳に追加

回転軸１０２はロ−ル紙Ｐの上面側を矢印Ｂ方向に平行に延びている。 - 特許庁

By repeating such operation, the paper P is arranged in the page order and ejected.例文帳に追加

この動作を繰り返すことによって、頁順に並べて記録紙Ｐを排紙することができる。 - 特許庁

Consequently, the first P type well region 170 is formed in the vicinity of 4-12 μm depth.例文帳に追加

これにより、深さ４μｍ〜１２μｍ付近に第１Ｐ型ウエル領域１７０を形成する。 - 特許庁

A storing space P for the connectors 55, 56 is formed with a required depth in the backer material.例文帳に追加

また、バッカー材６０に所要の深さでコネクター５５、５６の収容空間Ｐを形成する。 - 特許庁

Two N+ regions 13 as source regions are formed in a region of the P well 4.例文帳に追加

Ｐウェル４の領域には、ソース領域としての２つのＮ+領域１３が形成されている。 - 特許庁

Rewritable sheets P (hereinafter referred to a sheet) on which an image and a handwriting are recorded are stacked in each tray 8.例文帳に追加

各トレイ８には画像および加筆がなされたリライタブル紙Ｐ（以下用紙という）が載置される。 - 特許庁