「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The sheet feeding cassette 2 for supplying sheets P into the printer 1 includes a case 6 capable of accommodating a plurality of sheets P; an engagement part 4 for engaging the printer; an output port 7 for outputting the sheets P to the printer 1; and a slide member 3 provided to be movable in the output direction of the sheets P.例文帳に追加

プリンタ１にシートＰを供給するシート供給用カセット２であって、複数のシートＰが収容可能なケース６と、プリンタと係合する係合部４と、プリンタ１へシートＰを排出する排出口７と、シートＰの排出方向に移動可能に設けられたスライド部材３を備える。 - 特許庁

In an error occurs (A) while a (n)th page (P(n)) is transmitted while both surfaces of (k) both-sided documents P (1) to P (k) are successively transmitted, all the pages are sent from P (1) 0, i.e., a 1st surface.例文帳に追加

原稿ページ（枚）数をｋ枚（Ｐ（ｋ））、エラーの起きたページをｎ枚目（Ｐ（ｎ））とし、Ｐ（１）からＰ（ｋ）までのｋ枚の両面原稿を両面連続伝送する際、表面のＰ（ｎ）０を伝送中にエラーが発生した場合（Ａ）は、Ｐ（１）０、つまり表面の第１ページから全て送信する。 - 特許庁

More preferably, the method for manufacturing a three-dimensional photonic crystal (C) includes: forming regular holes or grooves on the substrate (Q); packing the holes or grooves with a slurry of the spherical particles (P); and applying centrifugal force perpendicular to the surface of the substrate (Q) to accumulate the spherical particles (P) in the holes or grooves.例文帳に追加

特に好ましくは、基板（Q）に規則的な穴又は溝を形成し、その穴又は溝に真球状粒子（P）のスラリーを充填し、遠心力を基板（Q）の表面に対して垂直に加えて穴又は溝に真球状粒子（P）を集積する3次元フォトニック結晶（C）の製造方法である。 - 特許庁

In this support leg 1 for the double floor panel P which is disposed on the four corner lower surfaces of the floor panel P and the upper surface of which is brought into contact with the corner lower surfaces of the panel P for supporting, projecting parts 14, 15 with elasticity brought into damping contact with the panel P are formed on the upper surface of the support leg 1.例文帳に追加

床パネルＰの四隅下面側に配置され、当該パネルＰの隅部下面に上面を当接させて支持するようにした床パネルＰの支持脚１において、当該支持脚１の上面に、前記パネルＰと緩衝的に当接する弾性を有する凸部14，15を設けたこと。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

A heating guide plate 120 for heating the surface of paper P is provided on the upstream side in the conveying direction in a conveying belt 124 for electrostatically attracting the paper P and conveying the same to the nip N.例文帳に追加

該ニップＮへ用紙Ｐを静電吸着して搬送する搬送ベルト１２４における搬送方向上流側に、用紙Ｐの表面を加熱する加熱ガイド板１２０を設ける。 - 特許庁

An ESD protection element 4 comprising an n channel MOS transistor is formed in the p well 2, and an ESD protection element 14 comprising a p channel MOS transistor is formed in the n well 3.例文帳に追加

また、Ｐウエル２にＮチャネルＭＯＳトランジスタからなるＥＳＤ保護素子４を形成し、Ｎウエル３にＰチャネルＭＯＳトランジスタからなるＥＳＤ保護素子１４を形成する。 - 特許庁

The next sheet P is carried through a third route 33 to a staple processing tray 22 in the state of being laid on the sheets P staying in the first route 31 and the second route 32.例文帳に追加

そして次に搬送されてきた用紙Ｐは第３ルート３３を通し、第１ルート３１と第２ルート３２とに停留されていた用紙Ｐと重ねてステープル処理トレイ２２へ搬送する。 - 特許庁

When the paper sheet P is conveyed in a direction shown in the figure by an arrow A, a rear end portion of the paper sheet P having weak rigidity is hung down to clean itself while lightly sweeping the transparent member 6b.例文帳に追加

紙葉類Ｐが図示矢印Ａ方向に搬送されると、当該剛性の弱い紙葉類Ｐの後端部分が垂れ下がり透明部材６ｂを軽くなでながら自掃する。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 12 is embedded and formed in a P-type substrate 11, and a P-type first embedded diffusion layer 13 having a high impurity concentration is embedded and formed in the N-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ型基板１１にＮ型埋込み拡散層１２を埋込み形成し、高不純物濃度のＰ型第一埋込み拡散層１３をＮ型埋込み拡散層に埋込み形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a p-type MOSFET 25 and an n-type MOSFET 26 are respectively formed in an n-type well region 17 and a p-type well region 18 provided on the surface of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１表面のｎ型ウェル領域１７及びｐ型ウェル領域１８にはそれぞれｐ型ＭＯＳＦＥＴ２５及びｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６が形成されている。 - 特許庁

In a part other than the mesa part, the p-AlGaAs clad layer 25 is left behind, and the part is etched so that the thickness is set as 0.2 μm, and a refractive index waveguide is formed so that the refractive index in the mesa is equivalently raised.例文帳に追加

メサ部以外ではp-AlGaAsクラッド層25の残し厚みが0.2μｍとなるようにエッチングを行い、メサ部で等価的に屈折率が高くなるようにして屈折率導波路を形成する。 - 特許庁

In this screen printing equipment 1, outside of a printing head 4 having a nozzle 42 for printing soldering paste P on a work W, an agitating mechanism 7 for agitating the soldering paste P in the nozzle is provided.例文帳に追加

スクリーン印刷装置１は、半田ペーストＰをワークＷ上に印刷するノズル４２を有する印刷ヘッド４の外部に、ノズル内の半田ペーストを撹拌する撹拌機構７を設けている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a junction gate field effect transistor which suppresses the variation in p-layer impurity in a gate region and can attain proper p-n junction characteristics for the transistor.例文帳に追加

ゲート領域でのｐ層不純物のばらつきを抑制すると共に、良好なｐｎ接合特性を得る接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

In an n^+ bulk layer 101, a p-type area 109 made mainly of SiC including high-concentration p-type impurities is formed in the surface area on the side of its main surface 101b.例文帳に追加

Ｎ^＋バルク層１０１において、主面１０１ｂ側の表面領域には、高濃度のＰ型不純物を含むＳｉＣを主組成としたＰ型領域１０９が形成されている。 - 特許庁

An image pickup camera 3 is fixed at an upper position of the eyes of a worker P so as to include the work position of the worker in an image pickup screen when the worker P is in a posture to see the work position.例文帳に追加

作業者Ｐの目の上方位置に、作業者Ｐが作業位置を見る姿勢を取るとその作業位置が撮像画面内に入るように撮像カメラ３が固定されている。 - 特許庁

Whether an end guide 54 is in contact with rear ends of paper sheets P is detected, and when the end guide 54 is not in contact with the rear ends of the paper sheets P, it is reported to an operator.例文帳に追加

エンドガイド５４が用紙Ｐの後端部に当たっているか否かを検知し、エンドガイド５４が用紙Ｐの後端部に当たっていない場合に、そのことをオペレータに報知する。 - 特許庁

The reversing part 50 moves the recording sheets P carried into the carry-in part 30 while turning the recording sheets P down during moving them in Y(-) axial direction→Z(+) axial direction→Y(+) axial direction.例文帳に追加

反転部５０は、搬入部３０で搬入された記録シートＰを、Ｙ（−）軸方向→Ｚ（＋）軸方向→Ｙ（＋）軸方向に移動させる間に、当該記録シートＰを折り返して移動させる。 - 特許庁

A power converter 10 which compensates a zero-phase circulating current flowing to each linkage station P is arranged in each linkage station P between distribution lines in a looping distribution system.例文帳に追加

ループ化配電系統における配電線間の連系部所Ｐそれぞれに、各連系部所Ｐに流れる零相循環電流を補償する電力変換装置１０を設置する。 - 特許庁

It means that an electric current negates a change in the polarization index P and flows in the battery B so as to have the index P between the lower limit Pb and the upper limit Pa.例文帳に追加

このことは、電流が分極の指数Ｐの変化を打ち消して指数Ｐを下限値Ｐｂ以上で上限値Ｐａ以下にするようにバッテリＢに流れることを意味する。 - 特許庁

In addition, in the semiconductor device 100, an n^- middle region 14b and a p^- second body region 18 are arranged between the p^- body region 13 and the n^- drift region 14a.例文帳に追加

また，半導体装置１００では，Ｐ^- ボディ領域１３とＮ^- ドリフト領域１４ａとの間に，Ｎ^- 中間領域１４ｂおよびＰ^- 第２ボディ領域１８が配置されている。 - 特許庁

A reference state in which a shaft axis is arranged in a reference surface being mounted on a level surface P at a specified lie angle and a specified face angle, and at the same time, being vertical to the level surface P is taken under consideration.例文帳に追加

所定のライ角及びフェース角で水平面Ｐ上に載置されると共に水平面Ｐに垂直な基準平面内にシャフト軸線を配置した基準状態を考える。 - 特許庁

A projection quantity L8 of the outside sliding piece 68 in the width direction of the paper P, is set smaller than a projection quantity L1 of the inside sliding pieces 66 to 67 in the width direction of the paper P.例文帳に追加

また、用紙Ｐの幅方向外側の摺動駒６８の突出量Ｌ８が、用紙Ｐの幅方向内側の摺動駒６６〜６７の突出量Ｌ１よりも小さく。 - 特許庁

An air suction mechanism having a suction opening for sucking four corners of a paper sheet P downward is provided in a delivery position of the paper sheets P formed with images in an image forming section and to be delivered.例文帳に追加

画像形成部で画像形成されて排出される用紙Ｐの排出位置に、前記用紙Ｐの四隅を下方へ吸引する吸引口を有するエア吸引機構を備えている。 - 特許庁

In this case, pressing force is controlled so that the pressing force imparted to the paper P by the pressing roller 42 becomes relatively weak toward the rear side from the front side in the conveyance direction of the paper P.例文帳に追加

この際、押圧ローラ４２が用紙Ｐに付与する押圧力が、用紙Ｐの搬送方向の前側から後側に向かって相対的に弱くなるように押圧力を制御する。 - 特許庁

The refractive index in a region of the p-type cladding layer 8 closer to the active layer 5 is lower than the refractive index in another region of the p-type cladding layer 8 opposite to the active layer 5.例文帳に追加

そして、ｐ型クラッド層８内の活性層５側の領域の屈折率がｐ型クラッド層８内の活性層５側とは反対側の領域の屈折率よりも低くなっている。 - 特許庁

To provide an indication instrument 1 high in productivity by improving the visual recognition method of a pointer P on a display plate 2 in the indication instrument 1 making beam light such as a laser the pointer P.例文帳に追加

レーザ光等ビーム光を指針Ｐとする指示計器１において、表示板２における指針Ｐの視認方法を改良して、生産性の高い指示計器１を提供する。 - 特許庁

When the request power P exceeds the threshold value Pth1, the ECU controls each converter so that the share ratio of the air-cooled converter increases in accordance with the increase in the request power P.例文帳に追加

そして、ＥＣＵは、要求パワーＰがしきい値Ｐｔｈ１を超えると、要求パワーＰの増加に従って空冷式のコンバータの分担比率が増加するように各コンバータを制御する。 - 特許庁

After connection holes 20 to 22 are formed in the silicon oxide film 19, etc., a p-type semiconductor region 24 is formed in a bottom part of the connection hole 20 by ion implantation of p-type impurities.例文帳に追加

シリコン酸化膜１９等に接続孔２０〜２２を形成した後、ｐ型不純物をイオン注入して接続孔２０の底部にｐ型半導体領域２４を形成する。 - 特許庁

To efficiently implement a specific first operation closed in a first finite set comprising P elements with a combination of second operations closed in a second finite set comprising Q elements.例文帳に追加

P個の要素からなる第１有限集合内で閉じた特定の第１演算を、Q個の要素からなる第２有限集合内で閉じた第２演算の組合せで効率よく実現する。 - 特許庁

A gate electrode 5 is formed on the upper surface of a p-type region 2 in the p-type region 2 and an n-type region 3 formed adjacent in a silicon substrate 1 via a gate insulating film 4.例文帳に追加

シリコン基板１内に隣接して形成されたＰ型領域２とＮ型領域３のうちＰ型領域２の上面に、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極５を形成する。 - 特許庁

Then, the wafer W is charged in a vacuum chamber 11 and defoamed under vacuum in the state of applying the metal paste P and continuously, excessive metal paste P on the resist film 6 is scraped away.例文帳に追加

そして、金属ペーストＰが塗布された状態でウェーハＷを真空チャンバー１１内に装填して真空脱泡し、続いてレジスト膜６上の余分な金属ペーストＰを掻き取る。 - 特許庁

The application for permission to file evidence out of time must-- (a)be in writing; and (b)be signed by the party applying for permission (P); and (c)contain the information in subclause (2).例文帳に追加

提出期限後の証拠提出の許可を求める申請は， (a) 書面により，かつ (b) 許可を求めて申請する当事者(P)が署名し，かつ (c) (2)の情報を含まなければならない。 - 特許庁

In this case, an amount of the preprocessing liquid S is made such that the liquid S completely penetrate into the recording medium P as shown in Fig. (2) before the ink droplet I lands on the recording medium P.例文帳に追加

この場合の前処理液Ｓの量は、記録媒体Ｐにインク滴Ｉが着弾するよりも前に、図５（２）に示すように記録媒体Ｐに完全に浸透する量とする。 - 特許庁

In the p-type base layer 3, an n-type emitter layer 4 is formed and in a region on the surface of the n-type base layer 1, which is different from the p-type base layer 3, a trench groove 8 is formed.例文帳に追加

そして、ｐ型ベース層３内にはｎ型エミッタ層４が形成され、また、ｎ型ベース層１の表面でｐ型ベース層３と異なる領域にはトレンチ溝８が形成されている。 - 特許庁

To improve the yield of manufacturing by suppressing variations in a threshold voltage of a P-channel MOSFET in a semiconductor device comprising an N-channel MOSFET and the P-channel MOSFET.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳＦＥＴとＰチャネルＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置において、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴの閾値電圧のばらつきを抑制し、製造歩留まりを上げる。 - 特許庁

Plural posts P are received and held in the post holder 6, and the post P is taken out from the holder 6 one by one to be driven into the sea bottom G in a laver nursery.例文帳に追加

海苔養殖場において、複数本の支柱Ｐを支柱ホルダ６に収容保持させ、支柱Ｐを１本ずつ支柱ホルダ６から取り出して海底Ｇに打ち込んでいく。 - 特許庁

The Pb-free solder alloy may comprise at least either Zn or P, by ≥0.4 mass% in the case of Zn and by ≥0.001 mass% in the case of P.例文帳に追加

このＰｂフリーはんだ合金は、ＺｎおよびＰのうちの少なくとも一方が、Ｚｎの場合は０.４質量％以上、Ｐの場合は０.００１質量％以上含まれていてもよい。 - 特許庁

Between an NMOS14 and a PMOS15, in the upper surface of an n-type impurity region 28, a p+-type impurity region 33 is formed, in such a manner that it contacts a p-type well 29.例文帳に追加

ＮＭＯＳ１４とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｐ型ウェル２９に接するようにｐ^+型不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁

In addition, a protective cap 8 is disposed in contact with the tip of the plug P when an opening/closing cover 11 is closed is installed on the rear surface of the opening/closing cover 11 disposed forward of the plug P.例文帳に追加

さらに、プラグＰ前方に配置する開閉フタ１１において、その裏面に開閉フタ１１を閉じるとプラグＰ先端に当接して配置される保護キャップ８を設ける。 - 特許庁

The p^+-type region 171 and the n^+-type region 172 are adjacent to each other at a separate distance d1 in the vicinity in a boundary between the n^-well region 121 and the p^-well region 122.例文帳に追加

Ｎ^−well領域１２１及びＰ^−well領域１２２の境界、その近傍において、離間距離ｄ１をもってＰ^＋領域１７１とＮ^＋領域１７２が隣り合っている。 - 特許庁

The basic buffer circuit 14 contains a P well 21, an N well 22, an Nch transistor MN1 fitted in the P well 21 and a Pch transistor MP1 fitted in the N well 22.例文帳に追加

基本バッファ回路１４は、Ｐウェル２１と、Ｎウェル２２と、Ｐウェル２１の中に設けられたＮｃｈトランジスタＭＮ１と、Ｎウェル２２の中に設けられたＰｃｈトランジスタＭＰ１と、を含む。 - 特許庁

The image holder belt 16 is distorted, which renders a conveyance route of the sheet member P into a curved line in a side view and the conveyance direction can be changed, thereby stretching wrinkles in the sheet member P.例文帳に追加

また、像保持体ベルト１６が撓むことで、シート部材Ｐの搬送経路が側面視で曲線状となり搬送方向が変えられるため、シート部材Ｐのシワが伸ばされる。 - 特許庁

According to the vehicular humidifying device 10, in the state that glasses G attached to an occupant P in a cabin is possibly clouded, blowing of humidified air relative to the occupant P is stopped.例文帳に追加

車両用加湿装置１０によれば、車室内の乗員Ｐが装着している眼鏡Ｇが曇りそうな状態では乗員Ｐに対する加湿空気の送風が停止される。 - 特許庁