p-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 17767件
The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.例文帳に追加
基板10上に順次積層されたn型クラッド層30、活性層40、p型クラッド層50及び透明導電性薄膜層60を備え、ここで、透明導電性薄膜層60は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁
To provide a transfer container A for a platelike material, which container A includes a container body 10, buffering pads 30 attached to two counter corners of a platelike material P stored in the container body, and a lid 20 putting from above on the platelike material with the buffering pad 30 attached thereto, and facilitates work of putting the lid 20 to make packaging work easier.例文帳に追加
合成樹脂発泡体で作られており、容器本体10と、容器本体に収容した板状体Pの対向する2つのコーナー部に取り付ける緩衝パッド30と、緩衝パッドを取り付けた状態の板状体に上から被せるようにして用いられる蓋体20とからなる板状体の搬送容器Aにおいて、蓋体20を被せる作業を容易に行いうるようにして梱包作業の容易化を図る。 - 特許庁
In the substrate, constituting the liquid crystal display device with a liquid crystal interposed between itself and the opposing substrate, and having at least the alignment control protrusions, the alignment control protrusions are formed with the negative photosensitive resin composition containing at least poly (p-vinyl phenol) (A), a compound having at least one or more ethylenic double bonds and having radical polymerization property (B) and a photopolymerization initiator (C).例文帳に追加
対向する基板との間で液晶を挟持する液晶表示装置を構成する、少なくとも配向制御用突起を有する基板において、該配向制御用突起が、少なくとも(A)ポリ(p−ビニルフェノール)、(B)ラジカル重合性を有するエチレン性二重結合を少なくとも一つ以上有する化合物及び(C)光重合開始剤を含むネガ型感光性樹脂組成物により形成されるものとする。 - 特許庁
To provide a method of forming a photovoltaic element having higher photoelectric conversion characteristics, which can control the amount of boron which is taken in a silicon layer, specially facilitates formation of a desired p+ layer even at a lower reprecipitation temperature and moreover, enables formation of a high-quality silicon layer, and to provide a formed photovoltaic element, a method of forming a semiconductor substrate and a semiconductor substrate.例文帳に追加
シリコン層中に取り込まれるボロン量の制御が可能で、特により低い再析出温度においても所望のp+層の形成が容易になり、さらに高品質なシリコン層の形成が可能になり、より光電変換特性の高い光起電力素子を形成する方法と、形成される光起電力素子並びに半導体基板の形成方法および半導体基板を提供すること。 - 特許庁
By disposing a cleaning brush 41 abutting on the transfer conveying belt 21 transferring a toner image while carrying paper P and cleaning the surface of the transfer conveying belt 21, and a cleaning blade 43 on the downstream side of the cleaning brush 41 in the moving direction of the transfer conveying belt 21, toner held by the cleaning brush 41 is supplied to an area where the cleaning blade 43 abuts on the transfer conveying belt 21.例文帳に追加
用紙Pを担持しながらトナー像を転写する転写搬送ベルト21に当接して、転写搬送ベルト21表面をクリーニングするための、クリーニングブラシ41と、さらにはクリーニングブラシ41の転写搬送ベルト21の移動方向下流側にクリーニングブレード43とを配設し、クリーニングブレード43が転写搬送ベルト21に当接する領域に対して、クリーニングブラシ41に保持されたトナーを供給する。 - 特許庁
According to p.288-289 of Moriyuki Kado's "Annotations to the Copyright Law ("chosakuken hou chikujo kaisetsu") (5th edition)" it is stated that "where a painting or similar artwork appears in the background of the main subject matter (of a photograph), it does not substantially constitute the use of a copyrighted work and thus such a situation does not involve any matters pertaining to copyrights (omitted). However, this principle will not apply if the focus is intentionally placed on the background painting." 例文帳に追加
この点、加戸守行「著作権法逐条解説【第5版】」288頁ないし289頁は、「主要な被写体の背景に何か絵らしき物が写っているという程度のものは、著作物の実質的利用というには足りず、著作権がそもそも働かないジャンルのものであり(中略)もっとも、その背景絵画を意識してピントをそちらに合わせるとすれば、話は別であります。」とする。 - 経済産業省
To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加
短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、n型半導体層、及びp型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記n型半導体層の光学ギャップ(Eg_n)、及び前記p型半導体層の光学ギャップ(Eg_p)の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ(Eg_i)よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁
The copolymer latex composition contains a specific amount of at least one compound selected from p-hydroxybenzoic acid ester compounds, salicylic acid ester compounds and their salts in a copolymer latex obtained by polymerizing a monomer mixture having a specific composition composed of a conjugated diene monomer, an ethylenic unsaturated carboxylic acid monomer and other monomers copolymerizable with the above monomers in the presence of a specific amount of a naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate or its salt and an anionic surfactant.例文帳に追加
共役ジエン単量体、エチレン性不飽和カルボン酸単量体およびこれらと共重合可能な他の単量体からなる特定組成の単量体混合物を、特定量のナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物またはその塩、およびアニオン性界面活性剤の存在下に、重合して得られる共重合体ラテックスに、p−ヒドロキシ安息香酸エステル化合物、サリチル酸エステル化合物及びそれらの塩から選ばれる少なくともひとつの化合物を特定量含有してなる共重合体ラテックス組成物。 - 特許庁
However, some argue that "It is meaningless, in discussing the elements that constitute the infringement of copyrights, to make a distinction between a duplication and a secondary copyrighted work" ("Overview on Copyright Law 2nd Edition" by Yoshiyuki Tamura, p.47). In fact, many court precedents discuss comprehensively "whether the right of duplication or of adaptation is infringed" without analyzing whether a secondary copyrighted work is creative or not. There would be little necessity to discuss whether the infringement constitutes a duplication or to an adaptation. Therefore, here our analysis shall be made on the assumption that the infringement constitutes the duplication. 例文帳に追加
とはいえ、著作権侵害の要件を論じる際に、それが複製物か二次的著作物かを区別する実益はない」とする見解もあり(田村善之「著作権法概説第2版」47頁)、実際に多くの裁判例においては、二次的著作物の創作性を検討することなく「複製権又は翻案権を侵害するか」という択一的枠組みで検討されており、ここで複製か翻案かを論じる実益はほとんどないと考えるため、ここでは、複製として検討する。 - 経済産業省
In the image heating device, a recording material P carrying an image t in the nip part is heated, and the temperature detection means 31g is arranged in the position between the magnetic field generation coil 33a and the magnetic core 31d.例文帳に追加
電磁誘導発熱する回転可能な発熱部材31aと、発熱部材とニップ部Nを形成する回転可能な加圧部材32と、磁場発生コイル33aを備えていて、発熱部材の外側に対向して配設された磁場発生手段33と、発熱部材の内側に配設されていて、磁場発生手段によって生じる発熱部材内の誘導磁場の大きさを調整するための磁性体コア31dと、発熱部材の温度を検知する温度検知手段31gと、を有し、ニップ部で画像tを担持した記録材Pを加熱する画像加熱装置であって、温度検知手段31gは、磁場発生コイル33aと磁性体コア31dとに挟まれた位置に配置されていること。 - 特許庁
In one of the precedents a person's right to have his/her name pronounced correctly was disputed in the context of "name rights". The Supreme Court ruled that "a person's name shall be viewed as forming part of his/her moral rights because it not only distinguishes an individual from other persons in our society but also symbolizes his/her identity and personality; and therefore serves as basis for being respected as an individual.". Thus "a person's interest to having his/her name called exactly shall be protected under the tort law." (Supreme Court, February 16, 1988, petty bench III, NHK Japanese Name Case, p.27 of Minshu vol. 42-2). 例文帳に追加
氏名権については、氏名を正確に称呼される利益をめぐって争われた事例で、最高裁は、「氏名は、社会的にみれば、個人を他人から識別し特定する機能を有するものであるが、同時に、その個人からみれば、人が個人として尊重される基礎であり、その個人の人格の象徴であって、人格権の一内容を構成する」とその法的根拠を人格権に求め、「氏名を正確に称呼される利益は、不法行為法上の保護される」(最高裁昭和 63年2月16日第三小法廷判決・民集 42巻2号 27頁、NHK日本語読み事件)と判断した。 - 経済産業省
(iii) Third, [P]% of the Distributable Amount to the General Partner as an incentive fee and [100-P]% of the Distributable Amount to such Participating Interested Partner until the sum of (x) the incentive fee paid to the General Partner in respect of such Participating Interested Partner pursuant to this paragraph prior to the proposed distribution and (y) the incentive fee to be allocated to the General Partner in respect of such Participating Interested Partner pursuant to this item under the proposed distribution (such sum is hereinafter referred to as the “Aggregate Incentive Fee Amount”) is equal to [Q]% of the sum of: (x) the balance of the sum of the Aggregate Distributed Amount and the distributions made to such Participating Interested Partner pursuant to items (i) to (iii) of this paragraph after the deduction of the total Capital Contributions of such Participating Interested Partner; and (y) the Aggregate Incentive Fee Amount; and 例文帳に追加
③ 第3 に、当該分配までに本項に基づき当該対象組合員等に関し無限責任組合員に支払われた成功報酬額及び当該分配において当該対象組合員等に関し本号に基づき無限責任組合員に対して支払われる成功報酬額の合計額(以下「成功報酬累計額」という。)が、以下に定める金額の合計額の[β]%相当額と同額となるまで、無限責任組合員に成功報酬として分配可能額の[γ]%を支払い、当該対象組合員等に分配可能額の[(100-γ)]%を分配する。(ⅰ) 分配累計額及び当該分配において本項第①号から本号までに基づき当該対象組合員等に対して行われる分配額の合計額から当該対象組合員等の出資履行金額を控除した額(ⅱ) 成功報酬累計額 - 経済産業省
In the molten iron refining method, molten iron and solid iron source are charged in a refining vessel, flux is added thereto and oxygen is blown thereto, dephosphorization is performed to reduce the P content to a predetermined value, generated slag is discharged, and decarburization is successively performed.例文帳に追加
精錬容器に溶銑及び固体鉄源を装入するとともに、これにフラックスの添加と酸素吹き込みを行って所定のP含有量まで低減させる脱P処理を行った後、生成したスラグを排出し、引き続き脱C処理を行なう溶銑の精錬方法において、前記脱P処理の際に、脱珪に必要な酸素を除く総供給酸素量を9Nm^3/溶銑t以上で且つスラグの塩基度(CaO/SiO2)を1.0〜3.0の範囲で行うと共にスラグ量を下式1、2を満たす範囲に維持して実施することを特徴とする溶銑の精錬方法。 - 特許庁
In the degumming step (P), a modifying agent composed of phosphoric acid and an adsorbent composed of perlite are used.例文帳に追加
脱ガム物を得る脱ガム工程(P)、カチオン交換樹脂を使用して脂肪酸をエステル化する特定のエステル化工程(A)、エステル混合油中の油脂をエステル交換するエステル交換反応工程(B)、エステル交換反応工程(B)で得られた油相を蒸留して、脂肪酸低級アルキルエステルを留出させるとともに、トコトリエノール類を含有する組成物を残留させる蒸留工程(C)を有する方法で、脱ガム工程(P)では、リン酸からなる変性剤とパーライトからなる吸着剤を使用する。 - 特許庁
The laminated optoelectric converter includes a laminate of a plurality of silicon-based optoelectric conversion layers having a pin structure wherein at least a pair of adjoining optoelectric conversion layers sandwiches an intermediate layer composed of silicon nitride, the pair of optoelectric conversion layers is interconnected electrically, and a p-type silicon based semiconductor layer which is a part of the optoelectric conversion layer and is in contact with the intermediate layer contains nitrogen atoms.例文帳に追加
本発明の積層型光電変換装置は、pin構造を有する複数のシリコン系光電変換層を重ねて備え、隣接する少なくとも一対の前記光電変換層は、窒化シリコンからなる中間層を挟持し、前記一対の前記光電変換層は、互いに電気的に接続されており、前記光電変換層の一部であり前記中間層と接するp型シリコン系半導体層は窒素原子を含有する。 - 特許庁
The low dielectric and heat-resistant resin composition is obtained by adding 1-10 pts.wt. inorganic filler such as clay which is surface-treated with an alkoxysilane having one or more phenyl or styryl substituents in the molecule such as phenyltriethoxysilane and p-styryltrimethoxysilane to 100 pts.wt. syndiotactic polystyrene resin and by this resin composition, excellent characteristics with any of dielectric characteristics, soldering heat resistance, and processability can be obtained.例文帳に追加
かゝる本発明は、シンジオタックチックポリスチレン系樹脂100重量部に対して、分子中に1個以上のフェニル又はスチリル置換基を有する、例えばフェニルトリエトキシシランやp−スチリルトリメトキシシランなどのアルコキシシランで表面処理されたクレイなどの無機フィラーを1〜10重量部添加してなる低誘電性・耐熱性のスチレン系樹脂組成物にあり、これにより、誘電特性、半田耐熱性、加工性のいずれについても優れた特性を得ることができる。 - 特許庁
The high quality polyether-ester monomer is produced by subjecting one-terminal substituted polyalkyleneglycol and unsaturated carboxylic acid to esterifying reaction under the specified condition allowing p-benzoquione and/or phenothiazine of prescribed quantity to exist in the absence of solvent, the high quality polyether-ester monomer thus produced and other vinyl monomer are subjected to radical copolymerization and the water soluble copolymer is produced and is used as the cement dispersing agent.例文帳に追加
溶剤の非存在下に、片末端置換ポリアルキレングリコールと不飽和カルボン酸とを所定量のp−ベンゾキノン及び/又はフェノチアジンを存在させた特定の条件下でエステル化反応させて、高品質のポリエーテルエステル単量体を製造し、かくして製造した高品質のポリエーテルエステル単量体と他のビニル単量体とをラジカル共重合反応させて、水溶性ビニル共重合体を製造し、これをセメント分散剤とした。 - 特許庁
In the color developing solid processing agent for a silver halide color photographic sensitive material containing at least a p-phenylenediamine color developing agent and carbonates, the carbonates are potassium carbonate and sodium carbonate and the ratio (A/B) between the number of mols of the potassium carbonate (A) and the number of mols of the sodium carbonate (B) contained per unit mass is 0.1-9.0.例文帳に追加
少なくともパラフェニレンジアミン発色現像主薬及び炭酸塩を含有するハロゲン化銀カラー写真感光材料用発色現像固体処理剤において、該炭酸塩が炭酸カリウム及び炭酸ナトリウムであり、かつ単位質量当たりに含まれる該炭酸カリウムのmol数(A)と該炭酸ナトリウムのmol数(B)との比率(A/B)が、0.1以上、9.0以下であることを特徴とするハロゲン化銀カラー写真感光材料用発色現像固体処理剤。 - 特許庁
In the MOS transistor circuit provided with a logic circuit connected between a high-voltage source VDD and a low-voltage source GND and a CMOS output circuit 14 that is connected between the two voltage sources and receives the output of the logic circuit, the CMOS output circuit 14 employs an enhancement P-channel MOS transistor EPMOS and a depletion N-channel MOS transistor DNMOS.例文帳に追加
高電位源VDDと低電位源GNDとの間に接続された論理回路と、前記2つの電位源との間に接続され前記論理回路の出力を入力とするCMOS出力回路14とを備えたMOSトランジスタ回路において、前記CMOS出力回路14はPチャネルMOSトランジスタEPMOSはエンハンスメント型で、NチャネルMOSトランジスタDNMOSはデプレッション型で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁
The method of bookbinding by piling the signatures is carried out by supplying prescribed signatures P, Q at the same time to the signature piling apparatus L provided with a paper folding knife R from the symmetrical direction to pile the signatures to be positioned right under the paper folding knife R part, folding in half by the descent of the paper folding knife R and after that, cutting three sides except the double folded edge part.例文帳に追加
紙折り用ナイフRを具えた折丁重ね合わせ装置Lに対して、その対称的な方向から所定の折丁P,Qを同時に供給することによって、当該紙折り用ナイフR部分の真下に位置するように重ね合わせ、当該紙折り用ナイフRの降下に基づきこれを二つ折りし、然る後、その二つ折り縁を除いた自余の三辺に対する裁断処理を施すようにした折丁を重ね合せて製本するための方法。 - 特許庁
The photoelectric conversion device (photoelectric conversion element 100) includes a photoelectric conversion layer 3 including an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, and the photoelectric conversion layer 3 forms an optical electric field within the layer and includes an electric field formation region 4 including a part smaller than the wavelength of incident light, thus improving photoelectric conversion characteristics in the photoelectric conversion layer 3.例文帳に追加
本発明は、光電変換デバイス(光電変換素子100)又は太陽電池等に関し、n型半導体及びp型半導体を含む光電変換層3を備えるようにすると共に、この光電変換層3が、層内に光電場を形成すると共に入射光の波長よりも小さい部分を含む電場形成領域4を有するようにし、光電変換層3における光電変換特定の改善を図るようにしたことに特徴がある。 - 特許庁
The coating apparatus 1 is provided near a support roll 10 separated therefrom, and includes a coating head 20 dropping a curtain film C to the base material W supported on the support roll 10, and an air flow removing part 30 provided upstream in the rotation direction of the support roll 10 from a portion P where the curtain film C dropping from the coating head 20 near the support roll 10 comes into contact with the base material W.例文帳に追加
塗布装置1は、支持ロール10の近傍において当該支持ロール10と離間して設けられ、支持ロール10により支持される基材Wに対してカーテン膜Cを落下させる塗布ヘッド20と、支持ロール10の近傍において塗布ヘッド20から落下したカーテン膜Cが基材Wに接触する箇所Pよりも支持ロール10の回転方向における上流側に設けられた空気流除去部30とを備えている。 - 特許庁
The data storage device 300 has at least electronic components including memory components 81, 82 storing information, and connection terminals 42, 43 transmitting information, wherein the electronic components include a heat generating electronic component P which generates heat by itself, and are accommodated in a housing 31 preventing mechanical access from the outside, and one of the electronic components includes a heat radiator 45 partially exposed to the outside of the housing 31.例文帳に追加
少なくとも、情報を記憶するメモリー部品81,82を含む電子部品と、情報の伝達を行う接続端子42,43と、を備えるデータ記憶装置300であって、前記電子部品は、自己発熱する発熱電子部品Pを含むとともに、外部からの機械的アクセスが防止される筐体31に収容されており、前記電子部品のいずれかは、前記筐体31の外部に一部が露出する放熱器45を備えている。 - 特許庁
A field effect transistor includes: a substrate 101 comprising a semi-insulating InP; a hole transit layer 102 formed on the substrate 101 and comprising GaAsSb in which carbon (C) is introduced as a p-type impurity; a channel layer 103 formed on the hole transit layer 102 and comprising InGaAs; an electron supply layer 104 formed on the channel layer 103; and a barrier layer 105 formed on the electron supply layer 104.例文帳に追加
半絶縁性のInPからなる基板101と、基板101の上に形成されて、炭素(C)がp形の不純物として導入されたGaAsSbからなる正孔走行層102と、正孔走行層102の上に形成されたInGaAsからなるチャネル層103と、チャネル層103の上に形成された電子供給層104と、電子供給層104の上に形成された障壁層105とを備える。 - 特許庁
This method also includes a fourth step of coating the single crystal obtained in the step 3 with the p- or n-type semiconductor material and baking the material.例文帳に追加
Bi、Teからなる原料を溶融する第1のステップと、該第1のステップで得られた溶融後の母材を粉砕することにより、粉末状のp型、若しくはn型半導体材料を得る第2のステップと、該第2ステップで得られたp型、若しくはn型半導体材料を加圧整形した後、溶融することにより単結晶を得る第3ステップと、該第3ステップで得られた単結晶をp型、若しくはn型半導体材料で被覆焼成する第4ステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁
This medicinal and medical material contains an aromatic vinylic monomer containing at least one selected from the group consisting of α-methylstyrene, p-methylstyrene, a vinylnaphthalene derivative and an indene derivative in the medicinal and medical material comprising an isobutylene-based block copolymer formed from a polymer block comprising (a) a monomer component consisting essentially of isobutylene and a polymer block consisting essentially of (b) the aromatic vinylic monomer.例文帳に追加
イソブチレンを主成分とする単量体成分(a)からなる重合体ブロック及び芳香族ビニル系単量体(b)を主成分とする重合体ブロックから形成されるイソブチレン系ブロック共重合体よりなる医薬・医療用材料であって、芳香族ビニル系単量体が、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビニルナフタレン誘導体及びインデン誘導体からなる群より選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする医薬・医療用材料。 - 特許庁
In the organic photoreceptor, cylindricity of a cylindrical base body is 5 to 40 μm and there is a relation expressed by below-described formula 1 between average PWS of power spectrum values of regular reflection light intensity within a range of 0 to 2 mm^-1 spatial frequency measured at exposure wavelength λm of image exposure and average P of reflection light intensity at the measuring point.例文帳に追加
有機感光体は、円筒状基体の円筒度が5〜40μmであり且つ像露光の露光波長λmで測定した空間周波数0〜2mm^−1の範囲の正反射光量のパワースペクトル値の平均値PWSとその測定点の反射光量の平均値Pとの間に下記式1の関係を有しており、現像工程のトナーは、粒径が0.7×(Dp50)以下のトナー粒子の個数が10個数%以下である画像形成方法。 - 特許庁
In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加
縦型MOSFETの製造プロセスにおいて、横型MOSFETの形成領域をマスクした状態で、縦型MOSFETのソース領域17を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板11上に、実際の製品となるn型の縦型MOSFETとともに、その縦型MOSFETと同じゲート電極構造を有する評価用のp型の横型MOSFETを作製する。 - 特許庁
The developing device equipped with the toner carrier 11 carrying the toner (t) to the developing area facing the image carrier P and the toner supply roller 14 rotating in contact with the toner carrier is provided with a toner feed member 20 which carries the toner from both axial end parts to the center part opposite the toner supply roller, and this toner sending member sends the toner slower at the center part than at both the end parts.例文帳に追加
トナーtを像担持体Pと対向する現像領域に搬送するトナー担持体11と、トナー担持体と接触して回転するトナー供給ローラ14とを備えた現像装置において、トナー供給ローラと対向するようにして、トナーを軸方向の両端部から中央部にトナーを搬送させるトナー送り部材20を設け、このトナー送り部材におけるトナーの送り速度を両端部よりも中央部が遅くなるようにした。 - 特許庁
The patterning method comprises a step for forming a barrier 30 on a substrate P, a step for forming a conductive layer 80 in a patterning region 30a surrounded by the barrier 30, a step for arranging plating nuclei 26 on the conductive layer 80, and a step for forming an anti-diffusion layer 82 on the conductive layer 80 by electroless plating method using the plating nuclei 26 as a catalyst.例文帳に追加
本発明のパターン形成方法は、基板P上に隔壁30を形成する隔壁形成工程と、隔壁30に囲まれたパターン形成領域30aに導電層80を形成する導電層形成工程と、導電層80上にめっき核26を配置するめっき核配置工程と、導電層80上に、無電解めっき法によりめっき核26を触媒として拡散防止層82を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 - 特許庁
During the interruption of the processing operation for the paper after the detection of a sheet storage tray 2 filled with the paper P if any, an optimum timing for stopping the processing for the paper is determined within a period from the detection of a preliminary full condition in such a condition that some allowance is provided for the storage capacity of the sheet storage tray 2 to the actually full condition of the sheet storage tray 2.例文帳に追加
通常、シート材収容トレイ2上に用紙Pが満杯になった後に満杯になったことを検出して用紙に対する処理を中断していたところ、シート材収容トレイ2の収容能力に余裕を持たせた状態で予備的満杯状態を検出して、予備的満杯状態が検出されてからシート材収容トレイ2が実際に満杯になるまでの間において、用紙に対する処理を停止させる適正なタイミングを決定する。 - 特許庁
The low dielectric and heat-resistant resin composition is obtained by adding 3-10 pts.wt. inorganic filler of a plate crystal surface-treated with an alkoxysilane having one or more phenyl or styryl substituents in the molecule such as phenyltriethoxysilane and p-styryltrimethoxysilane to 100 pts.wt. syndiotactic polystyrene resin and by this resin composition, excellent characteristics with any of dielectric characteristics, soldering heat resistance, and processability can be obtained.例文帳に追加
かゝる本発明は、シンジオタックチックポリスチレン系樹脂100重量部に対して、分子中に1個以上のフェニル又はスチリル置換基を有する、例えばフェニルトリエトキシシランやp−スチリルトリメトキシシランなどのアルコキシシランで表面処理された板状結晶の無機フィラー3〜10重量部添加してなる低誘電性・耐熱性樹脂組成物にあり、これにより、誘電特性、半田耐熱性、加工性のいずれかについても優れた特性を得ることができる。 - 特許庁
In the heat sensitive recording material having a heat sensitive color developing layer including an electron donative colorless dye, an electron acceptive compound and a sensitizer on a support, the heat sensitive color developing layer includes 2-anilino-3-methyl-6-(N-ethyl-N-p-benzyl) aminofluoran as the electron donative colorless dye and 4-hydroxybenzene sulfonanilide as the electron acceptive compound.例文帳に追加
支持体上に、電子供与性無色染料と電子受容性化合物と増感剤とを含有する感熱発色層を有する感熱記録材料であって、前記感熱発色層が、電子供与性無色染料として2−アニリノ−3−メチル−6−(N−エチル−N−p−ベンジル)アミノフルオランを含有し、かつ、電子受容性化合物として4−ヒドロキシベンゼンスルホンアニリドを含有することを特徴とする感熱記録材料である。 - 特許庁
This is a vero toxin production inhibitor that can inhibit the bacteria producing vero toxin from producing the same and includes at least one selected from the group consisting of creosote or the creosote components in which the components constituting the creosote are guaiacol, 4-ethylguaiacol, creosol, cresols such as p-cresol, o-cresol or the like, and phenol derivatives including phenol, o-ethylphenol, xylenol or the like.例文帳に追加
ベロ毒素を産生する細菌に対し、当該毒素の産生を抑制せしめるベロ毒素産生抑制剤であり、クレオソートおよび/またはクレオソート構成成分を含有することを特徴とし、クレオソート構成成分がグアヤコール、4−エチルグアヤコール、クレオゾール、オルトクレゾール、パラクレゾール等のクレゾール類、フェノールやオルトエチルフェノール、キシレノール類等のフェノール誘導体からなる群より選ばれた少なくとも1種であることを特徴とするベロ毒素産生抑制剤。 - 特許庁
The method for controlling the weeds at the growing site of the Jatropha, comprising applying effective amounts of one or more compounds selected from glyphosate or an agriculturally acceptable salt thereof, glufosinate or an agriculturally acceptable salt thereof, glufosinate-P or an agriculturally acceptable salt thereof, and bialaphos or an agriculturally acceptable salt thereof to the site in which the Jatropha grows, and the like are provided.例文帳に追加
ヤトロファ(Jatropha)が生育している場所に、有効成分としてグリホサートまたは農学的に許容されるその塩、グルホシネートまたは農学的に許容されるその塩、グルホシネート−Pまたは農学的に許容されるその塩、ビアラホスまたは農学的に許容されるその塩から選ばれる一つまたはそれ以上の化合物の有効量を適用することからなるヤトロファの生育場所の雑草を防除する方法;等を提供する。 - 特許庁
In the gallium nitride compound semiconductor laminate, a n-type layer, a luminous layer, and a p-type layer are formed on a substrate; the laminate is of a multi-quantum structure where the luminous layers are alternately laminated with well layers and barrier layers; and the well layer configuring the multi-quantum structure comprises well layers of uneven thicknesses and well layers of even thicknesses.例文帳に追加
基板上にn型層、発光層およびp型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がn型層とp型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。 - 特許庁
A semiconductor device comprises a first wire formed on a semiconductor substrate by laminating a P-type polysilicon film 124 and a first silicide film 125, a second wire formed on the semiconductor substrate connected to the first wire by laminating a N-type polysilicon film 104 and a second silicide film 105, and a connecting wire 112 formed in the boundary area of the first and second wires and electrically connecting the two wires.例文帳に追加
半導体基板上に形成され、P型ポリシリコン膜124と第1のシリサイド膜125とが積層された第1の配線と、前記半導体基板上に第1の配線に接続して形成され、N型ポリシリコン膜104と第2のシリサイド膜105とが積層された第2の配線と、第1の配線と第2の配線との境界領域に形成され、二つの配線を電気的に接続する接続配線112とを具備してなる。 - 特許庁
In the image display system containing a light-emitting element having a plurality of photosensors, each photosensor comprises the PIN diode, including an N-type dope semiconductor region, a P-type dope semiconductor region and an intrinsic semiconductor region formed therebetween, and an isolated control gate covering the intrinsic semiconductor region, wherein the isolated control gate provides the PIN diode, having controllable electrical characteristics with respect to saturation photocurrent under a saturation voltage.例文帳に追加
複数の光センサを有する発光素子を含む画像表示システムであって、各光センサは、N型ドープ半導体領域、P型ドープ半導体領域と、その間に形成された真性半導体領域を含むPINダイオード、及び前記真性半導体領域を覆う絶縁された制御ゲートを含み、前記絶縁された制御ゲートは、飽和電圧下の飽和光電流に対して制御可能な電気特性を有するPINダイオードを提供するシステム。 - 特許庁
The effects of a patent shall not extend to: 1. acts done privately for non-commercial purposes; 2. acts done for experimental purposes relating to the subject matter of the patented invention; 2a. the use of biological material for breeding, discovery and development of a new plant variety type; 2b. studies and trials and the resulting practical requirements necessary for obtaining a marketing authorization to place a medicinal product on the market in the European Union or a marketing approval for a medicinal product in the Member States of the European Union or in third countries; the extemporaneous preparation of medicinal products in individual cases in a pharmacy in accordance with a medical prescription, or acts concerning the medicinal products so prepared; 4. the use of the subject matter of the patented invention on board of vessels of another member state of the Paris Convention for the Protection of Industrial Property, in the body of the vessel, in the machinery, tackle, gear and other accessories, should such vessel temporarily or accidentally enter waters to which the territory of application of this Act extends, on the condition that this subject matter is used exclusively for the needs of said vessel; 5. the use of the subject matter of the patented invention in the construction or operation of aircraft or land vehicles of another member state of the Paris Convention for the Protection of Industrial Property or the use of accessories for such aircraft or land vehicles should these temporarily or accidentally enter the territory to which this Act applies; 6. the acts specified in Article 27 of the Convention on International Civil Aviation of December 7, 1944 (Federal Law Gazette [Bundesgesetzblatt], 1956, II, p. 411), where such acts concern the aircraft of another state to which the provisions of that Article are applicable. 例文帳に追加
特許の効力は,次のものには及ばない。1. 非商業目的で私的に行われる行為2. 特許発明の内容に関係して実験の目的で行われる行為 2a. 植物新品種の育成,発見及び開発のための生物学的材料の使用 2b. 医薬品を欧州連合の市場に投入する販売許可,又は欧州連合の加盟国若しくは第3国における医薬品についての販売承認を取得するために必要とされる研究,試験及びその後の実務的要件3. 医師の処方に従って薬局内で個別に即席で行われる医薬の調合,又はそのようにして調合された医薬に関する行為 4.工業所有権の保護に関するパリ条約の他の加盟国の船舶が一時的又は偶発的に本法の施行水域に入った場合において,その船体に関し,又はその機械,索具,装置及びその他の付属物に関し,その船舶上で行われる特許発明の内容の使用。ただし,この内容が専ら当該船舶の必要のために使用されることを条件とする。5.工業所有権の保護に関するパリ条約の他の加盟国の航空機又は車両が一時的又は偶発的に本法の施行領域に入った場合において,航空機又は車両の構造若しくは操作,又は当該航空機又は車両の付属物における特許発明の内容の使用6. 1944年12月 7日の「国際民間航空に関する条約」第 27条(連邦法律公報1956,II, p.411)に明記した行為。ただし,当該行為が,同条の規定の適用対象である他国の航空機に関するものであることを条件とする。 - 特許庁
The semiconductor device further comprises, on the overcoat layer, a photoelectric conversion layer having a p-type semiconductor film, an i-type semiconductor film, and an n-type semiconductor film; and one end portion of the photoelectric conversion layer is in contact with the first electrode, and an end portion of the color filter lies inside the other end portion of the photoelectric conversion layer.例文帳に追加
絶縁表面上に、第1の電極と第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極との間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に、p型半導体膜、i型半導体膜及びn型半導体膜を有する光電変換層と、前記光電変換層の端部の一方は、前記第1の電極と接しており、前記カラーフィルタの端部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 - 特許庁
The method of manufacturing the conductive silicon nitride film includes: a first step of forming a microcrystalline silicon film doped into an n-type or a p-type; and a second step of forming the conductive silicon nitride film by irradiating the microcrystalline silicon film with plasma including nitrogen to nitride the microcrystalline silicon film; wherein a dilution rate of material gas, introduced when forming the microcrystalline silicon film in the first step, is 150 to 600.例文帳に追加
本発明の導電性窒化シリコン膜の製造方法は、n型またはp型にドーピングされた微結晶シリコン膜を形成する第1ステップと、該微結晶シリコン膜に対し、窒素を含むプラズマを照射して微結晶シリコン膜を窒化することにより、導電性窒化シリコン膜を形成する第2ステップとを含み、第1ステップにおいて、微結晶シリコン膜を形成するときに導入される材料ガスの希釈率は、150以上600以下であることを特徴とする。 - 特許庁
The crude polyoxyalkylene polyol is produced by using a compound having P=N bond as the catalyst and carrying out an addition polymerization of an active hydrogen compound with an epoxide compound and then brought into contact with a solid acid having 450-1,200 m2/g specific surface area and 40-1,000 Å mean pore diameter to control the remaining content of the catalyst in the polyoxyalkylene polyol to ≤150 ppm.例文帳に追加
P=N結合を有する化合物を触媒として、活性水素化合物にエポキサイド化合物を付加重合して粗製ポリオキシアルキレンポリオールを製造し、次いで、粗製ポリオキシアルキレンポリオールと、比表面積が450〜1200m^2/g、平均細孔直径が40〜100Åである固体酸とを接触させ、ポリオキシアルキレンポリオール中の触媒残存量を150ppm以下に制御することを特徴とするポリオキシアルキレンポリオールの製造方法、及び、該ポリオール誘導体の製造方法。 - 特許庁
This ferritic stainless steel for conducting electrical parts small in contact electric resistance has a compsn. contg., by weight, 0.01 to 0.15% C, 0.01 to 1.5% Si, 0.01 to 1% Mn, ≤0.035% P, ≤0.01%例文帳に追加
重量%で、C:0.01〜0.15%、Si:0.01〜1.5%、Mn:0.01〜1%、P:0.035%以下、S:0.01%以下、Cr:10〜35%、Ni:0.01〜1%、Cu:0.01〜1%を含有し、かつCr+3Moが13〜43%であり、Cr含有炭化物として析出しているC量および鋼中の全C量が、下記式を満足している接触電気抵抗の小さい通電電気部品用フェライト系ステンレス鋼、このステンレス鋼からなるセパレータおよびこのセパレータを用いた燃料電池。 - 特許庁
In the semiconductor device, having a gate-drain overlapped structure composed of a first gate electrode 3 and second gate electrodes 6 arranged via an insulation film 5 on a gate insulation film 2 formed on a p-type semiconductor substrate 1, the first gate electrode 3 and the second gate electrodes 6 are connected electrically through a first titanium silicide film 10 formed for bridging the second gate electrodes 6 from the first gate electrode 1.例文帳に追加
P型の半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜2上に第1のゲート電極3と第2のゲート電極6とが絶縁膜5を介して並設されて成るゲート・ドレインオーバーラップ型構造を有する半導体装置において、前記第1のゲート電極3と第2のゲート電極6とが、当該第1のゲート電極3から第2のゲート電極6に跨るように形成された第1のチタンシリサイド膜10により、電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁
In accordance with vehicle speed V and the magnitude P of an audio signal of an audio, the amplitude of a control signal Sca output from an active noise control part 12 by a vehicle speed dependent control signal adjusting part 51 and an audio signal dependent control signal adjusting part 52 and supplied to a composition unit 26 is adjusted.例文帳に追加
車速V及びオーディオのオーディオ信号の大きさPに応じて、車速依存制御信号調整部51及びオーディオ信号依存制御信号調整部52により能動型騒音制御部12から出力され合成ユニット26に供給される制御信号Scaの振幅を調整する構成とすることで、従来技術では必須とされているマイクロフォン8の出力からオーディオ信号Saをキャンセルするオーディオキャンセル回路{減算器とオーディオキャンセルフィルタからなる回路}が不要になる。 - 特許庁
The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light.例文帳に追加
基板1の上面に、GaAs系化合物半導体の単結晶薄膜から成るn型クラッド層3、活性層4及びp型クラッド層5を積層してなる発光素子2を備え、該発光素子2に通電しながら活性層4内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子2を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子2の活性層4に、Znを不純物として1×10^19個/cm^3〜2×10^20個/cm^3の密度でドーピングする。 - 特許庁
The formed parts contains C, Si, Mn, Cr, V, S, Al and N, and the balance Fe with impurities, and contents of Ti, O and P in impurities are ≤0.003%,例文帳に追加
C、Si、Mn、Cr、V、S、Al、Nを含有し、残部はFeおよび不純物からなり、不純物中のTiが0.003%以下、Oが0.0015%以下、Pが0.020%以下である成形部品であって、表層領域における初析フェライトの平均短径が8μm以下で、下記の(1)式で表されるA値が0.80以上であり、アスペクト比が3以下で、且つ短径が10μm以上であるMnS以外の介在物の個数が2個/mm^2以下であることを特徴とする高周波焼入れ用成形部品。 - 特許庁
In the method for producing a high strength hot dip galvanized steel sheet, a steel having a composition containing, by mass, 0.03 to 0.15% C, ≤0.7% Si, 2.0 to 3.0% Mn, ≤0.05% P, ≤0.01%例文帳に追加
mass(%)で、C:0.03〜0.15%、Si≦0.7%、Mn:2.0〜3.0%、P≦0.05%、S≦0.01%、sol.Al:0.01〜0.1%、N≦0.005%、Cr:0.01〜0.5%、V:0.004〜0.5%、更に、Mo:0.05〜0.3%、Nb:0.005〜0.1%、Ti:0.005〜0.1%、B:0.0002〜0.002%の一種又は二種以上を含有する残部実質的にFeからなる鋼を連続溶融亜鉛めっき処理後、調質圧延時の張力T(kgf/mm^2)を下記の式を満たすように付与する。 - 特許庁
The high strength hot rolled steel sheet excellent in the fatigue properties of blanking edge faces and stretch-flanging properties has a composition comprising, by mass, 0.03 to 0.10% C, 0.05 to 1.5% Si, 1.0 to 2.2% Mn, ≤0.05% P, ≤0.01%例文帳に追加
質量%にて、C:0.03〜0.10%、Si:0.05〜1.5%、Mn:1.0〜2.2%、P:0.05%以下、S:0.01%以下、N:0.001〜0.006%、Ti:0.06〜0.24%、Ce:0.002〜0.009%、O:0.001〜0.006%を含有し、残部がFeおよび不可避不純物からなり、かつ、CeとOの濃度積が式(1)を満たし、ベイニティック・フェライト相を面積率最大の組織とすることを特徴とする打ち抜き端面の疲労特性と伸びフランジ性に優れた高強度熱延鋼板。 - 特許庁
(i) providing for the lapsing of the application if such a direction is not complied with within a time specified in the regulations; and (ii) providing for the restoration of an application that has so lapsed; and (k) empowering the Commissioner to hear and determine the question whether a person is an interested person for the purpose of doing any act permitted to be done under this Act by an interested person; and (m) providing for appeals against decisions of the Commissioner made under the regulations; and (n) making provision for and in relation to the practice and procedure of prescribed courts in proceedings under this Act, including provision prescribing the time within which any proceeding may be started or anything else may be done, and providing for the extension of any such time; and (p) requiring persons to make statutory declarations in relation to patent applications or patents or in proceedings under this Act (not being court proceedings); and (q) making provision for and in relation to the making of a declaration, or the doing of an act, under this Act on behalf of a person who, because of infancy or physical or mental disability, is unable to make the declaration or do the act; and (r) for the control of the professional conduct of registered patent attorneys and the practice of the profession and, for that purpose, making provision for and in relation to all or any of the following: 例文帳に追加
(i) 規則に定められた期間内に,前記の指示に応じない場合は,その出願が失効する旨を規定すること,及び (ii) そのように失効した出願の回復について規定すること,及び (k) 局長に,ある者が,本法に基づき利害関係人が実行することが許可されている行為の実行の目的で利害関係人であるか否かの問題を聴聞し,決定する権限を付与すること,及び (m) 局長の決定に対し,規則に基づいてされる上訴について規定すること,及び (n) 本法に基づく訴訟に関し,所定の裁判所の実務及び手続についての及びそれに関連する規定を制定すること。これには,訴訟を開始することができる又はそれ以外のことを実行することができる期間について規定し,かつ当該期間の延長について定める規定を含む。及び(p) 特許出願又は特許又は本法に基づく手続(裁判所手続を除く)に関し,ある者に制定法上の宣言(司法手続外誓約)を要求すること,及び (q) 未成年又は身体的若しくは精神的障害のために宣言を行い又は行為を実行することができない者の代理として,本法に基づき宣言を行い又は行為を実行することについての及びそれに関連する規定を制定すること,及び (r) 登録特許弁護士の職業行動及び当該職業の業務を規制するために,及びその目的のために,次の事項の全部又は一部についての及びそれに関連する規定を制定すること - 特許庁
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