「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(352ページ目) - Weblio英語例文検索

The rotation of the steering wheel 7 checks the rotation of one of the pair of driving wheels by the engagement of the ratchet wheels G with the claws P, and the rotation of the other of the pair of driving wheels 2 in the form of a circular arc propels the body 1 and propels the body 1 zigzag while changing the turning direction of the steering wheel 1.例文帳に追加

ハンドル７を回転させることで、前記一対の駆動輪２の一方が前記ラチェットホイールＧと前記爪体Ｐとの係合により回転を抑止されるとともに、前記一対の駆動輪２の他方が円弧状に回転をして前記ボディ１を前進させ、前記ハンドル１の回転方向を交互に変えながら前記ボディ１をジグザグに前進させることができる。 - 特許庁

In a trench forming process, a trench 15 is formed that makes round parting both the n-type semiconductor region 13 and p-type semiconductor region 14 appearing adjacent on the top surface of the semiconductor substrate 9 and extends sufficiently deep, to penetrate the injection ranges 12 and 14 of the impurities from the top surface of the semiconductor substrate 9 to the reverse surface of the semiconductor substrate 9.例文帳に追加

トレンチ形成工程では、半導体基板９の表面に隣接して出現しているｎ型半導体領域１３とｐ型半導体領域１４の双方を分断して一巡するととともに半導体基板９の表面から半導体基板９の裏面に向けて不純物の注入範囲１２、１４を貫通する深さにまで伸びているトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

When a vehicle 11 having an IC chip mounted on a license plate 12 is parked in the parking lot P, a control device 10 receives vehicle data or occupant data from the IC chip 13, and reduces the parking fee when it is recognized therefrom that the vehicle 11 is a low-emission vehicle, or the occupant of the vehicle 11 is a disabled person.例文帳に追加

制御装置１０は、ナンバープレート１２上にＩＣチップ１３が取付けられている車両１１が駐車場Ｐに駐車し、ＩＣチップ１３から車両データや乗員データが電波信号により受信され、当該車両１１が低排出ガス車である旨や当該車両１１に乗車している乗員が障害者である旨を認識すると、駐車料金を減額する。 - 特許庁

In the watertight polyethylene insulated wire P, an electrically-insulated watertight material 12 made of a thermoplastic resin such as an EEA is filled up between each strand of a conductor 11 consisting of a plurality of strands 11a wherein a surface treating agent made of benzotriazol and an epoxy plasticizer is coated, and collected and modified recycled polyethylene 13 is coated on an outer peripheral surface of the conductor.例文帳に追加

ベンゾトリアゾールとエポキシ系可塑剤からなる表面処理剤を塗布された複数の素線１１ａからなる導体１１のその各素線間にＥＥＡ等の熱可塑性の樹脂からなる電気絶縁性水密材１２を充填し、その導体の外周面に回収・改質した再生ポリエチレン１３を被覆した水密型ポリエチレン絶縁電線Ｐである。 - 特許庁

The copper alloy for electronic components contains 2.0-4.0 mass% Ti, 0.01-0.15 wt.% in total of at least one chosen from Fe, Co, Ni, Cr, V, Nb, Mo, Mn, Zr, Si, Mg, B and P and the balance being copper and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有し、更にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、及びＰから選択される１種以上を総計で０．０１〜０．１５重量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子部品用銅合金であって、圧延面におけるＸ線回折積分強度が、以下の（１）及び（２）の関係を満たす銅合金。 - 特許庁

The fixing device 9 for fixing the toner on the passing recording medium P by the fixing belt 93 strained between a plurality of rollers 91 and 92 and a pressure roller 95 disposed opposite to the fixing belt 93 is provided with an adjusting mechanism 16 adjusting the range of the fixing belt 93 in contact with the roller 92 having a heat source among the plurality of rollers 91 and 92.例文帳に追加

複数のローラ９１、９２間に張架された定着ベルト９３と、定着ベルト９３に対向して配置される加圧ローラ９５とで、通過する記録媒体Ｐ上のトナーを定着する定着装置９において、前記複数のローラ９１、９２のうち熱源を有するローラ９２に対する定着ベルト９３の接触する範囲を調整する調整機構１６を備える。 - 特許庁

When the control signal for driving the motor 47 in a film rewinding direction is supplied to the control signal conductors P and Q, the solenoid 51 attracts attraction material 37 provided on the arm 34 and the lever 32 is restricted at the film detecting position even after the film 45 is separated from the pin 31, so that the lock of the cartridge loading cover 4 is not released.例文帳に追加

給送モータ４７をフイルム巻戻し方向に駆動させる制御信号がこの制御信号線Ｐ，Ｑに供給されると、ソレノイド５１が係止腕３４に設けられた吸着材３７を吸着して写真フイルム４５と検知ピン３１が離間した後も検知レバー３２をフイルム検知位置に拘束するので、カートリッジ装填蓋４のロック解除は出来ない。 - 特許庁

Consequently, the factor of slippage can be reduced since the factor of the slippage exists only between the upper reflector 19 and the lower reflector 20 compared with a conventional vehicle headlight having factors of slippage between upper and lower reflectors and between upper and lower lens holders, and a possibility of the slippage in a passing light distribution pattern P can be reduced.例文帳に追加

この結果、この発明は、ずれの要因が上側リフレクタ１９と下側リフレクタ２０との間だけであって、ずれの要因が上下の反射鏡の間および上下のレンズホルダの間にある従来の車両用前照灯と比較して、ずれの要因を軽減することができ、これにより、すれ違い用配光パターンＰにおいてずれが生じる虞を軽減することができる。 - 特許庁

The control device 36 controls the power generation adjusting means 34 to rapidly reduce power generation of the fuel cell 30 keeping the ratio of the quantity of combustion air (a) supplied to the combustion section 23 to the quantity of combustible components in the anode off-gas (p) supplied to the combustion section 23 within a prescribed ratio range when the electric power consumed by an electric power load 98 rapidly drops.例文帳に追加

制御装置３６は、電力負荷９８の消費電力が急減したときに、燃焼部２３に供給される燃焼用空気ａの量の、燃焼部２３に供給されるアノードオフガスｐ中の可燃成分の量に対する比が、所定の比率となる範囲内で燃料電池３０の発電電力を急減するように発電電力調節手段３４を制御する。 - 特許庁

In a plate working machine such as a turret punch press P, a cover having a slug jumping mechanism Ks to assist the drop and discharge of the slug after the punching is provided on both sides of a valley-like space of a disk support Sd formed of two plates erected facing to each other while keeping a predetermined space to support lower turrets T1.例文帳に追加

タレットパンチプレスＰ等の板材加工機において、下部タレットＴｌを支持するための所定間隔を保って対向配設され、対を成して起立する二つの板状体によって形成されるディスクサポートＳｄの谷状空間の両サイドに、打ち抜き加工後の抜きカスの落下排出を補助するための抜きカス跳ね上げ機構Ｋｓ付きカバーを構成して成ることを特徴とする。 - 特許庁

This pipe burying construction method is featured by being basically composed of a process of performing ground improvement work on a pipe burying expected area, a process of inserting and supporting a buried pipe P in an unhardened state of the ground of a ground improved area Y and a process of connecting the adjacent pipe ends when necessary after hardening the ground of a pipe inserted and buried part.例文帳に追加

本発明は基本的に、管埋設予定域に地盤改良工事を施す工程と、地盤改良された区域Ｙの地盤が未硬化の状態で埋設管Ｐを挿入支持する工程と、管が挿入埋設された部分の地盤が硬化した後に、必要に応じて隣接する管端を接続する工程とからなることを特徴とする管埋設工法である。 - 特許庁

The method includes steps of forming a silicon nitride film 103 on a p-type silicon substrate 101, forming an aperture of a predetermined pattern on the silicon nitride film 103, forming a gate trench 104 on a semiconductor substrate 101 with a silicon nitride film 108 used as a mask, and thereafter embedding a polysilicon film 106 inside the gate trench 104 and in the aperture thereby self-alignedly forming a gate electrode.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にシリコン窒化膜１０３を形成し、シリコン窒化膜１０３に所定のパターンの開口を形成し、シリコン窒化膜１０８をマスクとして用いて半導体基板１０１にゲートトレンチ１０４を形成した後、ゲートトレンチ１０４の内部および開口内にポリシリコン膜１０６を埋め込むことにより、ゲート電極を自己整合的に形成する。 - 特許庁

This ricochet preventive device A is installed in a rear side after a shot P fired from a rifle 1 is passed through the target 2, within the firing range, and the device A is formed to support the plurality of flexible sheets 3 containing the synthetic resin or rubber separately and independently to make the respective sheets movable each other, by an arm of the support means 4 extended from the ceiling face.例文帳に追加

射撃場内に小銃１から発射される銃弾Ｐが標的２を通過したその後方に跳弾防止装置Ａを設置し、この装置Ａは合成樹脂又はゴムを含む可撓性シート３の複数枚を天井面から延びる支持手段４のアームで各シートが互いに移動自在な分離独立状に支持されるように形成したものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor storage device includes steps of: forming a silicon diode by sequentially depositing p-type silicon and n-type silicon in order; forming pillars by selectively removing the silicon diode; arranging a solution including perhydrosilazane polymer at peripheries of the pillars; and forming a silicon oxide film by heating the solution.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法において、ｐ形シリコン及びｎ形シリコンを順次堆積させることにより、シリコンダイオードを形成する工程と、前記シリコンダイオードを選択的に除去してピラーを形成する工程と、前記ピラーの周囲に過水素化シラザン重合体を含む溶液を配置する工程と、前記溶液を加熱することにより、シリコン酸化膜を形成する工程と、を実施する。 - 特許庁

The metal wiring circuit board comprises a polyimide film substantially composed of a diamine component containing 80-100 mol% of p-phenylenediamine and a tetracarboxylic acid component containing 80-100 mol% of pyromellitic acid wherein two orthogonal directions having Young's modulus exceeding 10 GPa exist in the film plane.例文帳に追加

ｐ−フェニレンジアミン成分が８０モル％を超え１００モル％以下であるジアミン成分と、ピロメリット酸が８０モル％を超え１００モル％以下であるテトラカルボン酸成分とから実質的になるポリイミドからなり、そしてヤング率がいずれも１０ＧＰａを超える直交する２方向がフィルム面内に存在することを特徴とするポリイミドフィルムからなる金属配線回路板。 - 特許庁

The method for producing a liquid crystalline resin comprises, in reacting a monomer mixture containing hydroquinone and p-hydroxybenzoic acid with acetic anhydride for acetylation and further polymerizing to produce a liquid crystalline resin, before carrying out the acetylation reaction, including a process for mixing the monomer mixture with acetic anhydride at ≥30°C and <55°C to slurry the mixture.例文帳に追加

ヒドロキノンおよびｐ−ヒドロキシ安息香酸を含むモノマー混合物を、同一系で無水酢酸と反応させ、アセチル化を行った後、さらに、重合して液晶性樹脂を製造する際に、アセチル化反応を行う前に該モノマー混合物と無水酢酸を３０℃以上５５℃未満の温度で混合してスラリー化する工程を含むことを特徴とする液晶性樹脂の製造方法。 - 特許庁

The tape for an LOC comprises a polyamide film made from a polyimide substantially consisting of a diamine component comprising above 80 to 100 mol% p-phenylenediamine component and a tetracarboxylic acid component comprising above 80 to 100 mol% pyromellitic acid and having two crossing directions having a Young's modulus of above 10 GPa in the surface.例文帳に追加

ｐ−フェニレンジアミン成分が８０モル％を超え１００モル％以下であるジアミン成分と、ピロメリット酸が８０モル％を超え１００モル％以下であるテトラカルボン酸成分とから実質的になるポリイミドからなり、ヤング率がいずれも１０ＧＰａを超える直交する２方向がフィルム面内に存在することを特徴とするポリイミドフィルムからなるＬＯＣ用テープ。 - 特許庁

Since the parasitic capacitance is reduced by isolating light receiving elements through an insulator or a dielectric isolating region 6 and direct contact is taken from a P type semiconductor substrate 2 becoming an anode region in a region 11 embedded with a low resistance conductor, series resistance is decreased and the frequency characteristics of a light receiving element can be enhanced.例文帳に追加

受光素子間を絶縁体または誘電体の分離領域６で分離することにより寄生容量が低減され、かつ、低抵抗の導電体を埋め込んだ導電体埋め込み領域１１でアノード領域となるＰ型半導体基板２から直接コンタクトを取ることによりシリーズ抵抗が低減されるため、受光素子の周波数特性を向上することができる。 - 特許庁

By providing such a lifetime control region 13 as a current amplification factor in a transistor structure of pnp structure or npn structure which is formed by the n^++-type semiconductor region 1; the p^+-type semiconductor region 2 and the n^++-type semiconductor regions 3, 4 can be lowered, and the withstand pressure of the bidirectional planer-type diode can be raised.例文帳に追加

このようなライフタイム制御領域１３を設けたことにより、ｎ^＋＋型半導体領域１と、ｐ^＋型半導体領域２と、ｎ^＋＋型半導体領域３，４とにより形成されるｐｎｐ構造あるいはｎｐｎ構造のトランジスタ構造での電流増幅率を下げることができるので、双方向プレーナ型ダイオードの耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

An ignition timing sensor S4 is provided facing to a signal rotor 10 transmitted and connected to a crankshaft, a pickup signal P detected by the ignition timing sensor S4 is shaped in waveform by a waveform shaping circuit 41, and the rotation speed control signal R and the ignition timing control signal S are outputted by a control signal output circuit 42 based on a waveform shaping signal Q.例文帳に追加

クランク軸に伝動連結したシグナルロータ１０に対向して点火時期センサＳ４を設け、その点火時期センサＳ４で検出したピックアップ信号Ｐを波形整形回路４１で波形整形し、その波形整形信号Ｑに基づいて制御信号出力回路４２により上記回転速度制御信号Ｒと上記点火時期制御信号Ｓとを出力させる。 - 特許庁

The metering system 100 comprises a combinatorial measuring system 1 for carrying out a combination article K within a preset weight range by combining a plurality of articles, and a selection system 22 for selecting in ranks, the combination articles on the basis of the weight of the combination article K and the number of articles P constituting the combination article K.例文帳に追加

計量システム１００は、複数の物品を組合せることによって予め設定した重量範囲内にある組合せ物品Ｋを外部に搬出する組合せ計量装置１と、前記組合せ物品Ｋの重量と前記組合せ物品Ｋを構成する物品Ｐの個数とに基づいて前記組合せ物品をランク選別する選別装置２２と、を備える。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having at least a magnetic layer containing a ferromagnetic powder, a binder, an abrasive and an organic compound containing phosphorus (P) on a non-magnetic support, the ferromagnetic powder is hexagonal ferrite powder or iron nitride-based powder and the magnetic layer contains 1 to 5 pts.mass abrasive to 100 pts.mass ferromagnetic powder.例文帳に追加

非磁性支持体上に、強磁性粉末、結合剤、研磨剤およびリン（Ｐ）含有有機化合物を含む磁性層を少なくとも有する磁気記録媒体において、該強磁性粉末は六方晶フェライト粉末または窒化鉄系粉末であり、該磁性層は該強磁性粉末１００質量部に対し１〜５質量部の研磨剤を含有することを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

This composite titanium oxide film element unit is obtained by providing a substrate in which at least its surface layer contains, as main component, Ni-P (nickel-phosphorus), then forming a film of titanium or titanium-containing material on the prescribed area of the substrate and selectively forming the composite titanium oxide layer only on the film surface of titanium or titanium-containing material by a hydrothermal method.例文帳に追加

少なくとも表面の主成分がＮｉ−Ｐ（ニッケルリン）である基板と、この基板の所定の領域にチタンあるいはチタンを含む材料の膜を形成し、このチタンあるいはチタンを含む材料の膜の表面にのみ選択的に、水熱法によって複合チタン酸化物層を形成することを特徴とする複合チタン酸化物膜素子ユニットおよびその製造方法。 - 特許庁

The protective film bonding method includes a process for confirming surface finish quality required in the metal strip S as the attribute data of the metal strip S, a process for calculating an influence coefficient X on the basis of the confirmed surface finish quality and a process for determining the pressing force P of the protective film 6 to the surface of the metal strip S on the basis of the calculated influence coefficient X.例文帳に追加

保護フィルムの貼付方法は、金属帯Ｓに求められる表面仕上品質を金属帯Ｓの属性データとして認識する工程と、認識された表面仕上品質に基づいて影響係数Ｘを算出する工程と、算出された影響係数Ｘに基づいて、金属帯Ｓの表面に対する保護フィルム６の押圧力Ｐを決定する工程とを含む。 - 特許庁

A polyamide film is formed of at least three layers including a resin layer X of a polyamide A composed of a xylenediamine component and a 4-12C aliphatic dicarboxylic acid component and a resin layer Z formed of a mixture of the polyamide A and an aliphatic polyamide B on the middle of a resin layer Y containing 0.5-3 wt.% polymer compound P in the aliphatic polyamide B.例文帳に追加

キシリレンジアミン成分と炭素数が４〜１２の脂肪族ジカルボン酸成分とから形成されたポリアミド（Ａ）の樹脂層（Ｘ）と、脂肪族ポリアミド（Ｂ）に下記の高分子化合物Ｐを０．５〜３重量％を含有した樹脂層（Ｙ）の中間に、ポリアミド（Ａ）とポリアミド（Ｂ）の混合物からなる樹脂層（Ｚ）を有する、少なくとも３層からなる多層延伸ポリアミドフィルム。 - 特許庁

This gas engine is provided with a main combustion chamber 16 formed in a cylinder 13 to obtain a driving output by burning the lean gas supplied from the outside, an auxiliary combustion chamber 18 communicating with the main combustion chamber 16 to ignite with the pressure by injection of the pilot fuel P, and a water injection means 24 for injecting water to lower the combustion temperature of the main combustion chamber 16.例文帳に追加

外部より供給された希薄ガスを燃焼して駆動出力を得るようシリンダ１３内に形成された主燃焼室１６と、主燃焼室１６に連通してパイロット燃料Ｐの噴射により圧力で着火を起こす副燃焼室１８と、主燃焼室１６の燃焼温度を下げるよう水を噴霧し得る水噴射手段２４とを備える。 - 特許庁

At a portion facing a discharge cell C of the PDP, the PDP has oxide magnesium crystal grains p which have characteristics to carry out CL light-emission having its peak in a wavelength range of 200 to 300 nm by being excited by electron beam irradiation and contain calcium with content concentration 0.5 to 200 wt. ppm or zinc with content concentration 10 to 200 wt. ppm.例文帳に追加

ＰＤＰの放電セルＣに面する部分に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍの範囲内にピークを有するＣＬ発光を行う特性を有するとともに、含有濃度０．５〜２００重量ｐｐｍのカルシウムまたは含有濃度１０〜２００重量ｐｐｍの亜鉛を含有する酸化マグネシウム結晶体粒子ｐが含まれている。 - 特許庁

The surface layer of a bank 13 composed of a polyimide resin material is removed by 90 nm or more by an oxygen plasma treatment prior to forming hole injection layers 8b by depositing a molybdenum oxide layer, so as to cause pixels P forming the light emitting region of the EL panel 1 to emit light satisfactorily to prevent dark areas from occurring in the light emitting region.例文帳に追加

酸化モリブデン層を成膜して正孔注入層８ｂを形成することに先立って、ポリイミド系樹脂材料からなるバンク１３に対して酸素プラズマ処理を施して、その表層を９０ｎｍ以上除去することによって、ＥＬパネル１の発光領域を構成する各画素Ｐを良好に発光させ、その発光領域におけるダークエリアの発生を防止することを可能にした。 - 特許庁

The surface layer of a bank 13 composed of a polyimide resin material is removed by 50 nm or more by an oxygen plasma treatment prior to forming hole injection layers 8b by depositing a molybdenum oxide layer, so as to cause pixels P forming the light emitting region of the EL panel 1 to emit light satisfactorily to prevent dark spots from occurring in the light emitting region.例文帳に追加

酸化モリブデン層を成膜して正孔注入層８ｂを形成することに先立って、ポリイミド系樹脂材料からなるバンク１３に対して酸素プラズマ処理を施して、その表層を５０ｎｍ以上除去することによって、ＥＬパネル１の発光領域を構成する各画素Ｐを良好に発光させ、その発光領域におけるダークスポットの発生を防止することを可能にした。 - 特許庁

In this directional coupler comprising a grounded metal shield case 11, a dielectric substrate 12 supported by the shield case 11, and first and second stripline conductors 13 and 14 provided on one surface of the dielectric substrate 12 and parallel to each other with an interval P of prescribed length, a floating conductor 16 is provided on the other surface of the dielectric substrate 12.例文帳に追加

接地された金属製シールドケース１１と、このシールドケース１１に支持された誘電体基板１２と、この誘電体基板１２の一方の面に設けられ、所定長さ区間Ｐで互いに平行する第１および第２のストリップ線路導体１３、１４とを具備した方向性結合器において、誘電体基板１２の他方の面にフローティング導体１６を設けた。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

The radically polymerizable flame-retardant resin composition comprises a phosphorus containing (meth)acrylic compound (A) obtained by reacting a polyfunctional (meth)acrylic compound having at least three (meth)acryloyl groups in the molecule with a phosphorus compound having a P-H bond with 0.1-0.7 equivalent of the phosphorus compound per 1 equivalent of the (meth)acryloyl group.例文帳に追加

本発明の樹脂組成物は、１分子中に３個以上の（メタ）アクリロイル基を有する多官能（メタ）アクリル化合物とＰ−Ｈ結合を有するリン化合物とを、（メタ）アクリロイル基１当量に対して、Ｐ−Ｈ結合を有するリン化合物を０．１〜０．７当量の範囲内で、反応させて得られるリン含有（メタ）アクリル化合物（Ａ）を含むラジカル重合性難燃樹脂組成物である。 - 特許庁

Regardless of the kind of an application activated at present, a schedule confirmation icon 22c is residentially displayed on a task bar 22 of a liquid crystal display part 3 and by touching this confirmation icon 22c with a pen P, the POP UP display of schedule information stored in the POP UP display data memory corresponding to the present time is performed as a schedule confirmation window W just during that pen touch operation.例文帳に追加

現在起動処理されているアプリケーションの種類に関わらず、液晶表示部3 のタスクバー22上にスケジュール確認アイコン22c を常駐表示させ、この確認アイコン22c をペンＰによりタッチすることで、そのペンタッチ操作の間だけ、前記POP UP表示データメモリに記憶されている現在時刻に応じたスケジュール情報がスケジュール確認ウインドウＷとしてPOP UP表示される。 - 特許庁

In the organic thin-film solar cell configured by laminating a p-type organic semiconductor layer 31 and an n-type organic semiconductor layer 32 between a pair of electrodes 1, 2, an exiton deactivation preventing layer (EBL) 4 constituted of a compound expressed by general expression (1) is formed between the n-type organic semiconductor layer 32 and a negative pole 2 adjoining the n-type organic semiconductor layer 32.例文帳に追加

一対の電極１，２間にｐ型有機半導体層３１およびｎ型有機半導体層３２が積層されている有機薄膜太陽電池において、前記ｎ型有機半導体層３２と負極２との間に前記ｎ型有機半導体層３２に隣接して、下記一般式（１）で表される化合物からなる励起子失活防止層（ＥＢＬ）４を形成する。 - 特許庁

The ball drawing device 10 includes a first discharging unit 61 capable of individually discharging a plurality of balls for drawing, a drawing field 11 having a plurality of holes (drawing pockets P) into which the discharged balls lb for drawing can enter, a host control device 40 for performing various controls, and a collection mechanism 70 capable of collecting the balls for drawing in the plurality of holes.例文帳に追加

本発明に係るボール抽選装置１０は、抽選に用いる複数の抽選用ボールlbを個別に排出可能な第１排出部６１と、排出された抽選用ボールlbが入球可能な複数の孔（抽選ポケットＰ）を有する抽選フィールド１１と、各種の制御を行うホスト制御装置４０と、複数の孔の抽選用ボールlbを回収可能な回収機構７０と、を備える。 - 特許庁

Control start speed Nstart is set in such a manner that the same tends to be lower as demand power P* demanded by the operator gets larger and tends to be lower as vehicle speed V increases (S130), engine 22 is motored (S150 - S190), and operation control of the engine is started when speed Ne of the engine reaches the control start speed Nstart (S220).例文帳に追加

運転者が要求する要求パワーＰ＊が大きいほど小さくなる傾向に車速Ｖが大きいほど小さくなる傾向に制御開始回転数Ｎｓｔａｒｔを設定し（Ｓ１３０）、エンジン２２をモータリングし（Ｓ１５０〜Ｓ１９０）、エンジンの回転数Ｎｅが制御開始回転数Ｎｓｔａｒｔに至ったときにエンジンの運転制御を開始する（Ｓ２２０）。 - 特許庁

Thereby, if the shift lever retained in the main linear passage 76 is moved along a shift direction, the shift lever 16 can be moved to the R position, the D position and the N position, and if the shift lever is further alternately moved along the shift direction and the selection direction, the shift lever can be moved from on of the R position and the P position to the other via the RS position.例文帳に追加

これにより、主直線路７６内に保持されたシフトレバーをシフト方向に沿って移動させれば、シフトレバー１６をＲ位置、Ｄ位置及びＮ位置へ移動させることができ、またシフトレバーをシフト方向及びセレクト方向に沿って交互に移動させれば、シフトレバーを、ＲＳ位置を経由させてＲ位置及びＰ位置の一方から他方へ移動させることができる。 - 特許庁

In a blower rotating a fan 4 having N pieces of blades 4a by a motor 3 comprising a stator 1 composed of a core having M pieces of salient poles with amature winding and a rotor 2 equipped with a permanent magnet 2a having P pieces of magnetic poles rotatably mounted opposed to the stator pole face, an equation mN≠nM or an equation mN≠nP should be met.例文帳に追加

電機子巻線を備えたＭ個の突極１ａを有する鉄心で構成したステータ１と、前記ステータ磁極面と対向して回転可能に配置されるＰ個の磁極をもつ永久磁石２ａを備えたロータ２とからなり、このモータ３によってＮ枚の翼４ａをもつファン４を回転させる送風装置において、ｍＮ≠ｎＭまたはｍＮ≠ｎＰを満たすものである。 - 特許庁

This polycarbonate resin is obtained by the reactions of reactants containing diphenol, a stock material for carbonate, and terminal sealant composed of p-long chain substituted phenol (para-compound), wherein content of o-long chain substituted phenol (ortho-compound) as an impurity in the sealant satisfies the following relationship: ortho-compound content/para- compound content plus ortho-compound content ×106<10,000.例文帳に追加

ジフェノール、カーボネート原料及びｐ−長鎖置換フェノール（以下、パラ体という）からなる末端封鎖剤を含む反応原料を反応させて得られるポリカーボネート樹脂であって、使用される末端封鎖剤中の不純物であるｏ−長鎖置換フェノール（以下、オルト体という）の含有量が下記式の関係を満足するものであることを特徴とするポリカーボネート樹脂。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor comprises: a first collector layer 102 formed above a substrate 101 composed of InP; a second collector layer 103 formed on the first collector layer 102; a base layer 104 formed on the second collector layer 103 and composed of a compound semiconductor containing Ga, As, and Sb; and an emitter layer 105 formed on the base layer 104 and composed of a compound semiconductor containing In and P.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。 - 特許庁

A mask insulating film 3 serving as a mask for forming the trench 4 has a thinner film thickness portion at least at a periphery of an opening portion 6d for trench formation than at other parts, and the p-type epitaxial semiconductor layer 5 is buried in the trench 4 after the thinner film thickness portion of the mask insulating film 3 is etched away.例文帳に追加

トレンチ４を形成するためのマスクとなるマスク絶縁膜３が少なくとも前記トレンチ形成用開口部６ｄ周辺で、他の部分より薄い膜厚部分を有し、前記トレンチ４にｐ型エピタキシャル半導体層５を埋め込む前に、前記マスク絶縁膜３の膜厚の薄い部分をエッチングして除去した後に、前記トレンチ４にｐ型エピタキシャル半導体層５を埋め込む。 - 特許庁

The steel sheet for a can is composed in such a manner that a steel sheet comprising, by weight, ≤0.006% C, ≤0.04% Si, 0.50 to 0.60% Mn, ≤0.02% P, ≤0.02% S, 0.005 to 0.1% Al, ≤0.01%例文帳に追加

重量％にてＣ：０．００６％以下、Ｓｉ：０．０４％以下、Ｍｎ：０．５０〜０．６０％、Ｐ：０．０２％以下、Ｓ：０．０２％以下、Ａｌ：０．００５〜０．１％、Ｎ：０．０１％以下、Ｃａ：０．００５％以下を含有し、残部が鉄および不可避的不純物からなる鋼板を下式（Ａ）〜（Ｃ）を満たすことによって、強度を保ち、加工性や非時効性に優れた缶用鋼板を製造する。 - 特許庁

Since at the time of production of this polyimide resin film 14 the polycondensation is performed by the heating by far infrared rays, the far infrared rays penetrate into the inside of the coating film of the resin precursor P for the radiant energy of the far infrared rays to be absorbed and the whole coating film is efficiently heated for the imidization to be accomplished, the homogeneous polyimide resin film 14 is produced in a short time.例文帳に追加

このポリイミド樹脂フィルム１４の生成に際しては、遠赤外線による加熱で縮重合が行われるのであるが、その遠赤外線は樹脂前駆体Ｐの塗膜内部まで浸透して遠赤外線の放射エネルギが吸収され、塗膜全体が効率良く加熱されてイミド化が行われるので、短時間で均質なポリイミド樹脂フィルム１４が生成される。 - 特許庁

To provide a ZnSe white light emitting diode that is equipped with a ZnCdSe/ZnSe active layer or a ZnSeTe active layer and a ZnSe substrate doped with SA light emitting impurities, which has a long service life and is improved in brightness by preventing the injected electrons from overflowing into a p-type clad layer, and by restraining the injected holes from overflowing into an n-type clad layer.例文帳に追加

ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ活性層またはＺｎＳｅＴｅ活性層とＳＡ発光不純物をドープしたＺｎＳｅ基板をもつＬＥＤにおいて、注入された電子がｐ型クラッド層へオーバーフローすること、注入された正孔がｎ型クラッド層へオーバーフローすることを防ぎ、より高輝度でより長寿命のＺｎＳｅ系白色発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

Four tin-copper alloy plating flat type conductors 2 are arranged in parallel between two upper and lower insulating tapes 3, 3 with a prescribed conductor interval (p), respective terminals of the plating flat type conductors 2 are exposed from both terminals of two insulating tapes 3, 3 to provide connection terminals (conductor exposing portions) t, t, and two insulating tapes 3, 3 are heated and fused integrally.例文帳に追加

４本の錫−銅合金めっき平角導体（２）を上下２枚の絶縁テープ（３、３）の間に所定の導体間隔（ｐ）で並列配置し、該２枚の絶縁テープ（３、３）の両端末部から前記めっき平角導体（２）の各端末を露出させて接続端末部（導体露出部）（ｔ、ｔ）を設け、２枚の絶縁テープ（３、３）を加熱融着して一体化する。 - 特許庁