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p-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 17764



例文

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第1導電型半導体領域1と、第2導電型半導体領域3とを備え、第1導電型半導体領域1と第2導電型半導体領域3との間に形成されるPN接合2の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が0.5μm以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

To provide an aromatic polyimide film which has the same heat resistance and physical characteristics as those of an aromatic polyimide film, which is known to be excellent in heat resistance and physical characteristics, manufactured from a 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid component and p-phenylenediamine, and which can be manufactured commercially advantageously.例文帳に追加

耐熱性や物理的特性に優れることで知られている3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸成分とp−フェニレンジアミンとから製造される芳香族ポリイミドフィルムと同等の耐熱性と物理的特性を有する芳香族ポリイミドフィルムであって、その製造が工業的に有利な条件で実現する芳香族ポリイミドフィルムを提供する。 - 特許庁

To solve the following problems: materialization of high deep drawability requires the preparation of IF steel by incorporation of Ti and/or Nb, whereas the incorporation of P is effective for increasing the tensile strength of the steel while maintaining its high deep drawability, in this case however, its secondary working embrittlement remarkably deteriorates.例文帳に追加

高い深絞り性を実現するためにはTiおよび/またはNbを含有させることによってIF鋼とする必要があり、一方、高い深絞り性を維持したまま高張力化するためにPを含有させることが有効であるが、そのようにした場合、二次加工脆性が大きく劣化するという問題があり、これを解決する。 - 特許庁

This cell having a gene lacking functions and encoding a protein CENP-O or CENP-P which comprises a specific amino acid sequence or the specific amino acid sequence whose one or several amino acids are deleted, replaced or added, is localized in a centromere, and has a binding property to CENP-H or CENP-I.例文帳に追加

特定のアミノ酸配列からなるか、又は特定のアミノ酸配列において1若しくは数個のアミノ酸が欠失、置換若しくは付加されたアミノ酸配列からなり、セントロメアに局在し、かつCENP−H及びCENP−Iに結合性を有するタンパク質CENP−O又はCENP−Pをコードする遺伝子の機能を欠損させた細胞。 - 特許庁

例文

To provide compound semiconductor particles containing a crystal phase with a chalcopyrite type crystal structure regardless of fine particles, a method for producing the same, and a dense compound semiconductor film containing a crystal phase with a chalcopyrite type crystal structure as a main crystal phase, having P type properties as a semiconductor element, and also having a uniform composition in the thickness direction.例文帳に追加

微粒であってもカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相を含む化合物半導体粒子とその製法、ならびにカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相が主結晶相であり、半導体素子としてP型の特性を有するとともに、厚み方向に対して均一な組成を有する緻密な化合物半導体膜を提供する。 - 特許庁


例文

The assembling type pedestal K of precast concrete for placing the object P having a plurality of mounting parts 6 on the bottom comprises a first block 1 arranged in the middle, a second block 2 and a third block 3 arranged on both sides of the first block, respectively, and connecting means 5 for joining and connecting side faces of the blocks.例文帳に追加

底部に複数の取付部6を有する設置物Pを載せるプレキャストコンクリート造の組立型基台Kであって、中央に配置される第1ブロック1と、第1ブロックの両側にそれぞれ並べて配置される第2ブロック2及び第3ブロック3と、各ブロックの側面どうしを接合して連結する連結手段5とを備える。 - 特許庁

In the optical path from the polarizing beam splitter 26 to an objective lens unit 28P, 28S, beam samplers 29P, 29S and power detectors 30P, 30S are installed, total beam quantity is adjusted by the optical deflector 23, with a power ratio of the P to the S polarizing component changing by adjusting the angle of the λ/2 wavelength plate 27.例文帳に追加

偏光ビームスプリッタ26から対物レンズユニット28P,28Sに至る光路にはビ−ムサンプラ29P,29S及びパワーディテクタ30P,30Sが設けられ、光偏向器23により全体の光量が調整され、λ/2波長板27の角度を調整することによりP偏光成分とS偏光成分とのパワー比が変化する。 - 特許庁

A circulating endless belt 29 wound around a pair of pulleys 26, 28 supported by rotary shafts 25, 27 of a pair of rotary blades 16a, 16c rotating inward from the foreside to the backside is placed on a deck plate 17 to form a mowed grass discharging path between the rotary shaft axes P of the rotary blades 16a, 16b in the deck plate 17.例文帳に追加

互いに前方から後方に向かって内向き回転する一対の回転ブレード16a,16cの回転軸25,27に設けられた両プーリー26,28に亘って巻き掛けられる無端回動ベルト29を、デッキプレート17の上面側に配設し、デッキプレート17のうち、両回転ブレード16a,16cの回転軸芯P間に刈り草排出路を形成する。 - 特許庁

From level variation on the power supply line P of a USB cable 6, a USB block 11 detects that the USB cable 6 was removed during print operation and non-connection state was brought about, and a CPU 2 controls a feed motor to discharge a sheet in the way of print operation and controls a carrier motor to shift an ink head to the home position.例文帳に追加

USBケーブル6の電源ラインPのレベル変化から、USBブロック11により、USBケーブル6が印字動作中に外れて非接続状態になったことが検出され、CPU2により、フィードモータが制御されて印字途中の用紙が排出されると共に、キャリアモータが制御されてインクヘッドがホームポジションに移動される。 - 特許庁

例文

In a double-sided mode, when an image formed on the second side P2 of paper P is an image formed by superposing a plurality of color toner images, the developing bias applied to each color developing roller when forming the image on a first side P1 and when forming the image on the second side P2 is set to second developing bias lower than the first developing bias.例文帳に追加

両面モードにおいて、用紙Pの第2面P2に形成される画像が複数色のトナー像の重ね合わせにより形成される画像である場合には、第1面P1への画像の形成時および第2面P2への画像の形成時に各色の現像ローラに加えられる現像バイアスが、第1現像バイアスよりも低い第2現像バイアスに設定される。 - 特許庁

例文

The method for manufacturing the optical semiconductor integrated circuit device comprises the steps of forming a p^+-type exudated region of an emitter region in a vertical pnp transistor 21 by exudating an impurity from an emitter retrieving electrode 41, and forming an n^+-type diffused region 39 of a base leading region by ion implanting.例文帳に追加

本発明における光半導体集積回路装置の製造方法では、縦型PNPトランジスタ21において、エミッタ領域であるP+型の浸み出し領域はエミッタ取り出し電極41からの不純物の浸み出しにより形成し、ベース導出領域であるN+の拡散領域39はイオン注入により形成する。 - 特許庁

In the method for producing the polyimide film, a highly swelled gel film produced by introducing a polyamic acid solution with poly(p- penylene-3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxyimide) having a high elastic modulus and good dimensional stability cast into a polyamide acid settling solvent containing a dewatering condensation agent is stretched while being swelled.例文帳に追加

高弾性率、高熱寸法安定性のポリ(p−フェニレン−3、3’、4、4’−ビフェニルテトラカルボキシイミド)の流延したポリアミック酸溶液を、脱水縮合剤を含有するポリアミド酸非沈降性溶剤中に導入することにより調製した高度に膨潤したゲルフイルムを膨潤状態で延伸することを特徴とするポリイミドフイルムの製造法。 - 特許庁

This device has a diode 14 and a diode group 12 which are different in the temperature dependence of forward voltages, P type transistors 13 and 11 which control the currents flowing thereto, and a comparator 16 which inputs the forward voltages of the diode 14 and the diode group 12 respectively and compares them with each other to output their magnitude relationship.例文帳に追加

順方向電圧の温度依存性の異なる、ダイオード14およびダイオード群12と、これらに流れる電流をそれぞれ制御するP型トランジスタ13、11と、ダイオード14およびダイオード群12の順方向電圧をそれぞれ入力とし、これら入力を比較してその大小関係を出力するコンパレータ16とを有する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device containing a nitride semiconductor layer, an electrode, and a dielectric film has an InGaNX contact layer containing one or more elements X selected from among As, P, and Sb in contact with an area between the nitride semiconductor layer and the dielectric film, thus preventing the dielectric film from being exfoliated.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体層、電極および誘電体膜を含む窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体層と前記誘電体膜との間に接して、As、PまたはSbから選ばれる1種類以上の元素Xを含む、InGaNXコンタクト層を具備することによって誘電体膜の剥離を防止することが可能である。 - 特許庁

After the mask 15 is removed, the gallium nitride semiconductor film 13 is thermally treated in an atmosphere 21 containing at least either ammonia or hydrazine compound, without the formation of a cap film, or the like, on the surface of a gallium nitride semiconductor film 13e, at a temperature T_A, forming a p-type gallium nitride semiconductor region 13h.例文帳に追加

マスク15を除去した後に、窒化ガリウム系半導体膜13eの表面上にキャップ膜等を形成することなく、アンモニア及びヒドラジン系化合物の少なくともいずれか一つを含む雰囲気21中で窒化ガリウム系半導体膜13を温度T_Aにおいて熱処理してp型窒化ガリウム系半導体領域13hを形成する。 - 特許庁

To highly improve calculation precision of a fuel injection quantity while highly improving control stability of the fuel injection quantity in a control device of an internal combustion engine which controls the fuel injection quantity by using a fuel behavior model including an adhesion ratio R and a residual ratio P as parameters.例文帳に追加

この発明は、内燃機関の制御装置に関し、付着率Rと残留率Rとをパラメータとして含む燃料挙動モデルを用いて燃料噴射量を制御する内燃機関の制御装置において、燃料噴射量の制御安定性を良好に向上させつつ、燃料噴射量の算出精度を良好に向上させることを目的とする。 - 特許庁

The water-based resin dispersion composition comprises a polymer obtained by polymerizing a monomer component essentially comprising cyclohexyl acrylate, wherein the value (p value) obtained by subtracting a calculated Tg (K) of the polymer by the content (g) of a cyclohexyl group in 1 g of the polymer is 880 or less.例文帳に追加

本発明に係る、水性樹脂分散体組成物は、シクロヘキシルアクリレートを必須に含む単量体成分を重合して得られるポリマーを含有する水性樹脂分散体組成物であって、前記ポリマーの計算Tg(K)を、ポリマー1g中のシクロヘキシル基の含有量(g)で除した値(p値)が880以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In this feeding device 144, the hopper 101 is provided to let the recorded medium P approaching and put on a feeding roller 311 abut on the feeding roller 311 during a period of time from the time when the feeding roller 311 feeds the recorded medium P1 at the uppermost position to the time when the following recorded medium P2 is fed.例文帳に追加

給送装置(144)において、ホッパ101は、給送ローラ311が最上位の被記録媒体(P1)を給送してから後続の被記録媒体(P2)を給送するまでの間、前記給送ローラ311に対して接近し載置された被記録媒体(P)が前記給送ローラ311と当接した状態となるように設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

This device for judging the soundness of the reinforced concrete judges the soundness of a corroded point P of a reinforcing bar 12 by measuring the magnetic field on the objective surface for measurement or the vicinity thereof at many points with the surface of the reinforced concrete as the objective surface for measurement, and processing the data obtained in the multiple- point measurement to obtain the distribution of the current density of the reinforced concrete.例文帳に追加

鉄筋コンクリートの健全性判定装置は、鉄筋コンクリートの面を測定対象面とし、前記測定対象面又はその近傍の磁場を多点測定し、前記多点測定により得られたデータを処理することにより、前記鉄筋コンクリートの電流密度分布を得ることにより、鉄筋12の腐食ポイントPの健全性を判定する。 - 特許庁

In processing the terminal of a shielded wire P formed by coating an insulated wire with braid and then with an envelope, the diameter of the braid of the terminal on which the envelope is peeled is increased by a diameter increasing unit 18, the braid whose diameter is increased is reversed to the envelope side by a reversing unit 19, and its exposed insulating coating is peeled by a peeling unit 20.例文帳に追加

絶縁電線を編組で被覆し、その上をさらに外皮で被覆したシールド線Pの端末を加工する際、その外皮が剥離された端末の編組を拡径ユニット18により拡径した後、反転ユニット19によりその拡径された編組を前記外皮側に反転し、その露出した絶縁被覆を皮剥ユニット20により剥離する。 - 特許庁

The guide member has an opening wider in area than that of the inlet 11, surrounds the inlet 11 so as to form a passage P guiding the fluid from the inlet 11 to the filter 21 and also includes a shielding cylindrical portion 41 with the inside surface and the bottom surface as shielding surfaces and a plate portion 42 formed with two or more communicating holes H outside the shielding cylindrical portion 41.例文帳に追加

この案内部材は、流入口の開口面積以上の開口を有し、流体を流入口11からフィルタ21に案内する流路Pを形成するように流入口を囲繞すると共に、内側面及び底面を遮蔽面とする遮蔽筒部41と、その外側に複数の連通孔Hを形成したプレート部42を有する。 - 特許庁

The thermal transfer printer P in which both ends of the thermal head 2 and the platen 4 are supported respectively and the thermal head 2 and the platen 4 are arranged to face each other, includes a first pressing means 50 pressing at least the central part of the thermal head 2 to the side of the platen 4 and a second pressing means 65 pressing the platen 4 to the side of the thermal head 2.例文帳に追加

サーマルヘッド2とプラテン4の両端部がそれぞれ支持されて、当該サーマルヘッド2とプラテン4が対面するように配置された熱転写プリンタPにおいて、サーマルヘッド2の少なくとも中央部をプラテン4側へと押圧する第1の押圧手段50と、プラテン4をサーマルヘッド2側へと押圧する第2の押圧手段65と、を備えている。 - 特許庁

In the test piece M, a rod-shaped member 55 is inserted into a clearance P formed between the film F1 (or F2) and the chuck tape 31 (or 32) corresponding to the film F1, and the film F1 is pulled relative to the rod-shaped member 55 inserted so that the film F1 and the chuck tape 31 heat-sealed mutually are exfoliated.例文帳に追加

この試験片Mにおいて、フィルムF1(またはF2)とこのフィルムF1に対応するチャックテープ31(または32)との間に形成された間隙Pに棒状部材55を挿入し、互いにヒートシールされたフィルムF1とチャックテープ31とを剥離させるようこの挿入された棒状部材55に対してフィルムF1を相対的に引っ張る。 - 特許庁

A focus control means 2 changes a focus position prior to real photographing, specifies an optimum focal position for each pixel P of an image pickup element or for each particular region on the basis of data obtained at that time from the image pickup element 3, and associates the focal position data with a corresponding pixel or particular region to store the resultant focal position data in a storing means 14.例文帳に追加

本撮影前に焦点制御手段2にて焦点位置を変化させ、そのときに得られる撮像素子3からのデータに基づいて、撮像素子の各画素P毎にまたは特定領域毎に最適な焦点位置を特定し、その焦点位置データを、対応する画素または特定領域と関連付けて記憶手段14に記憶する。 - 特許庁

A heating nip passing time necessary for an arbitrary point on the rotating pressure roller 232 to pass through a heating nip Y is decided depending on a material and a capacity of the external heating roller 233, power consumption by the fixing unit and the surface temperature of the external heating roller 233 during a time in which the recording paper P passes through the fixing nip.例文帳に追加

外部加熱ローラ233の材料および熱容量と、記録紙Pの通過時における定着装置の消費電力と、上記録紙Pの通過時における外部加熱ローラ233の表面温度とに基づいて、回転する加圧ローラ232上の任意の一点が加熱ニップ部Zを通過するのに要する加熱ニップ通過時間が決定される。 - 特許庁

The semiconductor electrostatic motor which can rotate at a high speed without rotating unevenness is obtained in such a manner that the second impurity adding part 2d of the stator for supplying an operating voltage or the Schottky junction by the metal has its reverse voltage or a reverse voltage by the second impurity adding part 2c of the n-type stator and the semiconductor substrate 2a of the p-type stator.例文帳に追加

作用する電圧を供給する固定子の第2の不純物添加部2dあるいは金属によるショットキ接合がその逆電圧か、n型の固定子の第2の不純物添加部2cとp型の固定子の半導体基板2aによる逆電圧を持つことにより、高速回転が可能な回転むらのない半導体静電モータを得た。 - 特許庁

The method for heating the glass body is characterized by interposing a sleeve pipe P having a spectral emissivity in a wavelength region of 1-4 μm higher than that of a starting glass pipe G between the nearly cylindrical heating element 23 and the starting glass pipe G when the inside deposition is performed by heating the starting glass pipe G provided at the inside of the heating element 23.例文帳に追加

本発明に係るガラス体の加熱方法は、略円筒形の発熱体23の内側に配置した出発ガラスパイプGを加熱して内付けを行う際に、発熱体23と出発ガラスパイプGとの間に、1μm〜4μmの波長領域における分光放射率が出発ガラスパイプGより大きいスリーブパイプPを介在させる。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程S104では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにp型及びn型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

For channel estimation in a spectrally shaped wireless communication system, an initial frequency response estimate is obtained for a first set of P uniformly spaced subbands (1) based on pilot symbols received on a second set of subbands used for pilot transmission and (2) using extrapolation and/or interpolation.例文帳に追加

スペクトル的に成型されたワイアレス通信システムにおけるチャネル推定のために、初期周波数応答推定値は、(1)パイロット送信のために使用されるサブバンドの第2のセット上で受信されたパイロット・シンボルに基づいて、そして(2)外挿及び/又は内挿を使用して、P個の一様に間隔を空けて配置されたサブバンドの第1のセットに対して得られる。 - 特許庁

A battery cell 10 has a stacked electrode body 100 in which separators S, T of which the thickness are different at a side of a positive electrode terminal part 101 where a positive electrode core PB is protruded and at a side of a negative electrode terminal part 102 where a negative electrode core PB is protruded are held and stacked between a positive electrode plate P and a negative electrode plate N.例文帳に追加

電池セル10は,正極芯材PBが突出している正極端部101の側と負極芯材PBが突出している負極端部102の側とでその厚みが異なっているセパレータS,Tを,正極板Pと負極板Nとの間に挟んで積層した積層電極体100を有するものである。 - 特許庁

In roll changing process of a first roll 100b, a control server 3 controls the roll shop P so that the first roll 100b for supplying to a ZM rolling mill 2 is supplied from a ZM supply area 61 to a changer 69 and also the first roll 100b which is recovered from the ZM rolling mill is recovered from the changer 69 to the ZM recovery area 62.例文帳に追加

ファーストロール100bのロール交換処理では管理サーバ3は、ZM圧延機2に供給するファーストロール100bをZM供給エリア61からチェンジャー69に供給するとともに、ZM圧延機2から回収されたファーストロール100bをチェンジャー69からZM回収エリア62に回収するようにロールショップPを制御する。 - 特許庁

The positive-electrode active material is used with a composition such that at least one of sulfur (S), phosphorus (P), and fluorine (F) exists in the aggregate on the surface of a complex-oxide particle containing transition metal and metallic element M; and that the metallic element M has concentration gradient getting concentrated toward the surface from the center of the complex-oxide particle.例文帳に追加

遷移金属と金属元素Mとを含む複合酸化物粒子の表面に硫黄(S)、リン(P)およびフッ素(F)のうちの少なくとも一種が、複合酸化物粒子表面に凝集した形態で存在し、金属元素Mが、複合酸化物粒子の中心から表面に向けて濃くなる濃度勾配を有している正極活物質を用いる。 - 特許庁

A reflector for reflecting the light emitted from the light emitter 5 to the reading-target portion 2b is not arranged outside of a virtual space S in a sub scanning direction Y that is defined by the light emitter 5 and a virtual plane P defined by a main scanning direction X and depth of field D of the contact image sensor 1.例文帳に追加

また、密着型イメージセンサ1の被写界深度Dと主走査方向Xとによって規定される仮想平面Pと、発光体5とによって規定される仮想空間Sの、副走査方向Yにおける外側には、発光体5から射出された光を被読取部2bに向かって反射する反射体が配置されていない。 - 特許庁

In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers.例文帳に追加

絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層3と該第一固体材料層3とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層5とのp−n接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池1。 - 特許庁

In the method of manufacturing the silicon wafer for the CMOS device, the SiGe film and the SiC film are formed isolated from each other on a surface of the same silicon substrate using a selective epitaxial method or an ion implantation method, whereby an n-MOS device and a p-MOS device required for configuring the CMOS device are manufactured on the same silicon substrate isolated from each other like islands.例文帳に追加

CMOSデバイス用シリコンウェハの製造方法において、同一シリコン基材の表面に、選択エピタキシャル法又はイオン注入法を用い、SiGe膜及びSiC膜を分離して形成し、CMOSデバイスを構成するために必要なn−MOSデバイス、及びp−MOSデバイスを同一シリコン基材上に島状に分離して製造する。 - 特許庁

The horizontal conductor 3d has a first horizontal plate 35 bridging upper ends of the first and second vertical plates 31 and 32 and a second horizontal plate 36 bridging upper ends of the third and fourth vertical plates 33 and 34, and a feed point P is provided in the vicinity of a lower end of one of the first to fourth vertical plates.例文帳に追加

水平導体部3dは、第1および第2垂直平板部31,32の上端どうしを橋絡する第1水平平板部35と、第3および第4垂直平板部33,34の上端どうしを橋絡する第2水平平板部36とを有しており、第1〜第4垂直平板部のいずれかの下端近傍に給電点Pを設けた。 - 特許庁

In the display device P, a second glass plate 6, which is oppositely arranged to a first glass plate 4 and an opaque or colored resin film 5 adhered to a portion of one side of the first glass plate 4 by a pressure sensitive adhesive layer 10 or the like so as to place the resin film 5 therebetween, is adhered by an active energy line curable resin 12 or the like.例文帳に追加

第1ガラス板4と、この第1ガラス板4の片面の一部に感圧接着層10などによって接着された不透明または有色の樹脂フィルム5とに対して、同樹脂フィルム5を間に挟むように対向配置された第2ガラス板6が活性エネルギー線硬化性樹脂12などによって接着されているディスプレイ装置Pとした。 - 特許庁

There is disclosed a method for producing a cell comprising a passage process in which passage of a cell adhered to a cell culture carrier is produced as a cell adhered to a new cell culture carrier, wherein the cell culture carrier and a new cell culture carrier contain a microcarrier (A) with a specific polypeptide (P), and the passage process is as follows.例文帳に追加

細胞培養担体に付着した細胞を新たな細胞培養担体に付着した細胞として継代させる継代工程を含む細胞の生産方法であって、細胞培養担体及び新たな細胞培養担体が特定のポリペプチド(P)を有するマイクロキャリア(A)を含む細胞培養担体であり、継代工程が下記の工程である細胞の生産方法。 - 特許庁

The diode includes a semiconductor substrate 11 constituted of an N^+ semiconductor layer 1 and an N^- semiconductor layer 2, a P- type anode region 15 formed by selectively diffusing an impurity into an outer surface of the N^- semiconductor layer 2, and an anode electrode 17 conducting with the anode region 15 via a contact region 17c in the anode region 15.例文帳に追加

N^+半導体層1及びN^−半導体層2からなる半導体基板11と、N^−半導体層2の外面に対する選択的な不純物拡散により形成されたP型のアノード領域15と、アノード領域15内のコンタクト領域17cを介してアノード領域15と導通するアノード電極17とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第1金属膜をTCO膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、p型コンタクト層とTCO膜との間の抵抗を前記第1金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むGaN系LED素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The switching mechanism 71 includes a bonding pin member 75 for making it in the fixed state by restricting rotation of the stabilizer 53 around a rotation axis P relative to the vehicle body by being bonded to the stabilizer 53; and a solenoid 73 fixedly provided on the vehicle body and bonding the bonding pin member 75 to the stabilizer 53 by driving the bonding pin member 75.例文帳に追加

切替機構71は、スタビライザー53と結合することによって車体に対してスタビライザー53が回転軸P回りの回転することを規制して固定状態にする結合ピン部材75と、車体に固定的に設けられ、前記結合ピン部材75を駆動して、結合ピン部材75とスタビライザー53を結合させるソレノイド73と、を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置1は、N^-型のシリコン基板2(ドレイン領域)の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域4と、アクティブ領域4の最外周部に、アクティブ領域4を取り囲むように連続して形成されたP^+型の低抵抗領域5とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁

The composition for forming the layer to be plated comprises a polymer including: a unit (A) having a polymerizable group; an acrylamide unit (B) derived from an acrylamide monomer in which C log P is ≤0, and having a non-dissociative functional group forming an interaction with a plating catalyst or a precursor thereof; and a unit having a hydrophobic group and not having a polymerizable group.例文帳に追加

重合性基を有するユニット(A)、ClogPが0以下であるアクリルアミドモノマー由来のユニットであり、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基を有するアクリルアミドユニット(B)、および疎水性基を有し、重合性基を有しないユニット(C)を含むポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 - 特許庁

In a thermoelectric conversion module having high productivity and a laminated structure by further forming the electrodes 4 on main surfaces of the semiconductor elements 1 and 2, it is possible to reduce resistance between the p-type semiconductor element 1 and the electrode 4 and between the n-type semiconductor element 2 and the electrode, and thus, there is provided a thermoelectric conversion module having high conversion efficiency.例文帳に追加

生産性の高い、積層体構造の熱電変換モジュールにおいて、さらに半導体素子1,2の主面に電極4を形成することで、p型半導体素子1およびn型半導体素子2と電極4との間の抵抗を低減することができ、変換効率の高い熱電変換モジュールを提供することができる。 - 特許庁

The control section 10 includes a charge control means which gradually increases the conductance or the output current value of a P-channel transistor P5, when the input power supply SPVDD charges the flying capacitor C3, detects that a charge voltage CP of the flying capacitor C3 which exceeds a reference voltage VLMT imparted in advance, and then turns off the transistor.例文帳に追加

制御部10は、入力電源SPVDDにフライングキャパシタC3の充電を行わせる際、PチャネルトランジスタP5のコンダクタンスまたは出力電流値を漸次増加させ、フライングキャパシタC3の充電電圧CPが予め与えられた基準電圧VLMTを越えたのを検出して当該トランジスタをOFFさせる充電制御手段を具備する。 - 特許庁

The image forming device includes: a job configuration determination means for determining whether the number of input print copies P is larger or smaller than a predetermined reference value Th; a print data determination means for determining whether input print data includes image data and/or graphic data or not; and a control means for executing image stabilization adjustment in a printing section.例文帳に追加

入力されたプリント部数Pが所定の基準値Thよりも多いか少ないかを判断するジョブ構成判断手段と、入力されたプリントデータにイメージデータ及び/又はグラフィックデータが含まれているか否かを判断するプリントデータ判断手段と、プリント部における画像安定化調整制御を実行させる制御手段と、を備えた画像形成装置。 - 特許庁

Opposed two side walls 12a and 12b of the boxlike container 10 have a plurality of vertically extending projecting stripes 14 formed in parallel with each other to form support grooves 15 for supporting side faces of solar battery panels P, and the container bottom 11a has gaps 16 and 16 formed along the side walls 12a and 12b having the projecting stripes 14, respectively.例文帳に追加

箱形容器10の対向する2つの側壁12a,12bは、太陽電池パネルPの側端面を支持する支持溝15を形成するための複数本の互いに平行な凸条14を上下方向に有しており、容器底面11aには凸条を備えた各側壁に沿うようにして空隙16,16が形成されている。 - 特許庁

Each of the both advance notice patterns is selected so that the total of a point P1 and a point P2 does not exceed a point P corresponding to the variation start command, and a player receives expectations, matched with the probability that decoration patterns become a combination of a big winning in an image of a decoration pattern game, from the both advance notice patterns.例文帳に追加

これら両予告絵柄のそれぞれはポイントP1およびポイントP2の合計が変動開始コマンドに応じたポイントPを上回ることがないように選択されるものであり、遊技者は装飾図柄遊技の映像で装飾図柄が大当りの組合せとなる確率に整合した期待感を両予告絵柄から受けることになる。 - 特許庁

In the near infrared ray heater 1 wherein an opening 9 is made to remain and formed by a white coat 8 covered and formed, setting of an opening angle 10 of the opening 9 is restricted to 120°±10°, so as to increase the heating efficiency at a constant level or higher and drastically reduce electric power consumption during biaxially stretching blow molding of the preform P with respect to a bottle body.例文帳に追加

被覆形成したホワイトコート8により開口部9を残存形成した近赤外線ヒータ1において、開口部9の開口角10を120°±10°に設定規制することにより、一定レベル以上の加熱効率のアップを得、これによりプリフォームPを壜体に2軸延伸成形ブロー成形する際の、大幅な消費電力の低減化を得る。 - 特許庁

例文

A display control part 26 displays a sound indicator P in which a vertical axis direction position is determined according to the pitch indicated by the basic information UA, and a horizontal axis direction position is determined according to the sounding time indicated by the basic information UA, as a figure of a mode according to the attribute information UB of the specified sound, on a display device 16.例文帳に追加

表示制御部26は、基本情報UAが示す音高に応じて縦軸方向の位置が決定されるとともに基本情報UAが示す発音時点に応じて横軸方向の位置が決定された音指示子Pを、当該指定音の属性情報UBに応じた態様の図形として指定音毎に表示装置16に表示させる。 - 特許庁




  
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